JPS6091672A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体本体を具える集積回路を有する半導体
装１ａであって、＾１１記の半導体本体の表面に、順次
に設けられた第１．第２および第３の少くともａつの結
線層を有する多層結線装賄が設けられ、これら結線層は
絶縁層により互いに分離されて卦り、第３結線層と集積
回路の一部を形成する領域との間に第１の接点か形成さ
れ、前記の領域は第１結線層が設けられる前に既に決定
されており、この領域は誘電体層により被ωされ、この
ｔｌＮ体層は前記の領域上に且つこの領域の縁部を越え
て半導体本体の表面上に延在し、この誘電体層中には第
１の接点用の第１の接点窓が形成されている半導体装置
を製造する方法に関するものである。

第１および第２結線層は例えば多結晶珪素を以って構成
し、第８結線層はアルミニウム（ＡＪ）のパターンを以
って構成しうる。この場合所望に応じ、多結晶珪素を適
当な材料で合金化することによりこの多結晶珪素を珪化
物に変換しうる。結線層間の絶縁層は多結晶珪素を酸化
することにより得た酸化珪素を以って構成しうる。第１
および第２結線層に対しては例えはモリブデン（ＭＯ）
或いはアルミニウムのような多結晶珪素以外の適当な材
料を用いることもできる。第３結線層が接触される前記
の領域は半導体本体中の拡酸区域とすることができる。

しかし、多くの場合、この領域は第１結線層を設ける前
に（第１結線層の下側に）設けられた結線層の一部を以
って構成され、例えば電界効果トランジスタ或いは電荷
結合袋層のような絶縁ゲート電界装酒のゲート電極より
成る。

半導体装置の横方向寸法はますます減少する傾向にある
為、誘電体層（殆んどの場合酸化物層）に接点窓を設け
る工程は極めて臨界的である。追加の手段を講じない場
合には、しはしば、整合（アライメント）誤差の為に或
いは過度に艮〜・腐食処理の為に、接点を形成すべきＡ
ｆｔ記の領域の上の酸化物のみならずこの領兜の側力の
酸化物も除去され、従ってアルミニウム接点を設ける際
に短絡か生じる。ある場合、例えば接点全形成すべき前
記の領域の幅が約Φμｍで、接点窓の幅も約４μｍであ
る場合には、上述した理由で、追加の手段を講じること
なく満足に作動する回路をｎ」成りの歩留りで製造する
ことは実際的に不可能である。

一般には、接点を形成すべき前記の領域がマスクの最小
接点孔の幅と、アンダーエツチング（下側腐食）距離と
、整合誤差との合計よりも小さい場合には、接点を設け
ることができない。

接点を形成すべき領域が下側の多結晶珪素或℃・は金属
の層より成る場合には、多結晶珪素或いは金属の下側の
窒化珪素層の形態のいわゆるエツチングバリアを用い、
この窒化珪素層を、接点を形成すべき領域の縁部を越え
て延在させることにより前述した問題を無くすことがで
きる。このような方法は特に米国特許第４，３０６，８
５８号明細書に記載されている。この既知の方法の場合
、大部分の処理工程で処理の適合を行なう必要があると
いう欠点が生じる。特にこの既知の方法では殆Ｘ７どの
場合追加の窒化物層を必要とし、従っていかなる場合に
も榎雑となる処理の工程数が一層多くなる。

本発明の目的は、接点窓があ１りにも大きくなることに
よる或いは接点窓の整合誤りによる不所望な短絡を、追
加の処理工程を必要としない方法で無くすようにした前
述した種類の半導体装置の製造方法を提供せんとするに
ある。本発明は特に、エツチングバリアを２つの層に形
成し、各層が接点を形成すべき領域の一方の縁部のみを
被０するようにすれば、接点を形成すべき領域の縁部が
常に被穆され、マスクの開口の寸法はマスクのいかなる
区域においても４μｍよりも小さくする必要がないとい
う事実を確かめ、かかる認識を基に成したものである。

