JPS6090254A - ポリカ−ボネ−ト成形製品の製造方法 - Google Patents
ポリカ−ボネ−ト成形製品の製造方法Info
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- JPS6090254A JPS6090254A JP59182896A JP18289684A JPS6090254A JP S6090254 A JPS6090254 A JP S6090254A JP 59182896 A JP59182896 A JP 59182896A JP 18289684 A JP18289684 A JP 18289684A JP S6090254 A JPS6090254 A JP S6090254A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/49—Phosphorus-containing compounds
- C08K5/50—Phosphorus bound to carbon only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C48/25—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
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- B29C48/50—Details of extruders
- B29C48/76—Venting, drying means; Degassing means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2069/00—Use of PC, i.e. polycarbonates or derivatives thereof, as moulding material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ホスフィンまたはホスファンを用いるポリカーボネー1
−の安定化は三菱ガス化学(株による昭和47年特許出
願公告第22088号(1968年5月28日出願、1
972年6月2′I日公告)から公知である。この公知
文献によれば、当時のポリカーボネート小スフアイ1〜
安定剤は十分に満足rきるものではなかった。しかしな
がら、この公知方法により小スフィン(ホスファン)安
定剤を配合する場合、安定化されるプラスチックを完全
に乾燥することが明らかに推奨される。
−の安定化は三菱ガス化学(株による昭和47年特許出
願公告第22088号(1968年5月28日出願、1
972年6月2′I日公告)から公知である。この公知
文献によれば、当時のポリカーボネート小スフアイ1〜
安定剤は十分に満足rきるものではなかった。しかしな
がら、この公知方法により小スフィン(ホスファン)安
定剤を配合する場合、安定化されるプラスチックを完全
に乾燥することが明らかに推奨される。
また小スフィンを用いるポリカーボネートの安定化はド
イツ国特許出願公開第2206720号から公知であり
、その際に適当ならばエポキシ化合物も追加して用いる
。
イツ国特許出願公開第2206720号から公知であり
、その際に適当ならばエポキシ化合物も追加して用いる
。
米国特許第4367303号の第6欄及びドイツ国特許
出願公開第3026503号の17頁から、トリフェニ
ルボスフィンを用いる安定化(比較試験iB)は熱老化
に関してオキシエタン基を含むホスファイ!−を有する
もの(比較試験iA)より劣っCいることが公知である
。
出願公開第3026503号の17頁から、トリフェニ
ルボスフィンを用いる安定化(比較試験iB)は熱老化
に関してオキシエタン基を含むホスファイ!−を有する
もの(比較試験iA)より劣っCいることが公知である
。
V 、 H0Orel+及びK ai+1nski、P
Iastikvera −rbeiter No、8
/1980.441〜446頁1’ E ntgasu
ngsspritzgieβen、eill 1abO
rk011Z −ept wird ill die
