JPS6092637A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6092637A
JPS6092637A JP58201375A JP20137583A JPS6092637A JP S6092637 A JPS6092637 A JP S6092637A JP 58201375 A JP58201375 A JP 58201375A JP 20137583 A JP20137583 A JP 20137583A JP S6092637 A JPS6092637 A JP S6092637A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
frame body
light
frame
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58201375A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Osada
長田 寿夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58201375A priority Critical patent/JPS6092637A/ja
Publication of JPS6092637A publication Critical patent/JPS6092637A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto

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  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は半導体装置、特に発光素子を同一容器に封入し
た半導体装置の構造に関するものでおる。
(従来技術) 従来、この種の装置は第1図に示すように構成されてい
る。つまシ、発光及び受光素子としての半導体素子1−
1および1−2を導電性の素材からなるリード3にマウ
ント後金属細線6で接続し、その上面に透明な樹脂4を
塗布し、更に一方の半導体素子1−1から他方の半導体
素子1−2に光の伝達がよシ可能にするため白色の樹脂
5を被覆し、更に一般的な樹脂で外装封止している構造
を成しているところで、この構造において半導体素イ1
−1 、’l −2ti’[□Ku%’i:KleW 
8ゎ1、− いなければならないのであるが、できあが
った半導体装置の半導体素子間の絶縁耐圧試験において
絶縁破壊を起こし、樹脂4の絶縁性が破壊され短絡状態
になることがあった。
(発明の目的) 本発明の目的はこのような従来の欠点を除去しリード端
子間の絶縁耐圧の高い半導体装置を提供することである
。
(発明の構成) 本発明の特徴は従来の透明樹脂を削除し、変わ・ルに外
装樹脂として使用されているものと同−利質のものを光
の反射性を上げるために白色化し、これを内部に空洞を
有する形状に加工し、この内部空洞に発光素子、受光素
子等の半導体素子を設置した半導体装置を得る。
(実施例) 以下第2図及び第3図を参照して本発明の一実施例を説
明する。
本実施例の半導体装置は第3図に示す形状に構成されて
いる。リード3上に発光および受光素子としての半導体
素子を設置し、この電極とリードとを金属細線で配線し
た後、第2図に示す樹脂の枠体7内に半導体素子設置部
を設置し、その外側をモールド樹脂2でおおったもので
ある。枠体7はモールド樹脂2と同じ材質のものが選ば
れるが、光の反射性を良くするために白色化されている
。
この構造によれば、白色の樹脂を加工した1組の枠体7
の間は空洞になっておシ、絶縁耐圧的には従来の透明な
樹脂4の方法に比べ向上する。又枠体7は耐熱性及び絶
縁性、光の反射性を有しているため、製造上の作業性及
び発、受光感度がそこなわず従来と変わらぬ作業性を得
ることが可能である。
【図面の簡単な説明】 第1図は従来の半導体装置の断面図である。第2図は本
発明の一実施例に用いる枠体の断面図である。第3図は
本発明の一実施例による半導体装置の断面図である。 1−1 、1−2・・・・・・半導体素子、2・・・・
・・外装樹脂、3・・・・・・リード、4・・・・・・
透明な樹脂、5・・・・・・白色な樹脂、6・・・・・
・金属細線、7・・・・・・樹脂枠体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子設置部を内部に空洞を有する樹脂枠の内部に
    設置し、さらに樹脂で外装封止したことを特徴とする半
    導体装置。
JP58201375A 1983-10-27 1983-10-27 半導体装置 Pending JPS6092637A (ja)

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JP58201375A JPS6092637A (ja) 1983-10-27 1983-10-27 半導体装置

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JPS6092637A true JPS6092637A (ja) 1985-05-24

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ID=16440024

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7009166B2 (en) * 2002-03-26 2006-03-07 Sharp Kabushiki Kaisha Photocoupler, method for producing the same, and electronic device equipped with the photocoupler

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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