本発明は更に、前記の２つの層を前記の第１および第２
結線層と同時に設けうるという事実の認識を基に成した
ものである。

本発明は、半導体本体を具える集積回路を有する半導体
装置であって、前記の半導体本体の表面に％順次に設け
られた第１Ｉ第２および第８の少くとも８つの結線層を
有する多１−結線善置が設けられ、これら結線層は絶縁
層により互い罠分離されており、第８結線層と集積回路
の一部を形成する領域との間に第１の接点が形成され、
前記の領域は第１結線層が設けられる前に既に決定され
ており、この領域は誘電体層により複核され、この誘電
２体層は前記の領域上に且つこの領域の縁部を越えて半
導体本体の表面上に延在し、この誘電体層中には第１の
接点用の第１の接点窓が形成されている半導体装置を製
造するに当り、第１の接点を設けるべき区域に、誘電体
層に対して選択的に腐食しうる材料である第１結線層と
同じ材料の第１パターンを第１結線層と同時に形成し、
この第１パターンにより前記の領域の第１縁部を被覆し
、同じく誘電体層に対して選択的に腐食しうる材料であ
る第２結線ＩＱと同じ材料の第２パターンを第２結線層
と同時に形成し、この第２パターンは前記の第１縁部と
は反対側に位置する前記の領域の第２Ｒ部を被覆し、そ
の後に前記の第１および第２パターンを有するマスクを
用いて誘電体層中に第１の接点窓を設けることを特徴と
する。

接点を形成すべき領域の２つの対向する縁部に設ける第
１および第２結線層を用いると、第１および第２結線層
に大きな寸法の開口をあけても、接点を形成すべき領域
上の誘電体層に極めて小さな接点孔（窓）を形成するこ
とができる。

第１および第２パターンの双方またはいずれか一方の整
合誤りＫより（従って接点窓が完全に閉じることにより
）接点が形成されなくなるのを防止する好適例では、前
記の第１の接点の側方で前記の第８結線層と前記の領域
との間に第２の接点を形成し、この目的の為に前記の領
域の前記の第２縁部を被覆する第８パターンを第１結線
層中に第１パターンと同時に形成し、前記の領域の第１
縁部を被覆する第４パターンを第２結線層中に第２パタ
ーンと同時に形成し、第２の接点を設けるべき区域で、
第８および第４パターンを有する腐食マスクを用いて第
２の接点窓を前記の第１の接点窓と同時に誘電体層中に
設ける。

本発明は更に、半導体本体の表面に形成された集積回路
を具える半導体装置であって、前記の表面には、絶縁層
により互いに分離され順次に設けられた第１．第２およ
び第８結線層を有する多層結線装置が設けられ、第８結
線層と集積回路の領域との間に接点が形成され、前記の
領域は第１結線層が設けられる前に形成され且つ誘電体
層で被覆されており、との誘電体層は前記の領域上に且
つこの領域の縁部を越えて半導体本体の表面上に延在し
、この誘電体層内に接点窓が形成されている半導体装置
に関するものである。

本発明は、半導体本体の表面に形成された集積回路を具
える半導体装置であって、前記の表面には、絶縁層によ
り互いに分離され順次圧設けられた第１．第２および第
８結線層を有する多層結線装置が設けられ、第８結線層
と集積回路の領域との間に接点が形成され、前記の領域
は第１結線層が設けられる前に形成され且つ誘電体層で
被覆されており、この誘電体層は前記の領域上に且つこ
の領域の縁部を越えて半導体本体の表面上に延在し、と
の誘電体層内に接点窓が形成されている半導体装置にお
いて、接点の区域で、誘電体層に対して選択的に腐食し
うる材料である第１結線層と同じ材料より成り前記の領
域の第１縁部を被覆するｍｌパターンが形成されており
、同じく誘電体層に対して選択的に腐食しうる材料であ
る第２結線層と同じ材料より成る第２パターンが形成さ
れており、これら第１および第２パターン間の空間によ
り誘電体層中の前記の接点窓が画成されていることを特
徴とする。