Praxis umgesetzt J (JIj2揮
発化射出成形、実腟室の概念を実用に)によれば、オキ
シエタン基を含むホスファイトで安定化されるポリカー
ボネートは他のプラスチックに加えて脱揮発イト(de
volatilising)射出成形工程に従っでも処
理す“ることができる(上記引用文中の446Rの左側
の上端)。このポリカーボネートを処理する場合、67
2揮発化装置を用いて処理されるプラスチック材料を除
湿することは脱揮発化射出成形工程及び脱揮発化押出工
程の両方に対して重要である。
Iastikvera −rbeiter No、8
/1980.441〜446頁1’ E ntgasu
ngsspritzgieβen、eill 1abO
rk011Z −ept wird ill die
Praxis umgesetzt J (JIj2揮
発化射出成形、実腟室の概念を実用に)によれば、オキ
シエタン基を含むホスファイトで安定化されるポリカー
ボネートは他のプラスチックに加えて脱揮発イト(de
volatilising)射出成形工程に従っでも処
理す“ることができる(上記引用文中の446Rの左側
の上端)。このポリカーボネートを処理する場合、67
2揮発化装置を用いて処理されるプラスチック材料を除
湿することは脱揮発化射出成形工程及び脱揮発化押出工
程の両方に対して重要である。
脱揮発化装置はいわゆる脱揮発化オリフィス及びスクリ
ュー形状により通常の射出成形装置と異なっている。通
常の射出成形スクリューは圧縮ゾーン及び放出(exp
ulsion )ゾーンに続いて取り込み(intak
e)ゾーンを有しているが、脱揮発化装置は取り込みゾ
ーン、圧縮ゾーン、脱仕縮ゾーン、第二の圧縮ゾーン及
び放出ゾーンからなる。
ュー形状により通常の射出成形装置と異なっている。通
常の射出成形スクリューは圧縮ゾーン及び放出(exp
ulsion )ゾーンに続いて取り込み(intak
e)ゾーンを有しているが、脱揮発化装置は取り込みゾ
ーン、圧縮ゾーン、脱仕縮ゾーン、第二の圧縮ゾーン及
び放出ゾーンからなる。
スクリューバレル(barrel )における脱圧縮ゾ
ーンの始まりは脱揮発化オリフィスであり、これを介し
て脱揮発化操作が進行し、融溶の結果下降する。脱揮発
化オリフィスを輿空にする必要はなく、その理由は未乾
燥のポリカーボネート中の水の蒸気圧が脱圧縮ゾーン中
で16〜130バールの圧力に達するからである。最初
の圧縮ゾーンにおい(、ポリカーボネ−1−は苛酷な熱
に曝され、そして第二の圧縮ゾーンにおいて、新たな熱
に対する暉露が起こる。かくて通常の射出成形方法と比
較して、この材料は2回熱に曝される。この脱揮発化法
の詳述は上記の参考文献に見い出し得る。
ーンの始まりは脱揮発化オリフィスであり、これを介し
て脱揮発化操作が進行し、融溶の結果下降する。脱揮発
化オリフィスを輿空にする必要はなく、その理由は未乾
燥のポリカーボネート中の水の蒸気圧が脱圧縮ゾーン中
で16〜130バールの圧力に達するからである。最初
の圧縮ゾーンにおい(、ポリカーボネ−1−は苛酷な熱
に曝され、そして第二の圧縮ゾーンにおいて、新たな熱
に対する暉露が起こる。かくて通常の射出成形方法と比
較して、この材料は2回熱に曝される。この脱揮発化法
の詳述は上記の参考文献に見い出し得る。
上記によれば、脱揮発化射出成形及び脱揮発化押出工程
において、一方では大ぎな熱的応力が使用され、そして
他方では湿潤材料を用いるため、小スフィン(ホスファ
ン)で安定化されたポリカーボネーI〜がオキシエタン
基を含むホスファイトぐ安定化したポリカーボネートと
少なくとも同等に処理し得ることは驚くべきことである
。上記時し′[出願公開及び米国特許によれば、このこ
とは予期されなかった。
において、一方では大ぎな熱的応力が使用され、そして
他方では湿潤材料を用いるため、小スフィン(ホスファ
ン)で安定化されたポリカーボネーI〜がオキシエタン
基を含むホスファイトぐ安定化したポリカーボネートと
少なくとも同等に処理し得ることは驚くべきことである
。上記時し′[出願公開及び米国特許によれば、このこ
とは予期されなかった。
かくて本発明は一般式
%式%(1)
式中、1(は未置換であるか、もしくは置換されたC6
〜Cm−アリール基であり、そしてR1は未置換である
