JPS648467B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS648467B2 JPS648467B2 JP58185744A JP18574483A JPS648467B2 JP S648467 B2 JPS648467 B2 JP S648467B2 JP 58185744 A JP58185744 A JP 58185744A JP 18574483 A JP18574483 A JP 18574483A JP S648467 B2 JPS648467 B2 JP S648467B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- adhesive
- semiconductor device
- films
- fluorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/611—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers for connecting multiple chips together
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/699—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers for flat cards, e.g. credit cards
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- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体素子が薄型にパツケージされ
た薄型半導体装置に関する。
た薄型半導体装置に関する。
近年、電卓、カードなどはその実用性の観点か
ら薄型化の傾向にあり、これら製品内部に半導体
素子を組み込むに当たつてできるだけ薄くパツケ
ージすることが要求されている。従来のパツケー
ジ手段としてはセラミツク封止やエポキシ樹脂封
止などが知られているが、かかる手段では上記要
求に充分に応えにくい。
ら薄型化の傾向にあり、これら製品内部に半導体
素子を組み込むに当たつてできるだけ薄くパツケ
ージすることが要求されている。従来のパツケー
ジ手段としてはセラミツク封止やエポキシ樹脂封
止などが知られているが、かかる手段では上記要
求に充分に応えにくい。
この発明は、上記観点から、前記要求にあつた
薄型パツケージされた半導体装置を提供せんとす
るもので、その要旨とするところは、ポリイミド
系フイルムからなる耐熱性フイルムに融点200〜
320℃のフツ素系ポリマーからなる熱可塑性樹脂
を融着剤として塗工してなる２枚の接着フイルム
間に、スルーホールを有する印刷回路板および上
記のスルーホール内の設けられた半導体素子を介
在させて上記両接着フイルムで上記回路板を被覆
するとともに上記素子を封止したことを特徴とす
る薄型半導体装置にある。
薄型パツケージされた半導体装置を提供せんとす
るもので、その要旨とするところは、ポリイミド
系フイルムからなる耐熱性フイルムに融点200〜
320℃のフツ素系ポリマーからなる熱可塑性樹脂
を融着剤として塗工してなる２枚の接着フイルム
間に、スルーホールを有する印刷回路板および上
記のスルーホール内の設けられた半導体素子を介
在させて上記両接着フイルムで上記回路板を被覆
するとともに上記素子を封止したことを特徴とす
る薄型半導体装置にある。
以下、この発明を図面を参考にして説明する。
図面はこの発明の薄型半導体装置の一例を示す要
部断面図である。
図面はこの発明の薄型半導体装置の一例を示す要
部断面図である。
図中、１はスルーホール２を有する銅張り積層
板の如き回路用基板に所定の印刷回路を形成して
なる印刷回路板、３，４は上記回路板１とそのス
ルーホール２内に設けられた半導体素子５とをそ
の両面側から接着被覆してなる接着フイルムであ
り、このフイルム３，４はそれぞれポリイミド系
フイルムからなる耐熱性フイルム３ａ，４ａとこ
れに溶液塗工ないし溶融塗工により塗工された融
点200〜320℃のフツ素系ポリマーからなる熱可塑
性樹脂よりなる融着剤３ｂ，４ｂとから構成され
ている。６は上記素子５と印刷回路板１とを電気
的に接続したボンデイングワイヤである。
板の如き回路用基板に所定の印刷回路を形成して
なる印刷回路板、３，４は上記回路板１とそのス
ルーホール２内に設けられた半導体素子５とをそ
の両面側から接着被覆してなる接着フイルムであ
り、このフイルム３，４はそれぞれポリイミド系
フイルムからなる耐熱性フイルム３ａ，４ａとこ
れに溶液塗工ないし溶融塗工により塗工された融
点200〜320℃のフツ素系ポリマーからなる熱可塑
性樹脂よりなる融着剤３ｂ，４ｂとから構成され
ている。６は上記素子５と印刷回路板１とを電気
的に接続したボンデイングワイヤである。
上記構成の半導体装置は、たとえば以下の如く
組み立てることができる。まず、接着フイルム４
上に印刷回路板１を載置するとともに、そのスル
ーホール２内に半導体素子５をセツトし、これら
回路板１および素子５を融着剤４ｂの熱融着性に
