JPS6096755A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPS6096755A JPS6096755A JP58206451A JP20645183A JPS6096755A JP S6096755 A JPS6096755 A JP S6096755A JP 58206451 A JP58206451 A JP 58206451A JP 20645183 A JP20645183 A JP 20645183A JP S6096755 A JPS6096755 A JP S6096755A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cover
- air supply
- air
- container
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体m造工程等で薄膜を形成する蒸着装置に
関する。
関する。
従来例の構成とその問題点
第1図に従来における蒸着装置の概#!r信成を示す。
この装置は、真空容a(1)内の下部にるつぼ(2)を
有する蒸着源本体+3)が設けられると共に、真空容器
(1)内の上部に、被蒸着部材(以下、試料と称す)(
4)がるつぼ(2)に対向する位1dで保持部材(5)
を介して吊持されたもので、その蒸jfを行なう1祭に
、排気ホー ) +61よ)真空容器(1)内のを気が
排気される。この装置によると、構造が簡単でありなか
ら膜厚分布のばらつきの少ない試料を得ることができる
。しかし、第1図に示すように、排気ポート(6)及び
給気ボート(7)が真空容器(1)の下部に設けられて
いる場合、第2図に示すように、排気ポート(6)よシ
真空容器(1〕の内部の気体を排気する場合、矢印のよ
うな気流になシ塵埃が試料(4)に付着する。
有する蒸着源本体+3)が設けられると共に、真空容器
(1)内の上部に、被蒸着部材(以下、試料と称す)(
4)がるつぼ(2)に対向する位1dで保持部材(5)
を介して吊持されたもので、その蒸jfを行なう1祭に
、排気ホー ) +61よ)真空容器(1)内のを気が
排気される。この装置によると、構造が簡単でありなか
ら膜厚分布のばらつきの少ない試料を得ることができる
。しかし、第1図に示すように、排気ポート(6)及び
給気ボート(7)が真空容器(1)の下部に設けられて
いる場合、第2図に示すように、排気ポート(6)よシ
真空容器(1〕の内部の気体を排気する場合、矢印のよ
うな気流になシ塵埃が試料(4)に付着する。
逆に、給気ボート(7)よシ気体を給気して真空容器(
1)内を真空から大気圧に戻す場合でも、第3図矢印で
示すような気流になシ、真空容器(1)内に付着堆積し
ていた塵埃を舞い上げ浮遊させるため、その塵埃が試料
に付着して清浄な薄膜が得られないという問題がある。
1)内を真空から大気圧に戻す場合でも、第3図矢印で
示すような気流になシ、真空容器(1)内に付着堆積し
ていた塵埃を舞い上げ浮遊させるため、その塵埃が試料
に付着して清浄な薄膜が得られないという問題がある。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、真空容器内
を給排気する@VC,W蒸着部材に形成された薄膜に塵
埃が付着するのを防止することを目的とする。
を給排気する@VC,W蒸着部材に形成された薄膜に塵
埃が付着するのを防止することを目的とする。
発明の構成
上記目的を達成するため、本発明は、給排気ボートを有
する真空容器内の下部に族7W源を配置すると共に、真
空容器内上部位置において、被蒸着部材を支持する支持
体を前記真空容器に係脱自在に保持し、前記被蒸着部材
及びその周縁部支持体の各下面を覆う下カバーを設ける
と共にこのFカバーの下端開口部を蒸着源近傍上方に位
置させ、前記被蒸着部材及びその周縁部支持体の各上面
を覆う上カバーを設けると共にこの上カバーの適所に給
気孔を形成し、前記支持体周縁部に、上下カバー内を連
通させる通気孔を形成し、別記上カバーの給気孔に清浄
気体を供給する給気手段を設け、且つ前記真空容器内金
給排気する時、前記給気手段によシ上丁カバー内に供給
された気体の圧力を、上下カバー外の気体の圧力よりも
高くする制御手段を設けた蒸着装置で、かかる構成によ
ると、被蒸着部材の上下部を上下カバーで覆うと共にそ
の給排気時においては、カバー外の気体圧力より高い圧
力を有する気体を、カバー内に供給するので、真空容器
