JPS6090202A - キレート性吸着剤及びその製造法 - Google Patents

キレート性吸着剤及びその製造法

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JPS6090202A
JPS6090202A JP58198349A JP19834983A JPS6090202A JP S6090202 A JPS6090202 A JP S6090202A JP 58198349 A JP58198349 A JP 58198349A JP 19834983 A JP19834983 A JP 19834983A JP S6090202 A JPS6090202 A JP S6090202A
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polymer
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Minoru Akiyama
稔 秋山
Katsuo Yoshizumi
吉住 克夫
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Asahi Kasei Corp
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
Asahi Kasei Kogyo KK
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  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一4r炊なる吸着性1合体とその製造法に関す
る。
イオ/35 洟4fJ脂やキンート蘭脂なとは廃水処理
7al−丸め工業的にも広く利用されている。しかるに
従来公知のものは必すしも化学的安定性感で優れた(・
のでなく、−1の変化によっては長期の安定性に乏しか
ったり、さらには熱的安定性に乏しいものであった。
か−る見地から本″A明者らは鋭意検討を重ねてきた結
果、新規な化学構造を有し、化学的及び熱的安定性I/
c優nた重合体を見い出すIc至り本発明の完成に到達
した。
本発明における新規な吸着性重合体とは、下記構造式(
ア)で示さ2[る1能基を有する吸着性重合体である。
(ここにR1は水素または炭素Wjil乃至10の炭化
水素基を、i(2は水素または炭素数1乃至4の炭化水
素基な表わす。キノリン11て関するビニル基の位置は
2−または4−位であり、R2の位置はいずオ′(でも
良い。) R1の好ましく4例は、水素、メチル基、エチル基フェ
ニル基などであるが、中でも水素であることは好まし1
noR2の好まし0例は水素およびメチル基などであり
、中でも水素は好ましい例である。キノリン骨格に関す
るビニル基の位置は2位が好ましい。
(ア)で示さnろ官能基の1合体VC対する結合の形態
K特に制限はないが、好ましい幾つかの例な上げるブエ
らば、主鎖′Cあろメチレン釦の水素と直接置換された
もの、主鎖メチレンとけ)の官能基が十〇k12+や−
0+−0k12+nニよって結合されたもの、スチレン
若しくはアルキルスチレン1合体のベンセ゛ン骨格の水
素と置換さnたもの(]記構造式%式% (ここICR3は水素または炭素fi I PJ至4の
炭化水素基な表わす、、) 本発明=r)物質は構造式(ア)で示される官能基を有
する重合体であるが、この重合体は三次元架橋重合体で
あることが好1シ1^。朱僑剤としては特に側限はなく
、三官能または多官能性モノマーに相当−「る1台車位
である。それらの重合単位の例をあけるならば、ジヒニ
ルベンゼン、ジビニ/l/ )ルエノ、ジビニルキシレ
ン、ジビニルエチルベノ七゛7、トリビニルベンゼン、
ジビニルジフェニル、ジビニルジフェニルメタン、ジビ
ニルピリジン、ジビニルフェニルエーテ乞ジビニルゾフ
ェニルスルフイド、ジビニルジフェニルアミノ、ジビニ
ルスルボン、ジビニルキシレン、ジビニルピリジン、フ
タル鈑ジアリル、マレイノ酸ジアリル、7マル皺ジアリ
ル、コハクぽシアリル、シュウ酸シアリル アシビン畝
シアリル、セパジノ改ヅアリル、ジアリルアミノ、トリ
アリルアミノ、N、N’−エチVノゾアクリル了ミド、
N、N’−メチレ/ヅ了クリルアミ−1N 、N’−メ
チレンジメタクリルアばド、エチVングリコールシメタ
クリレート、エチレンダリコールシアクリレート、1.
5−プチレングリコールジアクリンート、トリアりルイ
ノシ了ヌレート、クエン酸トリアリル、トリメリドばト
リアリル、シアヌル酸トリアリルなどに相当てる重合単
位である。
こ才1らの架橋単位は後数繍含まれζいても何らさしつ
かえない。これらの架+#i重合単位は1〜50i閂係
が好ましく、さらに好ましくは1〜30慮i%である。
さらにこれらの他((第6成分として他の重合即位を含
んで(八−〇も何りさしつかえない。
こnらの第6成分としてはスチレン、ビニルトルエン、
エチルスチレン、クロロメチルスチレ/、ブタジェン、
メタクリル酸、アクリル酸、メタクリル赦メチル、エチ
レンイミン、酢酸ビニル、ビニルイばダゾール、ビニル
ピリジン、ビニルカルバゾールなどを始めとする公知の
単重体に相当する重合単位を含んでいても追い。
不発四の物質は金属の選択性に優ガ、しかも熱的、化学
的安定性に優nた吸着性重合体であるが、この見地から
