JPS6076146A - 薄型半導体装置 - Google Patents
薄型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6076146A JPS6076146A JP58185744A JP18574483A JPS6076146A JP S6076146 A JPS6076146 A JP S6076146A JP 58185744 A JP58185744 A JP 58185744A JP 18574483 A JP18574483 A JP 18574483A JP S6076146 A JPS6076146 A JP S6076146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- films
- circuit board
- adhesive
- adhesive films
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/611—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers for connecting multiple chips together
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/699—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers for flat cards, e.g. credit cards
Landscapes
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体素子が薄型にパッケージされた薄型半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
近年、電車、カードなとはその実用性の観点から薄型化
の傾向にあり、これら製品内部に半導体素子を組み込む
に当たってできるだけ−Ｉくパッケージすることが要求
されている。従来のパッケージ手段としてはセラミック
封止やエポキシ樹脂封止などが知られているが、かかる
手段では上記要求に充分に応えにくい。
の傾向にあり、これら製品内部に半導体素子を組み込む
に当たってできるだけ−Ｉくパッケージすることが要求
されている。従来のパッケージ手段としてはセラミック
封止やエポキシ樹脂封止などが知られているが、かかる
手段では上記要求に充分に応えにくい。
この発明は、上記観点から、前記要求にあった薄型パッ
ケージされた半導体装置を提供せんとするもので、その
要旨とするところは、耐熱性フィルムに熱可塑性樹脂を
融着剤として塗工してなる２枚の接着フィルム間に半導
体素子を介在させて上記両接着フィルムで上記素子を封
止したことを特徴とする薄型半導体装置にある。
ケージされた半導体装置を提供せんとするもので、その
要旨とするところは、耐熱性フィルムに熱可塑性樹脂を
融着剤として塗工してなる２枚の接着フィルム間に半導
体素子を介在させて上記両接着フィルムで上記素子を封
止したことを特徴とする薄型半導体装置にある。
以下、この発明を図面を参考にして説明する。
図面はこの発明の薄型半導体装置の一例を示す要部断面
図である。
図である。
図中、１はスルーホール２を有する銅張り積層板の如き
回路用基板に所定の印刷回路を形成してなる印刷回路板
、３，４は上記回路板１のスルーポール２内に設けられ
た半導体素子５をその両面側から接置支持してなる接着
フィルムであり、このフィルム３，４はそれぞれ耐熱性
フィルム３ａ。
回路用基板に所定の印刷回路を形成してなる印刷回路板
、３，４は上記回路板１のスルーポール２内に設けられ
た半導体素子５をその両面側から接置支持してなる接着
フィルムであり、このフィルム３，４はそれぞれ耐熱性
フィルム３ａ。
４ａ とこれに溶液塗工ないし溶融塗工により塗工され
た熱可塑性樹脂からなる融着剤３ｂ 、 ４ｂとから構
成されている。６は上記素子５と印刷回路板ｌとを電気
的に接続したボンディングワイヤである。
た熱可塑性樹脂からなる融着剤３ｂ 、 ４ｂとから構
成されている。６は上記素子５と印刷回路板ｌとを電気
的に接続したボンディングワイヤである。
上記構成の半導体装置は以下の如く組み立てることがで
きる。まず接着フィルム４上に印刷回路板１を載置する
とともにスルホール２内に半導体素子２をセットし、こ
れら回路板Ｉおよび素子２を融着剤４ｂの熱融着性によ
って接着フィルム４に接着固定する。ついで、素子２と
回路板１との間をボンディングワイヤ６を用いてワイヤ
ボンディングしたのち、これら素子２１回路板ｌおよび
ボンディングワイヤ６上に接着フィルム３を設けてその
融着剤３ｂの熱融着性によって接着被覆する。これによ