内の塵埃がカバー内に侵入するのを防止でき、従って被
蒸着部材に形成される薄膜は清浄なものとなる。また、
被蒸着部材を支持する支持体は真空容器に対して係脱自
在にされているため、上下カバーを取付けたまま出し入
れができ、従って出し入れ時に、おいても塵埃の付着を
防止することができる。
する真空容器内の下部に族7W源を配置すると共に、真
空容器内上部位置において、被蒸着部材を支持する支持
体を前記真空容器に係脱自在に保持し、前記被蒸着部材
及びその周縁部支持体の各下面を覆う下カバーを設ける
と共にこのFカバーの下端開口部を蒸着源近傍上方に位
置させ、前記被蒸着部材及びその周縁部支持体の各上面
を覆う上カバーを設けると共にこの上カバーの適所に給
気孔を形成し、前記支持体周縁部に、上下カバー内を連
通させる通気孔を形成し、別記上カバーの給気孔に清浄
気体を供給する給気手段を設け、且つ前記真空容器内金
給排気する時、前記給気手段によシ上丁カバー内に供給
された気体の圧力を、上下カバー外の気体の圧力よりも
高くする制御手段を設けた蒸着装置で、かかる構成によ
ると、被蒸着部材の上下部を上下カバーで覆うと共にそ
の給排気時においては、カバー外の気体圧力より高い圧
力を有する気体を、カバー内に供給するので、真空容器
内の塵埃がカバー内に侵入するのを防止でき、従って被
蒸着部材に形成される薄膜は清浄なものとなる。また、
被蒸着部材を支持する支持体は真空容器に対して係脱自
在にされているため、上下カバーを取付けたまま出し入
れができ、従って出し入れ時に、おいても塵埃の付着を
防止することができる。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を図面に従って説明する。第4
図〜第6図は本発明の蒸着装置の断面図を示し、また第
7図及び第8図は真空容器内及びカバー内の給排気時の
圧力変化を示す。第4図〜第6図において、■は真空容
器で、その上壁Qla)には給気ボート面が、また底壁
(llb)には排気ボート−が形成されている。114
1は真空容器0内の底壁(llb)主中央に配置された
蒸着源で、蒸着源本体(至)の中央上部には薄膜形成材
料αGが充填されたるつぼ面が固定されている。−は前
記るつぼ面の上方位置において被蒸着部材(以下、単に
試料と称す)(至)を支持する支持体で、真空容器σB
の土壁(tta)から垂下された複数本の支柱−に固定
された保持板■υ上に、取外し可能に載置されている。
図〜第6図は本発明の蒸着装置の断面図を示し、また第
7図及び第8図は真空容器内及びカバー内の給排気時の
圧力変化を示す。第4図〜第6図において、■は真空容
器で、その上壁Qla)には給気ボート面が、また底壁
(llb)には排気ボート−が形成されている。114
1は真空容器0内の底壁(llb)主中央に配置された
蒸着源で、蒸着源本体(至)の中央上部には薄膜形成材
料αGが充填されたるつぼ面が固定されている。−は前
記るつぼ面の上方位置において被蒸着部材(以下、単に
試料と称す)(至)を支持する支持体で、真空容器σB
の土壁(tta)から垂下された複数本の支柱−に固定
された保持板■υ上に、取外し可能に載置されている。
即ち、試@住9は支持体(至)の中央に形成された開口
部(18a)周囲の段部(18b)に載置されている。
部(18a)周囲の段部(18b)に載置されている。
に)は前記試料α・及び支持体(至)の開口周縁部(1
80)の各下面を覆うように支持体(至)に取付けられ
た逆円錐台形状の下カバーで、その下端開口部(22a
)は、るつぼαη近傍上方に位置するようにされている
。
80)の各下面を覆うように支持体(至)に取付けられ
た逆円錐台形状の下カバーで、その下端開口部(22a
)は、るつぼαη近傍上方に位置するようにされている
。
(イ)は前記試料■及び支持体(2)の開口周縁部(I
SC)の各上面を覆うように取付けられた上カバーで、
その上壁中央には給気孔■が形成されている。そして、
前記支持体(至)の開口周縁部(18G)には、上カバ
ーに)内とFカバーに)内とを連通させる値数価の通気
孔に)が形成されている。に)は上記上カバーに)の給
気孔曽から上下カバー(2)(イ)内に清浄気体を供給
する給気手段で、大気圧よりも高い圧力の清fh気体を
貯えたポンベebと、一端がこのボンベ(ロ)に接続さ
れると共に他端が上カバー(4)の給気孔■直上位置に
開口された導管(4)とから構成されている。(ト)は
真空容器un内を給排気する時、前記給気手段(ハ)に
より上下カバー@(イ)内に供給されたtR/’h気体