本発明は特に、細長状の幅狭クロック電極をセンサ了レ
イのいずれの側でもクロックライン＆Ｃ接続した二次元
イメージセンサのような電荷結合装置にとって重要なも
のである。この場合一般に少くとも一方のクロックライ
ンのクロック電極に上側のアルミニウム層により接点を
形成する必要がある。本発明はこのようなセンサを設け
たカメラにも関するものである。

図面につき本発明を説明する。

本発明をＣＴＤイメージセンサにつき説明するに、その
原理的回路図を第１図に示す。このイメージセンサｌは
一般に知られているフレーム転送（Ｆ、　Ｔ、　）型で
あり、縦方向すなわち列方向に延在する多数のＣＯＤチ
ャネル２を有する。斜線を付していない部分Ａは記告部
分を構成し、この記録部分には像が照射され、この像が
電荷パケットに変換されうる。斜線を付した部分Ｂは蓄
積部分を構成し、この蓄積部分には記録部分Ａで生せし
められた電荷パケットの群を蓄積しうる。入射光による
蓄積情報の変化を無くす為に、この部分Ｂに反射或いは
吸収遮蔽層を設けることができる。蓄積電荷は水平のレ
ジスタＣにより読取ることができ、このレジスタＣには
部分Ｂに蓄積された情報を行毎に転送せしめうる。

このようなセンサの詳細なる説明に関しては、１９８２
年に東京で開催されたソリッドステート装置に関する第
１４回会議の会報”　Ｊｏｕｒｎａｌ　Ａｐｐｌ。

Ｐｈｙｓ、　２　Ｚ　、　５ｕｐｐ１．２２−１″′の
第１０９〜１１２頁の章”　Ｈｉｇｈ　ｄｅｎｓｉｔｙ
　ｆｒｅｍｅ　ｔｒａｎｓｆｅｒｉｍａｇｅ　５ｅｎｓ
ｏｒ　”を参照しうる。

第１図は、−例として４相装置として構成したイメージ
センサ装置の４つのクロック電極を示す６・これらクロ
ック電極＋１１．４．５および６の各々はクロック電圧
φ□〜φ、の１つによりクロックラインを経て駆動され
る。

列（チャネル）２の数は多い為（一般に少くとも数び）
、マトリックスＡ／Ｂを駆動するクロック１極は極めて
長くなるおそれがある。また、これらクロック電極の細
条幅は極めて狭くするのが好ましく、しかもこれらクロ
ック電極に対して、ドーピングされた多結晶珪素が用い
られる為、一方の側から駆動されるクロック電極の抵抗
値は高くなるおそれがある。クロック電極の抵抗値が過
度に高くなるのを防止する為に１イメージセンサの両側
でクロック電極をクロックラインに接触せしめうる。ク
ロック’７１ｆ、極８〜６を４つの結線レベル、例えば
多結晶珪素の４つの層で実現する場合には、各クロック
ラインを関連のクロック電極と同じ多結晶珪素層で形成
したリブ或いはスリーブを以って構成しうる。８つの多
結晶珪素層しか得られない場合には、上述した解決方法
は最早や不＝Ｊ能である。その理由は、少くとも２相の
官権を□同じ多結晶＋−ｔ　素層で形成する必侵がある
為である。

第２図は、このような８層多結晶構造の電荷転送チャネ
ルにａう断面図である。電荷転送チャネル２は半導体本
体？内に形成され、表面チャネル或いは埋込みチャネル
のいずれかを以って構成し・つる。半導体本体７の表面
８は、イメージセンサ”ＪＩ＾°゛のゲート誘電体を構
成する薄肉酸化物層９で被覆されている。電極８および
５の双方は最下側の第１多結晶珪素層中に形成され、ク
ロック電圧φ、およびφ８をそれぞれ供給するクロック
ライン・ｌＯおよび１２１Ｃそれぞれ接続されている。

クロック電極４および６と、これらに関連するクロック
ライン１１および１８とはそれぞれ第３多結晶珪素層お
よび第２多結晶珪素層中に形成されている。異なる多結
晶珪素層レベルは絶縁酸化物層により互いに分離されて
いる。第１多結晶珪素層中に形成されたクロック電極８
は、この第１多結晶珪素層中に同様に形成されるクロッ
クライン１０にマトリックスの両側で同様に接続しうる
。同じく第１多結晶珪素層中に形成されたクロック電極
５は、電極８と噛合している多数の分離した細条を有し
ており、これらの細条にはこれらよりも高いレベル（位
＠）にある結線層により接点を形成する。

