JPS6082954A - ガス検出素子とその製造方法 - Google Patents
ガス検出素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPS6082954A JPS6082954A JP19092983A JP19092983A JPS6082954A JP S6082954 A JPS6082954 A JP S6082954A JP 19092983 A JP19092983 A JP 19092983A JP 19092983 A JP19092983 A JP 19092983A JP S6082954 A JPS6082954 A JP S6082954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas detection
- detection element
- firing
- antimony
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- LIYKJALVRPGQTR-UHFFFAOYSA-M oxostibanylium;chloride Chemical compound [Cl-].[Sb+]=O LIYKJALVRPGQTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 25
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 21
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 12
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 2
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 claims 1
- RCJVRSBWZCNNQT-UHFFFAOYSA-N dichloridooxygen Chemical compound ClOCl RCJVRSBWZCNNQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 65
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract description 3
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002621 H2PtCl6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000019114 Amata Species 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100002917 Caenorhabditis elegans ash-2 gene Proteins 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N Dimethyl sulfide Chemical compound CSC QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150042190 Slc22a17 gene Proteins 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLQSSCFYCXIQDZ-UHFFFAOYSA-N arsanyl Chemical compound [AsH2] WLQSSCFYCXIQDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L platinum dichloride Chemical compound Cl[Pt]Cl CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、可燃性ガス中、シラン系ガスと水素ガスを
選択的に検出するガス検出素子ならびにその製造方法に
関するものである。
選択的に検出するガス検出素子ならびにその製造方法に
関するものである。
半導体工場では、モノシラン(S i H4)+ジクロ
ルシラy (SiH2Cl2) ヤトリクO# シ5
ン(SiHCl2)などのシラン系ガスがホスフィン(
PH3)sジボランCB2H6)やアルシン(AsH2
)などとともにエピタキシャル成長や窒化膜形成などの
ため多鍵に使用されている。そしてこのようなシラン系
ガスは水素(H2)ガスや窒素(N2)ガスをキャリヤ
として各種製造装置に供給される。ところでシラン系ガ
スは空気中に3チ前後混合′すると自然発火して燃焼す
る。またH2ガスの空気中での爆発下限は4チであるが
、H2ガス中にシラン系ガスが1%程度混入していると
1.5%程度に低下する。
ルシラy (SiH2Cl2) ヤトリクO# シ5
ン(SiHCl2)などのシラン系ガスがホスフィン(
PH3)sジボランCB2H6)やアルシン(AsH2
)などとともにエピタキシャル成長や窒化膜形成などの
ため多鍵に使用されている。そしてこのようなシラン系