の圧力を、上下カバー磐に)外の気体の圧力よシも高く
する制御手段で、4管(至)途中に設けられた可変流体
絞シ弁曽と、この可変流体絞)弁に)を作動させる駆動
モータ(駆動手段の一例〕(311とから構成されてい
る。なお、!3zは給排気時において、るつぼ[1ηか
ら蒸発する気体が下カバーに)内に移動するのを阻止す
るシャッターである。
SC)の各上面を覆うように取付けられた上カバーで、
その上壁中央には給気孔■が形成されている。そして、
前記支持体(至)の開口周縁部(18G)には、上カバ
ーに)内とFカバーに)内とを連通させる値数価の通気
孔に)が形成されている。に)は上記上カバーに)の給
気孔曽から上下カバー(2)(イ)内に清浄気体を供給
する給気手段で、大気圧よりも高い圧力の清fh気体を
貯えたポンベebと、一端がこのボンベ(ロ)に接続さ
れると共に他端が上カバー(4)の給気孔■直上位置に
開口された導管(4)とから構成されている。(ト)は
真空容器un内を給排気する時、前記給気手段(ハ)に
より上下カバー@(イ)内に供給されたtR/’h気体
の圧力を、上下カバー磐に)外の気体の圧力よシも高く
する制御手段で、4管(至)途中に設けられた可変流体
絞シ弁曽と、この可変流体絞)弁に)を作動させる駆動
モータ(駆動手段の一例〕(311とから構成されてい
る。なお、!3zは給排気時において、るつぼ[1ηか
ら蒸発する気体が下カバーに)内に移動するのを阻止す
るシャッターである。
次に、給排気動作について説明する。
まず、真空゛容器0内の気体を排出する場合、給気手段
(至)によ)清浄気体を上カバー−内に供給する。この
時、供給される清浄気体の圧力(第7図破線で示す)は
、真空容器+111内の圧力(第7図実線で示す)より
も常に高くなるように、即ち排気時間の経過と共に制御
手段−の可変流体絞り弁■が絞られて徐々に流路抵抗が
大きくなるように制御される。従って、第5図矢印にて
示すように、上カバーに)内に供給された清浄気体は、
通気孔−を通って下カバー(支)内に至シ、そしてシャ
ッターi32と下カバー(イ)との隙間よ)外に向って
流出し、真空容−aO内の塵埃が下カバー器内に侵入し
て試料(19表面に形成された薄膜に付着することはな
い。
(至)によ)清浄気体を上カバー−内に供給する。この
時、供給される清浄気体の圧力(第7図破線で示す)は
、真空容器+111内の圧力(第7図実線で示す)より
も常に高くなるように、即ち排気時間の経過と共に制御
手段−の可変流体絞り弁■が絞られて徐々に流路抵抗が
大きくなるように制御される。従って、第5図矢印にて
示すように、上カバーに)内に供給された清浄気体は、
通気孔−を通って下カバー(支)内に至シ、そしてシャ
ッターi32と下カバー(イ)との隙間よ)外に向って
流出し、真空容−aO内の塵埃が下カバー器内に侵入し
て試料(19表面に形成された薄膜に付着することはな
い。
また、逆に真空から大気圧に戻す給気の場合も同様に、
上カバー骨内に清浄気体を供給すると共に、その清浄気
体の圧力(第8図破線で示す)は、やはシ真空容器tt
n内の圧力(第8図実線で示す)よりも常に高くなるよ
うに、即ち給気時間の経過と共に制御手段−の可変流体
絞り弁(7)の絞りが弛められて徐々に流路抵抗が小さ
くなるように制御される。従って、第6図矢印で示すよ
うに、上カバーに)内に供給された清浄気体は、通気孔
に)を辿って下カバー(4)内に至り、そしてシャッタ
ー器とドカパー(イ)との隙間より外に向って流出し、
真空容8!面内の塵埃が下方パーC4内に侵入して試料
il1表面にプレ成された薄膜に付着することはない。
上カバー骨内に清浄気体を供給すると共に、その清浄気
体の圧力(第8図破線で示す)は、やはシ真空容器tt
n内の圧力(第8図実線で示す)よりも常に高くなるよ
うに、即ち給気時間の経過と共に制御手段−の可変流体
絞り弁(7)の絞りが弛められて徐々に流路抵抗が小さ
くなるように制御される。従って、第6図矢印で示すよ
うに、上カバーに)内に供給された清浄気体は、通気孔
に)を辿って下カバー(4)内に至り、そしてシャッタ
ー器とドカパー(イ)との隙間より外に向って流出し、
真空容8!面内の塵埃が下方パーC4内に侵入して試料
il1表面にプレ成された薄膜に付着することはない。
このように本実施例によれば、被蒸tti部材の上下m
k上下カバーで覆うと共にその給排気時においては、カ
バー外の気体圧力より高い圧力を有する気体を、カバー
内に供給するので、真空容器内の塵埃がカバー内に侵入
するの欠防止でき、従って被蒸着部材に形成される薄膜