よつて接着フイルム４に接着固定する。ついで、
素子５と回路板１との間をボンデイングワイヤ６
を用いてワイヤボンデイングしたのち、これら素
子５、回路板１およびボンデイングワイヤ６上に
接着フイルム３を設けてその融着剤３ｂの熱融着
性によつて接着被覆する。
組み立てることができる。まず、接着フイルム４
上に印刷回路板１を載置するとともに、そのスル
ーホール２内に半導体素子５をセツトし、これら
回路板１および素子５を融着剤４ｂの熱融着性に
よつて接着フイルム４に接着固定する。ついで、
素子５と回路板１との間をボンデイングワイヤ６
を用いてワイヤボンデイングしたのち、これら素
子５、回路板１およびボンデイングワイヤ６上に
接着フイルム３を設けてその融着剤３ｂの熱融着
性によつて接着被覆する。
これにより、上記回路板１はその全体が接着フ
イルム３，４によつて被覆される一方、上記素子
５は上記回路板１のスルーホール２内において両
面側の接着フイルム３，４によつて接着支持され
るとともに、この両フイルム３，４によつて外部
雰囲気からしや断された封止状態となる。
イルム３，４によつて被覆される一方、上記素子
５は上記回路板１のスルーホール２内において両
面側の接着フイルム３，４によつて接着支持され
るとともに、この両フイルム３，４によつて外部
雰囲気からしや断された封止状態となる。
このように、この発明によれば、２枚の接着フ
イルム３，４を用いてこのフイルムの融着剤３
ｂ，４ｂの融点以上の温度に加熱することによ
り、回路板１の被覆および半導体素子５のの接着
固定と同時にその樹脂封止を達成できるから、封
止作業が非常に容易である。しかも、この封止は
２枚の接着フイルムによつて行えるものであるか
ら、薄型パツケージが可能で前記要求に充分に応
えることができる。
イルム３，４を用いてこのフイルムの融着剤３
ｂ，４ｂの融点以上の温度に加熱することによ
り、回路板１の被覆および半導体素子５のの接着
固定と同時にその樹脂封止を達成できるから、封
止作業が非常に容易である。しかも、この封止は
２枚の接着フイルムによつて行えるものであるか
ら、薄型パツケージが可能で前記要求に充分に応
えることができる。
また、上記接着フイルム３，４はポリイミド系
フイルムからなる耐熱性フイルム３ａ，４ａをベ
ースフイルムとするものであつて、このベースフ
イルムは融着剤３ｂ，４ｂを構成する熱可塑性樹
脂の融着温度以上の耐熱性を有するものであるた
め、半導体装置の前記組み立て時および使用時の
耐熱性に良好な結果を与え、一方これに塗工され
てなる融着剤３ｂ，４ｂは半導体素子５などに対
する均一で強固な接着を可能とするから、半導体
素子表面への水分の侵入防止にも好結果が得られ
る。
フイルムからなる耐熱性フイルム３ａ，４ａをベ
ースフイルムとするものであつて、このベースフ
イルムは融着剤３ｂ，４ｂを構成する熱可塑性樹
脂の融着温度以上の耐熱性を有するものであるた
め、半導体装置の前記組み立て時および使用時の
耐熱性に良好な結果を与え、一方これに塗工され
てなる融着剤３ｂ，４ｂは半導体素子５などに対
する均一で強固な接着を可能とするから、半導体
素子表面への水分の侵入防止にも好結果が得られ
る。
上記の融着剤３ｂ，４ｂを構成する熱可塑性樹
脂としては、既述のとおり、融点が200〜320℃の
フツ素系ポリマーが用いられるが、ここで融点が
200℃より低いものでは半導体装置としての耐熱
性に問題を生じやすく、また320℃より高くなる
と接着時に高温を要するため、いずれも不適当で
ある。
脂としては、既述のとおり、融点が200〜320℃の
フツ素系ポリマーが用いられるが、ここで融点が
200℃より低いものでは半導体装置としての耐熱
性に問題を生じやすく、また320℃より高くなる
と接着時に高温を要するため、いずれも不適当で
ある。
なお、融着剤３ｂと４ｂとはその融着温度が同
じであるか、あるいは前記組み立て法にあつては
融着剤４ｂが３ｂに較べて高い融着温度を有して
いることが好ましい。逆の場合、接着フイルム３
の接着時にすでに接着固化された融着剤４ｂの熱
流動がおこり、素子５の位置ずれなどをきたすお
それがあり、好ましくない。
じであるか、あるいは前記組み立て法にあつては
融着剤４ｂが３ｂに較べて高い融着温度を有して
いることが好ましい。逆の場合、接着フイルム３
の接着時にすでに接着固化された融着剤４ｂの熱
流動がおこり、素子５の位置ずれなどをきたすお
それがあり、好ましくない。
上記フツ素系ポリマーとしてはフツ素含有量が
通常20重量％以上、好ましくは50〜76重量％のも
のが用いられる。特に、パーフルオロアルケンな
いしパーフルオロビニルエーテルのホモポリマー
またはコポリマーが好適であり、その代表例とし
ては、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロ
プロピレン共重合体（以下、FEPという）、つぎ
の構造式； −〔CF2−CF2−CF2−CF（ORf）−〕o （ただし、式中Rfは炭素数７以下、好ましくは
１〜３のフツ化アルキル基を意味する） で表されるテトラフルオロエチレン−パーフルオ
ロビニルエーテル共重合体（以下、PFAという）
を挙げることができる。上記PFAの市販品とし
