JPS607742A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS607742A JPS607742A JP58115514A JP11551483A JPS607742A JP S607742 A JPS607742 A JP S607742A JP 58115514 A JP58115514 A JP 58115514A JP 11551483 A JP11551483 A JP 11551483A JP S607742 A JPS607742 A JP S607742A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pedestal
- stud
- heat sink
- recessed part
- interposing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/134—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having other interconnections parallel to the conductive base
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/20—Arrangements for cooling
- H10W40/25—Arrangements for cooling characterised by their materials
- H10W40/254—Diamond
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超高周波半導体能動素子、特に、ダイヤモン
ドのヒートシンクを用いたインバットダイオード、ガン
ダイオードなどに関するものである。
ドのヒートシンクを用いたインバットダイオード、ガン
ダイオードなどに関するものである。
インパッドダイオード、ガンダイオードの高出力化、高
信頼度化をはかる一般的方法として、ベレットの動作層
を、スタッドのペテ゛スタル部へ熱圧着して、動作層で
発生する損失熱をスタッドペデ゛スタル部からすみやか
に放熱する方法、即ちアップサイドダウン構造が用いら
れている・又、スタッドベテ゛スタル部には、一般的に
熱伝導性がすぐれている無酸素銅が用いられているが、
これより４〜５倍熱伝導のよい天燃産１ａタイプのダイ
ヤモンドがヒートシンクとして用いられ、実用化されて
いる。このダイヤモンドヒートシンクは、第１図に示す
ように、スタッド１のペテ゛スタル部１ａへ直接埋め込
まれていた。しかも、ミリ波帯などで素子を動作させる
場合、素子インピーダンス、すなわち、素子面積のわず
かな違いが発振特性に大きく影響を与えるため、ベレッ
ト４をダイヤモンドヒートシンク３の上に熱圧着し、セ
ラミックリング２の上部メタライでとボンディング線５
の接続を行った後、素子面積を一定にするためのエツチ
ングを行って素子面４１−一定にしていた０しかし、こ
のような従来の半導体装置では、 このエツチングの際、以下のような障害が発生する欠点
があった◎ （１）スタッドペデスタル部へダイヤモンドを埋め込む
ため、スタッドペデスタル部に施されているＮｉＡｕメ
ッキの層が破れ、そこからペデスタル部のＣｕがエツチ
ング液（Ｓｔでｕ ＨＦ ” ＨＮＯｓ系ｅＧａＡｓで
は山５Ｏ４−馬０．系）に侵され、ペデスタル部を破壊
してしまう。
信頼度化をはかる一般的方法として、ベレットの動作層
を、スタッドのペテ゛スタル部へ熱圧着して、動作層で
発生する損失熱をスタッドペデ゛スタル部からすみやか
に放熱する方法、即ちアップサイドダウン構造が用いら
れている・又、スタッドベテ゛スタル部には、一般的に
熱伝導性がすぐれている無酸素銅が用いられているが、
これより４〜５倍熱伝導のよい天燃産１ａタイプのダイ
ヤモンドがヒートシンクとして用いられ、実用化されて
いる。このダイヤモンドヒートシンクは、第１図に示す
ように、スタッド１のペテ゛スタル部１ａへ直接埋め込
まれていた。しかも、ミリ波帯などで素子を動作させる
場合、素子インピーダンス、すなわち、素子面積のわず
かな違いが発振特性に大きく影響を与えるため、ベレッ
ト４をダイヤモンドヒートシンク３の上に熱圧着し、セ
ラミックリング２の上部メタライでとボンディング線５
の接続を行った後、素子面積を一定にするためのエツチ
ングを行って素子面４１−一定にしていた０しかし、こ
のような従来の半導体装置では、 このエツチングの際、以下のような障害が発生する欠点
があった◎ （１）スタッドペデスタル部へダイヤモンドを埋め込む
ため、スタッドペデスタル部に施されているＮｉＡｕメ
ッキの層が破れ、そこからペデスタル部のＣｕがエツチ
ング液（Ｓｔでｕ ＨＦ ” ＨＮＯｓ系ｅＧａＡｓで
は山５Ｏ４−馬０．系）に侵され、ペデスタル部を破壊
してしまう。
（２１スタッドペデスタル部へダイヤモンドを埋め込む
と、ペデスタル部へかかった圧力が横方向にもかかり、
セラミックリングの接合部の銀ろうをエツチング液が侵
すことによって、ケース破壊あるいはセラミックリング
接合部からの気密性不良が発生する。
と、ペデスタル部へかかった圧力が横方向にもかかり、
