JPS6084387A - 液晶化学物質 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、強誘電性スメクチック液晶の電界への応答を
利用した電気光学素子に有用な新規な強誘電性液晶材料
、それらを含有する液晶組成物および電気光学素子に関
する。

〔従来技術〕

液晶は、諸種の電気光学素子として応用されてきている
。特にコンパクトで、エネルギー効率が良いという利点
から、電圧駆動の光パルプとして時計や電卓の表示に使
われている。現在実用化されている液晶素子は、主々、
ネマチイック液晶、コレステリック液晶の誘電的配列効
果に基づいておシ、この場合は、誘電異方性のために、
平均的な分子の長袖方向が、加えられた電場によって特
定の方向に向くことになる。この機構による加えられた
電場との結合カー誘電的結合力はかなり弱いため、これ
らの素子の電気光学的応答時間は多くの潜在的な応用分
野では非常に遅い。

液晶素子は、低電圧、低消費電力のため、ＩＣとの適合
性が良い事やコンパクトである等の優れた特性を有する
が、特に期待されている画素数が多い表示素子への応用
に当っては、いまだ応答性やその非線形性が十分でない
。そのため、各画素毎にスイッチング素子を形成するＭ
ＯＳパネルやＴＰＴパネルが一方において研究開発がさ
かんになってきている。

こうした中で、Ｃ１ａｒｋ５（Ｕ、Ｓ　Ｐａｔ、４３６
７９２４　）は、かかる液晶素子の欠点を除去する、ス
メクチック相を用いた新しい表示原理による液晶素子を
考案した。これについて以下若干の説明をする。

−図１は、スメクチック♂またはＨ相の模式図である。

液晶は各分子層１から成っておシ、個々の層の中では、
分子長軸の平均的な方向が、層に垂直な方向と角度　だ
け傾いている。Ｍｅｙｅｒ３は、Ｌｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ
　ｄｅ　Ｐｈｙｓｉｑｕｅ　Ｖａｌ　３６（Ｍａｒｃｈ
　１９７５　ＰＰＬ−６９ｔｉ　Ｌ−７１）の「強誘電
性液晶」というタイトルの論文において、光学活性な分
子から成るスメクチックＣあるいはｆＬＭ晶は、一般に
電気双極子密度Ｙを有し、強訪電的であることを示して
いる。この双極子密度ｐは、分子の傾き方向ｎに垂直で
、スメクチックの層面に平行である。彼らの示したこと
は、スメクチックＨ相でも適用可能であるが、■相では
、層に垂直な軸のまわりの回転に対する粘性がよシ大き
くなる。これらのカイラルスメクチックにおける電気双
極子の存在は、誘電異方性におけるよυも、電場に対し
てずつと強い結合力を与える。さらに、この結合力は、
ｐの好ましい方向がＥと平行な方向であるという意味で
極性のあるものなので、印加した電場の方向を反転する
ことにより、ｐの方向を反転させることになる。つまり
電場を反転することにより、図２で示したように、分子
をコーンにそった運動によシ、その方向を制御すること
ができるのである。そしてその分子の平均的な長袖方向
の変化を２枚の偏光板により検出することによシ、電気
光学的素子として利用し得る。

こ。、、、フケツクと相又は□相。電界へ。応答を利用
した電気光学素子は、その自発分極と電界との結合力が
、誘電異方性による結合力よシも３〜４オーダー大きい
故に、ＴＮ型液晶素子に比して、優れた高速応答性を有
し、かつ、適当な配向制御を選択することによシメモリ
ー性をもたすことがｏＪ能であシ、高速化学シャッター
や表示情報量の高いディスプレイとしての応用が期待さ
れている。

ところで、この強誘電性を有するカイラルスメクチック
液晶材料は、種々合成され研究されてきている。強誘電
性液晶として最初に合成されたのは、一般的ＰＯＢＡＭ
ＢＣと言われている。

ｐ−ｄｅｃｙｌｏｘｙｂｅｎｚｉｌｉｄｅｎｅ−ｐ−ａ
ｍｉｎｏ　２−ｍｅｔｈｙｌ　−ｂｕｔｙｌ　ｃｙｎｎ
ａｒｎａｔｅ　であシ、この系列の液晶は、以下の構造
式の形で、強誘電性液晶の研究対象として種々合成され
てきている。

