JPS6090340A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS6090340A JPS6090340A JP19834083A JP19834083A JPS6090340A JP S6090340 A JPS6090340 A JP S6090340A JP 19834083 A JP19834083 A JP 19834083A JP 19834083 A JP19834083 A JP 19834083A JP S6090340 A JPS6090340 A JP S6090340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- selenium
- photoreceptor
- germanium
- tellurium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は、電子写真用感光体に関する。
従来技術
従来、導電性支持体上に光導電層を有する電子写真用感
光体としては、ゲルマニウム（Ｇａ）？ａｔ％以下含以
セレン−ゲルマニウム（Ｓｅ −Ｑｅ ）系のものある
いは導電性基体上の光導電層が二層からなり、下層がセ
レン−テルル−ゲルマニウム（Ｓｅ−Ｔｅ −Ｇｅ）ま
たはケイ素（Ｓｌ）層、上層が５ｅ−ＧｅまたはＳｉ層
からなる電子写真感光体が公知である。しかし、これら
の感光体は感度不十分あるいは結晶化という難点があっ
た。
光体としては、ゲルマニウム（Ｇａ）？ａｔ％以下含以
セレン−ゲルマニウム（Ｓｅ −Ｑｅ ）系のものある
いは導電性基体上の光導電層が二層からなり、下層がセ
レン−テルル−ゲルマニウム（Ｓｅ−Ｔｅ −Ｇｅ）ま
たはケイ素（Ｓｌ）層、上層が５ｅ−ＧｅまたはＳｉ層
からなる電子写真感光体が公知である。しかし、これら
の感光体は感度不十分あるいは結晶化という難点があっ
た。
目 的
この発明は、１５〜３０枚／分程度の中速複写機及びカ
ラー複写機に使用できる高感度で。
ラー複写機に使用できる高感度で。
結晶化し勤い感光体を得ることを目的としている。
構成
上記目的を達成するためのこの発明の構成は、導電性支
持体上に光導電層を有する電子写真用感光体において、
光導電層が三層からなり、下部層が非晶質セレン（Ｓｅ
）層またはヒ素（Ａｓ ）含有ｆｌｌ Ｏ，５〜ｓｗ
ｔ％のセレンーヒ素（Ｓｅ −Ａｓ ）層、第二層がテ
ルル（Ｔｅ）含有量８〜２５ｗｔ％のセレンーテルル（
Ｓｅ −Ｔｅ ）層で上部層がゲルマニウム（Ｇｅ）含
イｊ？ｉ！ ｌ〕）（１，０１〜１ｗｔ％のセレンーケ
ルマニウム（Ｓｅ −Ｇｃ ）層であることを特徴とす
る電子η真用感光体である。
持体上に光導電層を有する電子写真用感光体において、
光導電層が三層からなり、下部層が非晶質セレン（Ｓｅ
）層またはヒ素（Ａｓ ）含有ｆｌｌ Ｏ，５〜ｓｗ
ｔ％のセレンーヒ素（Ｓｅ −Ａｓ ）層、第二層がテ
ルル（Ｔｅ）含有量８〜２５ｗｔ％のセレンーテルル（
Ｓｅ −Ｔｅ ）層で上部層がゲルマニウム（Ｇｅ）含
イｊ？ｉ！ ｌ〕）（１，０１〜１ｗｔ％のセレンーケ
ルマニウム（Ｓｅ −Ｇｃ ）層であることを特徴とす
る電子η真用感光体である。
この発明の１１４成を図面を参照して具体的に説明づる
ど、 導電性支持体１はアルミニウム（ＡＩ＞板で、その上に
ある下部層２は電荷保持層（ＣＴ Ｌ ）である。その
材料はＳｅまたはＡｓ含＠量０，５〜５ｗｔ％の５ｅ−
Ａ３合金で、その膜厚は３０〜１００７１＋＋＋、好ま
しくは４０〜７０μｍである。
ど、 導電性支持体１はアルミニウム（ＡＩ＞板で、その上に
ある下部層２は電荷保持層（ＣＴ Ｌ ）である。その
材料はＳｅまたはＡｓ含＠量０，５〜５ｗｔ％の５ｅ−
Ａ３合金で、その膜厚は３０〜１００７１＋＋＋、好ま
しくは４０〜７０μｍである。
このｌ；部層２の上に第二層３があり、これは電荷発生
層（ＣＧ Ｌ ）である。この電荷発生層３はＳｅ−’
ｌ−ａ合金でＴｅを８〜２５ｗｔ％含有している。ｊ−
ｅは添加量が多い稈長波長増感が可能であるが、２５ｗ
ｔ％を越えて添加した場合には１０減哀が著しく増大し
、電荷保持という性能では実用上の問題が生じ、繰返し
疲労も現われるので好ましくない。
層（ＣＧ Ｌ ）である。この電荷発生層３はＳｅ−’
ｌ−ａ合金でＴｅを８〜２５ｗｔ％含有している。ｊ−
ｅは添加量が多い稈長波長増感が可能であるが、２５ｗ
ｔ％を越えて添加した場合には１０減哀が著しく増大し
、電荷保持という性能では実用上の問題が生じ、繰返し