第８図は、センサの左側縁部で活性領域の外部に位置す
る装置の一部を示す平面図である。

第４図は第８図のＩＶ−ＩＶ線上を断面とした断面図で
ある。この図には２つの電極８とこれらの中間の電極５
とを示しである。電極４および６は最早や第８図には示
されず、この図に示す部分の右側外部にクロックライン
を有して位置しているものとする。電極８は第８図に示
す多結晶珪素リブ１４より成るクロックラインｌＯによ
り互いに接続されている。センサの右側ではこれら電極
８が同様なリブにより互いに接続されている。

電極５はクロックライン１Ｂとして作用しうるアルミニ
ウム細条１５により互いに接続されている。電極（細条
）５とアルミニウム細条１５との間に接点を形成する為
に、′電極５を被棟し且つ電Ｗｉ、５を越えて半導体本
体７０表面８上罠も延在する誘電体層１６に接点窓１７
をあける。図面を明瞭とする為にアルミニウム層１５を
図示していない第８図においては、接点窓１７を後に説
明する接点窓１８と同様にＸ印を付して示しである。

接点窓１７は、本例の場合第２および第８多結晶珪素層
中にそれぞれ設けた第１および第２結線層と同時に形成
した２つのパターンによって画成される。右上から左下
に向けて斜線を付した第１のパターン１９は第２多結晶
珪素層より成り、この第２多結晶珪素層は、第４図で細
条５の右側縁部が被覆され、左側縁部が被覆されないよ
うにとの細条５に対して偏移された開口ｚＯを有する。

第２パターン２１は第８多結晶珪素層で形成され、図面
ではこの第２パターンに左上から右下に向う斜線を付し
である。この第２パターンも開口２２を有する層の形態
で設けられ、この開口２２は電極５の左側縁部が被覆さ
れ電極５の右側縁部が当該開口ｚ２内に位置するように
配置されている。

電極５上では、パターン１９および２１が酸化物ｊ（２
）１６に接点窓１７を画成する孔を形成する。電極５の
縁部の各々は多結晶珪素によって被覆されているという
事実の為に、酸化物層を多結晶珪素に対し選択的に腐食
することができ、窓１７が過度に長い腐食或いは整合誤
りの為に電極５の縁部に重なるおそれが実際上無くなる
。

パターン１９があまりにも左側に寄り過ぎるか（第４図
）、或いはパターン２１があまりにも右側に寄り過ぎる
か、またはこれらの双方が行なわれるという事実の為に
、窓１７があまりにも小さくなりすぎる（或いは完全に
消滅しさえもする）のを防止する為に、第２の接点窓１
８（第８図参照）が第１接点窓１７の側方に設けられて
いる。

接点窓１８は、第８図で電極５の上側縁を被覆しないよ
うＫする開口２Ｂ（第８図）を有する第８パターンと、
Ｍ極５の下側縁を被毬しないようにする開口２４を有す
る第４パターンとによって画成される。第８および第４
パターンは第２および第８多結晶珪素層の個別の層部分
にそれぞれ設けることができる。本例では、これら第８
および第４パターンがそれぞれ第１およびｂ’ｙ　Ｚパ
ターンと相俟って第２および第８多結晶珪素層（以後符
号１９および２１で示す）中の共通でコヒーレントな層
部分を形成する。整合誤りの為に、接点窓１７があまり
にも小さく或いはあまりにも大きくなり過ぎると、それ
ぞれ接点窓１８が同じ量だけあ１すにも大きく或いはあ
まりにも小さくなり過ぎる。従って、全接点表面積は実
際上一定になり、マスク寸法によってほぼ完全に規定さ
れる。