か、もしくは置換されたC6〜Cm−アリール基または
未置換であるか、もしくは置換されたC1〜Cや−アル
キル基、のホスファンを含む熱可塑性ポリカーボネート
を用いることを特徴とする、脱揮発化射出成形または脱
揮発化押出工程によるポリカーボネート成形製品及びポ
リカーボネートを含む配合物の成形製品の製造方法に関
するものである。
〜Cm−アリール基であり、そしてR1は未置換である
か、もしくは置換されたC6〜Cm−アリール基または
未置換であるか、もしくは置換されたC1〜Cや−アル
キル基、のホスファンを含む熱可塑性ポリカーボネート
を用いることを特徴とする、脱揮発化射出成形または脱
揮発化押出工程によるポリカーボネート成形製品及びポ
リカーボネートを含む配合物の成形製品の製造方法に関
するものである。
式(I>の化合物中の基Rは同一であるか、または相異
なるかのいずれかであることができる。
なるかのいずれかであることができる。
本発明により使用されるホスファンは少なくとも200
℃の沸点を有するべきである。
℃の沸点を有するべきである。
本発明によれば、ポリカーボネート成形製品は熱及び/
または酸素に対して安定化されている。
または酸素に対して安定化されている。
式(I)の化′合物において、アリール!2!Rは例え
ばアルキル置換基、ハロゲンまたはOHで置換すること
もできる。式<I)の化合物のアルキル基R1は直鎖状
か、または分枝鎖状であることができる。これらのもの
は例えばOH、アルキルカルボキシル、シアノまたはフ
ェニルで直換することができる。
ばアルキル置換基、ハロゲンまたはOHで置換すること
もできる。式<I)の化合物のアルキル基R1は直鎖状
か、または分枝鎖状であることができる。これらのもの
は例えばOH、アルキルカルボキシル、シアノまたはフ
ェニルで直換することができる。
本発明に適する式(I)のホスファンの例には次のもの
があるニトリフェニルホスファン、ジフェニルブチルホ
スファン、ジフェニルオクタデシルホスファン、トリス
−p−トリルボスファン、1−リス−(p−ノニルフェ
ニル)−ホスファン、トリス−ナフチルホスファン、ジ
フェニル−(ヒトUキシメチル)−ホスファン、シフ1
ニルアヒhキシメヂルホスフアン、シフ1ニル−(β−
■チルカルボキシエチル (++−り0日フェニル)−ホスファン、1〜リス−(
p−フルオロン1ニル)−ボスファン、ジフェニルベン
ジルホスファン、ジフェニル−β−シアノエチルホスフ
ァン、ジフェニル−(p−ヒドロキシフェニル)−ボス
ファン、ジフェニル−1。
があるニトリフェニルホスファン、ジフェニルブチルホ
スファン、ジフェニルオクタデシルホスファン、トリス
−p−トリルボスファン、1−リス−(p−ノニルフェ
ニル)−ホスファン、トリス−ナフチルホスファン、ジ
フェニル−(ヒトUキシメチル)−ホスファン、シフ1
ニルアヒhキシメヂルホスフアン、シフ1ニル−(β−
■チルカルボキシエチル (++−り0日フェニル)−ホスファン、1〜リス−(
p−フルオロン1ニル)−ボスファン、ジフェニルベン
ジルホスファン、ジフェニル−β−シアノエチルホスフ
ァン、ジフェニル−(p−ヒドロキシフェニル)−ボス
ファン、ジフェニル−1。
4−ジヒドロキシフェニル−2−ホスファン及びフェニ
ルナフチルベンジルホスファン。
ルナフチルベンジルホスファン。
上記のホスファンの個々の化合物または混合物のいずれ
かを用いることができる。
かを用いることができる。
式(I>のホスファンは文献から公知であるか、または
文献から公知である方法により製造することができる。
文献から公知である方法により製造することができる。
本発明による成形製品に処理される熱可塑性ポリカーボ
ネ−1・はジフェノールをホスゲンまたは炭酸、ジヒド
ロキシジアリールアルカンのジエステルと反応させるこ
とにより得られ、その際に未置換のジヒドロキシジアリ
ールアルカンヒト0キシル基に対して〇−及び/または
I−位置にメチル基またはハロゲン原子を持つ)アリー
ル基も適する重縮合体である。
ネ−1・はジフェノールをホスゲンまたは炭酸、ジヒド
ロキシジアリールアルカンのジエステルと反応させるこ
とにより得られ、その際に未置換のジヒドロキシジアリ