は清浄なものとなる。また被蒸着部材を支持する支持体
は真空容器に対して係脱自在にされているため、上下カ
ッく−を取付けたまま出し入れができ、従って出し入れ
時においても塵埃の付着を防止することができる。
k上下カバーで覆うと共にその給排気時においては、カ
バー外の気体圧力より高い圧力を有する気体を、カバー
内に供給するので、真空容器内の塵埃がカバー内に侵入
するの欠防止でき、従って被蒸着部材に形成される薄膜
は清浄なものとなる。また被蒸着部材を支持する支持体
は真空容器に対して係脱自在にされているため、上下カ
ッく−を取付けたまま出し入れができ、従って出し入れ
時においても塵埃の付着を防止することができる。
−に、1R#気体を給気する時に、流路抵抗を時間の経
過と共に大きく又は小さくなるようにして、カバー内圧
力をカバー外圧力よりも常に一定圧力だけ高く保持した
ので、真空容器内の気流を緩やかにでき、従って真空容
器内に堆積した塵埃の舞い上がシをできるだけ防止でき
る。
過と共に大きく又は小さくなるようにして、カバー内圧
力をカバー外圧力よりも常に一定圧力だけ高く保持した
ので、真空容器内の気流を緩やかにでき、従って真空容
器内に堆積した塵埃の舞い上がシをできるだけ防止でき
る。
発明の効果
以上のように本発明によれば、被蒸着部材の上下部を上
下カバーで覆うと共にその給排気時においては、カバー
外の気体圧力よシ高い圧力を有する気体を、カバー内に
供給するので、真空容器内の塵埃がカバー内に侵入する
のを防止でき、従って被蒸着部材に形成される薄膜は清
浄なものとなる。
下カバーで覆うと共にその給排気時においては、カバー
外の気体圧力よシ高い圧力を有する気体を、カバー内に
供給するので、真空容器内の塵埃がカバー内に侵入する
のを防止でき、従って被蒸着部材に形成される薄膜は清
浄なものとなる。
笛1M−、−笛3(支)は襟ヰ侶1を呆1、−斌1図は
断面図、第2図は排気状態を示す断面図、第3図は給気
状態を示す断面図、第4図〜第8図は本発明の一実施例
を示すもので、第4図は断面図、第5図は排気状態を示
す断面図、第6図は給気状態を示す断面図、第7図及び
第8図は排気時及び給気時におけるカバー内圧力及びカ
バー外圧力の変化を示すグラフである。 ■・・・真空容器、@・・・給気ボー)、+13・・・
排気ゲート、C4・・・蒸着源、面・・・るつは、面・
・・支持体、(18Q)・・・開口周縁部、0ト・被蒸
着部材、(2)・・・下カッ< −+ (22fL)・
・・開口部、@・・・上カバー、(ハ)・・・給気孔、
(ハ)・・・通気孔、(イ)・・・給気手段、(ロ)・
・・ボンベ、(ハ)・・・4管、(4)・・・制御手段
、…・・・可変流体絞9升、L(II・・・駆劾モータ
代理人 祿 本 義 弘 第5図 第2図
断面図、第2図は排気状態を示す断面図、第3図は給気
状態を示す断面図、第4図〜第8図は本発明の一実施例
を示すもので、第4図は断面図、第5図は排気状態を示
す断面図、第6図は給気状態を示す断面図、第7図及び
第8図は排気時及び給気時におけるカバー内圧力及びカ
バー外圧力の変化を示すグラフである。 ■・・・真空容器、@・・・給気ボー)、+13・・・
排気ゲート、C4・・・蒸着源、面・・・るつは、面・
・・支持体、(18Q)・・・開口周縁部、0ト・被蒸
着部材、(2)・・・下カッ< −+ (22fL)・
・・開口部、@・・・上カバー、(ハ)・・・給気孔、
(ハ)・・・通気孔、(イ)・・・給気手段、(ロ)・
・・ボンベ、(ハ)・・・4管、(4)・・・制御手段
、…・・・可変流体絞9升、L(II・・・駆劾モータ
代理人 祿 本 義 弘 第5図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、給排気ボートを有する真空容器内の下部に蒸着源を
配置すると共に、真空容器内上部位置において、被蒸着
部材を支持する支持体を前記真空容器に係脱自在に保持
し、前記被蒸着部4才及びその周縁部支持体の各下面を
覆う下カバーを設けると共にこの下カバーの下端開口部
を蒸着源近傍上方に位置させ、前記被蒸着部材及びその
周縁部支持体の各上面を覆う上カバーを設けると共にこ
の上カバーの適所に給気孔を形成し、前記支持体周縁部
に、上下カバー内を連通させる通電孔を形成し、+ri
前記上カバー〇給気孔に清浄気体を供給する給気手段を
設け、且つ前記真空g器内を給排気する時、前記#気手
段によシ上下カバー内に供給された気体の圧力を、上下
カバー外の気体の圧力よシも高くする制御手段を設けた
