JPS6079213A - 測距装置 - Google Patents

測距装置

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JPS6079213A
JPS6079213A JP18777583A JP18777583A JPS6079213A JP S6079213 A JPS6079213 A JP S6079213A JP 18777583 A JP18777583 A JP 18777583A JP 18777583 A JP18777583 A JP 18777583A JP S6079213 A JPS6079213 A JP S6079213A
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JP
Japan
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output
circuit
light
detection
electrode
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Application number
JP18777583A
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English (en)
Inventor
Masaaki Takagi
正明 高木
Yukio Yoshikawa
幸雄 吉川
Tomio Kurosu
富男 黒須
Toyonori Sasaki
佐々木 豊憲
Kunio Matsumoto
松本 国夫
Akita Namioka
波岡 顕太
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Nidec Precision Corp
Original Assignee
Nidec Copal Corp
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Publication date
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Publication of JPS6079213A publication Critical patent/JPS6079213A/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C3/00Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
    • G01C3/10Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders using a parallactic triangle with variable angles and a base of fixed length in the observation station, e.g. in the instrument

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  • Remote Sensing (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、カメラ等に用いられる測距装置であって、発
光素J′から発せられた光をa!II i/l i 7
1象に向けて投則し、その反射光を共通電極及び一対の
検出用電極を有する半導体装置検出素r−て受光する三
角測距方式の測「11装[1゛)″の改良に閂する。
従来、」−述のような方式の71tll′l ’装置と
しては、特開昭57−1.77 ] 07号公報′5に
より提案されている。
一般に、発光素子より投射した光の測距対象からの反射
光を受光素子で受光して/1i11距する場合、その反
射光強度は、7Itt+ h+i対象の反η・1率、「
11肉1i11.lによって、千倍以上の差を生じる。
従って、受光素子の出力を増幅する増幅回路は、60d
B以上のダイナミックレンジか必要となる。
そのタイナミックレンジを広くする方法としては、受光
素干出ノJの対数圧縮や増幅回路の自動利得調整が考え
られるが、前者では、受光々量が大きく受光素子間の出
力差か小さい時に、S/Nか悪くなる欠点があり、また
後者では、フィードバック系が必要で、発振等の不安定
要素が増大する欠点があった。
そこで、本発明の目的は、上記従来例の欠点を伴わず、
簡単な手没て、半導体装置検出素J′回路系の出力を見
掛」−零或は微少値から徐々に増大させて、比較回路の
判別し易いある設定値に達した時に測距状態を判別させ
るようにした訓り’l−1シシ置を提供するものである
以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
先ず、第1図において、1は時間形成回路(時間を二2
51115)、2はインバータ、3はトランジスタ、4
は定電流回路、5は抵抗、6はコンデンサ、7はバッフ
ァとしての演↓゛1)増幅回路、8は定電流回路、9,
10及び11は抵抗、13は++’i分器としての演算
増幅回路、14はコンデンサ、15はヒステリソスコン
バレータトシての演t″、1増幅回路(なお、演算増幅
回路は、JJ l・J(通してOPAと記述する。)、
16及び17は抵抗5)端の電圧を分)4:、する分圧
抵抗、18及び]9〕も分目抵抗、20及び21は夫々
トラノンスタ、22(J測距対象ヘスポンド光を役割す
る発)°(、素f′とし−Cの赤外線発光ダイオード(
以下I R+)と記述する)である。
23は、′1′導体光位i1°T検出素−J′て、比較
的大きな面を有する半導体裁板24をもち、その半導体
ノ占板24の一方の面に該基板24と異なる;Cr−電
型の21′等体層25が形成されている。そして、十4
1.本層25の七には抵抗層2Gが形成されていると共
に、該抵抗層26の両端に−・幻の電41a;、 (検
出用)26a、26bが設けられ、5主た半導イ/:、
渣Ji+ 24には共通電極27か設けらイ1.でいる
28及び29は夫々交流増幅回路、30及び31は夫々
帯域フィルター回路(中心周波数f。
−16KHzであり、以下BPFと記述する)、32及
び33は夫々検波回路、34及び35は夫夫平滑回路、
36及び37は夫々直流増幅回路、38、−39及び4
0は夫々コンパレータ回路(以−FcMPと記述する)
、41は定電流回路、42゜43及び44は夫々CMP
38の反転入力端子(−)及びCMP39.40の非反
転入力端子(+)に基準電圧Vr+及びVr2. Vr
3を与える分圧抵抗、45はアンドゲート、46及び4
7は夫々Dタイプのフリップフロップ回路、48はR,
Sタイプのフリップフロップ回路(なお、フリップフロ
ップ回路は、以下共通してFFと記述する。)であり、
夫々図示の如く接続されている。
次に、第1図の動作を第2図と共に説明する。
操作の開始によって、図示していない電lh;iスイッ
チが閉成されると、回路の各部に給電が行われると共に
、FF46.47及び48はリセットが解除される。
また、この初期状態、即ち、トランジスタ、3か導通し
ている状態では、実質的に定電流回路/1と抵抗5によ
るa点と、定電流回路8と抵抗5)によるb点とかはX
同電位に設定してあり、従って、0PA7の出力端子a
′点もそれと同電位であり、延いては、抵抗]0.i、
I及び12を経た019△13の両入力端子も同電位で
あり、その出力端1’C点も同電位となっている。 一
方、0PAI!’iの出力を「L」レベルと仮定すると
、その非反転入力端子(+)には、抵抗9端の電圧を分
圧した電位とクランド6間において、抵抗18及び1!
