JPS6079725A - 被処理物の離脱装置 - Google Patents
被処理物の離脱装置Info
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- JPS6079725A JPS6079725A JP18743683A JP18743683A JPS6079725A JP S6079725 A JPS6079725 A JP S6079725A JP 18743683 A JP18743683 A JP 18743683A JP 18743683 A JP18743683 A JP 18743683A JP S6079725 A JPS6079725 A JP S6079725A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は被処理物の離脱装置に係り、特に静電チャック
（より固定された被処理物の離脱装置に関する。
（より固定された被処理物の離脱装置に関する。
近年、半導体の製造工程におけるドライ化および自動化
が進むにつれて、被処理物の゛電極への固定手段が、被
処理物の汚染を防ぐため機械的手段に代わり、静遁的に
固定する手段が広く用いられるようになってきた。
が進むにつれて、被処理物の゛電極への固定手段が、被
処理物の汚染を防ぐため機械的手段に代わり、静遁的に
固定する手段が広く用いられるようになってきた。
第１１囚は従来の静電チャックを用いたＲＩＢ：（反応
性イオンエツチング）装置を示したもので、真空容器１
の上部には、電極２がテフロン絶縁板３を介して増付け
られており、上記′Ｉ４極２の下面には、カプトン（ポ
リイミド）等のｈり電体ト４が貼着されている。さらに
、上記４極２の内部には。
性イオンエツチング）装置を示したもので、真空容器１
の上部には、電極２がテフロン絶縁板３を介して増付け
られており、上記′Ｉ４極２の下面には、カプトン（ポ
リイミド）等のｈり電体ト４が貼着されている。さらに
、上記４極２の内部には。
水冷パイプ兼用の導管５が押通されており、この導ｗ５
には１．高周波゛ｒｌｌ、ｔ；ｔ６がマツチング回路７
を介して接続されるとともに、直流１源８が高周波をカ
ットするヂョークコイル９を介して接続されている。ま
た、上記電極２の中心１■Ｓには、上記誘電体膜４の上
面に達する孔部ｌＯが穿Ｈ（之されており。
には１．高周波゛ｒｌｌ、ｔ；ｔ６がマツチング回路７
を介して接続されるとともに、直流１源８が高周波をカ
ットするヂョークコイル９を介して接続されている。ま
た、上記電極２の中心１■Ｓには、上記誘電体膜４の上
面に達する孔部ｌＯが穿Ｈ（之されており。
この孔（ｆｌ＜ １０には、Ｎ！ガス供給管１１および
Ｎ、ガス排気管１２がそれぞれ電磁弁１３ａ、１３ｂを
介して接続されている。
Ｎ、ガス排気管１２がそれぞれ電磁弁１３ａ、１３ｂを
介して接続されている。
上記真空容器１の下面には、ガス導入口１４および排気
口１５が設けられるとともに、上記真空＠器１の下方に
配設されたエアシリンダ【６のシャフト１７が、Ａ空容
器１の下面中央に１通されており、このシャツ）１７の
上端部には、支持台１８が設けられている。
口１５が設けられるとともに、上記真空＠器１の下方に
配設されたエアシリンダ【６のシャフト１７が、Ａ空容
器１の下面中央に１通されており、このシャツ）１７の
上端部には、支持台１８が設けられている。
上記装置の場合、真空容器１の内部空気を排気口Ｉ５か
ら排気してＡ全にするとともに、ガス導入口１４からＡ
ｒ等のガスを送り、ガス雰囲気とする。
ら排気してＡ全にするとともに、ガス導入口１４からＡ
ｒ等のガスを送り、ガス雰囲気とする。
そして、支持台１８上の被処理物Ａをエアシリンダ１６
により上昇させて、誘′祇体膜４の下面に市ｉ１ｇチャ
ックにより固定する。この静「にチャックは直流′電源
８をＯＮすることにより作動する。この状態において、
高周波電源６をＯＮにすることにより。