Ｘ　Ｙ １ ＣｎＨｎ＋１０■Ｃ１−Ｌ＝ＮＧＣｆ（＝Ｃ拳Ｃ００Ｃ
ＨｚＣＨＣＨｓ＊ （ここで、ＸｉＨ，ＣＩ　、ＣＮ、Ｙ；Ｃ１。

Ｃ２Ｈ３） しかし、この系列の液晶は、比較的高温側でカイラルス
メクチック相を呈するため、室温では使えない事や、シ
ック系であシ安定性が悪い等の問題がある。

この系の発展系として、一般式 ％式％ （ で表わされる。一方のベンゼン環に水酸基が導入され、
分子内の水素結合を有するタイプのカイラルスメクチッ
ク液晶性化合物が、Ｂ　Ｉ　、０ｓｔｒｏｖｓｋｉｉ３
　（Ｆｅｒｒｏｅｌｌｅｃｔｒｉｃｓ　２４（１９８０
）３０９　）や　Ａ。

Ｈａｌｌａｂｙ　５　（Ｍａｌ　Ｃｒｙｓｔ　Ｌｉｑ　
Ｃｒｙａｔ　Ｌｅｔｔｅｒ　８２（１９８２）６１　）
によって発表され、室温を含む広い温度範囲でＳＣ＠を
呈する化合物として注目されている。分子内水素結合を
有するため、シック系液晶と比較して、安定性の面で優
れているが、いまだ、−膜化している有機シールでの安
定性に問題があり、即実用に供せるものではない。

他に、アゾキシ系の液晶材料が、Ｐ、　Ｋｅｌｌｅｒ（
Ａｍｎ　Ｐｈｙｓ　５（１９７Ｂ）１３９　）によって
発表されているが、温度範囲の面で十分でなく、又、濃
い黄色の化合物であるだめ実用上問題がある。

こうした中で、ＴＮ型液晶材料として安定性の面で実績
のあるエステル系液晶は、注目し得る材料である。公知
の文献では、Ｂ、　Ｉ　０ｓｔｒｏｖｓｋｉｉ３によっ
て、 （Ｖ（ｓ Ｃｎ）（２ｎ　＋　ｓ　Ｏ＜ＧＣ００◎０ＣＨ２ＣＨＣ
２Ｈ５（ｎ＝９．１０）　（１１が、比較的室温に近い
温度範囲でカイラルスメクチック液晶を呈する材料とし
て報告されている。

又、Ｇ、　Ｗ、　Ｇｒａｙ　３（Ｍｏｌ　Ｃｒｙｓｔ　
Ｌｉｑ　Ｃｒｙｓｔ　３７（１９７６）１８９．４８（
１９７８）３７　）によシ、高い温度範囲でカイラルス
メクチック液晶相を呈するビフェニルエステル系材料が
報告されている。

〔発明の目的〕

本発明の目的は以上のように、現状では、いまだ実用に
供せる液晶材料が存在していない中で、強誘電性液晶を
用いた電気光学素子に使用できる有用なカイラルスメク
チック液晶性化合物を提供することである。

〔発明の構成〕

即ち、本発明は、次式（２）で表わされる、６−クロロ
、４−アルコキシフェニル、１−（６−メチルオクチル
オキシ）安息香酸エステル、これらを含有する液晶組成
物および電気光学素子に関するものである。

ＣＨａ　Ｃ１ Ｃ２Ｈ５ＣＨ（ＣＨ２）　６０ＱＣＯＯ’ＤＯＣｎ　Ｈ
ｔ　ｎ　＋　１　（２１＊ （ここで、ｎは１〜１２、＊印は不整炭素を示す。） 本発明の化合物は、公知の（１１式の化合物に比較し、
不整炭素原子を有する側鎖２−メチルブチルオキシ基を
６−メチルオクチル基と炭素鎖を長くし、かつ反対の側
、即ち安息香酸の側鎖とすると同時に、フェノール側の
ベンゼン環の６の位置の水素原子を塩素原子で置換した
ことを特徴としている。このことによシ、室温またはそ
れに近いより低い温度範囲でカイラルスメクチック相を
呈する液晶性化合物を得ることが出来る。