−)により分圧されたd点の電圧がJjえられ、OPA
15の両入力端子の電位は、c)dの関係に置かれてい
る。
そして、時間形成回路1が動作して、その出力がL =
 2517I Sの時間だけ[[1−ルヘルヘ反転する
。この結果、同様にインバータ2の出力かIし]レベル
へ反転し、トランジスタ3か遮断するので、コンデンサ
6は抵抗5を介して定電流回路4により定電流充電され
、その定電流を1、コンテンザ6の容量をCとすると、
0PA7の出力端子a′点の電圧■は、■= (1,/
c)I 、tの関係式により、■で示す如く、上述の電
位から一ヒ昇する。
この結果、0PA13の両入力端子に電位差か生じ、電
流1Xか流れ込み、コンデンサ14が図示の方向に充電
される。従って、0に示ず如く、0PA13の出力端子
、即ち、0PA−15の反転入力端子(−)C点の電位
は−L述の電位から下降し、そして、C点の電位がd点
の電位に達すると、OPΔJ5の出力端子は「H」レベ
ルへ反転し、点線で示す如く、d点の電位を−1,IC
さぜると共に、トランジスタ20を導通させる。依って
、抵抗10と11の4HA点をグランドGのレベルに落
すので、コンデンサ14の充電々荷か、抵抗11及びト
ランジスタ20を介して放電され、C点の電位はjJI
し、C点の電位が先に−1−x !Y シた(1点の電
位に達すると、OPA]5の出力端−r−は再び「■7
」レベルへ反転し、d点のレベルを初めの状態ニ戻すと
共に、トランジスタ20を遮断させる。すると、コンデ
ンサ14が電流Ixによりillび充電を開始され、C
点の電位は再び一ト降して1J<。
以」二の動作を繰り返えし、I RI) 22は0PA
15の出力端子が「■1」 レベル・\反1ij: し
て、トランジスタ21か導通した++1;たけパルス点
・Llされ、その電流Ixかa′点の電圧■の1詩1に
<−1応して逐時増大しており、411回のd点の電位
までの充電+1’1間が速くなるので、その点滅の周期
か速くなり、発光の周波数は低周波数からB l) F
 :30及び:31の中心周波数fo=16K11zに
向って高周波数になってt」<。
このI RI) 22の点月による投射光は、1Itl
l fl’l改、1象から反則して半導体)“9位((
ゝイ検出素f23て受光される。
こトて、電極(検出用)26aと261)の間に反η・
j光スボ、、l−Xか当ると、抵抗層2 (iを介して
入射点から電イ1θ)26aへ電流■l、電極261)
へ電流■2が、また共通電極27へ電〆l1ef3か人
々流れ、それらの間に次の関係か成立する。
■3二I i +I 2 そして、抵抗層26の抵抗を−・様にしておけは、反則
光スボッI−Xの入射点と電極26aの間のH413前
を111人則点と電極26))の間の距離を12とする
と、11・II=12・■2なる関係が成立する。
この条件に基づき、e及びe′点の受光出力は、θに示
す如(、自然光による直流成分に重畳されて発生する。
また、交流増幅回路28及び2つ後の[及び1゛点の出
力は、@に示す如く、増幅されて現われる。
更に、13PF30及び31後のg及びg′点の出力は
、その中心周波数をfo = i、6Kf(zに設定し
であるので、■に示す如く、@の波形を増幅したように
現われる。
更にまた、検波回路32及び33後の1〕及び1〕′点
の出力波形は、θに示す如くになり、平ri’i回路3
4及び35を経た直流増幅回路36及び;37後のj及
び」7点の出力電圧Vj及びV j /は、■に示す如
く、所定値から徐々に」−昇する。
そして、第2図に示す如く、測距対象が近i1’1.!