ガスは水素(H2)ガスや窒素(N2)ガスをキャリヤ
として各種製造装置に供給される。ところでシラン系ガ
スは空気中に3チ前後混合′すると自然発火して燃焼す
る。またH2ガスの空気中での爆発下限は4チであるが
、H2ガス中にシラン系ガスが1%程度混入していると
1.5%程度に低下する。
このためシラン系ガスやH2ガスの漏洩による災害を防
止するため、シラン系ガスならびにH2ガスの漏洩を検
出できるガス検出素子が望甘れでいるが、現状は両方の
ガスを検出できるガス検出素子は見当らない。
止するため、シラン系ガスならびにH2ガスの漏洩を検
出できるガス検出素子が望甘れでいるが、現状は両方の
ガスを検出できるガス検出素子は見当らない。
本発明者は上記の点にかんがみ、シラン系ガスならびに
水素ガスの両ガスを検出可能な菓子を得るべく種々の実
験を行なったところ、先に%U昭57−226510号
で出願した発明による酸化第2スズとオキシ塩化アンチ
モンと白金と’l Sb/5n=2〜Bモル係、Pt/
5n=2〜10モルチの組成比で混合したものを600
〜85Q℃の空気雰囲気中捷たはアンチモン酸化ガス雰
囲気中で焼成してなる一酸化炭素検出素子を、さらにシ
ラン系溶液中に浸漬してその後200〜850℃で焼b
yシ、焼成した菓子を加熱手段で加熱したところ、シラ
ン系ガスと水素ガスの両ガスを検出できるガス検出素子
が得られた。
水素ガスの両ガスを検出可能な菓子を得るべく種々の実
験を行なったところ、先に%U昭57−226510号
で出願した発明による酸化第2スズとオキシ塩化アンチ
モンと白金と’l Sb/5n=2〜Bモル係、Pt/
5n=2〜10モルチの組成比で混合したものを600
〜85Q℃の空気雰囲気中捷たはアンチモン酸化ガス雰
囲気中で焼成してなる一酸化炭素検出素子を、さらにシ
ラン系溶液中に浸漬してその後200〜850℃で焼b
yシ、焼成した菓子を加熱手段で加熱したところ、シラ
ン系ガスと水素ガスの両ガスを検出できるガス検出素子
が得られた。
以下この発明のガス検出素子とその製造方法な実験例に
より説明する。
より説明する。
〔実験例1〕
酸化M2 y、 X (Sn02)に塩化白金e (H
2Ptcz6)水浴液をP t、/s 1=4モル係と
なるように加えて超音波により良く分散させる。この分
散水浴液を一40℃で急速凍結させた後、真空凍結乾燥
器にセットして乾燥させる。次にこの乾燥された試料忙
オキシ塩化アンチモン(sbocgをS b/s n=
4モル係となるように加えて乳鉢で30分間混合スる0
この混合し±μ料にイソプロピルアルコールを加えてペ
ースト状にしたものを電極が取り付けられたアルミナ磁
器官に塗布して自然乾燥させる。次にこの素子を700
±5℃にセットされた空気雰囲気の石英管内に入れて3
0分間焼成する。次に焼成した素子ンエトキシシラ7
((C2H50)4Si)g 10%含有するイソプロ
ピルアルコール浴数に1o分間浸漬させ、浸漬後自然乾
燥きせる。その後この素子を700±5℃にセットされ
た空気雰囲気中で5分間焼成する。そして焼成後この素
子のアルミナ磁器管内で約12時間エージングする。
2Ptcz6)水浴液をP t、/s 1=4モル係と
なるように加えて超音波により良く分散させる。この分
散水浴液を一40℃で急速凍結させた後、真空凍結乾燥
器にセットして乾燥させる。次にこの乾燥された試料忙
オキシ塩化アンチモン(sbocgをS b/s n=
4モル係となるように加えて乳鉢で30分間混合スる0
この混合し±μ料にイソプロピルアルコールを加えてペ
ースト状にしたものを電極が取り付けられたアルミナ磁
器官に塗布して自然乾燥させる。次にこの素子を700
±5℃にセットされた空気雰囲気の石英管内に入れて3
0分間焼成する。次に焼成した素子ンエトキシシラ7
((C2H50)4Si)g 10%含有するイソプロ
ピルアルコール浴数に1o分間浸漬させ、浸漬後自然乾
燥きせる。その後この素子を700±5℃にセットされ
た空気雰囲気中で5分間焼成する。そして焼成後この素
子のアルミナ磁器管内で約12時間エージングする。
このようにして製作したガス検出素子を、その素子温度
が325℃となるようにヒータで加熱し、25℃の雰囲
気中で清浄空気中からそれぞれ100 ppmの水素(
H2)、モノシラン(SiH4)。
が325℃となるようにヒータで加熱し、25℃の雰囲
気中で清浄空気中からそれぞれ100 ppmの水素(
H2)、モノシラン(SiH4)。
−酸化炭素(co)、メタン(CH4)l エチL/
y (C2H4)。
y (C2H4)。
7 y モニア (NH3)、 イア フロビルアルコ
−#(1−CzH5 c3H7oH)、エチルアルコール(woH)の各ガス
中にさらしたところ、第1図の特性を示した。なおに、
7はH2に、8はSiH4にそれぞれさらした時の特性
曲線である。
−#(1−CzH5 c3H7oH)、エチルアルコール(woH)の各ガス
中にさらしたところ、第1図の特性を示した。なおに、
7はH2に、8はSiH4にそれぞれさらした時の特性
曲線である。
この結果、実験例によるガス検出素子は、水素ガスとシ
ラン系ガスに対するSN比つまり〔清浄空気中の抵抗値
Ro) / (ガス中の抵抗値Rg〕は14.5〜22
.5を示したのに対し、他のガスに対するSN比は1.
