JPS61104318A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPS61104318A JPS61104318A JP22173084A JP22173084A JPS61104318A JP S61104318 A JPS61104318 A JP S61104318A JP 22173084 A JP22173084 A JP 22173084A JP 22173084 A JP22173084 A JP 22173084A JP S61104318 A JPS61104318 A JP S61104318A
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Landscapes
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- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置または磁気
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
（従来技術とその問題点）
一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによシヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作勺、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによシヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作勺、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。
以下Ｃ８Ｓ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時に磁
気記憶体の回転が止−！シ、この時ヘッドと磁気記憶体
面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
気記憶体の回転が止−！シ、この時ヘッドと磁気記憶体
面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
さらに長時間のヘッドと磁気記憶体とは接触によシ互い
に吸着し、離れにくくなる。この傷の発生及び吸着を防
ぐために従来から特開昭５２−４９８０５に示される様
な以下に示す側鎖パーフロロアルキルポリエーテル又は
、直鎖パー７０ロアルキルボリエーテルを例とする種々
の潤滑剤が提案されてきたが、いずれもＣ８Ｓによシ除
々に潤滑層が除去され多数回のＣ８Ｓの繰り返しにおい
て磁気記憶体の傷の発生を防ぐことができなかった。ま
た除去された潤滑剤が接触摺動面に厚く局在し、ヘッド
との吸着を生じるという欠点もあっ ｔた。
に吸着し、離れにくくなる。この傷の発生及び吸着を防
ぐために従来から特開昭５２−４９８０５に示される様
な以下に示す側鎖パーフロロアルキルポリエーテル又は
、直鎖パー７０ロアルキルボリエーテルを例とする種々
の潤滑剤が提案されてきたが、いずれもＣ８Ｓによシ除
々に潤滑層が除去され多数回のＣ８Ｓの繰り返しにおい
て磁気記憶体の傷の発生を防ぐことができなかった。ま
た除去された潤滑剤が接触摺動面に厚く局在し、ヘッド
との吸着を生じるという欠点もあっ ｔた。
側鎖パー７０ロアルキルボリマーテル
Ｆ、Ｃｏ−（−ＣＦ、−ＣＦ、−Ｏｔ＋ｃＦ、−０＋ｎ
ｃＦ。
ｃＦ。
直鎖パー７０ロアルキルボリエーテル
（発明の目的）
本発明の目的は潤滑特性に優れかつ、ヘッド吸着が少な
くしかも磁気記憶体表面との密着性の良い（すなわちヘ
ッドの浮陽特性を悪化させない）Ｓ潤滑剤を有する磁気
記憶体を提供することにある。
くしかも磁気記憶体表面との密着性の良い（すなわちヘ
ッドの浮陽特性を悪化させない）Ｓ潤滑剤を有する磁気
記憶体を提供することにある。
（発明の構成）
すなわち、本発明の磁気記憶体は鏡面を有する下地体の