百えは、け)で示される官能基はなるべく多く含有され
ることが好ましい。定量的表視では塩基性父換容量が0
.5 m mol 79以上であることが好筺しく、更
に好ましくは2.0 m mo172以上である。
ざらに不発ψ」は前記吸着性重合体の#造法を提供する
ものであって、その内容は、下記構造式(つ)で表わさ
れる基を有する重合体と(1)で表わされる8−とドロ
キシキノリン類を反応サセることを特徴とする下記構造
式け)で表わされる官能基を有する1合体のM4法であ
る。
H (つ) (1) 1 (ここにR1は水素または炭素む1乃全10の炭化水g
基を、L(2は水素筐たは炭素数1乃至4の炭化水素基
を表わす。キノリン骨格に関するビニル基の位置は2−
または4−位であり、R2の位置はいす社でも良い。) 原料となる(つ)の基を有する重合体(以下原料ポリマ
ーという)はいくつかの方法で製造することができる。
第一には(ウノの基を有する単重体を必要に応じて他の
架橋性単重体などと共重合させる方法である。(つ)の
基を有する単量体の例としでは、アクロレイン、メチル
ビニルケトン、エチルビニルケトン、ビニルフェニルケ
トン、ビニルベンシルケトン、ポルばルスチレン、エチ
ルポルばルスチレン、アセチルスチレン、エチルアセチ
ルスチレン、4−ビニルジフェニルケトンなどをあげる
ことができる。これらの中でホルミルスチレンは好まし
い例であり、代表的にはこのホルミルスチレンとジビニ
ルベンピノ類の共重合により、原料ポリマーをW造する
方法である。
原料ポリマーを製造する第二の方法は、重合体に−uO
R工な導入する方法である。Ftl:)1.即ちポルば
ル基を導入1“る方法としては公知の方法を用いること
かでき、しUえは、メチル基やクロロメチル基の酸化反
応KJ、る方法、ガラターマンコツホ反応などを用いる
ことが司箭であう。R1が水素以外の場合においても公
知の方法を適用することが可能であり、例えば、ヒドロ
キシル基と酸ハライドの反応、7リ一デルクラフト反応
などである。
原料ポリマーを製造する場合においCは、あらかじめ懸
濁重合、乳化重合などの方法を用いたり、或いは重合体
を破砕するなどの方法により粒状体とし°Cおくことが
好ましい。
(1)の構造式で示されるキノリン類において、メチル
基は2−位または4−位である。R2は水素またはメチ
ル基などが好ましく、中でも水素が好ましい。R2の位
置は2〜7位のいすiでも良い。
(1)の具体例を上げるなしは、2−メチル−8−ヒド
ロキシキノリン、4−メチル−8−ヒドロキシキノリン
、2.4−ジメチル−8−ヒドロキシキノリン、2.5
−ジメチル−8−ヒドロキシキノリン、2.6−シメチ
ルー8−ヒドロキシキノリ/、4.5−ジメチル−8−
ヒドロキシキノリン、4.6−シメチルー8−ヒドロキ
シキノリンなどである。
次に具体的製造法について述べる。キノリン類の使用量
は(つ)で表わされる基に対し0.5〜10倍モルであ
ることが好ましく、さらに好ましくは、1〜6倍モルで
ある。
反応の温度と時間には%vc aJ限はな(八。温度と
しては80〜250 ℃が好ましく、反応時間は5〜2
4時間が好ましい。
反応に際しては不活性液体の存在]・に行なうことが好
ましい。不活性液体とは、原料ポリマー、キノリン類及
び生成物に対し、実質的に不活性なものを言う。
例えはメタノール、エタノール、プロパツール、ブタノ
ール、2−エチルヘキシルアルコールナトV〕アルコー
ル類、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化
水素類、ヘキサン、ヘプタン、オクタノなどのu’a 
′fI)J族炭化水素類、クロロベンゼン、ブロモベン
ゼン、ニトロベンゼンナトのwa芳香族化合物、クロロ
ポルム、ジクロルエタノなどのハロゲン化炭化水素、メ
チルエチルケトン、アセトン、などのケトン類、ジエチ
ルエーテル、テトラヒドロ7ラン、ジプチルエーテルな
どのエーテル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセ
ドアばド、などのアミv類、ギ酢、酢酸、無水酢酸、プ
ロピオン酸などのカルボン酸類及びそI7′)無水物類
、ジメチルスルホキシドなとを用いることができる。こ
わらの不活性液体は2独以上を混合して用いても伺らさ
しつかえない。
反応を行な5Kgしては、酸の存在下に反応を行なうと
好ましい場合がある。ことVC無水酊敵、酢酸などはそ
のま〜溶媒となりつるが、その後はアルカリなどで処理
することが好ましい。また本反応に8いては脱水剤を共
存させることか好ましい。
本発明の重合体は、金if有機物等の吸着剤として用い
ることかり能である。l&屑とは、いわゆるキレ−1・
化による金楓等の抽捉吸ル、イオン交換による成層、物
理吸着、化学的親和II!f!着などをさす。こnらの
甲でも本発明の重合体は、種々の孟楓に対し良好な吸着
性を示した。証属の種類に特に制限はないが、一般にオ
キシンに対しキレート能力を有1−る金属イオンか良好
である。−「なわら、代表的には、銅などの■族、亜鉛
、カドミウムなどの■族、ウラン、トリウム、セリウム
、アルミニウム、ガリウム、インジウムなどのIII族
、舷錫、チタン、ジルコニウムなどのlv族、バナジウ
ム、ニオブ、アンチモンなどのV族、モリブデン、クロ
ム、タングステンなどのv1族、鉄、コバルト、ニッケ
ル、パラジウムなどの種族の==gが皐ケられる。特に