疲労も現われるので好ましくない。
ＴＯの添加量が８Ｗ１％未満では、カラー複写機に使用
することを考えた場合、所望の感度を得ることができな
い。
することを考えた場合、所望の感度を得ることができな
い。
以上の点からＴｅの添加量は８〜２５ｗｔ％が適当であ
る。
る。
上部層４は電荷保持能力を保障することと耐結晶性を高
めることを目的としている。その組成において、Ｇｅ添
加量は０．０１〜Ｉｗｔ％である。Ｇｅ添加量が０，０
１ ｗｔ％未満では耐結晶性効果はあまり望めず、ｉｗ
ｔ％を越えると感度が低下し、所望の感度を得ることか
できない。
めることを目的としている。その組成において、Ｇｅ添
加量は０．０１〜Ｉｗｔ％である。Ｇｅ添加量が０，０
１ ｗｔ％未満では耐結晶性効果はあまり望めず、ｉｗ
ｔ％を越えると感度が低下し、所望の感度を得ることか
できない。
以下この発明を実施例によって説明する。
実施例１
真空蒸着装置内に長さ３４０ｍｍ 、直径１２０ｍｍの
アルミニウム製のドラムをセットし、基体温度を７５℃
に保持した。同蒸着装置内にステンレス円筒ボー１へを
３本用意し、そのうちの１本にＳｅを１４５ｇｒ 、他
の一本に３ｅ −Ｔｅ合金（Ｔｅ；１８ｗｔ％）を１８
ｇｒ１残りの１本に５ｅ−Ｇｅ合金（Ｑｅ ； ０．５
ｗｔ％）を１．８ｇｒ投入し、與空曳３〜５ ｘ １Ｏ
−５ｔｏｒｒにおいてＳｅ 、 Ｓｅ −Ｔｃ 、 Ｓ
ｅ −Ｇｅ （１）順に蒸着を行い感光体を１！１冒こ
。
アルミニウム製のドラムをセットし、基体温度を７５℃
に保持した。同蒸着装置内にステンレス円筒ボー１へを
３本用意し、そのうちの１本にＳｅを１４５ｇｒ 、他
の一本に３ｅ −Ｔｅ合金（Ｔｅ；１８ｗｔ％）を１８
ｇｒ１残りの１本に５ｅ−Ｇｅ合金（Ｑｅ ； ０．５
ｗｔ％）を１．８ｇｒ投入し、與空曳３〜５ ｘ １Ｏ
−５ｔｏｒｒにおいてＳｅ 、 Ｓｅ −Ｔｃ 、 Ｓ
ｅ −Ｇｅ （１）順に蒸着を行い感光体を１！１冒こ
。
膜厚は５ｅｐ７４が５０μｍ ５Ｓｅ−７ｅ層が５μ、
５Ｏ−ａａｈηが０．５μｍになるように投入ｎ／！：
決めＩζ。？Ａ着湿温度Ｓｅは２８０℃、５ｅ−１（！
ハ３：Ｅ’Ｃ，５ｅ−Ｇｅは３００℃で行った。
５Ｏ−ａａｈηが０．５μｍになるように投入ｎ／！：
決めＩζ。？Ａ着湿温度Ｓｅは２８０℃、５ｅ−１（！
ハ３：Ｅ’Ｃ，５ｅ−Ｇｅは３００℃で行った。
実施例２
実施例１ど１１ｊ１じ方法で蒸義を行った。ただし、各
村Ｈの投入ωは下記のとおりであった。
村Ｈの投入ωは下記のとおりであった。
投入ｍ 膜厚
５ｅ−Ａｓ（Δｓ；Ｉｗｔ％） １４５ｇ・・−＋＋
５０μｍ３ｅ −１−ｅ（１’ａ ； １４ｗｔ％）
１０．８ｇ−３Ｈｎ３ｅ Ｇｅ （Ｇｅ ； ｉｗｔ％
） ３，６ｏ−１μｍ比較例 蒸る用ボー；・２本を用意し、それぞれに下記の材料を
投入し、実施例１と同じ圧力、同じ温度で同様な蒸着を
行った。
５０μｍ３ｅ −１−ｅ（１’ａ ； １４ｗｔ％）
１０．８ｇ−３Ｈｎ３ｅ Ｇｅ （Ｇｅ ； ｉｗｔ％
） ３，６ｏ−１μｍ比較例 蒸る用ボー；・２本を用意し、それぞれに下記の材料を
投入し、実施例１と同じ圧力、同じ温度で同様な蒸着を
行った。
投入量 膜厚
Ｓ ｅ １４５（］−・＝ ５０μｍ
Ｓｃ −Ｔｃ （Ｔｅ ：１４ｗｔ％ ） １ｅｇ−・
・＝ ５μｍ以１説明した実施例１、実施例２および比
較例によって得られた感光体を温度５０℃の大気中に放
置し、耐結晶性試験をした。
・＝ ５μｍ以１説明した実施例１、実施例２および比
較例によって得られた感光体を温度５０℃の大気中に放
置し、耐結晶性試験をした。
その結果は第２図に示したとおりである。
すなわち、実施例１に示した方法で製造された感光体は
点線で示したとおり、実施例２の方法で製造された感光
体は一点鎖線５．６で示したとおり、実線１で示した比
較例の方法で製造された感光体に比較して、結晶核の生
成数は小さい。これからこの発明の感光体は耐結晶性が
優れていることがわかる。
点線で示したとおり、実施例２の方法で製造された感光
体は一点鎖線５．６で示したとおり、実線１で示した比
較例の方法で製造された感光体に比較して、結晶核の生
成数は小さい。これからこの発明の感光体は耐結晶性が
優れていることがわかる。
静電特性の変化は第１表および第２表に示すとおりであ
る。
る。
第１表は５０℃の大気中における帯電電位（ＶＭ）の経
時変化を示づ−０ 第１表 Ｖｍ （帯電電位）；４０１１Ａのコロナ電流で２０秒
間帯電させた時の表面電位。
時変化を示づ−０ 第１表 Ｖｍ （帯電電位）；４０１１Ａのコロナ電流で２０秒