本発明装置の製造中の処理工程を説明する為の第５〜８
図は第４図と同じ断面であるもこの第４図とは異なる製
造工程を示す。第５図は、電極８および５が第１多結晶
珪素層で形成され、連続的な第２多結晶珪素屓ｚ５が本
体の表面上に形成され、この層２５が中間の酸化物層１
６により第１多結晶電極８および５から分離されている
工程での装置を示す。酸化物層１６は既知のように第１
多結晶珪素電極８および５を酸化することにより得るこ
とができるも、ＣｖＤ技術によっても形成しうろこと勿
論である。

電極８および５の幅は約４μｍとし、電極間の距離は約
８μｍとする。

第２多結晶珪素より成る電極６は通常のようにして層２
５から形成する。この処理工程と同時に、窓２０および
２８を有するパターン１ｐｔ＝第２多結晶珪素層２５に
形成する（第６図）。これらの窓の幅は約４μｍとする
ー。開口（窓）２０は電極５に対して、このＭ極５の右
側縁部に整合誤差にほぼ等しい距離に亘ってパターン１
９が重なるも反対側の縁部が露出するように位置させる
。同様に開口２Ｂ（第６図には示さない）も、電極５の
左側縁部にパターンが重なるも右側縁部が露出されるよ
うに位置させる。

電極６およびパターン１９を第２多結晶珪素層に形成し
た後、露出した第２多結晶珪素に酸化処理により酸化物
層２６を被覆することができる。

窓２０および２８を有するパターン１９は、多結晶珪素
を層１６の酸化珪素よりも急速に除去する選択腐食処理
により形成し、たとえ開口２ｏが電極５の右側縁部を越
えて延在しても不所望な短絡は生じないようにすること
ができる。この目的の為には、第２多結晶珪素を、好ま
しくは極めて少量のＨＦを添加したＨＮＯ８の溶液を用
いた湿潤腐食によりパターン化しうる。

次の工程（第７図）では、前述したのと同じ選択腐食処
理により第８多結晶珪素層２７を形成し、この第８多結
晶珪素層で電極Φを形成する。これと同時に、開口２２
を有する第２パターン２１（第８図）を第８多結晶珪素
層２７から形成する。

開口（窓）２２は、前に形成した開口２０に対して、パ
ターン２１が電極５の左側縁部を複機するも右側縁部は
被傍しないように偏移させる。開口２２と同時に、開口
（窓）２４（第７図には示されず、第８図に示されてい
る）をパターン２１に形成する。この開口２４は開口２
２に対して偏移させ、開口２２の場合に被々虜した電極
５の縁部をパターン２１が被覆せず、開口２２の場合圧
被徨しない電極５の縁部をパターン２１が破伏するよう
にする。パターン２１はパターン１９と同じ腐食技術に
よって設け、■１極５を被覆する酸化物層１６が全く或
いは殆んど腐食されないようにすることができる。

第８図から明らかなように、パターン１９および２１は
第２および第８多結晶珪素層において相俟って、接点窓
１７を画成するマスクを形成する。

接点窓１７および１８を開ける前に、多結晶珪素電極を
被覆する酸化物をフォトラッカ一層によりマスクする。

次に窓１７内の酸化物１６を既知の方法で除去する。次
に、パターン１９および２１を被覆する酸化物層２８（
第８図）をも除去する。

しかし所望に応じ、パターン１９および２１上の酸化物
層２８を少くとも部分的に残し、腐食処理に当り酸化物
２８が接点窓１７に対して臨界的に整合する必要がない
マスクによりマスクされるようにすることができる。腐
食中電極５の縁部がパターン１９および２１によりマス
クされているという事実の為に、電極５の側部の酸化物
１６も腐食されて不所望な短絡を生せしめるといったお
それも殆んど生じない。

接点窓１７の幅は（電極５０幅を４μｍとした場、合）
約２μｍとする。接点窓１７の幅は臨界的なものではな
い。接点窓１７の幅が２μｍよりも小さくなる場合には
、接点窓１８の幅が２μｍよりも大きくなる。これとは
反対に接点窓１８の幅が２μｍよりも小さくなる場合に
は、接点窓１７の幅が２μｍよりも大きくなる。従って
、全接点表面積はほぼ完全にマスクにより決まり、整合
誤差圧依存しない。

