JPS6099552U - ゲ−トタ−ンオフサイリスタ - Google Patents

ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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Publication number
JPS6099552U
JPS6099552U JP19173583U JP19173583U JPS6099552U JP S6099552 U JPS6099552 U JP S6099552U JP 19173583 U JP19173583 U JP 19173583U JP 19173583 U JP19173583 U JP 19173583U JP S6099552 U JPS6099552 U JP S6099552U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
cathode emitter
thyristor
gate turn
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19173583U
Other languages
English (en)
Inventor
康夫 山口
宍戸　長次
Original Assignee
日本インター株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本インター株式会社 filed Critical 日本インター株式会社
Priority to JP19173583U priority Critical patent/JPS6099552U/ja
Publication of JPS6099552U publication Critical patent/JPS6099552U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係るＧＴＯのカソードエミッタ電極側
から見た平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿う断面
図、第３図Ａ乃至りは本考案の他の実施例を示す一部切
欠平面図、第４図は本考案のさらに他の実施例を示す一
部切欠平面図である。 １　・・−ＧＴｏ、　４．４　ａ、　４　ｂ、　４０・
・・ゲート領域、５＝　５ａ＝　５ｂ、　５ｃｔ　５０
，５１−５２””カソードエミッタ領域、Ｗ・・・ウェ
ハ、７・・・ゲート電極金属、７ａ・・・ゲート導出導
体接続部。

Claims (5)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）ゲート領域内にカソードエミッタ領域が複数の独
    立した島状に選択的に形成され、かつこの島状のカソー
    ドエミッタ領域がウェハ中心部の周りから放射状に延び
    るように配置され、前記ゲート領域および前記カソード
    エミッタ領域の表面＋”−それぞれ電極金属が形成され
    該ゲート電極金属表面の少なくとも１箇所から外部へ導
    出する導体の接続部を有するゲートターンオフサイリス
    タにおいて、前記ゲート導出導体の接続部から遠くに離
    れるに従い、前記カソードエミッタ領域の面積をゲート
    導出導体の接続部に近いカソードエミッタ領域の面積に
    比較して比例的に小さくなるようにしたことを特徴とす
    るゲートターンオフサイリスク。
  2. （２）前記カソードエミッタ領域はウェハの半径方向に
    延びる複数の互いに分離された細長い島として形成され
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のゲート
    ターンオフサイリスタ。
  3. （３）前記カソードエミッタ領域はウェハの半径方向に
    整列され、互いに分離された複数の円形状の島として形
    成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    ゲートターンオフサイリスタ。
  4. （４）前記カソードエミッタ領域はウェハの半径方向に
    両角部が延びかつこの両角部が前記ゲート導出導体の接
    続部と反対側になるような互いに分離された扇状の島と
    して形成されることを特徴とするゲートターンオフサイ
    リスタ。
  5. （５）前記カソードエミッタ領域が前記特許請求の範囲
    第２項乃至第４項記載の島状形状の組合せであることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載のゲートターンオ
    フサイリスタ。
JP19173583U 1983-12-12 1983-12-12 ゲ−トタ−ンオフサイリスタ Pending JPS6099552U (ja)

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JP19173583U JPS6099552U (ja) 1983-12-12 1983-12-12 ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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JP19173583U JPS6099552U (ja) 1983-12-12 1983-12-12 ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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JPS6099552U true JPS6099552U (ja) 1985-07-06

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JP19173583U Pending JPS6099552U (ja) 1983-12-12 1983-12-12 ゲ−トタ−ンオフサイリスタ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6216570A (ja) * 1985-07-15 1987-01-24 Hitachi Ltd 半導体スイツチング装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5527641A (en) * 1978-08-18 1980-02-27 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Semiconductor control element
JPS55102267A (en) * 1979-01-29 1980-08-05 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Semiconductor control element
JPS57153467A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS5999769A (ja) * 1982-11-30 1984-06-08 Toshiba Corp 半導体装置

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