り上記素子２はスルーホール２内において両面側の接着
フィルム３，４によッテ接着支持されるとともに、この
両フィルム３，４によって外部雰囲気からしゃ断金れた
封止状態となる。
きる。まず接着フィルム４上に印刷回路板１を載置する
とともにスルホール２内に半導体素子２をセットし、こ
れら回路板Ｉおよび素子２を融着剤４ｂの熱融着性によ
って接着フィルム４に接着固定する。ついで、素子２と
回路板１との間をボンディングワイヤ６を用いてワイヤ
ボンディングしたのち、これら素子２１回路板ｌおよび
ボンディングワイヤ６上に接着フィルム３を設けてその
融着剤３ｂの熱融着性によって接着被覆する。これによ
り上記素子２はスルーホール２内において両面側の接着
フィルム３，４によッテ接着支持されるとともに、この
両フィルム３，４によって外部雰囲気からしゃ断金れた
封止状態となる。
このように、この発明によれば、２枚の接着フィルム３
，４を用いてこのフィルムの融着剤ａｂ。
，４を用いてこのフィルムの融着剤ａｂ。
ｌｌｂの融点以上の温度に加熱することにより半導体素
子２の接着固定と同時にその樹脂封止を達成できるから
封止作業が非常に容易である。しかもこの封止は２枚の
接着フィルムによって行えるものであるから、薄型パッ
ケージが可能で前記要求に充分に応えることができる。
子２の接着固定と同時にその樹脂封止を達成できるから
封止作業が非常に容易である。しかもこの封止は２枚の
接着フィルムによって行えるものであるから、薄型パッ
ケージが可能で前記要求に充分に応えることができる。
また上記接着フィルム３，４は耐熱性フィルム３ａ、４
ａをベースフィルムとするものであるため、半導体装置
の前記組み立て時および使用時の耐熱性に良好な結果を
与え、一方これに塗工されてなる融着剤３．ｂ、４ｂは
半導体素子２などに対する均一で強固な接着を可能とす
るから、半導体素子表面への水分の浸入防止にも好結果
が得られる。
ａをベースフィルムとするものであるため、半導体装置
の前記組み立て時および使用時の耐熱性に良好な結果を
与え、一方これに塗工されてなる融着剤３．ｂ、４ｂは
半導体素子２などに対する均一で強固な接着を可能とす
るから、半導体素子表面への水分の浸入防止にも好結果
が得られる。
この発明の上記接着フィルム３，４における耐熱性フィ
ルム３ａ 、４ａとしては、代表的にはポリイミド系フ
ィルムが用いられる。その低融着剤３ｂ、４ｂを構成す
る熱可塑性樹脂の融着温度以上の耐熱性を有するもので
あれば、ポリテトラフルオロエチレンの如き他のフィル
ムであってもよい。
ルム３ａ 、４ａとしては、代表的にはポリイミド系フ
ィルムが用いられる。その低融着剤３ｂ、４ｂを構成す
る熱可塑性樹脂の融着温度以上の耐熱性を有するもので
あれば、ポリテトラフルオロエチレンの如き他のフィル
ムであってもよい。
また融着剤８ｂ、４ｂを構成する熱可塑性樹脂としては
、融点が２００〜３２０ ’Ｃのフッ素系ポリマーが好
ましく、その他上記同様の融点を有する他の熱可塑性樹
脂を使用できる。上記融点が低すぎるものでは半導体装
置としての耐熱性に問題を生じやすく、また高くなりす
ぎると接着時に高温を要し、いずれも好ましくない。
、融点が２００〜３２０ ’Ｃのフッ素系ポリマーが好
ましく、その他上記同様の融点を有する他の熱可塑性樹
脂を使用できる。上記融点が低すぎるものでは半導体装
置としての耐熱性に問題を生じやすく、また高くなりす
ぎると接着時に高温を要し、いずれも好ましくない。
融着く３ｂと４ｂとはその融着温度が同じであるか、あ
るいは融着剤４ｂが３ｂに較べて高い融着温度を有して
いることが好ましい。逆の場合、接着シート３の接着時
にすでに接着固化された融着剤４ｂの熱流動がおこり素
子２の位置ずれなどをきたすおそれがあり、好ましくな
い。
るいは融着剤４ｂが３ｂに較べて高い融着温度を有して
いることが好ましい。逆の場合、接着シート３の接着時
にすでに接着固化された融着剤４ｂの熱流動がおこり素
子２の位置ずれなどをきたすおそれがあり、好ましくな
い。
上記フッ素系ポリマーとしてはフッ素含有量が通常２０
重量％以上、好ましくは５０〜７６重量％のものが用い
られる。特に、パーフルオロアルケンないしパーフルオ
ロビニルエーテルのホモポリマーまたはコポリマーが好
適であり、その代表例としてはテトラフルオロエチレン
−ヘキサ７ ／Ｌ／オロプロピレン共重合体（以下、Ｆ
ＥＰという）構造式； （ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ２−Ｃ
Ｆ、（ＯＲｆ ） Ｊ、（ただし、式中Ｒｆは炭素数７
以下、好ましくは１〜３のフッ化アルキル基を意味する
）で表わされるテトラフルオロエチレン−パーフルオロ
ビニルエーテル共重合体（以下、ＰＦＡという）を挙げ
ることができる。上記ＰＦＡの市販品としてはダイキン