1〜2.9であり、水素ガスとシラン系ガスに対づ−る
検出感度は他のガスに対する検出感度の少なくとも5倍
得られることが判明した。
ラン系ガスに対するSN比つまり〔清浄空気中の抵抗値
Ro) / (ガス中の抵抗値Rg〕は14.5〜22
.5を示したのに対し、他のガスに対するSN比は1.
1〜2.9であり、水素ガスとシラン系ガスに対づ−る
検出感度は他のガスに対する検出感度の少なくとも5倍
得られることが判明した。
次にこの実験例の製造方法において、5n02と5bo
czとH4F tC16との組成比、1回目の焼成温度
、(C2H50)4S iの凝度とPi漬待時間ならび
に2回目のvX成温度を種々変化はせて素子を製作し、
上記と1川椋に1o o ppmの各棟ガスにさらして
特性ン測定した。その結果、5n02と5boctとH
2PtCl6とをPt/5n=2〜10モル係、Sb/
5n=2〜8モル係の組成比で混合し、600〜850
℃の温度で1回目ノ焼成を5〜60分市1分外1、(c
2H5o)4Si濃度が2〜100チの溶液中に30秒
〜20分間V潰し、200〜850℃でかつ1回目の焼
成温度以下で2回目の焼成73〜60分間行ない、ヒー
タで200〜400 ’Cに加熱するようにしたカス検
出素子は、清浄空気中での初期抵抗値ならびに100
ppmの各ガス中での抵抗値1−i91図に示したもの
とは異なるものの、各ガスに対する応答特性は第1図と
eよr’を同様な特性を示した。そしてこの測定結果か
ら100 ppmの各ガスに対するSN比(Ro/Rg
) 請求めたとこスに対するSN比は1.1〜3.5を
示したのに対し、H2,SiH4の谷ガスに対するSN
比は9〜30を示し、しかもH2とSiH4の各ガスに
対するSN比は他のガスに対するSN比の最大値の3.
5倍以上が得られた〇 ブた(C2H50)4Stの代りにテトラメトキシシラ
ン((CH30)4Si)やジクロルジメチルシラン(
(CH3)2S i C10)を用いたシラン系溶液に
浸漬させても、H2とS iH4の冬ガスに対するSN
比ならびに他のガスに対するSN比は上記と同様の傾向
を示したO 〔実験例2〕 5n02にH2PtCl6水溶液’a’ Pt/5n=
4モル係となるように加えて超音波により良く分散させ
る。
czとH4F tC16との組成比、1回目の焼成温度
、(C2H50)4S iの凝度とPi漬待時間ならび
に2回目のvX成温度を種々変化はせて素子を製作し、
上記と1川椋に1o o ppmの各棟ガスにさらして
特性ン測定した。その結果、5n02と5boctとH
2PtCl6とをPt/5n=2〜10モル係、Sb/
5n=2〜8モル係の組成比で混合し、600〜850
℃の温度で1回目ノ焼成を5〜60分市1分外1、(c
2H5o)4Si濃度が2〜100チの溶液中に30秒
〜20分間V潰し、200〜850℃でかつ1回目の焼
成温度以下で2回目の焼成73〜60分間行ない、ヒー
タで200〜400 ’Cに加熱するようにしたカス検
出素子は、清浄空気中での初期抵抗値ならびに100
ppmの各ガス中での抵抗値1−i91図に示したもの
とは異なるものの、各ガスに対する応答特性は第1図と
eよr’を同様な特性を示した。そしてこの測定結果か
ら100 ppmの各ガスに対するSN比(Ro/Rg
) 請求めたとこスに対するSN比は1.1〜3.5を
示したのに対し、H2,SiH4の谷ガスに対するSN
比は9〜30を示し、しかもH2とSiH4の各ガスに
対するSN比は他のガスに対するSN比の最大値の3.
