JPS6077424A - Ｘ線露光装置のマスク固定装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置のマスク固定装置Info
- Publication number
- JPS6077424A JPS6077424A JP58184993A JP18499383A JPS6077424A JP S6077424 A JPS6077424 A JP S6077424A JP 58184993 A JP58184993 A JP 58184993A JP 18499383 A JP18499383 A JP 18499383A JP S6077424 A JPS6077424 A JP S6077424A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- chuck
- coil
- fixing device
- leakage
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＸ線露光装置において、パターンを設けたマス
クを装着して固定する装置に関するものである。
クを装着して固定する装置に関するものである。
従来、露光装置のマスク固定装置は一般に真空吸着法が
用いられでいる。
用いられでいる。
可視光乃至近紫外光重よる露光においては、露光に用い
るマスクの基材が数に７１１厚さのガラスであるため、
真空吸着によって均等な力でマスクを吸着固定すること
かでき、マスクチャックＯ吸着面が平坦であればマスク
にほとんど歪を与えない。
るマスクの基材が数に７１１厚さのガラスであるため、
真空吸着によって均等な力でマスクを吸着固定すること
かでき、マスクチャックＯ吸着面が平坦であればマスク
にほとんど歪を与えない。
第１因は従来技術におけるマスクの真空吸着装置を示す
。円筒形のマスクチャックｌのマスク吸着面３の全周に
溝２か設けられ、この溝２ま連通路４、パイプ５を介し
て真空ポンプ（図第２図は、上記のマスク吸着装置によ
ってマスクを吸着した状態を示す。マスクはリング状の
基材６に数μｍｎ厚のメンブレン７８貼着し、このメン
ブレン７上にパターン（図示せず）を形成しである。上
記の基材６は、従来一般にシリコンウェハの中央部を打
ち抜いた構成のものが用いられる。
。円筒形のマスクチャックｌのマスク吸着面３の全周に
溝２か設けられ、この溝２ま連通路４、パイプ５を介し
て真空ポンプ（図第２図は、上記のマスク吸着装置によ
ってマスクを吸着した状態を示す。マスクはリング状の
基材６に数μｍｎ厚のメンブレン７８貼着し、このメン
ブレン７上にパターン（図示せず）を形成しである。上
記の基材６は、従来一般にシリコンウェハの中央部を打
ち抜いた構成のものが用いられる。
焼料転写を受けるべきウェハ１０と前記のマスクとは間
隔ｇ（通常数μｍ乃至数十μｍ）を介して正対せしめら
れ、Ｘ 心源（図示せず）からＸ線９８照射してメンブ
レン７上のパターンがウェハ１０上に焼付転写される。
隔ｇ（通常数μｍ乃至数十μｍ）を介して正対せしめら
れ、Ｘ 心源（図示せず）からＸ線９８照射してメンブ
レン７上のパターンがウェハ１０上に焼付転写される。
こうした装ｆｌｌこおいて、Ｘ線９が通過する雰囲気８
は壁１２で償い、ヘリウムガスを満たしてＸ線の減衰を
防止している。
は壁１２で償い、ヘリウムガスを満たしてＸ線の減衰を
防止している。
上述した従来のＸ＆露光装置用マスク装着固定装置にお
いては次記のような技術的不具合が有る。
いては次記のような技術的不具合が有る。
（イ）マスクチャック１とマスク基材６との間における
漏洩を完全に無くすることは困難で、矢印１３の如く若
干のヘリウムが真空に引かれて漏洩する。このためヘリ
ウムが無益に消費される。
漏洩を完全に無くすることは困難で、矢印１３の如く若
干のヘリウムが真空に引かれて漏洩する。このためヘリ
ウムが無益に消費される。
（リ 真空吸着力の変動、若しくは上記の漏洩量の変動
によって内圧が変動し、その結果メンブレン７が振動し
て間隔ｇが不安定となり転写パターン像に位置ずれやボ
ケを生じる。
によって内圧が変動し、その結果メンブレン７が振動し
て間隔ｇが不安定となり転写パターン像に位置ずれやボ
ケを生じる。
（ハ）焼付転写はクリーンな雰囲気で行われるが、塵埃
の混入の絶無は期し難い。微小な塵埃粒子かへリウ゛ム
雰囲気８ Ｐ３に混入した場合、この微小粒子がイア遊
しているだけであれば直接的には重大な問題を生じない
が、矢印１３の漏洩流に乗ってマスクチャック１とマス
ク基材６との間に侵入すると、次回の焼付操作の際に次
回のマスクを歪ませる虞れが有る。
の混入の絶無は期し難い。微小な塵埃粒子かへリウ゛ム
雰囲気８ Ｐ３に混入した場合、この微小粒子がイア遊
しているだけであれば直接的には重大な問題を生じない
が、矢印１３の漏洩流に乗ってマスクチャック１とマス
ク基材６との間に侵入すると、次回の焼付操作の際に次
回のマスクを歪ませる虞れが有る。
本発明は上述した従来技術の入点を解消すべく為され、
その目的とするところは、ヘリウムを無益に漏失させる
虞れ無く、真空吸着力の変動や漏洩流量の変動によって
メンブレンに振動を与えて転写パターンに悪影響を及ぼ
