JPS6074662A - 集積回路における高抵抗パタ−ン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）　発明の技術分野 本発明は補償拡散部を有する集積回路における拡散高抵
抗パターンに関する。

（２）　技術の背景 集積回路における拡散抵抗の抵抗値は概ね層抵抗とＩ、
／Ｗ　（Ｌは抵抗の長さ、Ｗは抵抗の幅）との積で与え
られる。Ｌ／Ｗの値は拡散抵抗の形状によって容易に決
定されるために、抵抗値の設定によく使用されるが、抵
抗値が高（なると長さしを長くとる必要があり、占有面
積が太き（なってしまう。そこで拡散する不純物の濃度
を低クシ層抵抗を高くすることで高抵抗を実現する技術
が開発されたが、占有面積の問題は解決されても抵抗値
の安定性に関しては問題を残している。特に高抵抗にお
いては高い電圧が印加されることが多く。

この問題の解決が望まれている。

（３）　従来技術と問題点 以下、従来技術について説明する。

第１図は従来の拡散高抵抗パターンを含む抵抗素子の平
面図である。同図においてＰ形の低濃度拡散高抵抗（以
下、高抵抗と略す）１は幅Ｗ、長さしをもち、その両端
は高濃度補償拡散層（以下。

補償拡散と略す）２及び２′を介して電極３及び３′に
電気的に接続されている。なお、以下図中の補償拡散部
分はすべて斜線で示される。上述したように、高抵抗１
は抵抗の長さしを小さくすることができるという利点を
有しているが、その一方で高抵抗であるため、直接に電
極（通常アルミニウムＡｌ電極）３及び３′とのオーム
性の良い接続をとることが困難である。補償拡散２及び
２′は、オーム性の良い接続をとるために高抵抗１と電
極３及び３′とを仲介しているわけである。

またｎ形エピタキシャルＮ４上に形成された高抵抗パタ
ーンはＰ形の分離用拡散層５によって他の素子と電気的
に分離されている。

第１図中には明確に図示されていないが、抵抗素子の表
面は電極３及び３′の部分を除いて酸化膜でおおわれて
いる。

ところで、この酸化膜は半導体の高温熱処理。

すなわち熱酸化あるいは不純物拡散などによって形成さ
れる。しかし使用される薬品や純水などには不可避的に
汚染物質が含まれており、そのためにこの酸化膜中には
ナトリウム・イオン等の正に帯電した可動イオンが導入
されてしまう。このような可動イオンの混入はプロセス
全体を汚染から守るように注意することである程度減少
させることはできるが、完全に除去することは事実上不
可能である。

ところが第１図に示された従来の高抵抗パターンでは、
この可動イオンの影響によって抵抗値が変化してしまい
、信頼性が低下するという欠点があった。以下、この問
題を第２図を用いて説明する。

第２図は第１図の高抵抗パターンのうち一方の補償拡散
２と高抵抗１の一部分を切り出して描いた概略的平面図
である。すでに述べたように高抵抗１は長さしを短くす
ることが可能である。しかしそのために高抵抗１と補償
拡散２との間の電位分布が高抵抗１の幅Ｗよりも広範囲
に広がり、しかもこの電位分布に従って上述した酸化膜
中の可動イオン６が、第２図に示すように、高抵抗１と
補償拡散２の境目付近に集合する結果となる。この可動
イオン６は正に帯電しているために、高抵抗１の両側に
はｎ形エピタキシャル層４内のアクセプタイオンが可動
イオン６と同様な分布で集合することとなる。そのため
に高抵抗１の面積があたかも増大したかのような状態と
なり、抵抗値の低下を引き起こす結果となっていた。ま
たこのような抵抗値の変化を避けるためには補償拡散２
及び２′のＷ方向の幅を小さくすればよいのだが。

能動素子等に使用される場合は第１図に示されるパター
ン形状は避けることはできない。

このように従来の高抵抗パターンでは電位分布が著しい
場合に抵抗値の安定性を欠くという問題を有していた。

（４）　発明の目的 本発明は上記従来の問題点に鑑み、電位分布の著しい状
態でも可動イオン等の影響を受けることなく安定した抵
抗値を保つことのできる集積回路における高抵抗パター
ンを提供することを目的とする。

（５）　発明の構成 上記目的は本発明によれば電極と拡散高抵抗とのオーム
性の良い接続を行うための補償拡散部を有する高抵抗パ
ターンにおいて、補償拡散部の形状を接続される高抵抗
と同じ幅をもち所定の長さの接続部を有する形状とした
ことを特徴とする集積回路における高抵抗パターンを提
供することによって達成される。

（６）　発明の実施例 ５− 以下本発明の実施例を図面を用いて説明する。

第３図は本発明による高抵抗パターンの一実施例を示す
概略的平面図である。

補償拡散７及び７′には、補償拡散７．７′より短い幅
Ｗを有し長さｌの接続部７１．７１’が設けられ、高抵
抗８が接続されている。この接続部７１．７１’の先端
の一部は高濃度補償拡散７゜７′と低濃度高抵抗８が重
なりあっている。このように構成することによって第４
図に示されるように、前述した可動イオン６等による高
抵抗８への影響を長さｌを調整することで無視できる程
度に減らずことができる。すなわち、電位分布に従って
可動イオン６等が集合して来ても、補償拡散７及び７′
が接続部７１．７１’の長さｐだけ突き出しているため
に補償拡散部分に可動イオン６が集まることになり、従
来例において問題となった高抵抗８への影響がほとんど
なくなり、その結果電位分布による抵抗値の変動をおさ
えることができる。

また本実施例では補償拡散部と抵抗との電位分６− 布を問題にしたが、これに限定されるものではない。た
とえば集積化の向上に伴って抵抗とトランジスタなどの
複合能動素子との距離が接近し、そのための電位分布が
著しくなっている場合にも。

第３図に示されるパターンにすることで高抵抗８への影
響を軽減することができる。

また単に接続用の補償拡散であれば第５図に示されるよ
うに補償拡散９，９′と接続部９１゜９１′の幅を高抵
抗１０の幅と同一の形状にすることで補償拡散９及び９
′と高抵抗１０との電荷分布をほとんど皆無にすること
ができる。

（７）　発明の効果 以上、詳細に説明したように１本発明は高抵抗の幅と同
じ幅で所定の長さをもつ接続部を補償拡散に設けること
で、電位分布の著しい状態にあっても可動イオン等によ
る抵抗値への影響を軽減でき、信頼性を向上させるとい
う効果大なるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の高抵抗パターンの平面図、第２図は可動
イオンの状態を説明するためのもので第１図における高
抵抗パターンの一部を省略した概略的平面図、第３図は
本発明による高抵抗パターンの平面図、第４図は可動イ
オンの状態を説明するためのもので第３図における高抵
抗パターンの一部を省略した概略的平面図、第５図は本
発明の第２の実施例を示す高抵抗パターンの平面図であ
る。１，８．１０・・・高抵抗、　２．２’。 ７．７’、９．９’・・・補償拡散　７１゜７１′、９
１．９１’・・・接続部 第３図 第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電極と拡散高抵抗とのオーム性の良い接続を行うための
   補償拡散部を有する高抵抗パターンにおいて、補償拡散
   部が接続される高抵抗と同じ幅をもち所定の長さの接続
   部を有することを特徴とする集積回路における高抵抗パ
   ターン。