JPS6095938A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6095938A JPS6095938A JP20400183A JP20400183A JPS6095938A JP S6095938 A JPS6095938 A JP S6095938A JP 20400183 A JP20400183 A JP 20400183A JP 20400183 A JP20400183 A JP 20400183A JP S6095938 A JPS6095938 A JP S6095938A
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- Japan
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- film
- layer
- insulating film
- wiring
- si3n4
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｉｌ１発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法、詳しくは多層構造の半
導体装置を平坦化し、Ｗ１線を防止すると共に耐湿性を
向上させる１日間絶縁校を形成する方法に関する。
導体装置を平坦化し、Ｗ１線を防止すると共に耐湿性を
向上させる１日間絶縁校を形成する方法に関する。
（２）技術の背景
半導体集積回路を高密度化するために多１日構造の半導
体装置が開発されている。その基本となる構造は第１図
に示され、同図において、ｌは基板、２は例えばアルミ
ニウム（Ａ６）の第１１！Ｆ線、３は鱗・シリケート・
ガラス（ＰＳＧ）の如き第１層！＠ １！模を示す。こ
の第１層絶縁膜にスルーボールを形成し、第２層配線４
を八ｌで形成すると、互いに絶縁された第１層配線２と
第２層配線４とが接続された構造が得られる。
体装置が開発されている。その基本となる構造は第１図
に示され、同図において、ｌは基板、２は例えばアルミ
ニウム（Ａ６）の第１１！Ｆ線、３は鱗・シリケート・
ガラス（ＰＳＧ）の如き第１層！＠ １！模を示す。こ
の第１層絶縁膜にスルーボールを形成し、第２層配線４
を八ｌで形成すると、互いに絶縁された第１層配線２と
第２層配線４とが接続された構造が得られる。
（３）従来技術と問題点
上記した半導体装置の多層構造において、第１１−絶縁
膜は第１層配線の上では高く凸状に形成される。その例
は第２図に示され（なお第２図以下において既に図示し
た部分と同し部分は同一符号をイ］シて表示する）、絶
縁膜３は第１１５配線２の上Ｑｌ（で高くなっていて、
その上に＾ｅの第２旧配線４を形成すると、この配線も
第１層配線の上方で高くなる。その結果、第２ＷＪ配線
の断線の問題が発生ずる。
膜は第１層配線の上では高く凸状に形成される。その例
は第２図に示され（なお第２図以下において既に図示し
た部分と同し部分は同一符号をイ］シて表示する）、絶
縁膜３は第１１５配線２の上Ｑｌ（で高くなっていて、
その上に＾ｅの第２旧配線４を形成すると、この配線も
第１層配線の上方で高くなる。その結果、第２ＷＪ配線
の断線の問題が発生ずる。
そこで、第１層絶縁膜を平坦化するための研究がなされ
、液体二酸化シリコン（５ｉＯｚ ）をスピンコード法
（回転塗布法）で基板上に塗布し、次いで熱処理によっ
て３１０２を硬化して絶縁膜を形成することが行われて
いる。（なおこの方法は化学液相堆積法、ＣｕＯ法とも
いわれる。）この方法によると第１層絶縁１１ｆｆは確
かに平坦化されるが、５ｉ０２が液状である間にゴミ等
が付着し、製造歩留りを低下させる問題がある。
、液体二酸化シリコン（５ｉＯｚ ）をスピンコード法
（回転塗布法）で基板上に塗布し、次いで熱処理によっ
て３１０２を硬化して絶縁膜を形成することが行われて
いる。（なおこの方法は化学液相堆積法、ＣｕＯ法とも
いわれる。）この方法によると第１層絶縁１１ｆｆは確
かに平坦化されるが、５ｉ０２が液状である間にゴミ等
が付着し、製造歩留りを低下させる問題がある。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、多層構造の半導体装置
の製造において、眉間絶縁膜を平坦に形成する方法を提
供することを目的とする。
の製造において、眉間絶縁膜を平坦に形成する方法を提