上に磁性媒体が被覆され、該媒体上に直接または保護膜
を介してパーフロロアルキルエーテルと架橋分子の繰り
返し単位を１つ以上含むノく一７０ロアルキルボリマー
もしくは該ポリマーと潤滑剤の混合物が形成された磁気
記憶体、及び同様に （ただしｋはＯ又は１以上の整数、ｋは１以上の整数、
ｎは１以上の整数、またＪ′は架橋分子である。） で表わされる構造のくシ返し単位構造を１以上含むパー
７０ロアルキルボリマー又は該ポリマーと潤滑剤の混合
物が形成され九磁気記憶体、及び同様に 十〇ｉＦ、Ｉ Ｊ’ ＋ （九だし１は３以上の整数、ｎは１以上の整数、Ｊ′架
橋分子である。） で表わされる構造のくシ返し単位構造を１以上含むパー
７０ロアルキルボリマー又は該ポリマーと潤滑剤の混合
物が形成された磁気記憶体、及び同様に１以上の架橋単
位で２以上のポリマー鎖が結ばれた２次元構造を有する
パー７０ロアルキルボリマー又は該ポリマーと潤滑剤の
混合物が被覆されてなる磁気記憶体である。
上に磁性媒体が被覆され、該媒体上に直接または保護膜
を介してパーフロロアルキルエーテルと架橋分子の繰り
返し単位を１つ以上含むノく一７０ロアルキルボリマー
もしくは該ポリマーと潤滑剤の混合物が形成された磁気
記憶体、及び同様に （ただしｋはＯ又は１以上の整数、ｋは１以上の整数、
ｎは１以上の整数、またＪ′は架橋分子である。） で表わされる構造のくシ返し単位構造を１以上含むパー
７０ロアルキルボリマー又は該ポリマーと潤滑剤の混合
物が形成され九磁気記憶体、及び同様に 十〇ｉＦ、Ｉ Ｊ’ ＋ （九だし１は３以上の整数、ｎは１以上の整数、Ｊ′架
橋分子である。） で表わされる構造のくシ返し単位構造を１以上含むパー
７０ロアルキルボリマー又は該ポリマーと潤滑剤の混合
物が形成された磁気記憶体、及び同様に１以上の架橋単
位で２以上のポリマー鎖が結ばれた２次元構造を有する
パー７０ロアルキルボリマー又は該ポリマーと潤滑剤の
混合物が被覆されてなる磁気記憶体である。
（構成の詳細な説明）
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下触体１
はアルミ合金又は、陽極酸化アルマイト、ＮＩ−Ｐメッ
キ映、Ｃｒ、ＦｓＮｌ、Ｍｅ ｔたはＷ等を被覆のアル
ミ合金、又はポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリサル７オン、芳香族ポリエーテルなどのプラ
スチック、又はＣｒ、ＦａＮｉ。
はアルミ合金又は、陽極酸化アルマイト、ＮＩ−Ｐメッ
キ映、Ｃｒ、ＦｓＮｌ、Ｍｅ ｔたはＷ等を被覆のアル
ミ合金、又はポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリサル７オン、芳香族ポリエーテルなどのプラ
スチック、又はＣｒ、ＦａＮｉ。
Ｍｏ、Ｗなどの金属、又はガラス板又はセラミックス基
板である。次にこの下地体１の上に磁性媒体２としてＦ
ｅ１０４ ＊ ｒ−ＦｅｓＯ＊などの鉄酸化物又はＣｏ
−Ｎ ｉ 、 Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ 、 Ｃｏ −Ｍｎ
−Ｐ 、 Ｃｏ−Ｎｌ −Ｍｎ −Ｐ 。
板である。次にこの下地体１の上に磁性媒体２としてＦ
ｅ１０４ ＊ ｒ−ＦｅｓＯ＊などの鉄酸化物又はＣｏ
−Ｎ ｉ 、 Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ 、 Ｃｏ −Ｍｎ
−Ｐ 、 Ｃｏ−Ｎｌ −Ｍｎ −Ｐ 。
Ｃｏ−Ｒｅ 、Ｃｏ −Ｍｎ−Ｒｓ −Ｐ 、Ｃｏ−Ｃ
ｒ 、 Ｃｏ −Ｖ 、 Ｃｏ −Ｐ ｔ 。
ｒ 、 Ｃｏ −Ｖ 、 Ｃｏ −Ｐ ｔ 。
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ 、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ 、Ｃｏ−Ｐｔ
−Ｖ、Ｃｏ−Ｒｈ 。
−Ｖ、Ｃｏ−Ｒｈ 。
Ｃｏ −Ｎ ｉ −Ｍｏ 又はＣｏ−８ｍなどの金属又
は合金を被覆する。さらに該磁性媒体２の上にパーフロ