〔実施例〕

次に、本発明の化合物の製法を示す。

本発明の化合物は、光学活性アミルアルコールを出発原
料にして、１−ブロモ−６−メチルオクタンを合成し、
オキシ安息香酸と反応させて、Ｐ−（６−メチルオクチ
ルオキシ）安息香酸を得、塩化チオニルで酸クロリドと
した上で、５−クロロ−４−ｎ−アルコキシフェノール
と反応させエステル化するという手順で合成した。

以下、化合物の具体的な合成法及びその特性を実施例に
よシ示す。

実施例１− 光学活性な６−クロロ−４−ｎ−デシルオキシフェニル
、４−（６メチルオクチルオキシ）安息香酸エステル 第１段 Ｐ−）ルエンスルホン酸２（−）−メチルフチルの製造
。

２００ｍ１の三ツロフラスコに、乾燥ピリジン７０ｍ１
、市販の活性アミルアルコールＣ（−）　２−メチル−
ブタノール−（）１０ｆを入れ、氷冷シタ後、［化Ｐ　
−）ルエンスルホニル６３．２　ｆ　ヲゆっくりと加え
入れた。塩化Ｐ−）ルエンスルホニルを加えた後に、ゆ
っくりと室温にもどしながら、−昼夜反応した。反応終
了後、不溶物を沢別し、ｒ液をエーラル抽出した。有機
層は、２ＮＨＣ１、水、飽和食塩水で洗浄し、乾燥後、
減圧下有機溶媒を留去し、油状のＰ−）ルエンスルホン
酸２−メチルブチルエステル３５．６９（８７％）を得
た。

ａＸ ２．４５．Ｓ、３１（ 第２段 ２−メチルブチルマロン酸ジエチルエステルの製造。

温度計、冷却質、滴下ロート、攪拌機を備えた６００威
の四ツ目フラスコに金属ナトリウム５．６７２、乾燥エ
タノールｘ６ｍｌを入れ、アルコラードを生成した。次
にマロン酸ジエチルを室温下、ゆっくりと滴下した。滴
下６０分後、第１段の反応で得うれたＰ−）ルエンスル
ホン酸２−メラルプチルを乾燥エタノール２ｏｍｌに溶
かし、室温下、滴下した。

滴下後、さらに還流下１８時間反応し、沈殿物をｒ別し
た後、エタノールを留去し、残漬をエーテル抽出した。

この有機層は、水飽和食塩水で洗浄し、乾燥後、有機溶
媒を減圧下留去した。得られた油状物を減圧蒸留し１０
１〜ｂ Ｈｇの留分を採った。５４１（定量的）第６段 ４−メチルオクタン酸の製造 ２００ｍ１の４つロフラスコに、水酸化カリウム５ａ８
＋ｒと水５　＆　７　ｒｕ、ｌを入れる。このアルカリ
水溶液に、第２段で得られた２−メチルブチルマロン酸
ジエチル６０１を室温で滴下した。滴下後、さらに還流
下２時間反応し生成してくるエタノールを留去した。

エタノール分取後、冷却し、氷冷下濃硫酸９３９と水１
３１ｍ１を激しく攪拌しながら、注意深く加えた。４０
分にわたって加えた後、３時間加熱還流した。冷却後、
エーテル抽出し、飽和食塩水で洗浄、乾燥後、減圧上有
機溶媒を留去し、１１．４１ｆ（３４チ）′を得だ。ｂ
ｐ、１０１〜ｂ４１４扉Ｈｇ 第４段 ４−メチルへキサノール−１の製造 ２００ｍ１の三つロフラスコに、水素化リチウムアルミ
ニウム！ｓ、４ｆ、乾燥エーテル７５ｍ１を入れ水冷下
、注意深く乾燥エーテル２５ｍ１に溶かした４−メチル
へキサン酸１０．５　ｔを滴下した。

滴下後、さらに室温で、１７時間反応し、水冷下、氷水
と希塩酸を用い、反応混合物を分解し、これをエーテル
抽出した。有機層は希か性ソーダ水溶液、水、飽和食塩
水で洗浄後、乾燥し、有機溶媒を留去すると油状物が得
られた。これを減圧蒸留し、目的のアルコール９．２Ｂ
ｆを得だ。