供することを目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、ハ板上に形成された
第１層配線の上に絶縁膜を設け、この絶縁膜の上に窒化
１挨を形成する工程、次いで前記窒化膜を四弗化炭素と
水素の廃合ガスを用いるエツチングにより平坦化する工
程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供
することにょっ゛Ｃ達成される。
第１層配線の上に絶縁膜を設け、この絶縁膜の上に窒化
１挨を形成する工程、次いで前記窒化膜を四弗化炭素と
水素の廃合ガスを用いるエツチングにより平坦化する工
程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供
することにょっ゛Ｃ達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
本願発明者らは実験によって次のことを確認した。第３
図を参照すると、載板１の上に形成された第１層配線２
の上に、化学気相成長法（ＣＶＩＩ法）で成長したＳｉ
Ｏ２膜５を下地とし、その上に窒化膜（Ｓｔ Ｎｕ Ｉ
模）６をＣＶＤ法で成長することにょっ゛ζ層間絶絶縁
膜なわち第１層絶縁膜を形成する。
図を参照すると、載板１の上に形成された第１層配線２
の上に、化学気相成長法（ＣＶＩＩ法）で成長したＳｉ
Ｏ２膜５を下地とし、その上に窒化膜（Ｓｔ Ｎｕ Ｉ
模）６をＣＶＤ法で成長することにょっ゛ζ層間絶絶縁
膜なわち第１層絶縁膜を形成する。
なおこの下地はＰＳＧ脱で形成してもよい。
この窒化膜６を、４弗化炭素と水’ＪＡ （ＣＦｑ ＋
１１２）の混合ガス（混合比９：１）を反応ガスとして
用いてドライエツチングすると、窒化膜６の凸の部分は
エツチングレイト（速度）が速く、エツチングを終えた
ときの窒化膜６の表面は第４図に示される如（になった
。
１１２）の混合ガス（混合比９：１）を反応ガスとして
用いてドライエツチングすると、窒化膜６の凸の部分は
エツチングレイト（速度）が速く、エツチングを終えた
ときの窒化膜６の表面は第４図に示される如（になった
。
ここで凹部と凸部のエツチングレイトをエツチング量で
比較すると、四部においては毎分１０００人、凸部にお
いては毎分５０００人となり、それは第５図の線図に示
される。なお同図におい−ｃＩｉｆ軸はエツチング後を
μｍ−Ｃ，横軸は時間を分で示し、線Δは凹８１（のエ
ツチングレイトを、線Ｂば凸部のエツチングレイ１−を
表現する。
比較すると、四部においては毎分１０００人、凸部にお
いては毎分５０００人となり、それは第５図の線図に示
される。なお同図におい−ｃＩｉｆ軸はエツチング後を
μｍ−Ｃ，横軸は時間を分で示し、線Δは凹８１（のエ
ツチングレイトを、線Ｂば凸部のエツチングレイ１−を
表現する。
次いで窒化膜６の上にＡＡを成長し、それをパターニン
クシたところ、平坦化され断線のおそれのない第２１愕
配線が得られた。残存窒化膜６の膜ＩＩが足りないとき
は、再度ＣＶｌｌ法で窒化膜を成長し、所望の耐圧をも
った第１層絶縁膜を成長した後に第２層配線を形成する
。そしてこの窒化膜６には液体５ｉ０２を用いた絶縁膜
と異なり、ゴミ等が伺名゛シないことが確認された。
クシたところ、平坦化され断線のおそれのない第２１愕
配線が得られた。残存窒化膜６の膜ＩＩが足りないとき
は、再度ＣＶｌｌ法で窒化膜を成長し、所望の耐圧をも
った第１層絶縁膜を成長した後に第２層配線を形成する
。そしてこの窒化膜６には液体５ｉ０２を用いた絶縁膜
と異なり、ゴミ等が伺名゛シないことが確認された。
なお、第１Ｉヨ絶縁膜をずべてＣＶＤ法で成長したＳｉ
Ｏ２膜で形成することも実験したのであるが、ＣＶＤ
５ｉ０２はエツチングレイトが均一であり、１ひ切曲で
あった部分はエツチング後も同しく凸の形状をとること
が判明した。それ故に、 ５ｉ０２１１ｚの上に窒化膜
を成長することが重要であり、それはまた本発明の特徴
をなすものである。
Ｏ２膜で形成することも実験したのであるが、ＣＶＤ
５ｉ０２はエツチングレイトが均一であり、１ひ切曲で
あった部分はエツチング後も同しく凸の形状をとること
が判明した。それ故に、 ５ｉ０２１１ｚの上に窒化膜
を成長することが重要であり、それはまた本発明の特徴
をなすものである。
また上記の如くに形成した層間絶縁１模は、液体ＳｉＯ
２を用いて形成した絶縁膜に比べ、耐湿性に（駄れるご
とも判明した。
２を用いて形成した絶縁膜に比べ、耐湿性に（駄れるご
とも判明した。
なお以上においては第２層配線の形成を例に説明したが