ロアルキルエーテルと架橋分子の繰り返し単位を１つ以
上含むパーフロロアル中ルボリエーテルモシくは該ポリ
エーテルと潤滑剤の混合物またはパー７０ロアルキル基
と架橋分子からなる繰り返し単位を１つ以上含むパー７
０ロアルキルボリマーもしくは該ポリマーと潤滑剤の混
合物または１つ以上の架橋単位で２つ以上のポリマー鎖
が結ばれ九２次元構造を有するパーフロロアルキルポリ
マーと潤滑剤の混合物からなる潤滑層４が被覆されてい
る。
は合金を被覆する。さらに該磁性媒体２の上にパーフロ
ロアルキルエーテルと架橋分子の繰り返し単位を１つ以
上含むパーフロロアル中ルボリエーテルモシくは該ポリ
エーテルと潤滑剤の混合物またはパー７０ロアルキル基
と架橋分子からなる繰り返し単位を１つ以上含むパー７
０ロアルキルボリマーもしくは該ポリマーと潤滑剤の混
合物または１つ以上の架橋単位で２つ以上のポリマー鎖
が結ばれ九２次元構造を有するパーフロロアルキルポリ
マーと潤滑剤の混合物からなる潤滑層４が被覆されてい
る。
本発明で用いられるパーフロロアルキルエーテルと架橋
分子の繰り返し単位を１つ以上含むパー７０ロアルキル
ボリマーの１例としては次式の様な化合物が有る。
分子の繰り返し単位を１つ以上含むパー７０ロアルキル
ボリマーの１例としては次式の様な化合物が有る。
Ｒｆ−Ｊ’（−Ｒｆ’ −０−Ｊ＋＋Ｒ（’ −０−）
−Ｒｆ” ・・・■ｎ ｍ ただしＲｔ、Ｒｔ”はＣＲＦ旺＋！ここでｌは１以上の
整数、ｎは１以上の整数、ｍはＯ又は１以上の整数であ
る。
−Ｒｆ” ・・・■ｎ ｍ ただしＲｔ、Ｒｔ”はＣＲＦ旺＋！ここでｌは１以上の
整数、ｎは１以上の整数、ｍはＯ又は１以上の整数であ
る。
Ｒｆ’ 、Ｒｆ’はふっ素化炭化水素で例えば次式の様
に表わせる。
に表わせる。
ここでｋは０又は１以上の整数、ｈは１以上の整数であ
る。
る。
Ｊはエーテル結合（−０−）を除く架橋分子であ−Ｃ−
ＮＨ−、−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＮＨＣｏ−ＮＨ
−。
ＮＨ−、−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＮＨＣｏ−ＮＨ
−。
−ＮＨＣｏｏ−あるいはこれらの同種を除く組合せであ
る。
る。
Ｊ“はＪと同様の架橋分子又−はエーテル結合（−０−
するいはそれらの同種を除く組合せである。また、次式
の様に一端又は両端又は繰）返し単位中に官能基を有し
ていても良い。
するいはそれらの同種を除く組合せである。また、次式
の様に一端又は両端又は繰）返し単位中に官能基を有し
ていても良い。
ここで官能基Ｇ″！たけＧ′は
−ＮＣＯ，−８Ｈ，−８ｏ、Ｈ，−８ｏ、Ｍ（ＭはＮａ
、に、Ｌｌ）。
、に、Ｌｌ）。
−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＣｊＨ＊ ｊ＋ｓ （ｊ ｈ １
以上ｆ）Ｍ ａ ）、−ＣｓＨ，５ｏｂ（ｓはＯ又は
１以上の整数）、ＮＨ，。
以上ｆ）Ｍ ａ ）、−ＣｓＨ，５ｏｂ（ｓはＯ又は
１以上の整数）、ＮＨ，。
−ＣＨ＠＝ＣＨｇ 、 Ｓ １ （ｃｈａ、ｈ＋１
） ｇ−ｘ、ｗ ｇ （ｈは１以上の整数、ｇは０，１
又は２、ＸはＣＩ又は−ＯＨ又は０ＣｒＨａｔ−ｓ
（ｆは１以上の整数）、または−Ａ−８ｉ （ＣｈＨｓ
ｈ−１−ｔ ） ｇ Ｘ−ｇ（ｈ、ｇ、ｘは上記と同様
。又ＡはＣ，Ｈ，Ｎ、Ｏ，Ｓの１つ以上の元素からなる
有機物）であシ例えば−ＣＯ−ＮＨ−ＣＨ，−ＣＨ，−
、−ＮＨ−ＣＨ，−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃ急−、−ＮＨ−Ｃ
Ｏ−ＣＨ，−ＣＨ，−。
） ｇ−ｘ、ｗ ｇ （ｈは１以上の整数、ｇは０，１
又は２、ＸはＣＩ又は−ＯＨ又は０ＣｒＨａｔ−ｓ
（ｆは１以上の整数）、または−Ａ−８ｉ （ＣｈＨｓ
ｈ−１−ｔ ） ｇ Ｘ−ｇ（ｈ、ｇ、ｘは上記と同様
。又ＡはＣ，Ｈ，Ｎ、Ｏ，Ｓの１つ以上の元素からなる
有機物）であシ例えば−ＣＯ−ＮＨ−ＣＨ，−ＣＨ，−