工業社製商品名ネオフロンＰＦＡ、デュポン社製商品名
テフロンＰＦＡなどがある。
重量％以上、好ましくは５０〜７６重量％のものが用い
られる。特に、パーフルオロアルケンないしパーフルオ
ロビニルエーテルのホモポリマーまたはコポリマーが好
適であり、その代表例としてはテトラフルオロエチレン
−ヘキサ７ ／Ｌ／オロプロピレン共重合体（以下、Ｆ
ＥＰという）構造式； （ＣＦ２−ＣＦ２−ＣＦ２−Ｃ
Ｆ、（ＯＲｆ ） Ｊ、（ただし、式中Ｒｆは炭素数７
以下、好ましくは１〜３のフッ化アルキル基を意味する
）で表わされるテトラフルオロエチレン−パーフルオロ
ビニルエーテル共重合体（以下、ＰＦＡという）を挙げ
ることができる。上記ＰＦＡの市販品としてはダイキン
工業社製商品名ネオフロンＰＦＡ、デュポン社製商品名
テフロンＰＦＡなどがある。
その他の上記フッ素系ポリマーとして、上記構造式で表
わされるＰＦＡのフッ素の一部が水素に置換されたもの
や、ポリクロロトリフルオロエチレン、エチレン−テト
ラフルオロエチレン共重合体（以下、ＥＴＦＥという）
、エチレン−クロルトリフルオロエチレン共重合体など
も使用可能である。
わされるＰＦＡのフッ素の一部が水素に置換されたもの
や、ポリクロロトリフルオロエチレン、エチレン−テト
ラフルオロエチレン共重合体（以下、ＥＴＦＥという）
、エチレン−クロルトリフルオロエチレン共重合体など
も使用可能である。
これらのフッ素系ポリマーは常温では非接着性であるが
融点以上に加熱すると金属などに対して容易に融着する
性質を有しているとともに、溶融時のポリマーの流れが
少ないという特徴を有（、ている。
融点以上に加熱すると金属などに対して容易に融着する
性質を有しているとともに、溶融時のポリマーの流れが
少ないという特徴を有（、ている。
接着フィルム３，４の厚みとしては、一般に２０ ｌｔ
ｎ〕以上、好適には８０７ｚｍ以上で１００ ｐｍ以下
であり、このうち耐熱性フィルム８ａ、４ａの厚みは１
５〜９０μｍ１熱融着剤層８ｂ、４ｂの厚みは５〜２５
μｍである。
ｎ〕以上、好適には８０７ｚｍ以上で１００ ｐｍ以下
であり、このうち耐熱性フィルム８ａ、４ａの厚みは１
５〜９０μｍ１熱融着剤層８ｂ、４ｂの厚みは５〜２５
μｍである。
以上のように、この発明によれば、電卓、カードなどに
応用可能な薄型半導体装置を製造容易に提供することが
できる。
応用可能な薄型半導体装置を製造容易に提供することが
できる。
実施例１
厚さ２５１ｔｍのポリイミドフィルム上に融点が２７０
°ＣのＦＥＰをｌθμｍｎ厚に塗着してポリイミド接着
フィルムを作製した。つぎに、所定の印刷回路板にセッ
トされた半導体メモリ素子（６４Ｋ ＭＯＳ Ｄ ＲＡ
Ｍ ）を、上記接着フィルム２枚を用いて前記方法に
て接着固定すると同時に封止して、図面に示される如き
薄型半導体装置を得た。
°ＣのＦＥＰをｌθμｍｎ厚に塗着してポリイミド接着
フィルムを作製した。つぎに、所定の印刷回路板にセッ
トされた半導体メモリ素子（６４Ｋ ＭＯＳ Ｄ ＲＡ
Ｍ ）を、上記接着フィルム２枚を用いて前記方法に
て接着固定すると同時に封止して、図面に示される如き
薄型半導体装置を得た。
なお、接着条件は、ＦＥＰ側からの加熱圧着で３５０
’Ｃ，５Ｋｇ／ ７ ＋ ５秒の条件とした。
’Ｃ，５Ｋｇ／ ７ ＋ ５秒の条件とした。
実施例２
厚さ２５ ｐｍのポリイミドフィルム上に融点が８０５
’ＣのＩ）ＦＡをｌＯμｍ月厚に塗着してポリイミド接
着フィルムを作製した。このフィルムを用いて以下実施
例１と全く同様にして薄型半導体装置をつくった。
’ＣのＩ）ＦＡをｌＯμｍ月厚に塗着してポリイミド接
着フィルムを作製した。このフィルムを用いて以下実施
例１と全く同様にして薄型半導体装置をつくった。
実施例３
厚さ２５ ｌｔｍのポリイミドフィルム上に、融点が２
６０’Ｃ（７）Ｅ”ｒＦ Ｅをｌ Ｏ／７１１１厚に塗
着してポリイミド接着フィルムを作製した。このフィル
ムを用いて以下実施例１と全く同様にして薄型半導体装
置をつくった。
６０’Ｃ（７）Ｅ”ｒＦ Ｅをｌ Ｏ／７１１１厚に塗
着してポリイミド接着フィルムを作製した。このフィル
ムを用いて以下実施例１と全く同様にして薄型半導体装
置をつくった。
上記実施例１〜３より、電卓、カードなどに有用な薄型
半導体装置を作業容易に製造できるものであることが判
る。
半導体装置を作業容易に製造できるものであることが判
る。
図面はこの発明の薄型半導体装置の一例を示す要部断面
図である。 ３．１１・・接着フィルム、８ａ、４ａ・・・耐熱性フ
ィルム、８ｂ、４ｂ・・・融着剤、５・・・半導体素子
。 特許出願人 日東電気工業株式会社 代理人 弁理士祢宜元邦夫
図である。 ３．１１・・接着フィルム、８ａ、４ａ・・・耐熱性フ
ィルム、８ｂ、４ｂ・・・融着剤、５・・・半導体素子