、本発明の方法によると、第２層配線の上に第２層絶縁
膜、その上に第３層配線というように多層に配線層と絶
縁１１ｒＡを順次形成することも可能であり、本発明の
通用範囲はそれらの場合にも及ぶものである。
、本発明の方法によると、第２層配線の上に第２層絶縁
膜、その上に第３層配線というように多層に配線層と絶
縁１１ｒＡを順次形成することも可能であり、本発明の
通用範囲はそれらの場合にも及ぶものである。
（７）発明の効果
以上肝細に説明した如く、本発明の方法によると、平坦
な、かつ耐湿性に低れた眉間絶縁膜が形成され、それに
はゴミ等が付着することがないので、第２ＪＨｒ＋ｅ配
線の断線防止だりでなく、製造歩留りと製品の信頼性向
上にすＪ里人である。
な、かつ耐湿性に低れた眉間絶縁膜が形成され、それに
はゴミ等が付着することがないので、第２ＪＨｒ＋ｅ配
線の断線防止だりでなく、製造歩留りと製品の信頼性向
上にすＪ里人である。
第１図と第２図は従来の多層構造の半導体装置の要部の
Ｗｉ面図、第３図と第４図は本発明の方法を実施する工
程におりる半導体装置要部の断面図、第５図はエツチン
グレイトを示ずための線図である。 １−一基板、２−第１層配線、３− 第１眉絶縁股、４−第２層配わｉ、 ５−５ｉ０２１９．６−窒化１１臭 第 １１メ１ ：ｆ； ２ ｔｅｌ 第 ３図 第４図 第５図 時間 （分）
Ｗｉ面図、第３図と第４図は本発明の方法を実施する工
程におりる半導体装置要部の断面図、第５図はエツチン
グレイトを示ずための線図である。 １−一基板、２−第１層配線、３− 第１眉絶縁股、４−第２層配わｉ、 ５−５ｉ０２１９．６−窒化１１臭 第 １１メ１ ：ｆ； ２ ｔｅｌ 第 ３図 第４図 第５図 時間 （分）
Claims (1)
- 基板上に形成された第１層配線の上に絶縁膜を設け、こ
の絶縁膜の上に窒化膜を形成する工程、次いで前記窒化
膜を四弗化炭素と水素の混合ガスを用いるエツチングに
より平坦化する工程を含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20400183A JPS6095938A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20400183A JPS6095938A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095938A true JPS6095938A (ja) | 1985-05-29 |
Family
ID=16483128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20400183A Pending JPS6095938A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095938A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0246747A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Sony Corp | 多層配線の形成方法 |
| CN112679212A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-04-20 | 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 | 一种渣浆泵用氮化物结合碳化硅耐磨陶瓷件的制备方法 |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP20400183A patent/JPS6095938A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0246747A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Sony Corp | 多層配線の形成方法 |
| CN112679212A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-04-20 | 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 | 一种渣浆泵用氮化物结合碳化硅耐磨陶瓷件的制备方法 |
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