、−ＮＨ−ＣＨ，−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃ急−、−ＮＨ−Ｃ
Ｏ−ＣＨ，−ＣＨ，−。
−ＮＨｃｏｏ−ｃｄｗ、−、−０−ＣＨ，−ＣＨ，−、
−８−ＣＨ。
−８−ＣＨ。
−ＮＨ−Ｃ−Ｎｕ−ＣＨ，−ＣＨ，−などである。
またＲ、Ｒ’はＣｗＸ奸霊（ｗは０又は１以上の整数、
ＸはＨ，Ｆ、ＣＩ、Ｂｒ、Ｉのいずれかである）また、
本発明のパー７０ロアルキル基と架橋分子からなる繰り
返し単位を１つ以上含むパーフロロアルキルポリマーの
１例としては次式の様な化合物がある。
ＸはＨ，Ｆ、ＣＩ、Ｂｒ、Ｉのいずれかである）また、
本発明のパー７０ロアルキル基と架橋分子からなる繰り
返し単位を１つ以上含むパーフロロアルキルポリマーの
１例としては次式の様な化合物がある。
Ｒｔ −Ｊ’ ” （−Ｃ’ ｓ Ｆ、ｔ−Ｊ”÷÷Ｒ
ｆ’−〇−）−Ｒｆ’・・・６ｔｔ
ｍ ここで各記号は前述の■〜■の構造式で示したものと同
じである。
ｆ’−〇−）−Ｒｆ’・・・６ｔｔ
ｍ ここで各記号は前述の■〜■の構造式で示したものと同
じである。
但し、０〜０式において架橋分子Ｊ１．ＪＩ＊ は−Ｎ
Ｈ，−ＮＨ−ＣＯ−、−ＮＨＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ
ＯＯ−などである。
Ｈ，−ＮＨ−ＣＯ−、−ＮＨＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ
ＯＯ−などである。
Ｊ“は−０−を除（Ｊ’ 、Ｊ” を同様の架橋分子で
ある。
ある。
また１本発明の別の１例である１つ以上の架橋単位で２
つ以上のポリマー鎖が結ばれた２次元構造を有するパー
７０ａアルキルポリマーは次式の様に表わせる。
つ以上のポリマー鎖が結ばれた２次元構造を有するパー
７０ａアルキルポリマーは次式の様に表わせる。
Ｒｆ” −Ｊ ” −４−Ｒｔ” −Ｊ’ ＋＋Ｒｔ”
−０−）−Ｒｔ””ｎ ｍ Ｒｆ”−Ｊ”４Ｒｔ”−Ｊ’←Ｒｒ”−０九、Ｒ−ここ
でＲｒ 、Ｒｆ”、Ｒｆ” 、Ｒｆ””は前述の０式で
示したものと同様である。またＪｌ 、 Ｊｌ ＊ 、
Ｊ／／ ＊ 、 Ｐ 、 Ｊｌは前述の０〜０式にお
いて示したものと同じである。
−０−）−Ｒｔ””ｎ ｍ Ｒｆ”−Ｊ”４Ｒｔ”−Ｊ’←Ｒｒ”−０九、Ｒ−ここ
でＲｒ 、Ｒｆ”、Ｒｆ” 、Ｒｆ””は前述の０式で
示したものと同様である。またＪｌ 、 Ｊｌ ＊ 、
Ｊ／／ ＊ 、 Ｐ 、 Ｊｌは前述の０〜０式にお
いて示したものと同じである。
但し、ｍ′は１以上の整数であシｎ′は０又は１以上の
整数である。また０、０式中Ｒｒ又はＲｆ’中に０式で
示し九様な官能基が含まれていても良い。
整数である。また０、０式中Ｒｒ又はＲｆ’中に０式で
示し九様な官能基が含まれていても良い。
また０、０式は１つの架橋単位で２つのポリマー鎖が結
ばれた構造を示したが２つ以上の架橋単位で、３つ以上
のポリマー鎖が結ばれた２次元構造を有していても良い
。
ばれた構造を示したが２つ以上の架橋単位で、３つ以上
のポリマー鎖が結ばれた２次元構造を有していても良い
。
以上の様な架橋分子と繰り返し単位の構造によシ前記ポ
リエーテルまたは前記ポリマーの、保護膜又は磁性媒体
への固着が特に強固になる。
リエーテルまたは前記ポリマーの、保護膜又は磁性媒体
への固着が特に強固になる。
この様な強い固着能と配向性のためにヘッドとの摺動に
対し傷を防止する潤滑性の持続効果とヘッドディスク間
への前記ポリマー又は前記ポリエーテルの集積防止効果
によるヘッドとディスクの吸着を防止する効果の２つの
効果が同時に得られる。また上記パー７０ロアルキルポ
リエーテルの粘度は分子鎖長および官能基の種類によ？
）１０ｙ〜１ｏｏｏｏｏｏ ｃｓｃｔで変化させること
が出来る。
対し傷を防止する潤滑性の持続効果とヘッドディスク間
への前記ポリマー又は前記ポリエーテルの集積防止効果
によるヘッドとディスクの吸着を防止する効果の２つの
効果が同時に得られる。また上記パー７０ロアルキルポ
リエーテルの粘度は分子鎖長および官能基の種類によ？
