JPS6088403A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6088403A JPS6088403A JP58196339A JP19633983A JPS6088403A JP S6088403 A JPS6088403 A JP S6088403A JP 58196339 A JP58196339 A JP 58196339A JP 19633983 A JP19633983 A JP 19633983A JP S6088403 A JPS6088403 A JP S6088403A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- voltage
- noise
- nonlinear resistor
- porcelain composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子機器や電気機器で発生する異常電圧、ノイ
ズ、静電気などを吸収もしくは除去する5rTi05を
主成分とする電圧依存性非直線抵抗体を得るだめの磁器
組成物に関するものである。
ズ、静電気などを吸収もしくは除去する5rTi05を
主成分とする電圧依存性非直線抵抗体を得るだめの磁器
組成物に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、各種電子機器、電気機器における異常高電圧(以
下サージと呼ぶ)の吸収、雑音の除去。
下サージと呼ぶ)の吸収、雑音の除去。
火花消去などのために電圧依存性非直線抵抗特性を有す
るSiCバリスタやZnO系バリスタなどが使用されて
いた。このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に
次式のように表わすことができる。
るSiCバリスタやZnO系バリスタなどが使用されて
いた。このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に
次式のように表わすことができる。
I−(V/C)”
ここで、工は電流、Vは電圧、Cはバリスタ固有の定数
であり、αは電圧非直線指数である。
であり、αは電圧非直線指数である。
SiCバリスタのαは2〜7程度、ZnO系ハIJスタ
ではαが60にもおよぶものがある。このようなバリス
タはサージのように比較的高い電圧の吸収に優れた性能
を有しているが、誘電率が低く固有静電容量が小さいた
め、バリスタ電圧以下の低い電圧の吸収(例えばノイズ
など)に対してはほとんど効果を示さず、また誘電損失
角(tanδ)も6〜10%と大きい。
ではαが60にもおよぶものがある。このようなバリス
タはサージのように比較的高い電圧の吸収に優れた性能
を有しているが、誘電率が低く固有静電容量が小さいた
め、バリスタ電圧以下の低い電圧の吸収(例えばノイズ
など)に対してはほとんど効果を示さず、また誘電損失
角(tanδ)も6〜10%と大きい。
一方、とハらのノイズなどの除去には組成や焼成条件を
適当に選択することにより、見かけの誘電率が5 X
10’ 〜6 X 10’程度でtanδが1%前後の
半導体磁器コンデンサが利用されている。
適当に選択することにより、見かけの誘電率が5 X
10’ 〜6 X 10’程度でtanδが1%前後の
半導体磁器コンデンサが利用されている。
しかし、この半導体磁器コンデンサはサージなどにより
ある限度以上の電流が素子に印加されると破壊したり、
コンデンサとしての機能を果たさなくなったシする。
ある限度以上の電流が素子に印加されると破壊したり、
コンデンサとしての機能を果たさなくなったシする。
上記のような理由で電気機器、電子機器においては、サ
ージ吸収やノイズ除去などの目的のためには、通常バリ
スタとコンデンサおよび他の部品(例えばコイル)とを
組み合わせて使用され、例えばノイズフィルタはこのよ
うな構成になっている。。
ージ吸収やノイズ除去などの目的のためには、通常バリ
スタとコンデンサおよび他の部品(例えばコイル)とを
組み合わせて使用され、例えばノイズフィルタはこのよ
うな構成になっている。。
第1図は一般的な従来のノイズフィルタ回路を示し、第
2図はバリスタとコンデンサおよびコイルを組み合わせ
て構成された従来のノイズフィルタ回路を示しており、
1はコイル、2はコンデンサ、3はバリスタである。
2図はバリスタとコンデンサおよびコイルを組み合わせ
て構成された従来のノイズフィルタ回路を示しており、
1はコイル、2はコンデンサ、3はバリスタである。
しかし、このような第2図に示す構成は機器内部におけ
る部品点数が多くなる上に機器の小形化動向に相反する
という欠点を有していた。
る部品点数が多くなる上に機器の小形化動向に相反する
という欠点を有していた。
発明の目的
本発明は上記のような従来のサージ吸収、ノイズ除去に
おける欠点を除去し、バリスタとコンデンサの両方の機
能を有し、1個の素子でサージ吸収およびノイズ除去が
可能な複合機能を有するパリ、スタを作るのに好適な磁
器組成物を提供することを目的としている。
おける欠点を除去し、バリスタとコンデンサの両方の機
能を有し、1個の素子でサージ吸収およびノイズ除去が
可能な複合機能を有するパリ、スタを作るのに好適な磁
器組成物を提供することを目的としている。
発明の構成
本発明は上記のような目的を達成するために、5rTi
03を99.995〜70.000 mo1%と、Nb