ールアルカンヒト0キシル基に対して〇−及び/または
I−位置にメチル基またはハロゲン原子を持つ)アリー
ル基も適する重縮合体である。
成形製品に処理されるポリカーボネートはCH2Cl2
中にて25℃及び0.5重量%のa度ぐの相対粘度を測
定することによりめられる10、000乃至100,0
00間、好ましくは20、000乃至40.000間の
平均分子量MWを有している。適当なジフェノールの例
にはハイドロキノン、レゾルシノール、4.4′−ジヒ
ドロキシジフェニル、ビス−(ヒドロキシ−フェニル)
−アルカン例えばC1〜c8−アルキレン−もしくはC
2〜C++−アルキリデン−ビス−フェノール、ビス−
(ヒドロキシフェニル)−シクロアルキレン例えばC
s ”− 0 1s−シクロアルキレン−もしくはC2
〜C++−シフ0アルキリデンービスフエノール、ビス
−(ヒドロキシフェニル)スルフ1イド、エーテル、ケ
トン、スルホキシドまたはスルホン、並びに更にα,α
′−ビス−(ヒドロキシフェニル)−ジイソプロピルベ
ンゼン及び対応する核アルキル化されるが、または核ハ
ロゲン化された化合物がある。2.2−ビス=(4−ヒ
ドロキシフェニル)−プロパン(ビスフェノールA>、
2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジクロ0−
フェニル)−10パン(テ1ーラクUロビスフェノール
A)、2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジブ
0モフエニル)−プロパン(テトラプロモビスフ1ノー
ルA)、2.2−ビス−(4−ヒト0キシ−3.5−ジ
メチル−フェニル スフェノールA)及び1.1−ビス=(4−ヒドロキシ
フェニル)−シクロヘキサン(ビスフェノールZ)をベ
ースとするポリカーボネート、並びに三核のビスフェノ
ール例えばα,α′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル
)−〇ージイソ/ロビルベンゼンをベースとするものが
好ましい。
中にて25℃及び0.5重量%のa度ぐの相対粘度を測
定することによりめられる10、000乃至100,0
00間、好ましくは20、000乃至40.000間の
平均分子量MWを有している。適当なジフェノールの例
にはハイドロキノン、レゾルシノール、4.4′−ジヒ
ドロキシジフェニル、ビス−(ヒドロキシ−フェニル)
−アルカン例えばC1〜c8−アルキレン−もしくはC
2〜C++−アルキリデン−ビス−フェノール、ビス−
(ヒドロキシフェニル)−シクロアルキレン例えばC
s ”− 0 1s−シクロアルキレン−もしくはC2
〜C++−シフ0アルキリデンービスフエノール、ビス
−(ヒドロキシフェニル)スルフ1イド、エーテル、ケ
トン、スルホキシドまたはスルホン、並びに更にα,α
′−ビス−(ヒドロキシフェニル)−ジイソプロピルベ
ンゼン及び対応する核アルキル化されるが、または核ハ
ロゲン化された化合物がある。2.2−ビス=(4−ヒ
ドロキシフェニル)−プロパン(ビスフェノールA>、
2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジクロ0−
フェニル)−10パン(テ1ーラクUロビスフェノール
A)、2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3.5−ジブ
0モフエニル)−プロパン(テトラプロモビスフ1ノー
ルA)、2.2−ビス−(4−ヒト0キシ−3.5−ジ
メチル−フェニル スフェノールA)及び1.1−ビス=(4−ヒドロキシ
フェニル)−シクロヘキサン(ビスフェノールZ)をベ
ースとするポリカーボネート、並びに三核のビスフェノ
ール例えばα,α′−ビス−(4−ヒドロキシフェニル
)−〇ージイソ/ロビルベンゼンをベースとするものが
好ましい。
ポリカーボネートの製造に適する他のビスフェノールは
米国特許第3028365号、同第2999835号、
同第3148172号、同第2970131号、同第2
991273号、同第3271367@及び同第299
9846号に記載されている。
米国特許第3028365号、同第2999835号、
同第3148172号、同第2970131号、同第2