間帯電させた時の表面電位。
第２表は、５０°０の大気中にお【ノる５ＰＬ（赤感度
）の経１１へ変化を示したものである。
）の経１１へ変化を示したものである。
Ｓ、（赤感僚）；富士フィルム製５Ｃ−６０のフィルタ
ーを通し、露光強度８０μＷ／ ｃｍ２の光に４３いて、表面電位が １ｏｏｏｖから１００ｖまで光減衰する効 果 のに必
要な時間。
ーを通し、露光強度８０μＷ／ ｃｍ２の光に４３いて、表面電位が １ｏｏｏｖから１００ｖまで光減衰する効 果 のに必
要な時間。
以上説明しＩＣように、この発明の′Ｗｉ電電位Ｊ５よ
び感度の経時変化が小さく耐結晶性に優れている。
び感度の経時変化が小さく耐結晶性に優れている。
第１図は、この発明の感光体の層の構造を拡大した断面
で示した構造図、 第２図はこの発明の実施例１、実施例２および比較例で
製造した感光体の耐結晶性を比較したグラフをそれぞれ
示す。 １・・・アルミニウム基体、２・・・下部層、３・・・
第二層、４・・・上部層、 ５・・・実施例１の方法で製造した光導電体の結晶核生
成数を示す線、 ６・・・実施例２の方法で製造した光導電体の結晶核生
成数を示す線、 ７・・・比較例の方法で製造した光導電体の結晶核生成
数を示す線、 特許出願人 株式会社リ コ − 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 代理人 弁理士 旭 宏 矛 １ 図 ］１喜 矛２図 ノ７ ノ６ ノ５ 卿釦 〆１ ）
で示した構造図、 第２図はこの発明の実施例１、実施例２および比較例で
製造した感光体の耐結晶性を比較したグラフをそれぞれ
示す。 １・・・アルミニウム基体、２・・・下部層、３・・・
第二層、４・・・上部層、 ５・・・実施例１の方法で製造した光導電体の結晶核生
成数を示す線、 ６・・・実施例２の方法で製造した光導電体の結晶核生
成数を示す線、 ７・・・比較例の方法で製造した光導電体の結晶核生成
数を示す線、 特許出願人 株式会社リ コ − 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 代理人 弁理士 旭 宏 矛 １ 図 ］１喜 矛２図 ノ７ ノ６ ノ５ 卿釦 〆１ ）
Claims (1)
- 導電性支持体上に光導電層を有する電子写真用感光体に
おいて、光導電層が三層がらなり、ｌ：部１１゛りが非
晶質レレン層またはヒ素含有吊０．５〜！ｉＷＩ％のセ
レンーヒ素層、第二層がテルル含有量８〜２５ｗｔ％の
セレン−テルル層で上部層がゲルマニウム含有ｍが０．
０１〜Ｉｗｔ％のセレン−ゲルマニウム層であることを
特徴と覆る電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19834083A JPS6090340A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19834083A JPS6090340A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090340A true JPS6090340A (ja) | 1985-05-21 |
Family
ID=16389488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19834083A Pending JPS6090340A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090340A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01229259A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-12 | Seikosha Co Ltd | 感光体 |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP19834083A patent/JPS6090340A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01229259A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-12 | Seikosha Co Ltd | 感光体 |
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