離位置に存在している場合には、(a n 、(a 2
’)に示す如(、反則光スポットχか、十導体尤(i’
7:量検出素子23に刻し大きく左側にJ−i寄りl 
l < 12の状態になるので、3点の出力電圧Vj 
か17点の出力電圧V〕′よりも充分高いと共に、その
出力電圧Vj が基準電圧Vr+に達した時、CMP3
8の出力か「■1」 レベルへ反転して、先の11.’
11iij Iの間「■1」レベルの信シ号かJjえら
れていjこア/I・ゲー;・45が開いてその出力かJ
 Ft jレベルへ反転−1゛る。−力、その時点ては
、17点の出力電圧V J /か基準電圧Vr3にも達
していないのて、CMP /I (i及び47の出力は
共にl−J■、 J レベルのま\である33従って、
アントゲ−1・45の出力の1−月」レベルへの立−1
−り信号をクロックとするF H46及び47は、共に
1F1」 レベルの信弓を読み込み、大火の出力端子Q
1及びQ2にl H、、lレベルの1.;弓を記憶し、
またその−′f七り信シーシをセントパルスとするFF
43は、出力端7−Q3がl H−1レベルヘ反転する
また、δ11j距刻象か中距頗1位INに存在している
場合には、第2図(b +)、(+) 2)に示す如く
、同様の動作て出力電圧V J /かVF6〈VF6の
間に在るので、FF45の出力端子QlはrHJ レベ
ルの信号を、他方FF47の出力端子Q2はrLJレベ
ルの信号を夫々記憶し、またFF43のit’+ −j
ノ端子Q3は「)■」レベルヘ反転する。
更に、測距対象が遠距離への境界位置に存在していた場
合には、第2図(CI)、(C2)において実線で示す
如く、反射光スポツ1.Xか半導体装置検出素子23に
対しは\中央に当って11字12の状態にあるので、そ
の出力電圧Vj及びV J /ははゾ等しく、その判別
11.1点ては、出力電圧■j/が基準電圧■r2より
も高くなっているのて、F F 46及び47の夫々の
出力端子Q1及びQ2は「I7」レベルの信号を記憶し
、またFF48の出力端子Q3はl’−I−I J レ
ベルヘ反転する。
更にまた、測距対象が極遠距離位置に存在していた場合
には、(CI) 、(C2)において鎖線で示す如(、
反射光スポットX′が、半導体装置検出素子23に対し
右側に片寄ってI+>1.2の状態にあるが、極遠距離
のため、出力重重Vj は先の時間を内には基準電圧■
■1に達せず(it唱]“11χ、j象が反」・1率の
小さいもの5場合も同様にfjることかある)、CMP
38の出力かl’Lj レベルのままであり、その時間
tが終j′するとア/1・う′−1・45がゲートを閉
じるのて、FI’48はセットされず、出力端子Q3か
l’l、j レベルのキ\の状態に保持される。
なお、この11−、+iは、アントゲート「■■」 レ
ベルへ反転することはないのて、+r +r46及び4
7は読み込み動作をijわない。
即ち、第3図の真理値の図表に示ず如く、1i′1・4
6及び47の出力y1°;°11ーrQ1及iJQ2の
4.1号レベル状態により近,中及び遠用1η11を判
別するように設定されているものであり、更に、F F
 4 8の出力端子Q;1がrLJ レベルのIllは
、F F 4 6及び47による判別に優先して遠用禽
1Fを判別するように設定されるものである。
また、第1図のCMP39及び40への基へへ電圧は、
固定バイアスであり、出力電圧V]/と出力電圧Vj 
とは絶対値比較か行われている。
第4図の実施例は、CMP39及び40への基準電圧か
、変動する出力電圧Vjを分割する形て与えられ、従っ
て、出力電圧V ] /は、出力電圧Vjに対する割合
の量として比較か行われる。なお、分圧回路のvbは、
例えば、IRD22を動作させていない時の半導体装置
検出素子23の受光出力回路の通常の電圧レベルがバイ
アスされている。
また、第1図の回路動作ては、CMP38の出力が「1
1」レベルへ反転した11.′l、出力電圧V J 4
′の状態を判別する訳けであるか、アントゲ−1□ 4
 5以下の累積される動作遅れ時間により、その判別に
精度を欠く場合が起り得る。
これに対し、第4図の実施例の腸徴は、上述の如く、割
合の量、即ち、出力電圧V ] /は出力電圧Vj に
対する比で判別されるので、前実施例よりも精度の向上
が計れるものである。