2O5、Ta205 、 WO5、La2O5、CeO
2、Nd2O5。
03を99.995〜70.000 mo1%と、Nb
2O5、Ta205 、 WO5、La2O5、CeO
2、Nd2O5。
Y2O5、Pr60B 、 Sm2O3g Eu2C1
5g 5c205 HDy203の内の少なくとも1種
以上の金属酸化物を0.001〜6.OOOmoQ%と
、AP、205を0.001〜10.000 mon%
と、B2O3をo、001〜5.000 moff %
と、OuOを0.001〜5.000mb1%と、1q
20を0001〜6.OOOmoR%含有してなる電圧
依存性非直線抵抗体磁器組成物に係わるものである。
5g 5c205 HDy203の内の少なくとも1種
以上の金属酸化物を0.001〜6.OOOmoQ%と
、AP、205を0.001〜10.000 mon%
と、B2O3をo、001〜5.000 moff %
と、OuOを0.001〜5.000mb1%と、1q
20を0001〜6.OOOmoR%含有してなる電圧
依存性非直線抵抗体磁器組成物に係わるものである。
実施例の説明
以下に本発明を実施例を上げて具体的に説明する。
5r005およびT 102を5rTiO5になるよう
にそれぞれ秤量配合し、ボールミルで15時間攪拌混合
し、これを乾燥し粉砕した後、1200℃で3時間焼成
し、再び粉砕してS rT i 05を作製した。
にそれぞれ秤量配合し、ボールミルで15時間攪拌混合
し、これを乾燥し粉砕した後、1200℃で3時間焼成
し、再び粉砕してS rT i 05を作製した。
次に、上記5rTi05にNb2O5、Ta205 、
’WO5。
’WO5。
La2O3、0e02 、 Nd2O5、Y2O5、p
r6oH、F3m205゜Eu2Q3,5C203,D
y2O3の内から選択された少なくとも1種以上の金属
酸化物と、A n206とB2O5とCuOとAq20
を下記の第1表に示す配合比率になるように秤量配合し
た。
r6oH、F3m205゜Eu2Q3,5C203,D
y2O3の内から選択された少なくとも1種以上の金属
酸化物と、A n206とB2O5とCuOとAq20
を下記の第1表に示す配合比率になるように秤量配合し
た。
次に、ボールミルで20時間攪拌混合した後、乾燥、粉
砕し、10〜16重量%のポリビニルアルコールなどの
有機結合剤を混合して造粒し、成型圧約1゜tst/c
4で10φ(’、trm)x 1t (mytr)の円
板状に成形した。
砕し、10〜16重量%のポリビニルアルコールなどの
有機結合剤を混合して造粒し、成型圧約1゜tst/c
4で10φ(’、trm)x 1t (mytr)の円
板状に成形した。
これらの円板をN、、(95容積%)+H2(5容積%
)の還元雰囲気で約1350”CI4時間焼成した。次
に、空気中で1100℃、3時間の熱処理を行った。こ
うして得られた第3図に示す焼成体4は出発原料とほぼ
同じ組成であった。そして、上記焼成体4の両平面に銀
などの導電性ペーストを塗布し、550”Qで焼付ける
ことにょシミ極5゜6を形成した。
)の還元雰囲気で約1350”CI4時間焼成した。次
に、空気中で1100℃、3時間の熱処理を行った。こ
うして得られた第3図に示す焼成体4は出発原料とほぼ
同じ組成であった。そして、上記焼成体4の両平面に銀
などの導電性ペーストを塗布し、550”Qで焼付ける
ことにょシミ極5゜6を形成した。
上記の操作によって得られた素子の特性を以下の第2表
に示す。
に示す。
(以下余白)
ここで、素子のバリスタとしての特性評価は」二連した
電圧−電流特性式 %式% (ただし、工は電流、Vは電圧、Cはバリスタ固有の定
数、αは非直線指数)におけるαとCによって行うこと
が可能である。しかし、Cの正確な測定が困難であるた
め、本発明においては1mAのバリスタ電流を流した時
の単位厚み当シのバリスタ電圧(以下v+mA / m
m と呼ぶ)の値と、tX = 1/ log (vj
omA / LImA ) Cただし、vjomAはI
Q m、Aのバリスタ電流を流した時のバリスタ電圧
、vlmAは1mAのバリスタ電流を流した時のバリス
タ電圧〕の値によりバリスタとしての特性評価を行って
いる。また、コンデンサとしての特性評価は測定周波数
I KHzにおける誘電率ε、誘電損失角tanδで行
っている。
電圧−電流特性式 %式% (ただし、工は電流、Vは電圧、Cはバリスタ固有の定
数、αは非直線指数)におけるαとCによって行うこと
が可能である。しかし、Cの正確な測定が困難であるた
め、本発明においては1mAのバリスタ電流を流した時
の単位厚み当シのバリスタ電圧(以下v+mA / m
m と呼ぶ)の値と、tX = 1/ log (vj
omA / LImA ) Cただし、vjomAはI
Q m、Aのバリスタ電流を流した時のバリスタ電圧
、vlmAは1mAのバリスタ電流を流した時のバリス
タ電圧〕の値によりバリスタとしての特性評価を行って
いる。また、コンデンサとしての特性評価は測定周波数
I KHzにおける誘電率ε、誘電損失角tanδで行
っている。
以上に示したように、5rTi03に半導体化物質とし
て、Nb2O5、Ta205 、 WO5’ 、 La
2O5、ceo2゜uci、、o、 、 Y2O5、P
r6otl 、 5nn20. 、 Eu2O5、5c
205゜Dy2O3を添加しただけではαが小さく実用
的でない。
て、Nb2O5、Ta205 、 WO5’ 、 La
2O5、ceo2゜uci、、o、 、 Y2O5、P