セラミックリングの接合部の銀ろうをエツチング液が侵
すことによって、ケース破壊あるいはセラミックリング
接合部からの気密性不良が発生する。
（鴫エツチング液中に溶けたＣｕイオンがペレットに付
着して素子の特性を劣化させる＠（４Ｃｕが表面に現わ
れでて、高温保管の＠度試験の際酸化してしまう・ 本発明の目的は、このような、スタッドに組立後のエツ
チングの際に、前記のような問題を起さずにエツチング
処理がなされる半導体装置を提供することにある。
着して素子の特性を劣化させる＠（４Ｃｕが表面に現わ
れでて、高温保管の＠度試験の際酸化してしまう・ 本発明の目的は、このような、スタッドに組立後のエツ
チングの際に、前記のような問題を起さずにエツチング
処理がなされる半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、半導体ペレットをスタッドのペ
デスタル部に埋込んだダイヤモンドヒートシンクに熱圧
着後のエツチングにおける障害をなくすために、スタッ
ドペデスタル部にあらがじめ凹みを設け、この凹みに金
層を間に介在させて前記ダイヤモンドヒートシンクが埋
込まれている構成を有する。
デスタル部に埋込んだダイヤモンドヒートシンクに熱圧
着後のエツチングにおける障害をなくすために、スタッ
ドペデスタル部にあらがじめ凹みを設け、この凹みに金
層を間に介在させて前記ダイヤモンドヒートシンクが埋
込まれている構成を有する。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第２図は本発明の一実施例のキャップ封止前の断面図で
ある。図において、１はスタッドで、無酸素銅から作ら
れ、ペデスタル部１ａｌＣは凹み１ｂがつけられ、表面
はＮｉＡｕメッキが施されている。
ある。図において、１はスタッドで、無酸素銅から作ら
れ、ペデスタル部１ａｌＣは凹み１ｂがつけられ、表面
はＮｉＡｕメッキが施されている。
３は表面にメタライズ層が形成されたダイヤモンドヒー
トシンクで、ペテ“′スタル部の凹みｉｂに、金の角片
または円板６を置いて、埋込まれたものである。２はζ
メス−２１ドの上面周辺に、銀ろう付けされたセラミッ
クリン／％４と５は第１図と同様のダイオードペレット
およびボンディング線である。
トシンクで、ペテ“′スタル部の凹みｉｂに、金の角片
または円板６を置いて、埋込まれたものである。２はζ
メス−２１ドの上面周辺に、銀ろう付けされたセラミッ
クリン／％４と５は第１図と同様のダイオードペレット
およびボンディング線である。
このような不発明の半導体装置では、ダイヤモンドヒー
トシンクはペデスタル部の凹みの金の中に埋め込まれる
ことになり、したがって、前記エツチングの際に侵され
るペデスタル部の銅の露出がないので、銅の侵蝕による
前記障害は起らない。
トシンクはペデスタル部の凹みの金の中に埋め込まれる
ことになり、したがって、前記エツチングの際に侵され
るペデスタル部の銅の露出がないので、銅の侵蝕による
前記障害は起らない。
また、ダイヤモンドヒートシンク埋込みにおいて、埋込
み部があらかじめ凹みがつけられ、さらに金層を間にお
いて埋込まれるので、セラミックリングのろう付は部に
力がかかることがなぐセラミックリングへの悪影響は起
らない。よって、本発明により、従来と同一ディメンシ
ョンの信頼性の優れたマイクロ波帯、ミリ波帯のダイオ
ードを安定的に供給することができる・ なお、上側では、ペデスタル部の凹みの金層として、金
の角片または金円板であったが、これは予じめメッキに
より形成した金層であっても差支えないのはいうまでも
ない◎
み部があらかじめ凹みがつけられ、さらに金層を間にお
いて埋込まれるので、セラミックリングのろう付は部に
力がかかることがなぐセラミックリングへの悪影響は起
らない。よって、本発明により、従来と同一ディメンシ
ョンの信頼性の優れたマイクロ波帯、ミリ波帯のダイオ
ードを安定的に供給することができる・ なお、上側では、ペデスタル部の凹みの金層として、金
の角片または金円板であったが、これは予じめメッキに
より形成した金層であっても差支えないのはいうまでも
ない◎
第１図は従来のキャップ封止前のインバットダイオード
の断面図、第２図は本発明の一実施例（〜ツブ封止前）
の断面図である。 １・・・・・・スタッド、ｌａ・・・・・・ペデスタル
部、ｌｂ・−・・・・凹み、２・・・・・・セラミック
リング、３・・・・・・ダイヤモンドヒートシンク、４
・・・・・・半導体ベレット、５・・・・・・ボンディ
ング線、６・・・・・・金層。
の断面図、第２図は本発明の一実施例（〜ツブ封止前）
の断面図である。 １・・・・・・スタッド、ｌａ・・・・・・ペデスタル
部、ｌｂ・−・・・・凹み、２・・・・・・セラミック
リング、３・・・・・・ダイヤモンドヒートシンク、４
・・・・・・半導体ベレット、５・・・・・・ボンディ
ング線、６・・・・・・金層。
Claims (1)
- スタッドと、このスタッドのペテ゛スタル部に埋込まれ
ているダイヤモンドヒートシンクと、このダイヤモンド
ヒートシンクに固着されている半導体ベレットとを有す
る半導体装置において、前記へｆ”スタル部には凹みが
つけられ、この凹みに、前記半導体ベレットが間に金層