蒸着装置。 2、 制御手段は給気手段途中に設けられた可斐流体絞
シ弁と、この可変流体絞シ弁を作動させて給気手段途中
の流路抵抗を変化させる駆動手段とから成り、且つ真空
容器内を排気する時に前記流路抵抗が時間経過と共に大
きくなるように制御し、更に真空容器内に給気する時に
前記流路抵抗が時間経過と共に小さくなるように制御す
るようにした特許請求の範囲第1項記載の蒸プ9装置i
If。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206451A JPS6096755A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206451A JPS6096755A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6096755A true JPS6096755A (ja) | 1985-05-30 |
Family
ID=16523588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58206451A Pending JPS6096755A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6096755A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5205051A (en) * | 1990-08-28 | 1993-04-27 | Materials Research Corporation | Method of preventing condensation of air borne moisture onto objects in a vessel during pumping thereof |
| US5237756A (en) * | 1990-08-28 | 1993-08-24 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for reducing particulate contamination |
| US5589224A (en) * | 1992-09-30 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for full wafer deposition |
| US5951775A (en) * | 1992-09-30 | 1999-09-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for full wafer deposition |
| US6179923B1 (en) * | 1997-08-22 | 2001-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Deposition apparatus for an organic thin-film light-emitting element |
| US6475356B1 (en) | 1996-11-21 | 2002-11-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP58206451A patent/JPS6096755A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6143086A (en) * | 1992-09-30 | 2000-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for full wafer deposition |
| US6475356B1 (en) | 1996-11-21 | 2002-11-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma |
| US6179923B1 (en) * | 1997-08-22 | 2001-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Deposition apparatus for an organic thin-film light-emitting element |
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