5倍以上が得られた〇 ブた(C2H50)4Stの代りにテトラメトキシシラ
ン((CH30)4Si)やジクロルジメチルシラン(
(CH3)2S i C10)を用いたシラン系溶液に
浸漬させても、H2とS iH4の冬ガスに対するSN
比ならびに他のガスに対するSN比は上記と同様の傾向
を示したO 〔実験例2〕 5n02にH2PtCl6水溶液’a’ Pt/5n=
4モル係となるように加えて超音波により良く分散させ
る。
この分散水溶液を一40℃で急速凍結ζせた後、真空凍
結乾床器にセットして乾燥させる。次にこの乾燥された
試料に5bOCtY Sb/5n=4モル係となるよう
に加えて乳鉢で30分間混合する。
結乾床器にセットして乾燥させる。次にこの乾燥された
試料に5bOCtY Sb/5n=4モル係となるよう
に加えて乳鉢で30分間混合する。
この混合した試料にイソプロピルアルコールを加えてペ
ースト状にしたものt電惚が取り付けられたアルミナ磁
気管に塗布して自然乾燥させる〇一方、700±5℃に
セットされた内径40m、電気炉挿入部分50crnの
石英管内に5boctを2.5■載置したアルミナポー
トを30分間封入して石英管内をアンチモン酸化ガス雰
囲気にする。次にこの700±5℃にセットされたアン
チモン酸化ガス雰囲気の石英管内に上記の自然乾燥させ
た素子を封入して30分間焼成する。次に焼成した素子
をエトキシシラン((C2H50)4Sf)全10%含
有するイソプロピルアルコール溶液に10分間浸漬させ
、浸漬後自然乾減させる。その後この素子を700±5
℃にセットされた空気雰囲気中で5分間焼成する。そし
て焼成後との素子のアルミナ磁器管内にヒータを抑大し
て取り付け、ヒータに通電して素子を300±10℃に
加熱してを猟官囲気中で約12時間エージングする。
ースト状にしたものt電惚が取り付けられたアルミナ磁
気管に塗布して自然乾燥させる〇一方、700±5℃に
セットされた内径40m、電気炉挿入部分50crnの
石英管内に5boctを2.5■載置したアルミナポー
トを30分間封入して石英管内をアンチモン酸化ガス雰
囲気にする。次にこの700±5℃にセットされたアン
チモン酸化ガス雰囲気の石英管内に上記の自然乾燥させ
た素子を封入して30分間焼成する。次に焼成した素子
をエトキシシラン((C2H50)4Sf)全10%含
有するイソプロピルアルコール溶液に10分間浸漬させ
、浸漬後自然乾減させる。その後この素子を700±5
℃にセットされた空気雰囲気中で5分間焼成する。そし
て焼成後との素子のアルミナ磁器管内にヒータを抑大し
て取り付け、ヒータに通電して素子を300±10℃に
加熱してを猟官囲気中で約12時間エージングする。
このようにして製作されたカス検出素子を、その素子温
度が325℃となるようにヒータで加熱し、25℃の雰
囲気中で100 ppmのH2+SiH4,Co、 C
H4,C2H6,NH3,1−C3H7OHの各カス中
にさらしたところ、第2図の特性を示した。なおに、8
はSiH4にそれぞればらした時の特性曲線である。
度が325℃となるようにヒータで加熱し、25℃の雰
囲気中で100 ppmのH2+SiH4,Co、 C
H4,C2H6,NH3,1−C3H7OHの各カス中
にさらしたところ、第2図の特性を示した。なおに、8
はSiH4にそれぞればらした時の特性曲線である。
この結果、実験例によるガス検出素子は、水素とシラン
系ガスに対するSN比(Ro/Rg)は12.5〜19
.5を示したのに対し、他のガスに対するSN、比は1
.2〜2.8であり、水素ガスとシラン系ガスに対する
検出感度は他のガスに対する検出感度の4.5倍あるこ
とが判明した。
系ガスに対するSN比(Ro/Rg)は12.5〜19
.5を示したのに対し、他のガスに対するSN、比は1
.2〜2.8であり、水素ガスとシラン系ガスに対する
検出感度は他のガスに対する検出感度の4.5倍あるこ
とが判明した。
次にこの実験例の製造方法において、5n02と5bo
ctとH2PtCl6との組成比、1回目現収時のアン
チモン融化ガス濃度と焼成温度、(C2H50)4Si
の製置と浸漬時間、ならびに2回目の焼成温度を種々変
化させて素子を製作し、上記と同様1100ppの各麺
゛ガスにさらして特性を測定した。その結果、5n02
とs boctとH2ptcz6とをPt/5n=2〜
10モル係、Sb/5n=2〜8モル係の絹防比で混合
し、1回目の焼成を0 、25 m17;= 7 、5
mgの5bOCZ i焼成して得られるアンチモン岐
化ガス雰囲気中で600〜850℃で5〜60分間行な
い、(02850) 4S ia度が2〜100%の浴
液中に30秒〜20分間浸漬し、2回目の焼成な200
〜850℃でかつ1回目−の焼成温度以下で3〜60分
間行ない、ヒータで200〜400℃に加熱するように
したガス検出素子は、清浄空気中での初期抵抗値(Ro
)ならびに100 ppmの各ガス中での抵抗値(Rg
)は第2図に示したものとは異なるものの、各ガスに対