なお、上述の測距出力の段数は増減可能であり、また、
FF43により遠用p111を判別した場合、fj1せ
て警幸1シを発するようにすることもてきる、、上述の
実施例は、イj111距出カを、基べ1;電r−+(v
+・!1V r3 ’) にD 1/ ヘA 及び段数
に応してテノタル的に?1ノるものであるが、息子11
唱1゛11出カを更に?111分割化して賀られる実施
例について説明する。
先ず、第5図及び第6図によりその iff l lの
ものを説明する。なお、前実施例と同・の素γには同し
9〕−号をイマjしている。
第5図において、51はコンパレーク回(隋、52及び
53はコンパレータ回路51のルー117、人カ端子(
−)に基準電1,gl−V rをJjえる定電tAL回
路及び抵抗、54はアントゲ〜1・、55はアナ17ク
スイノチ、56はインバータ、57はコンテン−リ、5
 Bは電lAC増幅回路、59はコアパレータ回jlj
i (な」5、コンパレータ回路は、以1・共通してC
ML)と記述する。)、60及び6 ] ハc M P
 5 9 (7)非反転入力端子(+)に撮影レンスの
jり動範囲における 一方の極限位置から他方の極限位
11qへの移動に対応した変位電圧を与える定電流回路
及びボテンンヨメータ、62はR,Sタイプのフリツプ
フロツプ回路(以下FFと記述する)、63はアントゲ
−1・、64はトランジスタ、65は撮影レンズの操作
部利(レンズセットリング)の運動を停止させる電磁石
である。
次に、第6図において、66はレンズセットリンつて、
光軸を中心にして回動自在に配置され、11つバネ67
により右旋性が与えられ、その右旋により撮影レンズを
無限遠位置から至近距寓11位置方向へと変位移動させ
るものであり、また、段部66aとラヂエット爾66 
bとを形成している。
68はレンズ駆動のレリース用の電磁石て、鉄芯68a
とコイル68bと永久磁石68Cとにより構成されてい
る。69は軸70に枢着されていると:!(にバネ71
により左旋性が与えられているレリーズ用の鉄片レバー
てあり、し/スセットリング66の段部66aに係合し
得るフック69aと電磁石見1の鉄芯68aに対向する
鉄片691)とを形成している。72はピンで、鉄片レ
バー69の左旋量を制限している。73は軸74に枢着
されバネ75により右旋・1iLが与えられているに1
ツク用の鉄片レバーで、し/ズセソトリンク06のラチ
ェツト歯66bに係合し得るフック73e+と、第5図
におけるものと同じものである′市(送行に5に対向す
る鉄F’s’ 731)とを形成している。
なお、第5図に」6けるボデ7ノヨメータ61は、第6
図に示すθ11(、レンズセットリンク6Gに支持され
たブラン6]aと、基板61 +) j、に形成された
抵抗体6]cと導体61(1とにより構成されている。
そこで、第5図及び第6図の動作を第2図(U内の電圧
参照)と共に説明する。
一!−述と同様に、第2図(a 1)、(a z)の状
態では、1点の出力型1王Vjか」′点の出力市川。
VJ′よりも充分高いと共に、J及びj′点の電位はそ
の関係を保ぢながら1.ylする。
また、この段階ては、アノI・ケート54かゲ−1・を
閉していてインパーク56の出力か1−Hj レベルで
あるので、アナログスイッチ55が開いており、コンデ
ンサ57はj′点の出力電圧■j′により充電されて行
(。
そして、1点の出力電圧Vj か基準電圧Vrに達する
と、CMP5]は出力か「ト■」 レベルヘ反転し、こ
の結果、先の++;7間tの間「ト■」レベルの信号が
与えられているアントゲ−1・54は開いてその出力が
rHJ レベルへ反転し、FF62を七y1・してその
出力Qを[HJ レベルに反転保持させると共に、イン
パーク56の出力をrLJレベルへ反転させてアナログ
スイッチ55を閉じさせる。従って、コンデンサ57に
は、1点の出力電圧Vjか基準電圧Vrに達した111
1のj′点の出力型LIEVj’ (V ] )か記憶
される。またその電圧■1は、7L’:流増幅回路58
 で増幅す’l’L、CMI)59の反転入力端子(−
)に!−jえられる。
なお、CIVIP5gは、非反転入力端r(+)に入力
端子を与えるポテンショメータ61か初I’ll状態て
は高電位側に位1t1シているので、初iljの川内状
態は[T−I j レベルに槌“かれている。