艮好な吸着性を示すものは、銅、ウラン、ガリウム及び
鉄である。
本発明の物質を吸着剤として1更用する方法としては、
従来の公知の方法を用いることができ、例えば省鵬イオ
ンなどを含む液と接することにより、目的を達成するこ
とがi」能である。
以下に実施例を示1が、これらは本発明の範囲を制限す
るものではない。
実施例 1 温度M1、還流器および撹拌器を備えた11の40フラ
スコに、市販のポリビニルアルコール2.0.9X塩化
ナトリウム25gを溶解させた純水400gを加え、攪
拌しながら、ホルミルスチレン(メタ体:)七う体=6
=4の混合物) 52.8g、ジビニルベンゼン(純p
i56%、メタ体:パラ体=6:4.44%のエチルス
チレンを含む)7.2g、m−キシレン50g、2.2
′−アゾビスイソブチロニトリル0.6gの混合物を投
入し、60℃で1時rfjl、70°Gで2時曲、さら
に80°Cで4時間撹拌を続けた。冷却−洗浄後、得ら
ltlた粒子は粒径肌1〜1.0mmの球状粒子−であ
った。
得られた粒子を無水酢酸でよく洗浄後、全J1を容量1
1のオートクレーブに入れ、次いで8−ヒドロキシ−2
−メチルキノリン127.2 gを溶解した無水酢酸溶
液30ONを加えた。オートクレーブ内を窒素パージし
た後、180℃に加熱したオイルパス中にこのオートク
レーブを入れ、15時間反応させL0冷却後内谷物を取
り出し洗浄した。
続いて全1゛を温度針、作拌器を侃えたら00献の5日
フラスコに入れ、1規定の水酸化ナトリウム液300 
ralを加え、90℃で3時間撹拌を続けL0冷却−水
洗後、アニオン交換容量ヲ測足した所、2.98 me
q / !iであった。
赤外吸収スペクトルの主たるピークは仄のとおりである
5070.2950.1600,1515.171に6
5.1250.970,8ろ5.755この粒子のフし
素分析値は仄のとおりである。
C: 85.8、d : 5.72、N ; 4.79
.0:5.69 以上の分析値及び収−Lなどから、2−ビニルオキシン
型の生成物が原料アルデヒドに対し95船以上の収率で
得らjていることがわかった。
蛯イオンtaaがsom+a/l であり、P)I=5
.0の溶液20m1を調製し、こiに前記の様にして得
られた松脂1yを加えて一伎指拝した後、銅イオン一度
を測定した所、践イオンの75qlIが吸着された。
はぼr=+様の実験を、鉄(Ill)イオン、ウラニル
イオン及びガリウムイオンについても行なったところ各
々の成層率は、60%、55%、74幅であった。
特許出願人 旭化成工業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 fi+ 下記構造式(ア)で示される官能基を有1−る
    吸着性重合体 (ここにI(l は水素または炭素数1乃至10の炭化
    水素基を、’2 は水素または炭素敬1乃至4の炭化水
    素基を表わす。キノリン骨格に関するビニル基の位置は
    2−または4−位であり、R2の位置はい1−れでも良
    い。) (2)F記構造式(つ)で表わされる養参基を有する重
    合体と(1)で表わされる8−ヒドロキシキノリン類を
    反応させることな特徴とする下記構造式け)で表わさn
    る1能基な有する重合体の製造法(ここKRl は水素
    または炭素数1乃至10の炭化水素基を、R2は水系ま
    たは炭素数1乃至4の炭化X#5&を表わ1゜キノリン
    骨格Kllするビニル基の位置は2−または4−位であ
    り、R2の位置はいずれでも良い。)
JP58198349A 1983-10-25 1983-10-25 キレート性吸着剤及びその製造法 Granted JPS6090202A (ja)

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JPS6090202A true JPS6090202A (ja) 1985-05-21
JPH0469166B2 JPH0469166B2 (ja) 1992-11-05

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11592742B2 (en) * 2017-08-25 2023-02-28 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Photoresist composition, its manufacturing method, and manufacturing methods of metal pattern and array substrate

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11592742B2 (en) * 2017-08-25 2023-02-28 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Photoresist composition, its manufacturing method, and manufacturing methods of metal pattern and array substrate

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