JPS6076673A - 半導体装置の試験方法 - Google Patents
半導体装置の試験方法Info
- Publication number
- JPS6076673A JPS6076673A JP58184765A JP18476583A JPS6076673A JP S6076673 A JPS6076673 A JP S6076673A JP 58184765 A JP58184765 A JP 58184765A JP 18476583 A JP18476583 A JP 18476583A JP S6076673 A JPS6076673 A JP S6076673A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- change
- temp
- forward direction
- transient heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 7
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000035558 fertility Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｆ′ｉ特に電力用半導体集積回路（以下、「パワ
ーＩＣＪと記す）における実動作時の過渡熱特性の全数
検査に有用な半導体装置の試験方法に関するものである
。
ーＩＣＪと記す）における実動作時の過渡熱特性の全数
検査に有用な半導体装置の試験方法に関するものである
。
半導体装置における熱特性は接合温度の上昇に子持性の
変動等へ大きな影響を与える重要力項目である。又熱特
性は設計では定まら力（・要素を多く含んで（・る１、
例えばシリコン基板の結晶欠陥、拡散工程で誘発される
各種の欠陥、組立工程におけるダイボンドの不均一等が
それである、１従って特に電力用半導体装置においては
完成後の全数検査が不可欠に力る。
変動等へ大きな影響を与える重要力項目である。又熱特
性は設計では定まら力（・要素を多く含んで（・る１、
例えばシリコン基板の結晶欠陥、拡散工程で誘発される
各種の欠陥、組立工程におけるダイボンドの不均一等が
それである、１従って特に電力用半導体装置においては
完成後の全数検査が不可欠に力る。
トランジスタ、ダイオード等個別半導体装館はエミッタ
・ベース間の順方向電圧又はＰＮ接合の順方向電圧の規
則正しい温度特性等を利用して完成後の熱特性全数検査
が容易に可能であるが、半導体集積回路では素子内部で
回路配線が行ガわれており、一般的には外部端子間で全
数検査に有用な規則定しい温度特性を得ることは困難で
ある。
・ベース間の順方向電圧又はＰＮ接合の順方向電圧の規
則正しい温度特性等を利用して完成後の熱特性全数検査
が容易に可能であるが、半導体集積回路では素子内部で
回路配線が行ガわれており、一般的には外部端子間で全
数検査に有用な規則定しい温度特性を得ることは困難で
ある。
第１図は一般的力半導体集積回路に用いられているＮＰ
Ｎ）ランジスタ部の断面図である８Ｐ型シリコン基板１
１の上のＮ型エピタキシャル層を絶縁部１２により分離
されてコレクタ層１３が形成すれ、その中にベース１４
．エミッタ１５が拡配線されているがパワーＩＣではコ
レクタ電極１６は直接外部端子に接続されて（・る場合
が多いのでコレクタ１３とＰ型基板１１とのＰＮ接合を
用いて個別のダイオードと同様な原理により熱特性の全
数検査が可能であるがこのときはトランジスタ部分が動
作していな（・のでパワーＩＣが実際に動作して（・る
ときの熱特性とは同じでないという欠点がある。
Ｎ）ランジスタ部の断面図である８Ｐ型シリコン基板１
１の上のＮ型エピタキシャル層を絶縁部１２により分離
されてコレクタ層１３が形成すれ、その中にベース１４
．エミッタ１５が拡配線されているがパワーＩＣではコ
レクタ電極１６は直接外部端子に接続されて（・る場合
が多いのでコレクタ１３とＰ型基板１１とのＰＮ接合を
用いて個別のダイオードと同様な原理により熱特性の全
数検査が可能であるがこのときはトランジスタ部分が動
作していな（・のでパワーＩＣが実際に動作して（・る
ときの熱特性とは同じでないという欠点がある。
本発明の目的は以上述べたよう表欠点を除去し特にパワ
ーＩＣの実動作時の過渡熱特性の全数検査が可能力試験
方法を提供することである。
ーＩＣの実動作時の過渡熱特性の全数検査が可能力試験
方法を提供することである。
次に本発明をより詳細に説明する。第２図は本発明をパ
ワーＩＣの試験に使用した測定回路の原理図である。供
試サンプル２１には適切な入力信号２２と負荷インピー
ダンス２３とが接続されており、通常の動作時は切替ス
イッチ２４は１側の電源■。Ｃに接続されている。次に
切替スイッチ２４を２側にすると定電流電源２５によっ
て電源端子２８に内部接続されている。ＮＰＮ）ランジ
スタのコレクタの８層と接地されているＰｆｊ１基板と
によって構成される寄生ＰＮ接合ダイオード２６が瞬時
に順バイアスされる。ＰＮ接合ダイオードの順方向電圧
は規則正しく・負の温度特性を翁して（・るので順方向
電圧の変化を電、圧計２７で沖することによってパワー
素子直下の素子内部の過渡熱特性を測定することができ
る。電力の消費は供試サンプルの通電動作によるもので
あるため、素子の内部欠陥ダイポンド不良等パワーＩＣ
全体としての熱特性を短時間で測定できるので完成稜の
全数検査に適している。
ワーＩＣの試験に使用した測定回路の原理図である。供
試サンプル２１には適切な入力信号２２と負荷インピー
ダンス２３とが接続されており、通常の動作時は切替ス
イッチ２４は１側の電源■。Ｃに接続されている。次に
切替スイッチ２４を２側にすると定電流電源２５によっ
て電源端子２８に内部接続されている。ＮＰＮ）ランジ
スタのコレクタの８層と接地されているＰｆｊ１基板と
によって構成される寄生ＰＮ接合ダイオード２６が瞬時
に順バイアスされる。ＰＮ接合ダイオードの順方向電圧
は規則正しく・負の温度特性を翁して（・るので順方向
電圧の変化を電、圧計２７で沖することによってパワー
素子直下の素子内部の過渡熱特性を測定することができ
る。電力の消費は供試サンプルの通電動作によるもので
あるため、素子の内部欠陥ダイポンド不良等パワーＩＣ
全体としての熱特性を短時間で測定できるので完成稜の
全数検査に適している。
このとき定電流電源２５によって供給される順方向電流
はそれによるＰＮ接合ダイオード２６の消費電力による
供試サンプル２１の温度上昇力無視できるくらい十分小
さくなければならない。
はそれによるＰＮ接合ダイオード２６の消費電力による
供試サンプル２１の温度上昇力無視できるくらい十分小
さくなければならない。
以上の説明はパワーＩＣ内のＮＰＮ）ランジスタの例に
ついてであるが、同様の構造分持つ他の素子についても
応用できることは１うまでもカい。
ついてであるが、同様の構造分持つ他の素子についても
応用できることは１うまでもカい。
第１図はＩＣにおけるＮＰＮ）ランジスタ部の例を示す
断面図、第２図は本発明の一実施例によるパワー、［Ｃ
過渡が特性測定回路の例を示す原理図である。 １１・・・・・・Ｐ型シリコン基板、１２・・・・・・
絶縁部、１３・・・・・・コレク、１ｍ、１４・・・・