）１０ｙ〜１ｏｏｏｏｏｏ ｃｓｃｔで変化させること
が出来る。
また前記ポリエーテル又は前記ポリマーと混合すキルポ
リエーテル、ポリテトラフロロエチレン、ポリテトラ７
０ロエチレンテロマー、パー７０ロカルポン酸、パーフ
ロロアルコール、パーフロロｌｙルポ／９エステル、パ
ー７０ロアルコールノ脂肪酸エステル、パーフロロアル
キルアルコキシシラン、フロロシリコーン、パシフロロ
アルキルスルホ：／Ｈ、パー７０ロアルキルスルホン酸
アンモ脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化
水素、ポリアルキレングリコール、シリコーンオイル、
ポリオキ奮ζエチレン、ネオペンチルポリオールエステ
ル、ポリフェニルニーチルなどがある。
リエーテル、ポリテトラフロロエチレン、ポリテトラ７
０ロエチレンテロマー、パー７０ロカルポン酸、パーフ
ロロアルコール、パーフロロｌｙルポ／９エステル、パ
ー７０ロアルコールノ脂肪酸エステル、パーフロロアル
キルアルコキシシラン、フロロシリコーン、パシフロロ
アルキルスルホ：／Ｈ、パー７０ロアルキルスルホン酸
アンモ脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化
水素、ポリアルキレングリコール、シリコーンオイル、
ポリオキ奮ζエチレン、ネオペンチルポリオールエステ
ル、ポリフェニルニーチルなどがある。
第２図は、本発明の別の磁気記憶体の部分断面図である
。第２図において、下地体１、および磁性媒体２、およ
び前記のポリエーテル又はポリマーもしくはそれらと潤
滑剤の混合物からなる潤滑層４は第１図と同じであるが
磁性媒体２と前記潤滑層４０間に保護膜が被覆されてい
る。該保護膜３はＳｉｎ、、 ８１．Ｎ４． ＳＩＣ又
はケイ酸重合物などのケイ素化合物またはＣｏＯ、Ｃ０
１０４、Ｃｏｌｏｇ −（１−Ｆ＠＠Ｏ＠ ＊ Ｃｒ＠
Ｏ＠ 、 Ｃｒｏ＠ ＠ Ｔ ｔｏ、 、又はＺｒＯ＊
などの金属酸化物またはＴＩＮ、、ＺｒＮ、ＣｒＮ又は
ＴａＮなどの金属窒化物またはＴｉｃ、ＺｒＣ，ＣｒＣ
又はＴａＣなどの金属炭化物またはＷ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｎ
ｉＰ、Ｒｕ。
。第２図において、下地体１、および磁性媒体２、およ
び前記のポリエーテル又はポリマーもしくはそれらと潤
滑剤の混合物からなる潤滑層４は第１図と同じであるが
磁性媒体２と前記潤滑層４０間に保護膜が被覆されてい
る。該保護膜３はＳｉｎ、、 ８１．Ｎ４． ＳＩＣ又
はケイ酸重合物などのケイ素化合物またはＣｏＯ、Ｃ０
１０４、Ｃｏｌｏｇ −（１−Ｆ＠＠Ｏ＠ ＊ Ｃｒ＠
Ｏ＠ 、 Ｃｒｏ＠ ＠ Ｔ ｔｏ、 、又はＺｒＯ＊
などの金属酸化物またはＴＩＮ、、ＺｒＮ、ＣｒＮ又は
ＴａＮなどの金属窒化物またはＴｉｃ、ＺｒＣ，ＣｒＣ
又はＴａＣなどの金属炭化物またはＷ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｎ
ｉＰ、Ｒｕ。
Ｒｈ 、Ｍｎ’、Ｍｏ ｔｏｌｌまたはＴ１又はそれら
の合金などの金属又は合金が用いられる。
の合金などの金属又は合金が用いられる。
いずれも前記潤滑層４と良く反応し、強固に該潤滑層４
を保持することが出来る。特にニッケル酸化物″１走は
コバルト酸化物またはＳｔ、、はその効果が著るしい。
を保持することが出来る。特にニッケル酸化物″１走は
コバルト酸化物またはＳｔ、、はその効果が著るしい。
なお前記潤滑層４を被覆後、１００〜３００℃で焼成し
ても良い。
ても良い。
次に実施例によυ本発明の詳細な説明する。
実施例１
ニッケルー燐めつき膜が被覆され表面粗さ００２μｍに
鏡面仕上げされた下地体１の上に磁性媒体２としてコバ
ルト−ニッケルー燐合金ヲ０１０５μｍの厚さＫめっき
した。次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開昭
５２−２０８０４号公報に示された様なポリ珪酸（珪酸
重合物）を回転塗布法によシ被覆する。次にこの保護膜
３の上に潤滑層４として下記に示す構造のパーフロロア