する応答特性は第2図とほぼ同様な特性を示した。そし
てこの測定結果から100 ppmの各ガスに対するS
N比(Ro/Rg )をめたところ、組hZ比や焼成温
度比は1,1〜3.5を示したのに対し、H2,SiH
4の各ガスに対するSN比は8〜28を示し、しかもH
2とSiH4の各ガスに対するSN比は他のガスに対す
るSN比の最大値の3.5倍以上を示した〇 なお、1回目の焼成の際にアンチモン酸化ガ作した素子
は上記とtよぼ同様の特性を示した0甘た(C2H50
)4S iの代りにテトラメトキシシラン((CH30
)4S i)やジクロルジメチルシライ(CHa )2
S i C10)を用いたシラン系溶液にV漬ジせても
、上記とほぼ同様な特性を櫃する素子が得られた。
ctとH2PtCl6との組成比、1回目現収時のアン
チモン融化ガス濃度と焼成温度、(C2H50)4Si
の製置と浸漬時間、ならびに2回目の焼成温度を種々変
化させて素子を製作し、上記と同様1100ppの各麺
゛ガスにさらして特性を測定した。その結果、5n02
とs boctとH2ptcz6とをPt/5n=2〜
10モル係、Sb/5n=2〜8モル係の絹防比で混合
し、1回目の焼成を0 、25 m17;= 7 、5
mgの5bOCZ i焼成して得られるアンチモン岐
化ガス雰囲気中で600〜850℃で5〜60分間行な
い、(02850) 4S ia度が2〜100%の浴
液中に30秒〜20分間浸漬し、2回目の焼成な200
〜850℃でかつ1回目−の焼成温度以下で3〜60分
間行ない、ヒータで200〜400℃に加熱するように
したガス検出素子は、清浄空気中での初期抵抗値(Ro
)ならびに100 ppmの各ガス中での抵抗値(Rg
)は第2図に示したものとは異なるものの、各ガスに対
する応答特性は第2図とほぼ同様な特性を示した。そし
てこの測定結果から100 ppmの各ガスに対するS
N比(Ro/Rg )をめたところ、組hZ比や焼成温
度比は1,1〜3.5を示したのに対し、H2,SiH
4の各ガスに対するSN比は8〜28を示し、しかもH
2とSiH4の各ガスに対するSN比は他のガスに対す
るSN比の最大値の3.5倍以上を示した〇 なお、1回目の焼成の際にアンチモン酸化ガ作した素子
は上記とtよぼ同様の特性を示した0甘た(C2H50
)4S iの代りにテトラメトキシシラン((CH30
)4S i)やジクロルジメチルシライ(CHa )2
S i C10)を用いたシラン系溶液にV漬ジせても
、上記とほぼ同様な特性を櫃する素子が得られた。
捷だ上記各実験例では、ガス検出素子を加熱する手段と
してヒータを用いたが、ヒータの代りに白熱′由7球な
どケ加熱手段として用いて菓子ン力0熱づ−るようにし
てもよい。
してヒータを用いたが、ヒータの代りに白熱′由7球な
どケ加熱手段として用いて菓子ン力0熱づ−るようにし
てもよい。
以上の各実験の結果、酸化第2スズとオキシ塩化アンチ
モンと白金と′?Sb/5n=2〜8モル係、Pt/5
n=2〜] Oモル係のMi底比で混合し、600〜8
50℃の空気雰囲気中せたはアンチモン鹸化ガス雰囲気
中で焼成したものケシラン糸溶液に反漬し、ざらに20
0〜850℃で焼成してなる系子に加熱手段ケ設け、こ
の加熱手段で素子ケ加熱することによね、水素ガスと7
ラン糸ガスの両ガスを高い選択性をもって逆出でさるガ
ス検出素子が得られることが判明した。
モンと白金と′?Sb/5n=2〜8モル係、Pt/5
n=2〜] Oモル係のMi底比で混合し、600〜8
50℃の空気雰囲気中せたはアンチモン鹸化ガス雰囲気
中で焼成したものケシラン糸溶液に反漬し、ざらに20
0〜850℃で焼成してなる系子に加熱手段ケ設け、こ
の加熱手段で素子ケ加熱することによね、水素ガスと7
ラン糸ガスの両ガスを高い選択性をもって逆出でさるガ
ス検出素子が得られることが判明した。
第1図と第2図はこの発明による巣なる製造方法によっ
て製作されたガス検出素子を各種ガスにさらした時の応
答特性を示す図である。 #片出願人能美防災工業株式会社 1CH4 2C2H4 第1図 3 C0 4l−C3H70H 時間(秒) 第2図 1CH4 2C2H4 3C0 03060120 時間(秒)
て製作されたガス検出素子を各種ガスにさらした時の応
答特性を示す図である。 #片出願人能美防災工業株式会社 1CH4 2C2H4 第1図 3 C0 4l−C3H70H 時間(秒) 第2図 1CH4 2C2H4 3C0 03060120 時間(秒)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、酸化第2スズとオキシ塩化アンチモンと白金とをS
b/5n=2〜8モルチ、Pt/5n=2〜10モルチ
の組成比で混合し600〜850℃の温度で焼成した後
シラン系溶液に浸漬し、さらに200〜850℃の温度
で焼成してなる素子之、この素子を加熱する手段とを備
えたことを特徴とするガス検出素子。 2、加熱手段は素子を200〜400℃に加熱するもの