により上昇させて、誘′祇体膜４の下面に市ｉ１ｇチャ
ックにより固定する。この静「にチャックは直流′電源
８をＯＮすることにより作動する。この状態において、
高周波電源６をＯＮにすることにより。
被処理物への下面側のエツチングが行なわれ、導管５の
内部を流れる冷却水により成極２および被処理物Ａの冷
却が行なわれる。エツチング終了後高周波電源６をＯＦ
Ｆにし、かつ直流畦源８をＯＦＦにするとともに接地電
位状態の支持台１８をエアシリンダ１６により上昇させ
て被処理物Ａ Ｋ Ｆ：触させ、被処理物Ａに蓄積され
た電荷を支持台１８゛を通して逃がす。その後、′電磁
弁１３ａを開いてＮ。
内部を流れる冷却水により成極２および被処理物Ａの冷
却が行なわれる。エツチング終了後高周波電源６をＯＦ
Ｆにし、かつ直流畦源８をＯＦＦにするとともに接地電
位状態の支持台１８をエアシリンダ１６により上昇させ
て被処理物Ａ Ｋ Ｆ：触させ、被処理物Ａに蓄積され
た電荷を支持台１８゛を通して逃がす。その後、′電磁
弁１３ａを開いてＮ。
ガス供給管１１から孔部１０にＮ、ガス（０，３〜０．
５Ｋｇ ／ ａｍジを送り、計１に体膜４をイ）ずかに
膨出させることにより、被処理物Ａを離脱させる。この
被処理物Ａは支持台１８上に載置され、エアシリンダ１
６により下降するものであり、同時に上紀醒磁弁１３ａ
を釣１じ、他方の電磁弁１３ｂを開いて、Ｎ。
５Ｋｇ ／ ａｍジを送り、計１に体膜４をイ）ずかに
膨出させることにより、被処理物Ａを離脱させる。この
被処理物Ａは支持台１８上に載置され、エアシリンダ１
６により下降するものであり、同時に上紀醒磁弁１３ａ
を釣１じ、他方の電磁弁１３ｂを開いて、Ｎ。
ガス刊気管１２から排気を行ない上記膨出した誘電体膜
４を元の状態に戻すようになされる。
４を元の状態に戻すようになされる。
上記装置においては、エツチング時間が長くなったり、
自動運転で連糾的に多数枚の被処理物をエツチングした
場合に、誘電体膜４０表面に電荷が蓄積してしまい、上
記誘電体膜４の膨出によっては、被処理物Ａを離脱させ
ることができなくなるという欠点を有し”〔いる。
自動運転で連糾的に多数枚の被処理物をエツチングした
場合に、誘電体膜４０表面に電荷が蓄積してしまい、上
記誘電体膜４の膨出によっては、被処理物Ａを離脱させ
ることができなくなるという欠点を有し”〔いる。
そのため、Ｎ、ガスの圧力を高くして（０−９Ｋｇ／ｃ
ｍ’以上）、誘電体膜４の膨出を行なう９手段が考えら
れるが、このような手段では、成極２と誘電体膜４との
貼着がはがれ、必要以上に誘電体膜４が膨出してしまい
、被処理物Ａが支持台１８にたたきつけられて損傷を受
けるという欠点を有するものである。
ｍ’以上）、誘電体膜４の膨出を行なう９手段が考えら
れるが、このような手段では、成極２と誘電体膜４との
貼着がはがれ、必要以上に誘電体膜４が膨出してしまい
、被処理物Ａが支持台１８にたたきつけられて損傷を受
けるという欠点を有するものである。
さらに、上記装置では電極２に孔部１０が設けられてい
るため、この孔部１０に対応する位置の被処理物が冷却
されなくなり、熱により損傷を受けるおそれがあるとい
う欠点をも有している。
るため、この孔部１０に対応する位置の被処理物が冷却
されなくなり、熱により損傷を受けるおそれがあるとい
う欠点をも有している。
本発明は上記欠点を解消するためになされたもので、靜
域チャックにより固定された被処理物を確実に離脱する
ことができ、しかも冷却効果を低下させることのない被
処理物の離脱装置を提供することを目的とするものであ
る。
域チャックにより固定された被処理物を確実に離脱する
ことができ、しかも冷却効果を低下させることのない被
処理物の離脱装置を提供することを目的とするものであ
る。
本発明に係る被処理物の離脱装置は、被処理物を静電的
に固定する静電チャックの電極の上記被処理物固定側面
に貼着された誘電体膜の一部に、上記電極に至る放電孔
を設けるとともに、この放電孔を誘電体部材により開放