991273号、同第3271367@及び同第299
9846号に記載されている。
ホスファン−の添加はいずれかの所望の方法で行い得る
が、例えばポリカーボネートの製造中、特に安定剤が比
較的低温′c原液体あるため、連続的に行うことが有利
である。この場合、ボスファンは製造の終了期中に適当
な運搬ポンプを介して連続的に導入することができ、そ
の際に溶融したボリカーボネートは貞空下の運搬用スク
リュー中にて連続的に溶媒から除去する。また勿論更に
ポリカーボネー1−をその製造後に例えばいわゆるタン
プリング(tumb目119)により安定化することが
でき;この方法は水明1書の実施例に述べられ−(おり
、そしC文献から公知である。
が、例えばポリカーボネートの製造中、特に安定剤が比
較的低温′c原液体あるため、連続的に行うことが有利
である。この場合、ボスファンは製造の終了期中に適当
な運搬ポンプを介して連続的に導入することができ、そ
の際に溶融したボリカーボネートは貞空下の運搬用スク
リュー中にて連続的に溶媒から除去する。また勿論更に
ポリカーボネー1−をその製造後に例えばいわゆるタン
プリング(tumb目119)により安定化することが
でき;この方法は水明1書の実施例に述べられ−(おり
、そしC文献から公知である。
用いるホスフアンの量は各々熱可塑性ポリカーボネー1
−及びホスフアンの全量を基準として0゜01乃至1重
量%間、好ましくは0.02乃至0゜5重量%間、殊に
0.05乃至0.2重量%間である。
−及びホスフアンの全量を基準として0゜01乃至1重
量%間、好ましくは0.02乃至0゜5重量%間、殊に
0.05乃至0.2重量%間である。
また本発明により処理されるポリカーボネー1〜は例え
ば′ft、Cん剤、染料、顔料及び/または他の安定剤
の如き公知の添加剤を含むことができる。
ば′ft、Cん剤、染料、顔料及び/または他の安定剤
の如き公知の添加剤を含むことができる。
また本発明により処理される熱用塑性ポリカーボネート
は公知の方法で他の熱プラスチック、例えばABS重合
体、ポリスチレン、ポリアリーレン−スルホンまたはポ
リアルキレンテレフタレートと混合することができる。
は公知の方法で他の熱プラスチック、例えばABS重合
体、ポリスチレン、ポリアリーレン−スルホンまたはポ
リアルキレンテレフタレートと混合することができる。
本発明により処理されるポリカーボネ−1−は製造され
た成形製品が比較的長時間高温に曝されるタベての場合
、そして加えて高い透明性が要求されるずべ−(の製品
に使用される。このものは光の分野、例えばランプのカ
バーまたはボリノJ−ボネートシー1〜を用いるつや出
し加工(glaZill(1)に用いることが好ましい
。
た成形製品が比較的長時間高温に曝されるタベての場合
、そして加えて高い透明性が要求されるずべ−(の製品
に使用される。このものは光の分野、例えばランプのカ
バーまたはボリノJ−ボネートシー1〜を用いるつや出
し加工(glaZill(1)に用いることが好ましい
。
実施例に示される部は重量部である。
ボリノJ−ボネートの 告
2.2−ビス−(p−ヒトUギシフェニル)=プロパン
454部及びl) −tel”t−ブチルフェノール2
.5部を1覧拌;幾及びガス導入管を備えた五ツロフラ
スコ中で水1.51に懸濁ざ11次に窒素を攪拌しなが
ら15分間反応混合物に通ずことにより酸素を反応混合
物から除去した。次に4596水酸化す1ヘリウム溶液
355部及び環化メチレン1.000部を加えた。この
混合物を25℃に冷111 L/た。冷fJI L、て
この温度を保持しながらホスゲン237部を120分間
にわたって導入した。追加の量の45%水酸化す1〜リ
ウム溶il& 75部を10〜30分後か、またはホス
ゲンの取り込みが開始した後に加えた。生じた溶液にト
リ1チルアミン1.6部を加え、そしてこの混合物を更
に15分間攪拌しIこ。高度に粘稠な溶液が1りられ、
塩化メチレンを加えCその粘度を調節した。水相を除去
した。塩及びアルカリが除去されるまで右機相を水で洗
浄した。ポリカーボネートを洗浄液から単離し、そして
乾燥した。このボリアJ−ボネートは0.5%塩化メチ
レン溶液中にて20℃で測定した際に′1.29〜1.