ｂｐ、１７０〜１７２℃ 第５段 Ｐ−）ルエンスルホン酸４−メチルへキシルニスチルの
製造。

５０ｍの三つロフラスコに、乾燥ピリジン３４ｒｕ１１
第４段で得られた４−メチルへキサノール−１ａフフｆ
ｋ入れ、水冷下、Ｐ−トルエンスルホン酸クロリド１Ｚ
２２を加え入れた。酸クロリドを加えた後、ゆっくりと
室温にもどしながら、−昼夜反応した。反応終了後、沈
殿物をｒ別し、ｒ液をエーテル抽出した。エーテル層は
、希塩酸、水、飽和食塩水で洗浄し、乾燥後、減圧上有
機溶媒を留去することにより油状物を得た。１７．５　
Ｆ（８６チ） 第６段 ４−メチルヘキシルマロン酸ジエチルエステルの製造。

２００ｒｎｌの四つロフラスコに金属ナトリウム１．４
４Ｆ、乾燥エタノール４０ｒｕｌより生じるアルコラー
ド溶液に、マロン酸ジエチル１２．０８ｆを室温で滴下
した。７ｉ　Ｑ分後、第５段で得たスルホン酸エステル
１７１を乾燥エタノール１０ｍ１に溶かし、注意深く滴
下した。滴下終了後、１２時間加熱還流した。沈殿物を
ｒ別し、エタノールを留去後、エーテル抽出を行なった
。エーテル層は、水、飽和食塩水で洗浄後、乾燥し、減
圧下エーテルを留去し、油状物１７．５３　Ｆを倚た。

（９０％）第７段 ６−メチルオクタン酸の製造 水酸化カリウム１２．９２ｐ、水１５ｍｇを１００Ｍの
４つロフラスコに入れ、これに第６段で得た４−メチル
ヘキシルマロン酸ジエチル１７Ｆを室温でゆっくりと滴
下していった。さらに室温で４時間半反応した後、エー
テルで洗浄し、アルカリ層は、濃硫酸１１２と水１０１
を用い、酸性としエーテル抽出した。エーテル層は、飽
和食塩水でよく洗浄し、乾燥後、有機溶媒を留去し油秋
物１１．５９ｆを得た。

得た油状物は、３時間半、１６０℃で胞炭酸を行い、冷
却後アルカリ水溶液を加え、ナトリウム塩とし、エーテ
ル洗浄した。アルカリ層は、再度酸性とした後、エーテ
ル抽出を行なった。このエーテル層は飽和食塩水でよく
洗浄し、乾燥後、減圧下エーテルを留去し、油状物を得
た。この油状物を減圧蒸留しカルホン酸ａ１４Ｆ（８０
％）を得た。ｂｐ　１４８〜ｂ 第８段 ６−メチルオクタノ−ルー１の製造 １００ｍ１の三ツロフラスコに、水素化リチウムアルミ
ニウム１．９６ｆ、乾燥エーテル６０ｎｔｌを入れ、水
冷下乾燥エーテル２ｏｍｌに溶かした６−メチルオクタ
ノイック酸（第７段で得られた）８１を注意深く滴下し
た。滴下後、さらに１８時間室温で反応し、氷水及び希
塩酸を加え反応を止めた。

エーテル抽出後、エーテル層は、２ＮＨｃ１１５％＃ｕ
ＯＨ水、飽和食塩水で洗浄し、乾燥後、エーテルを留去
した。得られた油状物を減圧蒸留し、５、６８　？　（
７６チ）のアルコールを得た。