。 特許出願人 日東電気工業株式会社 代理人 弁理士祢宜元邦夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｌ＋ 耐熱性フィルムに熱可塑性樹脂を融着剤として
塗工してなる２枚の接着フィルム間に半導体素子を介在
させて上記両接着フィルムで上記素子を封止したことを
特徴とする薄型半導体装置。 （２）耐熱性フィルムがポリイミド系ライルムからなる
特許請求の範囲第（１）項記載の薄型半導体装置。 （３）熱可塑性樹脂が融点２００〜３２０°Ｃのフッ素
系ポリマーからなる特許請求の範囲第（＋ｉ項または第
（２）項記載の薄型半導体装置。 （４） フッ素系ポリマーがパーフルオロアルケンない
しパーフルオロビニルエーテルのホモポリ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58185744A JPS6076146A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 薄型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58185744A JPS6076146A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 薄型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076146A true JPS6076146A (ja) | 1985-04-30 |
| JPS648467B2 JPS648467B2 (ja) | 1989-02-14 |
Family
ID=16176095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58185744A Granted JPS6076146A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 薄型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076146A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02107496A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-19 | Seiko Epson Corp | Ｉｃカードの製造方法 |
| WO1997048562A1 (en) * | 1996-06-17 | 1997-12-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing thin ic cards and construction thereof |
| CN1079053C (zh) * | 1996-06-17 | 2002-02-13 | 三菱电机株式会社 | 制造薄ic卡的方法及其结构 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01141153A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-02 | Kato Seisakusho:Kk | Ｘ型アウトリガ装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5379379A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor and divice for the same |
| JPS5543871A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-27 | Casio Comput Co Ltd | Packaging of semiconductor device |
| JPS5714570A (en) * | 1980-06-19 | 1982-01-25 | Ppg Industries Inc | Preparation of n-benzyloxycarbonylaspartic acid |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP58185744A patent/JPS6076146A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5379379A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor and divice for the same |