従って、アンI・ゲート63は、ゲートを開いてトラン
ジスタ64を導通させているので、電磁石65は励磁し
ていて鉄ハレバー73を吸i′1保1“jしている。
そして、先の11.1間りの終了後に、図示していない
回路動作により電磁石68のコイル681)が、永久磁
石68cの磁力を杓ち消ずツノ向にパルス駆動されると
、鉄片レバー69はハネ71の張力により左旋し、フッ
ク69aカルンスセントリノク66の段部66aから外
れる。その結果、該り/グ66はバネ67の張力により
右旋を開始して、撮影レンズを無限遠位(1!1“がら
至近i、II 、 Q:f1位置)−1向へ変位移動さ
せると共に、フラジ612)を、抵抗体61c」−と導
体61 [1、l:tとて摺動させて、ボデ7ノヨメー
タ6]を高電位側がら(L電位側へ肢1−“l移動させ
る。
そして、CMP59の−J1反転人カ端J′(刊の″電
位が反転入力端子(−)の電位まで低十すると、CMI
’59はその出力がrLJ レベルヘ反転してアントゲ
ート6 タ64が遮断して電磁石65か消磁するのて、鉄ノ・)
レバー73かバネ75の張力により右旋し、フツク73
aかラチェツト歯66I)の一つにy合して、レンスセ
ッ!・リング66の右旋を停止させて撮影レンズか所定
位置に固定されるものである。
また、測距対象かもう少し遠い位(6に存在している場
合には、例えば第2図(1) ]) 、(b 2)に示
す如(なり、上述の記憶電圧■1に相当するものが電圧
V2に変化する。
更に、4!1j距苅象が更に遠い位置に存在している場
合には、例えば第2図(c +’> 、(C2)におい
て実線で示す如くなり(反射光スポラl−Xか半導体装
置検出素子23のは一゛中央に当った場合)、上述の記
憶電圧■1に相当するものが電圧V3に変化する。
更にまた、/1llIll!1或・j象が極遠用1ξ1
1位置に存在していた場合には、第2図(c +)、(
CBにおいて鎖線で示す如く、反射光スポットX′か?
1′導体光位置検出素子23に対し右側に月寄るが、極
遠t?11離のため、出方電圧Vj は先のIl、′i
間り内では基準電圧Vrに達せず(測「1−1対象が反
則率の小さいもの5場合も同様になることがある)、C
MP5]の出力がrLJ レベルのま5てあり、その時
間1か終了してII−T間形成回路1の出力がローl 
し=−ルへ復帰してしまうと、アントゲ−1・54の出
力は[F用しベルへ反転できなくなる。従って、rr+
r62は、セ、i・されず出力Qが1l−jシースルの
状態に保持されて、アント゛ゲート63を閉しさぜたま
\にする。
この結果、電磁石65は初明状態から”ih ’uA&
されておらず、鉄片レバー73を吸着していないので、
上述の動作と同様に、レンズセットリング6(うか右旋
して、ラチェツト歯661)の最初の由がフ57り73
aicχ・j向した時、鉄片レバー73は的ちに右旋し
、フック73aがラチェットll’4Xf 66 bに
咄合し、し/スセットリンク66の右旋を停止l−させ
、撮影レンズを無限遠位置に固定させるものである。
次に、第7図及び第8図により他の実施例について説明
する。なお、1iij実施例と同一グ);+:rには同
じイ〕−号を例している。
76.77はCMP、78.79及び80(」定電流回
路、抵抗及びポテンショメータ、81゜82及び83は
ナノI・ゲート、(なお、以−にの素子と、電流増幅回
路58の出力電圧を入力とし、ナントゲート8.2.8
3の状態を出力とする関係テウイ/トコツバレータ回路
を構成している。)84はアントゲート、85はオアケ
ート、86はインバータ、87〜9oはトランンスタ、
91はモータである。
92はレンズセットリングで、光軸を中心にして回動自
在に配置され、部分キヤ92aを形成している。93は
ピニオンて、第7図のものと同しもの−Cあるモータ9
]の回転軸に固着されている。
94は中間キャで、ビニオン93とレンズセットリング
92の部分キャ9?21とに噛合している。
なお、第7図におけるボテ/ノコメータ8oは、第8図
に示す如く、し/スセノトす/り92に支持されたフラ
ン80aと、基板8 OL+ 、l=、に形成された抵
抗体80cと導体8odとにより構成されている。
−L述の如く、電流増幅回路58の出方電圧は、極遠i
/11離等は別にして、ツ1す距対象が近、中、遠と遠