・・ベース、１５・・・・・・エミッタ、１６・・・・
・・コレクタ電極、２１・・・・・・供試サンプル、２
２・・・・・・入力信号源、２３・・・・・・食伺イン
ピーダンス、２４・・・・・・切替スイッチ、２５・・
・・・・定電流電源、２６・・・・・・ＰＮ接合ダイオ
ード、２７・・・・・・電圧計、２８・・・・・・電源
端子鱈 ／ 図 〃 篤 ２区
断面図、第２図は本発明の一実施例によるパワー、［Ｃ
過渡が特性測定回路の例を示す原理図である。 １１・・・・・・Ｐ型シリコン基板、１２・・・・・・
絶縁部、１３・・・・・・コレク、１ｍ、１４・・・・
・・ベース、１５・・・・・・エミッタ、１６・・・・
・・コレクタ電極、２１・・・・・・供試サンプル、２
２・・・・・・入力信号源、２３・・・・・・食伺イン
ピーダンス、２４・・・・・・切替スイッチ、２５・・
・・・・定電流電源、２６・・・・・・ＰＮ接合ダイオ
ード、２７・・・・・・電圧計、２８・・・・・・電源
端子鱈 ／ 図 〃 篤 ２区
Claims (1)
- 半導体索子表面部の電気部品素子と、該電気部品素子の
直下部を含む内部にＰＮ接合ダイオードを有する半導体
装置において、前記電気部品素子部の電力しゃ断後の素
子内部の温度変化をＰＮ接合ダイオードの順方向電圧の
温度特性を利用して測定することを特徴とする半導体装
置の試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184765A JPS6076673A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 半導体装置の試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184765A JPS6076673A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 半導体装置の試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076673A true JPS6076673A (ja) | 1985-05-01 |
Family
ID=16158933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58184765A Pending JPS6076673A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 半導体装置の試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076673A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6410955U (ja) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | ||
| WO1993016489A1 (en) * | 1992-02-10 | 1993-08-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for measuring semiconductor junction temperature |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP58184765A patent/JPS6076673A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6410955U (ja) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | ||
| WO1993016489A1 (en) * | 1992-02-10 | 1993-08-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for measuring semiconductor junction temperature |
| US5401099A (en) * | 1992-02-10 | 1995-03-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of measuring junction temperature |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6770906B2 (en) | Semiconductor reliability test chip | |
| JPH11265916A (ja) | 半導体ウェーハの構造及び半導体チップの製造方法 | |
| JP3239849B2 (ja) | バイポーラトランジスタのコレクタ・エミッタ間耐圧の測定方法 | |
| JPS6076673A (ja) | 半導体装置の試験方法 | |
| US12287364B2 (en) | Test system and test device | |
| CN1914514A (zh) | 用于测试集成电路对闭锁的敏感度的方法和设备 | |
| JPH0541429A (ja) | 半導体ｉｃウエーハおよび半導体ｉｃの製造方法 | |
| JPS5871655A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04372149A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2589876B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2005055231A (ja) | Ｍｏｓトランジスタのオン抵抗検査方法 | |
| JPH02166748A (ja) | 温度検査回路 | |
| JPH01196858A (ja) | トランジスタ | |
| JP2649080B2 (ja) | 半導体装置のモニタ方法 | |
| JPS618939A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08101250A (ja) | Ｉｃの高温検査方法 | |
| JPS6286757A (ja) | トランジスタ | |
| JP2007281383A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0595036A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60182148A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0714902A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH027449A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0697672B2 (ja) | 半導体装置の製造歩留まり予測方法 | |
| JPS6123654B2 (ja) | ||
| JPH065583A (ja) | 半導体装置の製造方法 |