である特許請求の範囲第1項記載のガス検出素子。 3、酸化第2スズに塩化白金酸水溶液なP t/s n
=2〜10モルチの範囲で加えて良く分散させた後急速
凍結して真空乾燥させる第1工程と、第1工程で製作さ
れた試料にオキシ塩化アンチモン’a’ Sb/5n=
2〜8モル係の範囲で加えて混合する第2工程と、第2
工程で製作された試料に有機溶剤を加えてペースト状に
して電極付きの絶縁体に塗布し乾燥させる第3工程と、
第3工程で製作された素子を600〜850℃の空気中
雰囲気で焼成する詔4工程と、第4工程で焼成された素
子をシラン系溶液に浸漬しその後乾燥させる第5工程と
、第5工程で浸漬乾燥された素子を200〜850℃の
空気雰囲気中で焼成する第6エ程とからなるガス検出素
子の製造方法。 4、第5工程での焼成温度は第3工程の焼成温度以下で
ある特許請求の範囲第3項記載のガス検出素子の製造方
法。 5、酸化第2スズに塩化白金酸水溶液’l P t/s
n=2〜10モル係の範囲で加えて良く分散させた後
急速凍結して真空乾燥させる第1工程と、第1工程で製
作された試料にオキシ塩化了ンチモン乞Sb/5n=2
〜8モルチの範囲で加えて混合する第2工程と、第2工
程で製作きれた試料に有機溶剤を加えてペースト状にし
て電極付きの絶縁体に重布し乾燥させる第3工程と、第
3工程で製作された素子をあらかじめアンチモン酸化ガ
ス雰囲気にされた600〜850℃の雰囲気中で焼成す
る第4工程と、第4工程で焼成された菓子をシラン系溶
液に浸漬しその後乾燥させる第5工程と、第5工程で浸
漬乾燥された素子乞200〜850℃の空気雰囲気中で
焼成する第6エ程とからなるガス検出素子の製造方法0 6、アンチモン酸化ガス雰囲気は、三!酸化アンチモン
のモル数に換算して2X10−9〜3XIO−8モル/
Cf/lの公社のアンチモン化合物ケ焼成して作成する
特許請求の範囲第5項記載のガス検出素子の製造方法。 7、第5工程での焼成温度は第3工程の焼成温度以下で
ある%許請求の範囲第5頓記載のガス検出重子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19092983A JPS6082954A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | ガス検出素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19092983A JPS6082954A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | ガス検出素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6082954A true JPS6082954A (ja) | 1985-05-11 |
Family
ID=16266031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19092983A Pending JPS6082954A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | ガス検出素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6082954A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512493A (ja) * | 1974-05-27 | 1976-01-10 | Philips Nv | |
| JPS5119592A (en) * | 1974-08-09 | 1976-02-16 | Nissan Motor | Gasunodo kenshutsuki |
| JPS5276991A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-28 | Nippon Soken | Detector for gas composition |
| JPS52100296A (en) * | 1976-02-18 | 1977-08-23 | Philips Nv | Probe for selective detection of steams |
| JPS5421398A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Fuji Electric Co Ltd | Carbon monoxide detector |
| JPS5547811A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-05 | Nhk Spring Co Ltd | Reclining seat |