ｂｐ　１１１〜ｂ 第９段 １−ブロモ−６−メチルオクタンの製造１００ｍ１の４
つロフラスコに、第８段で得られた６−メチルオクタノ
−ルー１５ｙ、載録ビリジｙ１．０２Ｆ、乾燥ニー７−
／ｌ／３０ｍｌヲ入れ、コノ混合物に水冷下、三臭化リ
ン３．８５９を３０分にわたって滴下した。滴下後、ゆ
っぐシと室温にもどしながら、７時間半反応した。反応
終了後、沈殿物をＰ別し、エーテル抽出を行ない、この
エーテル層は、５　％　Ａ’ｕＱＨｓ　２　ＮＨＣｌ　
ｓ　水、飽和食ｍ　水で洗浄し、乾燥後、エーテルを留
去した。残渣をｂｐ　１０６〜１１２℃／　２６　ｍｍ
Ｈｇ第１０段 ｐ−（６−メチルオクチルオキシ）安息香酸の製造 ５０１ｎｌの三ツロフラスコに、水酸化ナトリウム２．
０１ｆ、水１ｏｍｌ、　エタ７−＃２　ｏｍｌを入れ、
Ｐ−ヒドロキシ安息香酸５．１６　ｆを加えて溶解させ
た。これに、光学活性な１−ブロモ−６−メチルオクタ
ン４．７５９を加え１９時間還流下反応した。反応混合
物は、エーテルで洗浄し、アルカリ層は、ｒ過後、塩酸
で酸性にし、析出した結晶をＰ取し、得られた粗結晶を
精製し％Ｐ（６−メチルオクチルオキシ）安息酸を４．
７５９　（７５％）得た。

第１１段 ６−クロロ−４−ｎ−デシルオキシフェノールの製造 ２００ｍ（！の四ツ目フラスコに、クロロヒドロキノン
２５２、臭化ｎ−デシル３１２、無水炭酸カリウム１９
．２９．　ジメチルホルムアミドを入れ、窒素気流下７
０〜８０℃で８時間反応させた。常法によシ処理した後
、得られた油状物をシリカゲルクロマトグラフィーにて
分離精製し、６−クロロ−４−１１−デシルオキシフェ
ノール１８ｒを得ａＸ ５．８５．　ｂｒｏａｄ　ｓ　、　１Ｈｓ、ｑｓ、ｔＪ
＝６．２Ｈ 第１２段 ３　、：Ｉ　００−４−　ｎ−テシルオギシフェニル、
４−（６−メチルオクチルオキシ）安息香酸エステルの
製造 光学活性な４−（６−メチルオクチルオキシ）安息香酸
１．１７　ｆに塩化チオニル５　ｍｌを加え、５．５時
間還流下反応後、過剰の塩化チオニルを減圧下留去し、
油状の酸塩化物を得た。

この酸塩化物に、水冷下６−クロｏ　−４−Ｈ−デシル
オキシフェノール１．２６ｆ、乾燥ピリジン５ｍｌを加
え入れ、ゆつく９と室・温にもどしながら一昼夜反応し
た。反応終了後、沈殿物をｒ別し、エーテル抽出した。

有機層は、水、２ＮＨ（：１　。

５％Ａ’ａｏＨで順次洗浄し、中性になるまで、水、ｂ
ｒｉｎｅで洗浄後、乾燥し有機溶媒を減圧下留去した。

得られた粗生成物を繰り返し精製することにより目的の
エステル０．８５９　（３６％　）を得た。

４．０３　、ｔＪ−６，４Ｈ−ＣＨ２０−×２ この化合物は以下のような転移温度を示しだ。

（＊印は過冷却を示す。） 表面をラビング処理した、透明電極を有する２枚の基板
をラビング方向が１８０℃の角度となるようにして、２
．８μｍの間けきをもつように組み立て、このセルを５
０℃に加熱し、この化合物を注入し、２２℃まで０１℃
／ｍｉｎ以下の速度で徐冷した。かかる液晶セルを２枚
の偏光板の間にはさみ％１０Ｖ％１１（Ｚ　の交流を印
加すると、１１１ｚの電界の極性の切りかえに応答して
表示状態を変化するのが観察された。２２℃での応答速
度を測定すると、３．４　ｍｓ　であった。

実施例２ 光学活性６．３−クロロ−４−ｎ−へキシルオキシフェ
ニル、４−（６−メチルオクチルオキシ）安息香酸エス
テル 光学活性な４−（６−メチルオクチルオキシ）安息香酸
ｔ　１２　ｆに塩化チオニル５ｍｌを加え、６時間還流
丁反応した。反応後、過剰の塩化チオニルを減圧下留去
し、油状の酸塩化物を得た。