ては、ダイキン工業社製の商品名ネオフロン
PFA、デユポン社製の商品名テフロンPFAなど
がある。
通常20重量％以上、好ましくは50〜76重量％のも
のが用いられる。特に、パーフルオロアルケンな
いしパーフルオロビニルエーテルのホモポリマー
またはコポリマーが好適であり、その代表例とし
ては、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロ
プロピレン共重合体（以下、FEPという）、つぎ
の構造式； −〔CF2−CF2−CF2−CF（ORf）−〕o （ただし、式中Rfは炭素数７以下、好ましくは
１〜３のフツ化アルキル基を意味する） で表されるテトラフルオロエチレン−パーフルオ
ロビニルエーテル共重合体（以下、PFAという）
を挙げることができる。上記PFAの市販品とし
ては、ダイキン工業社製の商品名ネオフロン
PFA、デユポン社製の商品名テフロンPFAなど
がある。
その他の上記フツ素系ポリマーとして、上記構
造式で表されるPFAのフツ素の一部が水素に置
換されたものや、ポリクロロトリフルオロエチレ
ン、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体
（以下、ETFEという）、エチレン−クロルトリフ
ルオロエチレン共重合体なども使用可能である。
造式で表されるPFAのフツ素の一部が水素に置
換されたものや、ポリクロロトリフルオロエチレ
ン、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体
（以下、ETFEという）、エチレン−クロルトリフ
ルオロエチレン共重合体なども使用可能である。
これらのフツ素系ポリマーは、常温では非接着
性であるが、融点以上に加熱すると金属などに対
して容易に融着する性質を有しているとともに、
溶融時のポリマーの流れが少ないという特徴を有
している。
性であるが、融点以上に加熱すると金属などに対
して容易に融着する性質を有しているとともに、
溶融時のポリマーの流れが少ないという特徴を有
している。
接着フイルム３，４の厚みとしては、一般に
20μｍ以上、好適には30μｍ以上で100μｍ以下で
あり、このうち耐熱性フイルム３ａ，４ａの厚み
は15〜90μｍ、融着剤３ｂ，４ｂの厚みは５〜
25μｍである。
20μｍ以上、好適には30μｍ以上で100μｍ以下で
あり、このうち耐熱性フイルム３ａ，４ａの厚み
は15〜90μｍ、融着剤３ｂ，４ｂの厚みは５〜
25μｍである。
以上のように、この発明においては、特定の２
枚の接着フイルム間にスルーホールを有する印刷
回路板および上記スルーホール内に設けられた半
導体素子を接着被覆する構成としたことにより、
電卓、カードなどに応用可能な薄型半導体装置を
製造容易に提供することができる。
枚の接着フイルム間にスルーホールを有する印刷
回路板および上記スルーホール内に設けられた半
導体素子を接着被覆する構成としたことにより、
電卓、カードなどに応用可能な薄型半導体装置を
製造容易に提供することができる。
実施例 １
厚さ25μｍのポリイミドフイルム上に融点が
270℃のFEPを10μｍ厚に塗着して接着フイルム
を作製した。つぎに、所定の印刷回路板とそのス
ルーホール内にセツトされた半導体メモリ素子
（64KMOS DRAM）を、上記接着フイルム２枚
を用いて前記方法にて接着固定すると同時に上記
素子を封止して、図面に示される如き薄型半導体
装置を得た。なお、接着条件は、FEP側からの
加熱圧着で350℃、５Kg／cm2、５秒の条件とした。
270℃のFEPを10μｍ厚に塗着して接着フイルム
を作製した。つぎに、所定の印刷回路板とそのス
ルーホール内にセツトされた半導体メモリ素子
（64KMOS DRAM）を、上記接着フイルム２枚
を用いて前記方法にて接着固定すると同時に上記
素子を封止して、図面に示される如き薄型半導体
装置を得た。なお、接着条件は、FEP側からの
加熱圧着で350℃、５Kg／cm2、５秒の条件とした。
実施例 ２
厚さ25μｍのポリイミドフイルム上に融点が
305℃のPFAを10μｍ厚に塗着して接着フイルム
を作製した。この接着フイルムを用いて以下実施
例１と全く同様にして薄型半導体装置をつくつ
た。
305℃のPFAを10μｍ厚に塗着して接着フイルム
を作製した。この接着フイルムを用いて以下実施
例１と全く同様にして薄型半導体装置をつくつ
た。
実施例 ３
厚さ25μｍのポリイミドフイルム上に融点が
260℃のETFEを10μｍ厚に塗着して接着フイルム
を作製した。この接着フイルムを用いて以下実施
例１と全く同様にして薄型半導体装置をつくつ
た。
260℃のETFEを10μｍ厚に塗着して接着フイルム
を作製した。この接着フイルムを用いて以下実施
例１と全く同様にして薄型半導体装置をつくつ
た。
上記実施例１〜３より明らかなように、この発
明によれば電卓、カードなどに有用な薄型半導体
装置を作業容易に製造できるものであることが判
る。
明によれば電卓、カードなどに有用な薄型半導体
装置を作業容易に製造できるものであることが判
る。
図面はこの発明の薄型半導体装置の一例を示す
要部断面図である。 １……印刷回路板、２……スルーホール、３，