| JPS589052A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-19 | Nichicon Capacitor Ltd | 複合ガス検知素子 |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19092983A patent/JPS6082954A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512493A (ja) * | 1974-05-27 | 1976-01-10 | Philips Nv | |
| JPS5119592A (en) * | 1974-08-09 | 1976-02-16 | Nissan Motor | Gasunodo kenshutsuki |
| JPS5276991A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-28 | Nippon Soken | Detector for gas composition |
| JPS52100296A (en) * | 1976-02-18 | 1977-08-23 | Philips Nv | Probe for selective detection of steams |
| JPS5421398A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Fuji Electric Co Ltd | Carbon monoxide detector |
| JPS5547811A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-05 | Nhk Spring Co Ltd | Reclining seat |
| JPS589052A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-19 | Nichicon Capacitor Ltd | 複合ガス検知素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59119249A (ja) | 一酸化炭素の検出素子とその製造方法 | |
| CA1227384A (en) | Antimony-doped stannic oxide thick film gas sensor | |
| GB1596095A (en) | Carbon monoxide detecting device | |
| US4583070A (en) | Silane gas sensor and a method of making the same | |
| JPS6082954A (ja) | ガス検出素子とその製造方法 | |
| CN113049646A (zh) | 一种基于Cu7S4-CuO分等级结构微米花敏感材料的硫化氢传感器及其制备方法 | |
| JPH0418258B2 (ja) | ||
| EP0023216B1 (en) | An oxygen-sensitive element and a method of detecting oxygen concentration | |
| JPS60242356A (ja) | ガス検出素子とその製造方法 | |
| JPH0571534B2 (ja) | ||
| EP0261275A1 (en) | A hydrogen gas detecting element and method of producing same | |
| RU2006845C1 (ru) | Способ изготовления чувствительного элемента газовых датчиков | |
| JPH0415907B2 (ja) | ||
| JPH05113422A (ja) | シランガス検出素子 | |
| JPS61223642A (ja) | 水素ガス検出素子及びその製法 | |
| JPH0458906B2 (ja) | ||
| JPH04269650A (ja) | 酸化物半導体ガスセンサ | |
| JP2570440B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JPS58129240A (ja) | 感湿素子の製作方法 | |
| JPH03220448A (ja) | 湿度センサ | |
| JP3608907B2 (ja) | 一酸化炭素センサ及び一酸化炭素の検出方法 | |
| JPS5950352A (ja) | 窒素酸化物検出素子 | |
| JPH0458905B2 (ja) | ||
| JPH0458907B2 (ja) | ||
| JPS5783047A (en) | Polycrystalline semiconductor resistor |