閉塞自在に構成するようになされており、被処理物の離
脱時に上記誘電体部材を動作させて上記放′醒孔を開放
することにより、上記放電孔から放電を起こさせ、上記
訪電体膜埴よび被処理物と上記電極とを同電位にして被
処理物をｐ、ｑｂ脱させるようになされている。
に固定する静電チャックの電極の上記被処理物固定側面
に貼着された誘電体膜の一部に、上記電極に至る放電孔
を設けるとともに、この放電孔を誘電体部材により開放
閉塞自在に構成するようになされており、被処理物の離
脱時に上記誘電体部材を動作させて上記放′醒孔を開放
することにより、上記放電孔から放電を起こさせ、上記
訪電体膜埴よび被処理物と上記電極とを同電位にして被
処理物をｐ、ｑｂ脱させるようになされている。
以下、本発明の実施例を第２図を参照して説明し、第１
図と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する
。
図と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する
。
本実施例においては、カプトン等からなる誘電体膜４の
被処理物Ａ同定部分以外の部分に、成極２に至る放電孔
１９が穿設されでいる。また、Ｘ空容器１の下方にはエ
アシリンダ２０が配設され、このエアシリンダ２０のシ
ャフト２１が真空容器１の下面を負：１ｉｆｉ して真
空容器１の内部に延びており、このシャフト２１の上端
には、カプトン等により形成された誘電体＋９１Ｓ材２
２が固Ｍされている。したがって、この誘電体部材２２
は、上記エアシリンダ２ｏの作動により昇降自在とされ
、誘１区体部材２２を上昇させ′Ｃ誘電体〃ｑ４の下面
に密接することにより上記放電孔１９を閉塞するととも
に、誘電体部材２２を下降させることにより上記放１２
孔１９を開放するようになされている。また１本実施例
においてはＮ。
被処理物Ａ同定部分以外の部分に、成極２に至る放電孔
１９が穿設されでいる。また、Ｘ空容器１の下方にはエ
アシリンダ２０が配設され、このエアシリンダ２０のシ
ャフト２１が真空容器１の下面を負：１ｉｆｉ して真
空容器１の内部に延びており、このシャフト２１の上端
には、カプトン等により形成された誘電体＋９１Ｓ材２
２が固Ｍされている。したがって、この誘電体部材２２
は、上記エアシリンダ２ｏの作動により昇降自在とされ
、誘１区体部材２２を上昇させ′Ｃ誘電体〃ｑ４の下面
に密接することにより上記放電孔１９を閉塞するととも
に、誘電体部材２２を下降させることにより上記放１２
孔１９を開放するようになされている。また１本実施例
においてはＮ。
ガスの供給管および排気管は設けられていない。
本実絢例の場合は、通常時およびエツチング時において
は、放電孔１９を誘電体部材２２により閉塞するように
なされるものであり、エツチングが終了して高周波電源
６をＯＦＦにした後、各エアシリンダ１６ 、２０を作
動させて支持体１８を上昇させるとともにＵ電体部拐２
２を下降させる。そし゛Ｃ１放電孔１９が開放されると
、電極２が真空容器１の内部に露出するため、この内部
のガス雰囲気中に放電が起こり、プラズマが発生する。
は、放電孔１９を誘電体部材２２により閉塞するように
なされるものであり、エツチングが終了して高周波電源
６をＯＦＦにした後、各エアシリンダ１６ 、２０を作
動させて支持体１８を上昇させるとともにＵ電体部拐２
２を下降させる。そし゛Ｃ１放電孔１９が開放されると
、電極２が真空容器１の内部に露出するため、この内部
のガス雰囲気中に放電が起こり、プラズマが発生する。
このプラズマにより誘電体膜４および被処理物への表向
が導電面となるため、電極２と同電位になり、導電体中
には電界が発生しないという物理的法則から、被処理物
Ａは容易に離脱され、支持台１８上に載置される。その
後、直流１ｉｉｃ源８をＯＦＦにし、さらに。
が導電面となるため、電極２と同電位になり、導電体中
には電界が発生しないという物理的法則から、被処理物
Ａは容易に離脱され、支持台１８上に載置される。その