ルキルエーテルと架橋分子の繰り返し単位を含むパー７
ａ。
鏡面仕上げされた下地体１の上に磁性媒体２としてコバ
ルト−ニッケルー燐合金ヲ０１０５μｍの厚さＫめっき
した。次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開昭
５２−２０８０４号公報に示された様なポリ珪酸（珪酸
重合物）を回転塗布法によシ被覆する。次にこの保護膜
３の上に潤滑層４として下記に示す構造のパーフロロア
ルキルエーテルと架橋分子の繰り返し単位を含むパー７
ａ。
アルキルポリマー
の０．１ｔｉｔ％トリフロロトリクロルエタン（以下フ
レオンと称する）溶液を回転塗布法により被覆して、磁
気ディスクを作った。この磁気ディスクを後述の評価法
により評価したところ、優れ九耐性を有することが確認
された。
レオンと称する）溶液を回転塗布法により被覆して、磁
気ディスクを作った。この磁気ディスクを後述の評価法
により評価したところ、優れ九耐性を有することが確認
された。
実施例２
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパーフロロアルキルポリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
実施例３
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
実施例４
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
ここでｎ＝５．ｍ＝５である。
実施例５
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
Ｆ、Ｃ−（−ＣＦ、−８−）−（−Ｃ，Ｆ４−０−）
ＣＦ。
ＣＦ。
ｎ ｍ
ここでｎ＝２１ｍ＝ｌＯである。
実施例６
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
ＣＦ。
ＣＦ。
ｎ ＝ ５０である。
実施例７
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作−）九。
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作−）九。
実施例８
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
Ｆ、Ｃ＋Ｃ，Ｆ、−０−）−ＣＦ。
ここでｎ ＝ ２０である。
実施例９
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパー７ｃｒｏアルキルポリマーを用いて磁気ディスク
を作り九。
のパー７ｃｒｏアルキルポリマーを用いて磁気ディスク
を作り九。
実施例１０
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作っ九。
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作っ九。
Ｆ、Ｃ＋ＣＦＣＦ、−０＋＋ＣＦ、−０＋ＣＦ。
ｎ ｍ
ここでｎ＝２９ｍ＝１０である。
実施例１１
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作ったっ Ｆ、（４ＣＦ、ＣＦ、−０−＋＋ＣＦ−０÷ＣＦ。
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作ったっ Ｆ、（４ＣＦ、ＣＦ、−０−＋＋ＣＦ−０÷ＣＦ。
ｌ ｍ
！
ここでｎ＝１０．ｍ＝３である。
実施例１２
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
ここでｎ立１．ｍ＝３０である。
実施制御３
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
Ｃ＝０
ここでｎ ＝２０ ｐ ｍ ＝２である。
実施例１４
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として保護膜３と