30の相対粘度を右しでいた。これはほぼ分子m32.
000に相当する。
454部及びl) −tel”t−ブチルフェノール2
.5部を1覧拌;幾及びガス導入管を備えた五ツロフラ
スコ中で水1.51に懸濁ざ11次に窒素を攪拌しなが
ら15分間反応混合物に通ずことにより酸素を反応混合
物から除去した。次に4596水酸化す1ヘリウム溶液
355部及び環化メチレン1.000部を加えた。この
混合物を25℃に冷111 L/た。冷fJI L、て
この温度を保持しながらホスゲン237部を120分間
にわたって導入した。追加の量の45%水酸化す1〜リ
ウム溶il& 75部を10〜30分後か、またはホス
ゲンの取り込みが開始した後に加えた。生じた溶液にト
リ1チルアミン1.6部を加え、そしてこの混合物を更
に15分間攪拌しIこ。高度に粘稠な溶液が1りられ、
塩化メチレンを加えCその粘度を調節した。水相を除去
した。塩及びアルカリが除去されるまで右機相を水で洗
浄した。ポリカーボネートを洗浄液から単離し、そして
乾燥した。このボリアJ−ボネートは0.5%塩化メチ
レン溶液中にて20℃で測定した際に′1.29〜1.
30の相対粘度を右しでいた。これはほぼ分子m32.
000に相当する。
か<−U得られたポリカーボネー1〜を押出、そして造
粒した。
粒した。
適当ならば上記で製造した粒状ポリカーボネー(−を実
施例に示した安定剤と共にZSK32押出n上に【27
0℃e粉砕した。生成物を殊にa)300℃の設定温度
にて通常の射出成形装置上、そしてb)約305℃の材
料温度に苅応づる、295℃(ノズル>、290℃、2
75℃及び295 ”Cの設定温度にて脱揮発化装置上
で広い棒に割出成形した。
施例に示した安定剤と共にZSK32押出n上に【27
0℃e粉砕した。生成物を殊にa)300℃の設定温度
にて通常の射出成形装置上、そしてb)約305℃の材
料温度に苅応づる、295℃(ノズル>、290℃、2
75℃及び295 ”Cの設定温度にて脱揮発化装置上
で広い棒に割出成形した。
皮号IW 1
組成:非安定化ポリカーボネート
ΔCY(+1) ΔΔC
処理のタイプ YB YB
N 1.8 89.3% 1.4
DV 3.2 88.8%
比較例 2
組成:ボリカーボネー1〜+0.1%
Ct HS
履
△ Y(b) Δ△C
処理のタイプ YB YB
N 1.9 89.4% 0.8
L)v 2.7 86%
比」交」1−−2」−(出発生成物が異なる以外は比較
例2と同様) △CY(1+) △△C 処理のタイプ YB 、yB N 1.0 − 0.4 DV 1.4 − 衷U 組成:ボリカーボネーh+0.2% P (C6H5)
3 △CY(1+) △ΔC 埋のタイ7 YB YB N 2.0 − 0.6 DV 2.++ − 大[ 組成:ボリカーボネ−1〜+0.1% P(C6H5)
3 ΔCY(b) △ΔG 処理のタイプ Y[3YB N 1,2 − 0.I DV j、3.− 記号の説明: △C二十黄色変位(deviation ) 、−青色
変位、FMC−nによる、中性に対して測定 △△C:”YB(脱揮発化射出成形) YB ”YB(通常の射出成形) Y(Il!補正した透明度 N:通常の割出成形 DV:脱揮発化射出成形 FMC−II : Fr1ele、MacAdams及
びQl+1ck−el・1■による色調分離式 特許出願人 バイエル・アクチェンゲゼル第1頁の続き 0発 明 者 クラウス・キルヒヤー ドイツ連邦共和
ル−トークビン 0発 明 者 ウ ド ・ エ ルス アメリカ合衆国
イブ3908 1デー−5090レーフエルクーゼン・アルフーシュト
ラーセ 3
例2と同様) △CY(1+) △△C 処理のタイプ YB 、yB N 1.0 − 0.4 DV 1.4 − 衷U 組成:ボリカーボネーh+0.2% P (C6H5)
3 △CY(1+) △ΔC 埋のタイ7 YB YB N 2.0 − 0.6 DV 2.++ − 大[ 組成:ボリカーボネ−1〜+0.1% P(C6H5)
3 ΔCY(b) △ΔG 処理のタイプ Y[3YB N 1,2 − 0.I DV j、3.− 記号の説明: △C二十黄色変位(deviation ) 、−青色
変位、FMC−nによる、中性に対して測定 △△C:”YB(脱揮発化射出成形) YB ”YB(通常の射出成形) Y(Il!補正した透明度 N:通常の割出成形 DV:脱揮発化射出成形 FMC−II : Fr1ele、MacAdams及
びQl+1ck−el・1■による色調分離式 特許出願人 バイエル・アクチェンゲゼル第1頁の続き 0発 明 者 クラウス・キルヒヤー ドイツ連邦共和
ル−トークビン 0発 明 者 ウ ド ・ エ ルス アメリカ合衆国
イブ3908 1デー−5090レーフエルクーゼン・アルフーシュト
ラーセ 3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、熱r11塑性ポリカーボネート紺成物が一般式(1
) %式%() 式中、Rは未置換であるか、もしくは置換されたC&〜
C14−アリール基であり、そして1(1は未置換であ
るか、もしくは置換された06〜N−アリール基または
未置換rあるか、もしくは置換されたC1〜C111−