す虞れが無く、ヘリウム雰囲気〒の塵埃粒子を漏洩気流
によつ゛Ｃマスク吸着四に１ジ着せしめる虞れの無い、
Ｘ踪露光装置用のマスク固定装置を提供するにある。
その目的とするところは、ヘリウムを無益に漏失させる
虞れ無く、真空吸着力の変動や漏洩流量の変動によって
メンブレンに振動を与えて転写パターンに悪影響を及ぼ
す虞れが無く、ヘリウム雰囲気〒の塵埃粒子を漏洩気流
によつ゛Ｃマスク吸着四に１ジ着せしめる虞れの無い、
Ｘ踪露光装置用のマスク固定装置を提供するにある。
上記の目的を達成するため、本発明の固定装置は、Ｘ線
源から発したＸ線を、マスクを透してウェハの上に照射
し、上記のマスク上に設けたパターンをウェハ上に焼付
転与ｆるＸ線露光装置において、マスクを装着する部材
にＩに磁石を設りるとともに、該マスクの基材７ｉｌ−
磁性体を用いで構成し、前記・電磁石の磁力によって上
記のマスクを・吸着、固定し得べく為したることを特徴
とする。
源から発したＸ線を、マスクを透してウェハの上に照射
し、上記のマスク上に設けたパターンをウェハ上に焼付
転与ｆるＸ線露光装置において、マスクを装着する部材
にＩに磁石を設りるとともに、該マスクの基材７ｉｌ−
磁性体を用いで構成し、前記・電磁石の磁力によって上
記のマスクを・吸着、固定し得べく為したることを特徴
とする。
次に、木兄りｊの１実施例を第３図について説明する。
磁性材料によってマスクナヤツク１′を構成し、その外
周に被覆層線１４７ｊ−巻回してコイル１５を形成する
。上記のコイル１５に通電するとマスクチャック１′は
円筒状の磁石となる。
周に被覆層線１４７ｊ−巻回してコイル１５を形成する
。上記のコイル１５に通電するとマスクチャック１′は
円筒状の磁石となる。
一方、マスク基材６′を磁性体で構成する。これにより
、マスクチャック１はマスクを磁力で吸着、固定できる
ようになる。吸着力はコイル１５０巻数と電流値によっ
て任意に制御することができ、通電を断てば吸着力を解
除することもできる。
、マスクチャック１はマスクを磁力で吸着、固定できる
ようになる。吸着力はコイル１５０巻数と電流値によっ
て任意に制御することができ、通電を断てば吸着力を解
除することもできる。
上記と異なる実施例として、マスク基材６を非磁性体で
構成し、磁性体製の補強リングをこれに貼着することも
できる。要は、マスクの基材部分の少なくとも一部に磁
性材料を使用することによって磁力吸着の機能を果たす
ことができる。
構成し、磁性体製の補強リングをこれに貼着することも
できる。要は、マスクの基材部分の少なくとも一部に磁
性材料を使用することによって磁力吸着の機能を果たす
ことができる。
第４図は前記と異なる実施例を示す。第３図と同一の図
面参照番号を付したマスクチャック１′、被覆電線１４
．コイル１５は前記の実施例（第３図）におけると同様
乃至は類似の構成部材である。本実施例においてはコイ
ル１５と吸着面１６との間にパイプ１７を巻きイ」けて
冷却水を流通循環せしめ得るように榴成しである。本実
施例によれば、コイル１５の通電に起因する発熱がマス
ク吸着面１６を経てマスクに伝わって熱歪を起こす虞れ
が無い。
面参照番号を付したマスクチャック１′、被覆電線１４
．コイル１５は前記の実施例（第３図）におけると同様
乃至は類似の構成部材である。本実施例においてはコイ
ル１５と吸着面１６との間にパイプ１７を巻きイ」けて
冷却水を流通循環せしめ得るように榴成しである。本実
施例によれば、コイル１５の通電に起因する発熱がマス
ク吸着面１６を経てマスクに伝わって熱歪を起こす虞れ
が無い。
図示しないが、マスクチャック１′の支承部とコイル１
５との間に冷却用のパイプを設けることもできる。これ
によりコイル１５の発熱によってマスクチャック１′の
支承状態に悪影響を及ぼす處れが無くなる。
５との間に冷却用のパイプを設けることもできる。これ
によりコイル１５の発熱によってマスクチャック１′の
支承状態に悪影響を及ぼす處れが無くなる。
以上に説明した実施例においては、真空吸着によらずに
マスク基材６を吸着固定するので、ヘリウムの漏洩を生
じる虞れが無く、ヘリウムを無益に消費する虞れが無い
。また真空吸着力や漏洩ヘリウム流量の変動によってメ
ンブレンに振動を与える虞れも無い。その上、ヘリウム
雰囲気中に浮遊している微小な塵埃粒子がヘリウム漏洩
流によってマスク吸着面に吸い込まれて付着する虞れが
無い。
マスク基材６を吸着固定するので、ヘリウムの漏洩を生
じる虞れが無く、ヘリウムを無益に消費する虞れが無い
。また真空吸着力や漏洩ヘリウム流量の変動によってメ
ンブレンに振動を与える虞れも無い。その上、ヘリウム
雰囲気中に浮遊している微小な塵埃粒子がヘリウム漏洩
流によってマスク吸着面に吸い込まれて付着する虞れが
無い。
以上詳述したように、本発明によればヘリウムを無益に
漏失する虞れが無く、真空吸着力や漏洩流量の変動によ
って転写パターンに悪影響を及ぼす虞れが無く、シかも
ヘリウム雰囲気中に浮遊する微小な塵埃粒子を漏洩気流
によってマスク吸着面に吸込み付着させる虞れも無い。
漏失する虞れが無く、真空吸着力や漏洩流量の変動によ
って転写パターンに悪影響を及ぼす虞れが無く、シかも
ヘリウム雰囲気中に浮遊する微小な塵埃粒子を漏洩気流
によってマスク吸着面に吸込み付着させる虞れも無い。