後、直流１ｉｉｃ源８をＯＦＦにし、さらに。
各エアシリンダ１６ 、２０を作Ｏさせて、誘電体部材
２２により放電孔１９を閉塞するとともに支持台１８を
下降させる。
２２により放電孔１９を閉塞するとともに支持台１８を
下降させる。
したがって本実施例にぢいては、Ｎ、ガスにより誘電体
膜を膨出させる必要がないので、誘電体膜に電荷が蓄積
された場合であっても、容易にかつ確実に被処理物を離
脱ぎぜることができる。また、電極に孔部を設ける必要
がないので、こめ孔部による冷却効率の低下を防止する
こともできる。
膜を膨出させる必要がないので、誘電体膜に電荷が蓄積
された場合であっても、容易にかつ確実に被処理物を離
脱ぎぜることができる。また、電極に孔部を設ける必要
がないので、こめ孔部による冷却効率の低下を防止する
こともできる。
なお、真空容器内のガス雰囲気中に放電を起こさせる手
段として、電極枠を真空容器内部に配設し、被処理物の
離脱時めみ１記゛１１水棒に１１流宛圧を印加するよう
にしても同様の効果を有ることができる。また、本実施
例においてはＲ■Ｅ装置に適用した、鴨合についてのみ
説明したが、スパッタリング装置、プラズマＣＶＤ装置
、イオン注入装Ｔｅｌ、’ｕＬ子ビーム描画装置ｓ ４
４子ビ一ムアニール装置等真空容器内で静１チャックを
使用する装置であれは、いずれの装置に適用してもよい
。
段として、電極枠を真空容器内部に配設し、被処理物の
離脱時めみ１記゛１１水棒に１１流宛圧を印加するよう
にしても同様の効果を有ることができる。また、本実施
例においてはＲ■Ｅ装置に適用した、鴨合についてのみ
説明したが、スパッタリング装置、プラズマＣＶＤ装置
、イオン注入装Ｔｅｌ、’ｕＬ子ビーム描画装置ｓ ４
４子ビ一ムアニール装置等真空容器内で静１チャックを
使用する装置であれは、いずれの装置に適用してもよい
。
以上述べたように本発明に光る被処理物のｐ、１ｊ脱装
置は、静電チャックのｆ載極に貼λイぴれＴこ已ｉ視体
」嗅の一部に、上記成極に至る族α孔を設けるとともに
、この放電孔を誘電体部材により開放閉塞自在に構成す
るようになされており、彼処Ｉ４１！物の離脱時に上記
誘電体部材を動作させて上記放電孔を［１ｉｉＪ放する
ことＫより、上記放電孔から放電を起こさせ、上記討電
体躾および被処理物と上記電極とを同電位にして被処理
物を離脱させるようにしたので、Ｎ、カスによる誘戊体
れの膨出１１１作が不要となり、誘螺体族に１．Ｊ、褐
゛が蓄Ｊｊｆされた場合でも、被処理物を損”ｔｉｅす
ることなく容易にかつ（ｌ’？＋；実ｔ（被処理物の離
脱を１１なうことがＥ’ＪＩ］＝となる。さらに、従来
のようにｌｔｌ、１１へに孔ｉ？ｔｌｓを設ける必要が
ろ：いので。
置は、静電チャックのｆ載極に貼λイぴれＴこ已ｉ視体
」嗅の一部に、上記成極に至る族α孔を設けるとともに
、この放電孔を誘電体部材により開放閉塞自在に構成す
るようになされており、彼処Ｉ４１！物の離脱時に上記
誘電体部材を動作させて上記放電孔を［１ｉｉＪ放する
ことＫより、上記放電孔から放電を起こさせ、上記討電
体躾および被処理物と上記電極とを同電位にして被処理
物を離脱させるようにしたので、Ｎ、カスによる誘戊体
れの膨出１１１作が不要となり、誘螺体族に１．Ｊ、褐
゛が蓄Ｊｊｆされた場合でも、被処理物を損”ｔｉｅす
ることなく容易にかつ（ｌ’？＋；実ｔ（被処理物の離
脱を１１なうことがＥ’ＪＩ］＝となる。さらに、従来
のようにｌｔｌ、１１へに孔ｉ？ｔｌｓを設ける必要が
ろ：いので。
被処理物を均一にかつ効率よく冷却することができる等
の効果を奏する。
の効果を奏する。
第１図はｖＥ来の離脱・寝殿をＲＩ Ｅ装置に適用した
例を示す正面ｔｌＪｒ面図、≦１３２図は不発ツＪの一
実施例を示す止面１すを面図である。 １・・・Ａ：を容器、２・・・′ｉに極、３・・・４．
色縁板、４・・・誘′心体脱、５・・・導管、６・・・
高周波ｉＬ源、７・・・マツチング回路、８・・・直流