r6otl 、 5nn20. 、 Eu2O5、5c
205゜Dy2O3を添加しただけではαが小さく実用
的でない。
そこで+AR2051B203 、 CjuO、Ag2
Oを添加するとαが大きくなる。この効果は”2031
B2O3゜CjuO、Ag2−0各々1種類にけ添加
した場合にも得られるが、誘電率が小さくバリスタ電圧
が高くなる。一方、Au203.B2O3,cuo、A
q2oヲ同時ニ添加すると、α、誘電率共に大きく、バ
リスタ電圧も下げることが可能となり、バリスタとコン
デンサの両方の機能を同時に得ることができる。
Oを添加するとαが大きくなる。この効果は”2031
B2O3゜CjuO、Ag2−0各々1種類にけ添加
した場合にも得られるが、誘電率が小さくバリスタ電圧
が高くなる。一方、Au203.B2O3,cuo、A
q2oヲ同時ニ添加すると、α、誘電率共に大きく、バ
リスタ電圧も下げることが可能となり、バリスタとコン
デンサの両方の機能を同時に得ることができる。
このような効果が現われるのは、Nb2o5゜Ta20
5 、 WO5+ La2O5、CeO2、Nd2O5
、Y205 +Pz、、、 ojj l 5In203
. Eu2O3、s、 c2o5 + D3’20.5
の内から選択された1種以上の金属酸化物の合計添加量
が0゜001〜5.000 mo12%の範囲であり、
5・OOOmob%を超えるとtanδが著しく大きく
なる。
5 、 WO5+ La2O5、CeO2、Nd2O5
、Y205 +Pz、、、 ojj l 5In203
. Eu2O3、s、 c2o5 + D3’20.5
の内から選択された1種以上の金属酸化物の合計添加量
が0゜001〜5.000 mo12%の範囲であり、
5・OOOmob%を超えるとtanδが著しく大きく
なる。
また、A[203は0.001〜10.000 moR
%の範囲であシ、10.000 won % を超える
と化合物を住してαを低下させる。
%の範囲であシ、10.000 won % を超える
と化合物を住してαを低下させる。
また、B2O5+ CuOI Ag2O1’l:そ;h
ソ;h O,001〜6 、Q Q、 Q moA%
の範囲であり、5.000 moQ%を超えると誘電率
が減少し、バリスタ電圧が高くなシ実用的でなくなる。
ソ;h O,001〜6 、Q Q、 Q moA%
の範囲であり、5.000 moQ%を超えると誘電率
が減少し、バリスタ電圧が高くなシ実用的でなくなる。
なお、上記実施例では一部分の組成についてのみ示した
が、それぞれの物質を規定した添加量の範囲内で添加す
れば同様の効果が得られることを確認した。
が、それぞれの物質を規定した添加量の範囲内で添加す
れば同様の効果が得られることを確認した。
以上述べたように本発明によれば、バリスタとコンデン
サの両方の機能を同時に得ることができる。
サの両方の機能を同時に得ることができる。
第5図に示したように従来のフィルタ回路ではノイズ入
力Aに対して出方状況曲線Cとなり十分にノイズを除去
していない。また、第2図に示した従来のバリスタを含
むフィルタ回路では本発明による素子を用いた場合と類
似した効果が得られるが、バリスタを別個に必要とする
ため部品点数が多くなる。
力Aに対して出方状況曲線Cとなり十分にノイズを除去
していない。また、第2図に示した従来のバリスタを含
むフィルタ回路では本発明による素子を用いた場合と類
似した効果が得られるが、バリスタを別個に必要とする
ため部品点数が多くなる。
そこで、本発明による素子を使用して第4図に示すよう
な回路を作ったところ、ノイズ入方ムに対して出力状況
曲線Bのようになり、ノイズを十分におさえることがで
きた。
な回路を作ったところ、ノイズ入方ムに対して出力状況
曲線Bのようになり、ノイズを十分におさえることがで
きた。
なお、第4図で7は本発明の素子、8はコイルである。
発明の効果
以上述べたように本発明による磁器組成物を利用した素
子は従来にないバリスタとコンデンサの複合機能を有し
、しかも従来のノイズフィルタ回路を簡略化し、小形、
稿性能、低コスト化に寄与するものであシ、各種電気機
器、電子機器のサージ吸収、ノイズ除去に利用が可能で
あり、その実用上の価値は極めて大きい。
子は従来にないバリスタとコンデンサの複合機能を有し
、しかも従来のノイズフィルタ回路を簡略化し、小形、
稿性能、低コスト化に寄与するものであシ、各種電気機
器、電子機器のサージ吸収、ノイズ除去に利用が可能で
あり、その実用上の価値は極めて大きい。
第1図、第2図はそれぞれ従来におけるノイズフィルタ
回路を示す図、第3図は本発明による磁器組成物を用い
た素子の断面図、第4図は第3図の素子を用いたノイズ
フィルタ回路を示す図、第6図は従来および本発明によ
る素子を用いたノイズフィルタ回路による入力ノイズと
出力ノイズを示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第3図 第4図 第5図 −4−旧法)芙CMHz)
回路を示す図、第3図は本発明による磁器組成物を用い
た素子の断面図、第4図は第3図の素子を用いたノイズ
フィルタ回路を示す図、第6図は従来および本発明によ
る素子を用いたノイズフィルタ回路による入力ノイズと
出力ノイズを示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第3図 第4図 第5図 −4−旧法)芙CMHz)
Claims (1)
- 5rTi03を99.995〜70.000moR%と