くになるに従って高くなるように設定され−Cいる。
そして、ウィントコ/パレータ回fj5である関11・
から、電流増幅回路58の出力電圧(X′X)が、CM
P76の非反転入力端子(+)の電圧(vy)よりも高
けれは、CMP76の出力はl L j し・\ルて、
CMP77の出力は1ゴ(」レベルであるがら、ナンド
ゲ−1・81の出力か1−1月 レベルとデ、1って、
ナントゲート82の出力か「’ T−I J レベルて
、ナ/トゲ−)・83の出力かJLJ レベルとなる。
。 一方、出力電圧Vxか、CMP77の段転入カ端子(−
)の電圧(Vz)よりも低くげれは、しへ4P76の出
力は「■1」 レベルて、CMP 77の出力は[−L
」レベルであるから、その後の出力状態(4前述とは逆
の関係になる。
」−述のいずれの場合も、モータ駆動回路の両人力に差
か生しているので、夫々の方向にχ・]応してモータ9
1か回転し、レンズ士ソトリンク92を駆動する。
また、出力電圧Vxか、Vy)Vx、>Vzの関係に置
かれた場合には、CMP76及び77の出力は共に「H
」レベルとなってナノトヶ−1・81の出力かrLJ 
レベルとなるのて、テンI・ゲー1.82及び83の出
力は共に「■」」 レベルとなり、この111はモータ
ル1べ動回路の両人力か同電位であるから、モータ91
は回転しない。
即ち、モータ91の回転によりl!+1ス動されるレン
スセッ!・リング92の運動に連動してボテノンヨメー
タ80か操作されることにより、その11.!Iの出力
電圧Vxに対して電圧vyとVzを変化さぜ、Vy)V
x)Vzの関係位置を検出させて、撮影レンズを所定位
置に固定さぜるものである。
更1こ、上述の如く、F )i” 52がセットされず
、出力Qが「L」レベルのま5のIllは、アントケー
ト84の出力か+i、J レベルで、オアケート85の
出力かl−HJ レベルに保持され、出力電圧Vxが高
い11.tと同しであるがら、撮影レンズは極遠rl前
位置側へ駆動される。
なお、この11−7は、Vy)Vx)Vzの状態を検出
する動作は無関係となって、モータ91には撮影レンズ
を極遠り″11jη11側へ1チ(×動する電lΔCが
〆WCれ6′、;、け〜ることになるので、リミッタ−
を設けておくことが好ましい。
次に、第9図により池の実/lη;例につい−C説明す
る。なお、前史)i(1例と同一の素J′には同1; 
I〕シ:をイ;]シている。
96は例えは4ピッl−のA/Dコノハータ回路、′9
7〜100はアントゲート 1・のマグニチ,−ドコンバレータliil t+’i
i 、I (、12 t;Iモータ駆動回路、1.03
はその回転によりレノスセ。
トリングをル区動するモータ、10/lはモータl(’
)3 ノ回転箱をテンタル化する例えは4ヒツトの工/
二ュータである。
電流増幅回路58の出力電圧のア−′)r.+り11:
は、A/Dコノバ−タ回路96て四つの出方り1°1“
11J′により、rLJ 、)’jl 、1月− J 
、r’l− Jがら1目1。
団」、団」、団」までのl 6V2 ++ilrO) 
’F”/ タルJ1tの−っに符′Iシ化され、そのI
(i19階は、例えは、極遠b’f! ro11位置か
ら至近距叩1位置まてをI (i分割している。
従って、A/Dコノハータ回路96の出力は、アットケ
ート コンパレータ回路10]に入力される。そして、モータ
駆動回路1021こよりモ〜り103が回転させられる
ことによってレンズセットリンクが駆動される。その♀
14果、撮影レンズは無限遠位(16′から至近fi’
l:! 11位置力力面変位移動させられる。そして、
モータ103の回転量をデジタル量に変換するエンコー
ダ104の出力が該コンパレータ回路J(月の人力と一
致した時にモータJO3が停止1−シて、撮影レンズか
所定位置に固定されるものである。
また、上述の如く、FF 6 2かセットされず、出力
QかILJレヘレベま\の時は、アットケートれて、1
−、述の極遠用1ζ1ト状態と同しであるので、撮影レ
ンズは無限速位置で固定される。
ナオ、夫々の実施例に:16いて、FF62が七ソトさ
れず、遠mri II+状態を設定する場合は、併せて
警報を発するようにすることもてきる。
以上の如く、本発明は、半導体装置検出素子出力の対数
圧縮や増幅回路の1′ローツノ刊?:す調1″1へを?