| JPS5543871A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-27 | Casio Comput Co Ltd | Packaging of semiconductor device |
| JPS5714570A (en) * | 1980-06-19 | 1982-01-25 | Ppg Industries Inc | Preparation of n-benzyloxycarbonylaspartic acid |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02107496A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-19 | Seiko Epson Corp | Ｉｃカードの製造方法 |
| WO1997048562A1 (en) * | 1996-06-17 | 1997-12-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing thin ic cards and construction thereof |
| US6207004B1 (en) | 1996-06-17 | 2001-03-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing thin IC cards and construction thereof |
| CN1079053C (zh) * | 1996-06-17 | 2002-02-13 | 三菱电机株式会社 | 制造薄ic卡的方法及其结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS648467B2 (ja) | 1989-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2921668B2 (ja) | 熱伝導性かつ電気絶縁性の結合装置およびその製造方法 | |
| JP2603543B2 (ja) | 電子部品用接着テープ | |
| JPH10326809A (ja) | 半導体チップ・キャリヤ・アセンブリおよびその製造方法 | |
| JPS6076146A (ja) | 薄型半導体装置 | |
| JP3765331B2 (ja) | 低応力のフィルム状接着剤、それを用いたリードフレーム及び半導体装置 | |
| JPH0636416B2 (ja) | 半導体素子固定用導電性接着フイルム | |
| JP3620156B2 (ja) | 低温接着性のフィルム状接着剤、それを用いたリードフレーム及び半導体装置 | |
| WO1998057370A1 (en) | Flip-chip member, sheetlike sealing material, semiconductor device, and process for manufacturing the same | |
| JPH03105932A (ja) | シート状接着剤並びに当該接着剤を用いた半導体装置 | |
| JPS60102751A (ja) | 半導体素子固定用接着フイルム | |
| JP2003147323A (ja) | 接着剤組成物、接着フィルム、半導体支持部材、半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH04105392A (ja) | フレキシブルプリント回路基板及びその製造方法 | |
| JP2000001652A (ja) | 接着テープ | |
| JP2000017072A (ja) | 熱融着性ポリイミド樹脂フィルムおよびこれを用いた半導体装置ならびにその製法、それに用いる半導体装置用テープキャリア | |
| JPS603131A (ja) | 半導体素子固定用接着フイルム | |
| JPS603139A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04141979A (ja) | 面状発熱体 | |
| JPS62113367A (ja) | 積層構造物およびその製造方法 | |
| JPS59127828A (ja) | チツプ状フイルムコンデンサ− | |
| JP2003082301A (ja) | 接着テープ及び半導体装置 | |
| JP3289797B2 (ja) | 偏平電池 | |
| JPS6414886A (en) | Bond for terminal connection and connecting method | |
| JPS603132A (ja) | 半導体装置 | |
| CN1327518C (zh) | 电线线路密封片 | |
| JP2002150908A (ja) | 薄型ヒューズ及びその製造方法 |