アルキル基である、 のホスファンを含んでなる、脱揮鈍化射出成形または脱
揮発化押出工程によるポリカーボネート成形製品の製造
方法。 2、基Rがアルギル、ハロゲンまたはとドロキシで@p
Aされる、特許請求の範囲第1項記載の方法。 3、基RLがヒドロキシ、アルキル13ルボキシル、シ
アンまたはフェニルで置換される、特許請求の範囲第1
〜2項のいずれかに記載の方法。 4、ポリカ−ボネート−が10.000乃至i oo。 000間の平均分子銀を右する、特許請求の範囲第1〜
3項のいずれかに記載の7j法。 5、ホスファン(I)を、ポリカーボネート及びホスフ
ァンの全重量を基準として0.01乃至1重量%間の量
で用いる、特許請求の範囲第1〜4項のいずれかに記載
の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3332065.9 | 1983-09-06 | ||
| DE19833332065 DE3332065A1 (de) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | Verfahren zur herstellung von stabilisierter plycarbonat-formkoerper nach dem entgasungsspritzguss- oder dem entgasungsextrusionsverfahren |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090254A true JPS6090254A (ja) | 1985-05-21 |
| JPH0216932B2 JPH0216932B2 (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=6208338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59182896A Granted JPS6090254A (ja) | 1983-09-06 | 1984-09-03 | ポリカ−ボネ−ト成形製品の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4627949A (ja) |
| EP (1) | EP0143906B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6090254A (ja) |
| AT (1) | ATE27824T1 (ja) |
| DE (2) | DE3332065A1 (ja) |
| ES (1) | ES535663A0 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001115003A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-24 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ポリカーボネート樹脂組成物 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6231801A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Teijin Chem Ltd | 光学用成形品 |
| DE3908598A1 (de) * | 1989-03-16 | 1990-09-20 | Bayer Ag | Formtrennmittel fuer poly(ester)carbonate |
| US4980105A (en) * | 1989-08-28 | 1990-12-25 | General Electric Company | Method for extruder devolatilization of spiro(bis)indane polycarbonates |
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| EP2090605B1 (de) | 2008-02-13 | 2011-07-13 | Bayer MaterialScience AG | Verfahren zur Herstellung von Polycarbonaten |
| DE102008011473A1 (de) | 2008-02-27 | 2009-09-03 | Bayer Materialscience Ag | Verfahren zur Herstellung von Polycarbonat |
| DE102008012613A1 (de) | 2008-03-05 | 2009-09-10 | Bayer Materialscience Ag | Verfahren zur Herstellung von Polycarbonat nach dem Phasengrenzflächenverfahren |
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