を介在させて埋込まれていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115514A JPS607742A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115514A JPS607742A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607742A true JPS607742A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14664402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58115514A Pending JPS607742A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607742A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179350A (ja) * | 1985-12-26 | 1986-08-12 | 東洋紡績株式会社 | 柄入り弾性経編地 |
| US4638648A (en) * | 1986-05-01 | 1987-01-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Layered warp knits |
| US4917179A (en) * | 1987-05-22 | 1990-04-17 | Beckman Instruments, Inc. | Thermoelectric cooling design |
| JPH04245962A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-09-02 | Karl Mayer Textil Mas Fab Gmbh | 経編製品及びそれを製造するための経編機 |
| JPH05247806A (ja) * | 1991-11-21 | 1993-09-24 | Karl Mayer Textil Mas Fab Gmbh | 経編地と該経編地を編成するための経編機及び経編方法 |
| JPH05339854A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-12-21 | Karl Mayer Textil Mas Fab Gmbh | 経編生地の製造方法とその経編機および経編生地 |
| US6335863B1 (en) * | 1998-01-16 | 2002-01-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Package for semiconductors, and semiconductor module that employs the package |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58115514A patent/JPS607742A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179350A (ja) * | 1985-12-26 | 1986-08-12 | 東洋紡績株式会社 | 柄入り弾性経編地 |
| US4638648A (en) * | 1986-05-01 | 1987-01-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Layered warp knits |
| US4917179A (en) * | 1987-05-22 | 1990-04-17 | Beckman Instruments, Inc. | Thermoelectric cooling design |
| JPH04245962A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-09-02 | Karl Mayer Textil Mas Fab Gmbh | 経編製品及びそれを製造するための経編機 |
| JPH05247806A (ja) * | 1991-11-21 | 1993-09-24 | Karl Mayer Textil Mas Fab Gmbh | 経編地と該経編地を編成するための経編機及び経編方法 |
| JPH05339854A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-12-21 | Karl Mayer Textil Mas Fab Gmbh | 経編生地の製造方法とその経編機および経編生地 |
| US6335863B1 (en) * | 1998-01-16 | 2002-01-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Package for semiconductors, and semiconductor module that employs the package |
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