]うことなく、発光素r−の発光周波数を変化さぜるi
’iii単な構成により安定した動作て測り゛11状態
を判別することかできるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の・実施例を刈<シた回路図、第2図は
受光素子に対する反則)v1スポットの状態と出力電圧
の関係を示した説明1′ズ1、第3図はiljj: j
’.i ! j l j力の一例を示した真理値の図表
、第71図,第5図。 第7図及び第9図は夫々本発明の他の実施例をlJ.。 した部分回路図、第6図及び第8図は人々第51χ1及
び第7図に対応した撮影レンズのlb+<動機+11i
.0,’) −例を示した説明図である。 」 ・ ・ 11.’1間影形成路 7、13及び] 5 li!iJ’11増幅回路22 
・ 赤外線発)1′.タイオート23 ・ 半導体)゛
C5位置検出素j′2 6 a 、2 6 b ・・電
極(検出用)27 ・ ・ ・・・・共通電極 28、29 ・ ・・交流増幅回路 30.31・・ ・・ ・・帯域フィルター回路32及
び33・・・ ・ ・検波回路 34及び35・・・・・・ ・・平t1′1回路36及
び37・・・・・・ 直流増幅回路58・・・・・・・
・・・・・・ ・電流増幅回路61及び80・・・・・
・・・・・ポテンショメータ65・・・・ ・・・・・
・・・・・・・電ω石66及び92・・・・ ・レンズ
セットリング91及び103・・・・・モータ 96・・−・・・・・・・ ・・A/Dコンバータ回W
R10J・・・・・・・ ・・・・・・マクニヂュート
コンパレータ回路 102−・・・・・・・ モータ駆動回路104・・・
 ・・・・・・・・・ ・ エンコータX及びX′ ・
・ ・・・・ ・反則光スポット1−)°許出願人 株式会社 コ パ ル 82図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)発光素子から発ぜられた光を測距対象に向けて投
    射し、その反射光を共通電極及び一対の検出用電極を有
    する半導体装置検出素子て受光する三角測距方式の測距
    装置において、前記発光素子をパルス点灯すると共に、
    前記半導体装置検出素r−の出力を処理する回路系に帯
    域フィルター回路を設け、一定時間内において該発光素
    子の発光1171波数を該帯域フィルター回路の中心1
    .′□l波数に向けて変化させ、該半導体装置検用素了
    −における共通電極と一方の検出用電極間回路系の出力
    かある設定値に達した時点で、共通電極と他方の検出用
    電極間回路系の出力の状態を判別するようにしたことを
    特徴とする測距装6j、+。 (2)発光素子から発せられた光を測距対象に向けて投
    射し、その反η・j光を共通電極及び一対の検出用電極
    を有する214導体光位jF(j検出素J′てつ光する
    三角測距方式の測距装置において、曲記発)IL、素J
    ′をパルス点灼すると共に、111f記半導体光位11
    ゝ゛■゛検出素了−の出力を処理する回路系に帯域フィ
    ルター回路を設け、一定時間内において1.h発光素J
    ′の発)’L il、1波数を該帯域フィルター回路の
    中心1,171波数に向けて変化させ、該半導体装置検
    出素j′におけるノ1、通電極と一方の検出用電極間回
    路系の出力かある設定値に達した時の、+iii記他方
    の受光素J′回路の出力を、該 方の・受光素J′回路
    の出力にχ・1する所定の割合の昂−と比較して判別す
    るように1.たことを特徴とする測ME装置。 (3)共通電極と他力の検出用電極間回路系の出力4区
    複数のレベルと比較するようにしたことを!11徴とす
    る請求 i+′11装置r1°。 +4)−一定11.1間内に共通’iLL極と−・力の
    検出用電極間回路系の出力かある設定値に達しない11
    ./は、jl!lI b’i ! : l i力を遠距
    離として判別するようにしたことを特徴とする特許請求
    の範囲第・項士たは第゛6項記載の測距装置。 電極を有する半導体装置検出素子で受光する三角辺り距
    方式の測距装置において、前記発光素子をパルス点灯す
    ると共に、前記半導体装置検出素子の出力を処理する回