接点窓１７および１８をあけた後、アルミニウム接点層
１５を設け、このアルミニウム接点層を接点窓１７およ
び１８を経て電極５に接触させ、第４図に示す状態を得
ることができる。

最後に、表面安定化層を形成する工程や、装置を容器内
に入れる工程のような他の通常の処理工種を装置に行な
うことができる。

本発明は上述した例のみに限定されず、幾多の変更を加
えうろこと明らかである。例えば、種々の結線圧対し多
結晶珪素以外の池の材料を用いることもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を用いたフレーム転送型の電荷結合イ
メージセンサを示す線図、 第２図は、第１図のイメージセンサの一部を示す断面図
、 第８図は、接点領域を有する第１図のイメージセンサの
一部を示す平面図、 第４図は、第８図のＮ　−ＩＶ線上を断面とする断面図
、 第５〜８図は、第４図の断面でイメージセンサの種々の
製造工程を示す断面図である。 １・・・イメージセンサ　２・・・チャネル８〜６・・
・クロック′Ｍ極　？・・・半導体本体８・・・７の表
面　９・・・酸化物層 ｌＯ〜１８・・・クロックライン ■４・・・リブ　１５・・・アルミニウム細条１６・・
・誘電体層（酸化物層） １？　、　１８・・・接点窓　１９　、２１・・・パタ
ーン２０　、２２　、２８　、２４　・・・開口２５　
、２７・・・多結晶珪素層 ２８・・・酸化物層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　半導体本体を具える集積回路を有する半導体装（Ｈ
   ｌであって、前記の半導体本体の表面に、順次に設けら
   れた第１．第２および第８の少くとも８つの結線層を有
   する多層結線装置が設けられ、これら結線層は絶縁層に
   より互いに分離されており、第８結線層と集積回路の一
   部を形成する領域との間に第１の接点が形成さｆし、前
   記の領域は第１結線層が設けられる前に既に決定されて
   おり、この領域は誘電体層により被覆され、この誘雷体
   層は前記の領域上に且つこの領域の縁部を越えて半導体
   本体の表面上に延在し、この誘を体層中には第１の接点
   用の第１の接点窓が形成されている半導体装置を１！！
   ！漬するに当り、第１の接点を設けるべき区域に１誘電
   体層に対して選択的に腐食しうる材料である第１結線層
   と同じ月料の第１パターンを第１結線層と同時に形成し
   、この第１パターンにより前記の領域の第１縁部を被１
   し、同じく誘電体層に対して選択的に腐食しうる材料で
   ある第２結線層と同じ材料の第２パターンを第２結線層
   と同時に形成し、この第２パターンは前記の第１縁部と
   は反対側に位置する前記の領域の第２縁部を被覆し、そ
   の後に前記の第１および第２パターンを有するマスクを
   用いて誘電体層中に第１の接点窓を設けることを特徴と
   する半導体装置の製造方法。 区　特許請求の範囲１に記載の半導体装置の製造方法に
   おいて、前記の第１の接点の側方で前記の第８結線層と
   前記の領域との間に第２の接点を形成し、この目的の為
   に前記の領域の前記の第２縁部を被覆する第８パターン
   を第１結線層中に第１パターンと同時に形成し、前記の
   領域の第１縁部を被覆する第４パターンを第２結線層中
   に第２パターンと同時に形成し、第２の接点を設けるべ
   き区域で、第８および第４パターンを有する腐食マスク
   を用いて第２の接点窓を前記の第１の接点窓と同時に誘
   電体層中に設けることを特徴とする半導体装置の製造方
   法。 ＆　特許請求の範囲ｌまたは２に記載の半導体装置の製
   造方法において、前記のパターンを、それぞれ接点を形
   成すべき前記の領域の一方の縁部を被覆し他方の縁部を
   被覆しないようにする開口を有する細条の形態で設ける
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 ４　％許請求の範囲１〜Ｂのいずれか１つに記載の半導
   体装置の製造方法において、第１および第２結線層を多