電源、９・・・チョークコイル。 ＩＯ・・・孔部、 １１・・・Ｎ２ガス供給管、 １２
・・・Ｎ２ガス排気管、１３・・・ル磁弁、 １４・・
・ガス導入管、１５・・・排気管。 １６ 、２０・・・エアシリンダ、１７，２１・・・シ
ャツ）、１８・・・支持台、１９・・・放；べ孔、２２
・・・ｈチレ電体部材。 出縁八代１人 猪 股 清
例を示す正面ｔｌＪｒ面図、≦１３２図は不発ツＪの一
実施例を示す止面１すを面図である。 １・・・Ａ：を容器、２・・・′ｉに極、３・・・４．
色縁板、４・・・誘′心体脱、５・・・導管、６・・・
高周波ｉＬ源、７・・・マツチング回路、８・・・直流
電源、９・・・チョークコイル。 ＩＯ・・・孔部、 １１・・・Ｎ２ガス供給管、 １２
・・・Ｎ２ガス排気管、１３・・・ル磁弁、 １４・・
・ガス導入管、１５・・・排気管。 １６ 、２０・・・エアシリンダ、１７，２１・・・シ
ャツ）、１８・・・支持台、１９・・・放；べ孔、２２
・・・ｈチレ電体部材。 出縁八代１人 猪 股 清
Claims (1)
- 被処理物を静置的に固定する静電チャックの＆電極の上
記彼処１物固定側面に貼着された誘一体膜の一部に、上
記−極に至る放電孔を設けるとともに、この放電孔を誘
電体部材により開放閉塞目在に構成したことを特徴とす
る被処理物の離脱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18743683A JPS6079725A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 被処理物の離脱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18743683A JPS6079725A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 被処理物の離脱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079725A true JPS6079725A (ja) | 1985-05-07 |
| JPH0263305B2 JPH0263305B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=16206023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18743683A Granted JPS6079725A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 被処理物の離脱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079725A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230325A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | 半導体処理装置 |
| JPH07297474A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気体レーザ装置 |
-
1983
- 1983-10-06 JP JP18743683A patent/JPS6079725A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230325A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | 半導体処理装置 |
| JPH07297474A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0263305B2 (ja) | 1990-12-27 |
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