    路系に帯域フィルタ・−回路を設け、一定時間1ノ旧こ
    おいて該発光素子の発光周波数を該帯域フィルター回路
    の中心12,1波数に向けて変化させ、該半導体装置検
    出素了における共通電極と一方の検出用電極間回路系の
    出力かある設定値に達した時点で、共通電極と他方の検
    出用電極間回路系の出力の状態を電圧値として記憶して
    コンパレータ回路の一方の入力端子に与え、その後、撮
    影レンズを可動範囲の一方の極限位置から他方の極限位
    置へ向けて駆動すると共に、該駆動4作に連動して前記
    コンパレ〜り回路の他方の入力端子の電位を一方の極限
    値から他方の極限値へ向けて掃引し、前記両入力端子の
    電位か一致した時、n’+i記撮影レンズの駆動を停止
    させるようにしたことを特徴とする測距装置。 (6)発光素子から発ぜられた光を訓f?1iil象に
    向けて角測距方式の測距装置において、前記発光素J′
    をパルス点灯すると共に、+iif記半導体装置検装素
    子の出力を処理する回路系に帯域フィルター回路を設け
    、一定時間内において該発光素r−の発光周波数を該帯
    域フィルター回路の中心1.!il波数に向t−1て変
    化さぜ、該半導体装置検出素子J′−における共通電極
    と一方の検出用電極間回路系の出力かある設定値に達し
    た時点で、共通電極と他方の検出用電極間回路系の出力
    の状態を電圧値として記憶してウィンドコンパレータ回
    路の一方の入力端r−に与え、また、撮影レンズの1り
    動範囲中の位置に対応した電位を前記ウィンドコンパレ
    ータ回路の他力の人力匍!r子に与え、該コンパレータ
    回路の出力端子間に接続されその入力端子の不・1ろ衡
    の力面に対応して回11jz;するサーボモータにより
    11;i記撮影レンズを駆動し、前記両入力端子の電位
    かある幅を持つ所定のしきい値内で一致した時、前記サ
    ーボモータの回転を停止させて、前記撮影レンズの駆動
    を停止させるようにしたことを特徴とする測距装置。 (7)発光素子から発せられた光をMill f?li
     ?l象に向けて投射し、その反射光を共通電極及び−
    刻の検出用電極を有する半導体装置検出素イて受光する
    三角測距方式の測距装置において、前記発光素子をパル
    ス点灯すると共に、前記半導体装置検出素子の出力を処
    理する回路系に帯域フィルター回路を設け、一定時間内
    において該発光素r−の発光1.fil波数を該帯域フ
    ィルター(il路の中心1.jil波数に向けて変化さ
    せ、該半導体装置検出累子における共通電極と一方の検
    出用電極間回路系の出力かある設定値に達した時点て、
    共通電極と他方の検出用電極間回路系の出力の状態の電
    圧値をテジタル値に変換して記憶し、その後、撮影レン
    ズを可動範囲の一方の極限位置から他方の極限位置へ向
    けて駆動すると共に、該駆動の歩進量をエンコーダによ
    りデジタル量に変換し、該デシグル量が前記々装置。 (8)一定時間内に共通電極と一方の検出用電極間回路
    の出力がある設定値に達しない11.’、は、撮影レン
    ズが4R先して遠fl帽i1側の極限位置で停止される
    ようにしたことをq゛、y徴とする腸許請求の範囲第1
    19項乃至第七項記載の測W1!装置。
JP18777583A 1983-10-07 1983-10-07 測距装置 Pending JPS6079213A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6225209A (ja) * 1985-07-26 1987-02-03 Olympus Optical Co Ltd 測距装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6225209A (ja) * 1985-07-26 1987-02-03 Olympus Optical Co Ltd 測距装置

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