   結晶珪素の形態で設けることを特徴とする半導体装置の
   製造方法。 ６　特許請求の範囲１〜４のいずれか１つに記載の半導
   体装置の製造方法において、接点を形成すべき領域を絶
   縁ゲート電界効果装置、特に電荷結合装置のゲート電極
   を以って構成することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。 ａ　電荷結合装置を製造する特許請求の範囲５に記載の
   半導体装置の製造方法において、前記のゲート電極を多
   数個、前記の電荷結合装置のチャネルの上方に行で配置
   し、これらゲート電極が電荷結合装置の１つの位相を形
   成するよう圧し、且つこれらゲート電極を前記の第８結
   線層を経て互いに接続することを特徴とする半導体装置
   の製造方法。 〃　半導体本体の表面に形成された集積回路を具える半
   導体装置であって、前記の表面には、絶縁層により互い
   に分離され順次に設けられた第１．第２および第８結線
   層を有する多層結線装置が設けられ、第８結線層と集積
   回路の領域との間に接点が形成され、前記の領域は第１
   結線層が設けられる前に形成され且っ誘電体層で被覆さ
   れており、この誘電体層は前記の領域上に且つこの領域
   の縁部を越えて半導体本体の表面上に延在し、このｕＮ
   体層内に接点窓が形成されている半導体装置において、
   接点の区域で、誘電体層に対して選択的に腐食しつる材
   料である等ｌ結線ノーと同じ材料より成り前記の領域の
   第１縁部を被覆する第１パターンが形成されており、同
   じく誘電体層に対して選択的に腐食しうる材料である第
   ２結線層と同じ材料より成る第２パターンが形成されて
   おり、これら第１および第２パターン間の空間により誘
   電体層中の前記の接点窓が画成されていることを特徴と
   する半導体装１ｇ０ ＆　特許請求の範囲７に記載の半導体装置において、集
   積回路の前記の領域が絶縁ゲート電界効果装置のゲート
   ｉｈ極を以って構成されていることを特徴とする半導体
   装置。 ９、　特許請求の範囲８に記載の半導体装置において、
   前記の集積回路が電荷結合装置を具えており、前記のゲ
   ート電極は、同じ結線層中に形成され且つ第３結線層を
   経て互いに接続されているクロック電極の行の一部を形
   成していることを特徴とする半導体装置。 ｌα　特許請求の範囲９に記載の半導体装置において、
   前記のりａツク′酸極と、第１および第２パターンが形
   成されている前記の第１および第２結線層とを多結晶珪
   素層の形態で設けたことを特徴とする半導体装置。 ＩＬ　特許請求の範囲９また１０に記載の半導体袋１ｋ
   において、前記のクロック電極が電荷結合装置の第１位
   相に属し、第２位相のクロック電極は同じ結線層中に形
   成され、第２位相のこれらクロック電極は、同じく同じ
   結線層中に形成されクロックラインとして作用するリブ
   を経て互いに接続されていることを特徴とする半導体装
   置。 １＆　特許請求の範囲９〜１１のいずれか１つに記載の
   半４体装置において、前記の電荷結合装置は、共通のク
   ロック電極装置が設けられた互いに隣接する並列の電荷
   結合装置のシステムの一部を形成しており、これら並列
   の電荷結合ｅｌｆはこれら電荷結合装置のシステムの両
   側でクロックラインに接続されている仁とを特徴とする
   半導体装置。 １＆　特許請求の範囲１１または１２に記載の半導体装
   置において、電荷結合装置を４相システムとし、関連の
   クロックラインを有している第１および第２位相のクロ
   ック電極が最下側の結線層中に設けられ、また関連のク
   ロックラインを有している第８および第４位相のクロッ
   ク電極がそれぞれ第１および第２ノくターンを設けたの
   と同一の結線層中に設けられていることを特徴とする半
   導体装置。 １４　１持許請求の範囲１２または１８に記載の半導体
   装１ｇにおいて、半導体装置が固体カメラ用の重荷結合
   イメージセンサ装置であることを特徴とする半導体装置
   。