４……接着フイルム、３ａ，４ａ……耐熱性フイ
ルム、３ｂ，４ｂ……融着剤、５……半導体素
子。
要部断面図である。 １……印刷回路板、２……スルーホール、３，
４……接着フイルム、３ａ，４ａ……耐熱性フイ
ルム、３ｂ，４ｂ……融着剤、５……半導体素
子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ポリイミド系フイルムからなる耐熱性フイル
ムに融点200〜320℃のフツ素系ポリマーからなる
熱可塑性樹脂を融着剤として塗工してなる２枚の
接着フイルム間に、スルーホールを有する印刷回
路板および上記のスルーホール内に設けられた半
導体素子を介在させて上記両接着フイルムで上記
回路板を被覆するとともに上記素子を封止したこ
とを特徴とする薄型半導体装置。 ２ フツ素系ポリマーがパーフルオロアルケンな
いしパーフルオロビニルエーテルのホモポリマー
またはコポリマーからなる特許請求の範囲第１項
記載の薄型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58185744A JPS6076146A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 薄型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58185744A JPS6076146A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 薄型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076146A JPS6076146A (ja) | 1985-04-30 |
| JPS648467B2 true JPS648467B2 (ja) | 1989-02-14 |
Family
ID=16176095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58185744A Granted JPS6076146A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 薄型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076146A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01141153A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-02 | Kato Seisakusho:Kk | Ｘ型アウトリガ装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0832492B2 (ja) * | 1988-10-18 | 1996-03-29 | セイコーエプソン株式会社 | Ｉｃカードの製造方法 |
| CN1079053C (zh) * | 1996-06-17 | 2002-02-13 | 三菱电机株式会社 | 制造薄ic卡的方法及其结构 |
| US6207004B1 (en) | 1996-06-17 | 2001-03-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing thin IC cards and construction thereof |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5379379A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor and divice for the same |
| JPS5543871A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-27 | Casio Comput Co Ltd | Packaging of semiconductor device |
| US4293706A (en) * | 1980-06-19 | 1981-10-06 | Ppg Industries, Inc. | Preparation of N-benzyloxycarbonyl aspartic acid |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP58185744A patent/JPS6076146A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01141153A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-02 | Kato Seisakusho:Kk | Ｘ型アウトリガ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6076146A (ja) | 1985-04-30 |
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