第１図は従来のマスク吸着装置の１例の垂直断面図、第
２図は上記のマスク吸着装置によってマスクを吸着固定
した状態を示す垂直断面図、第３図は本発明のＸ線露光
装置のマスク固定装置の１実施例の部分的垂直断面図、
第４図は上記と異なる実施例の部分的断面図である。 １．１′・・・マスクチャック。 ２・・・溝、 ３・・・吸着面。 ４・・・連通路、 ５・・・パイプ。 ６．６′・・・マスクの基羽。 ７・・・メンブレン、８・・・ヘリウム雰囲気。 ９・・、Ｘ線、１０・・・ウェハ。 １２・・・壁、１３・・・ヘリウム漏洩流。 オｌ閃 ｆ″３図 ５ 第４図
２図は上記のマスク吸着装置によってマスクを吸着固定
した状態を示す垂直断面図、第３図は本発明のＸ線露光
装置のマスク固定装置の１実施例の部分的垂直断面図、
第４図は上記と異なる実施例の部分的断面図である。 １．１′・・・マスクチャック。 ２・・・溝、 ３・・・吸着面。 ４・・・連通路、 ５・・・パイプ。 ６．６′・・・マスクの基羽。 ７・・・メンブレン、８・・・ヘリウム雰囲気。 ９・・、Ｘ線、１０・・・ウェハ。 １２・・・壁、１３・・・ヘリウム漏洩流。 オｌ閃 ｆ″３図 ５ 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線源から発したＸ線を、マスクを透してウェハの
上に照射し、上記のマスク上に設けたパターンをウェハ
上に焼付転写するＸ線露光装置において、マスクを装着
する部材に電磁石を設けるとともに、該マスクの基材を
磁性体を用いて構成し、前記電磁石の磁力によって上記
のマスクを吸着、固定し得べく為したることを特徴とす
るＸ線露光装置のマスク固定装置。 ２、前記のマスクの基材に用いる磁性体は、これを板状
に形成してマスクの基材部分に貼着したものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＸ線露光装
置の固定装置。 ３、 前記のマスクを装着する部材は、冷却用の流体を
流通せしめる流路を設けたものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は １置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184993A JPS6077424A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | Ｘ線露光装置のマスク固定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184993A JPS6077424A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | Ｘ線露光装置のマスク固定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077424A true JPS6077424A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16162908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58184993A Pending JPS6077424A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | Ｘ線露光装置のマスク固定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077424A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6433927A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Canon Kk | Mask holder and mask conveying method using the same |
| US4963921A (en) * | 1985-06-24 | 1990-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for holding a mask |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP58184993A patent/JPS6077424A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4963921A (en) * | 1985-06-24 | 1990-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for holding a mask |
| JPS6433927A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Canon Kk | Mask holder and mask conveying method using the same |
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