この得られた酸塩化物に、水冷下実施例１と同様にして
得られた６−クロロ−４−ｎ−へキシルオキシフェノー
ル０．９６ｆ、乾燥ピリジン３　ｒｎｌを入れ、ゆっく
りと室温にもどしながら、−昼夜反応した。反応後、沈
殿物を沢別し、エーテル抽出した。有機層は、水、２Ｎ
ＨＣ１，５％Ａ’ａｏ）（で順次洗浄後、さらに水、ｂ
ｒｉｎｅで中性になるまで洗浄乾燥し、エーテルを減圧
下留去した。得られた粗生成物を繰返し精製し、１．３
１Ｆ（６５％）のエステルを得た。

４．０４、ｔＪ＝６．４Ｈ１−Ｃ■１２−０×２本化合
物の転移温度は、以下の如しである。

＊　＊ （＊印は過冷却を示す。） この化合物のＳＣ＊相は強誘電性を示し、室温状態で電
気光学的応答をすることが明らかになった。

実施例３ 光学活性な６−クロロ−４−ｎ−オクチルオキシフェー
ル、！−（６−メチルオクチルオキシ）安息香酸エステ
ルの合成方法。

光学活性な１−（６−メチルオクチルオキシ）安息香酸
４．９４　Ｆに塩化チオニル５０ｍ／！を加え入れ、９
時間還流下反応した後、過剰の塩化チオニルを減圧下留
去し、油状の酸塩化物を得た。

ｎａＸ 得られた４′−（６−メチルオクチルオキシ）安息香酸
クロリドに水冷下実施例１と同様にして得られた６−ク
ロロ−４−オクチルオキシフェノール４．８ｆ、乾燥ピ
リジン１５ｍ１を加え入れ、ゆっくりと室温にもどしな
がら、−昼夜反応した。反応終了後、沈殿物をｒ別し、
エーテル抽出した。

有機層は、水、ｚＮｉ（ｕｘ　５％Ｎ’　ａ　ｏ　ｌ（
で順次洗浄後水、飽和食塩水で中性になるまで洗浄した
。この有機層を、乾燥し、減圧下エーテルを留去し粗生
成物を得た。これを繰返し精製しエステル５．４５ｆ（
５８襲）を得た。

４．０５　、ｔＪ＝６．４Ｈ，−ＣＨ２’−×２ この化合物の転移温度は以下の如くである。

＊ （＊印は、過冷却を示す。） この化合物の８Ｃ＊　相は、強誘電性を示し、室温状態
で電気光学的応答をすることが判った。

実施例４ 本発明の実施例１の化合物３−クロロ−４−ｎ−デシル
オキシフェニル、４’−（６−メチルオクチルオキシ）
安息香酸エステル５０重量％と、公知の化合物４−ノニ
ルオキシ安息香酸、イー（２−メチルプチルオキシ）フ
ェニルエステル５０重量％を混合溶解し、液晶組成物を
得た。

この液晶組成物は、１８℃から４２℃の範囲でＳＣ＊　
相を呈し、強誘電性を示した。この液晶組成物を実施例
１と同様の構成で間げきが３２μｍの液晶セルに、加熱
溶融して注入し、２５℃まで徐冷した。この液晶セルを
偏光軸を直交させた２枚の偏光板の間に挟み、電圧を印
加し、極性を反転させると表示状態がｏｎ−ｏｆｆ　す
るのが観察された。この２枚の偏光板の軸方向を最大コ
ントラストが得られるように設定し、２５℃で±１０Ｖ
の電圧を印加するとコントラスト１５、応答速度４．３
ｒｎｓの特性が得られた。

〔発明の効果〕

以上、実施例で示したように、本発明の化合物は、室温
を含め、低温度域でＳＣ＊　相を呈し、強誘電性を有す
る液晶材料であり、室温を含む広い温度範囲のカイラル
スメクチック液晶組成を得ていく上で、有効な成分とな
り得る。

【図面の簡単な説明】

第１図はスメクチックＣ＊相または■１相の模式図であ
り、第２図は、カイラルスメクチック相の液晶分子の電
界によるコーンにそった運動を示す模式図である。 以上 出願人セイコー電子工業株式会社 帝国化学産業株式会社 箒１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 （上式中、ｎは１〜１２、＊印を不整炭素原子を示す）
   で表わされる光学活性存３−クロロ、４−ｎ−アルコキ
   シフェニル、１−（６−メーｙ−ルオクチルオキシ）安
   息香酸エステルの構造を有する液晶化学物質。