、Nb2O5、Ta205 、 ”NO5、La20g
、 CeO2、Nd2O3゜Y2O5、Pr60B、
5tn203. Eu2O’5 y 5C205゜D
V205の内の少なくとも1種以上の金属酸化物を0.
001〜5.000 mo12%と、AF!20.をo
、Oo1〜1o、ooo moR%と、B2O3を0.
001〜5.000moR%と、CuOを0.001〜
5. OOOmoR%と、Ag2Oを0.001〜5.
OOOmoR% 含有してなることを特徴とする電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196339A JPS6088403A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196339A JPS6088403A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6088403A true JPS6088403A (ja) | 1985-05-18 |
| JPH04569B2 JPH04569B2 (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=16356183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58196339A Granted JPS6088403A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6088403A (ja) |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP58196339A patent/JPS6088403A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04569B2 (ja) | 1992-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4781859A (en) | Voltage-dependent non-linear resistance ceramic composition | |
| JPS6088401A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS60107804A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS60107803A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS60136205A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS6042802A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS609102A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS6088402A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS6146003A (ja) | 複合機能素子 | |
| JPH0551553B2 (ja) | ||
| JPS6153159A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS60254703A (ja) | 電圧依存性非直線低抗体磁器組成物 | |
| JPS607703A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS60206108A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS6153158A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS60254704A (ja) | 電圧依存性非直線低抗体磁器組成物 | |
| JPS6153162A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS60216503A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物の製造方法 | |
| JPH04569B2 (ja) | ||
| JPS60127263A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS59147406A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS59147404A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁気組成物 | |
| JPS59208807A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS59149003A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 | |
| JPS6179202A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物の製造方法 |