してＮＩＰ を５０ＯＡめっきし、後２８０℃で焼成し
て表面にＮＩＯを形成させて磁気ディスクを作った。
してＮＩＰ を５０ＯＡめっきし、後２８０℃で焼成し
て表面にＮＩＯを形成させて磁気ディスクを作った。
実施例１５
実施例３と同様にして、但し潤滑層４として保護膜３と
してＳｓ’、を２０ＯＡスパツタリングによシ被覆して
磁気ディスクを作った。
してＳｓ’、を２０ＯＡスパツタリングによシ被覆して
磁気ディスクを作った。
実施例１６
実施例１と同様にして、但し磁性媒体２としてＣｏＣｒ
合金をスパッタリング法によシ被覆し、その上に潤滑層
４として実施例９と同様のパー７０ロアルキルボリマー
を被覆して磁気ディスクを作ったつ 実施例１７ 実施例１６と同様にして、但し磁性媒体２としてγ−Ｆ
ｃ２０１ をスパッタリング法によシ被覆して磁気デ
ィスクを作った。
合金をスパッタリング法によシ被覆し、その上に潤滑層
４として実施例９と同様のパー７０ロアルキルボリマー
を被覆して磁気ディスクを作ったつ 実施例１７ 実施例１６と同様にして、但し磁性媒体２としてγ−Ｆ
ｃ２０１ をスパッタリング法によシ被覆して磁気デ
ィスクを作った。
実施例１８
実施例１と同様にして、但し潤滑層４として下記の構造
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディスクを
作った。
）構造のパー７０ロアルキルボリマーを用いて磁気ディ
スクを作った。
スクを作った。
ここでｎ＝１．ｍ＝１
ｔ＝１．ｍ＝１である。
比較例１
実施例１と同様にして、但し保護膜３の上に潤滑層４と
して下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテ
ルを被覆して磁気ディスクを作った。
して下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテ
ルを被覆して磁気ディスクを作った。
ｎ＝３０〜５０
比較例２
実施例１と同様にして、但し保護膜３の上に潤滑層４と
して下記の構造を有するパー７０ロアルキルポリエーテ
ルを被覆して磁気ディスクを作った。
して下記の構造を有するパー７０ロアルキルポリエーテ
ルを被覆して磁気ディスクを作った。
Ｆ、Ｃ（−Ｃ，Ｆ４−０−ｑ÷ＣＦ、−０八ＣＦ。
ｍ ＝ ｎ ＝ ２０〜３０
実施例１〜１９及び比較例１．２で示した磁気ディスク
を用いて荷重１５１のＡ１．Ｏ，・ＴｔＣ製コアを有す
るヘッドスライダを用いて多数回のコンタクト・スター
ト・ストップ（Ｃ８Ｓ’）の繰り返し摩耗試験とヘッド
吸着の始まる臨界膜厚を測定したところ次表の結果を得
た。
を用いて荷重１５１のＡ１．Ｏ，・ＴｔＣ製コアを有す
るヘッドスライダを用いて多数回のコンタクト・スター
ト・ストップ（Ｃ８Ｓ’）の繰り返し摩耗試験とヘッド
吸着の始まる臨界膜厚を測定したところ次表の結果を得
た。
上表の結果よシ比較例１，２のパーフロロアルキルポリ
エーテルに比べ実施例１〜１５．１８．１９のパー７０
ロアルキルポリエーテルまたはパーフロロアルキルポリ
マーの耐久性が格段に向上することが分った。
エーテルに比べ実施例１〜１５．１８．１９のパー７０
ロアルキルポリエーテルまたはパーフロロアルキルポリ
マーの耐久性が格段に向上することが分った。
実施例１６．１７は保護膜を有しないため、他の実施例
よυ耐久性は悪いが、比較例よりは優れた耐久性を有し
ている。また臨界膜厚についても比較例】、２のパーフ
ロロアルキルポリエーテルは極くわずかの膜厚でもヘッ
ド吸着が始まるが、実施例１〜１５，１８．１９のパー
７０ロアルキルポリエーテルは５０〜１５０Ａとより厚
い膜厚までヘッド吸着を生じず、大きなマージンを有し
ている仁とが分った。
よυ耐久性は悪いが、比較例よりは優れた耐久性を有し
ている。また臨界膜厚についても比較例】、２のパーフ
ロロアルキルポリエーテルは極くわずかの膜厚でもヘッ
ド吸着が始まるが、実施例１〜１５，１８．１９のパー
７０ロアルキルポリエーテルは５０〜１５０Ａとより厚
い膜厚までヘッド吸着を生じず、大きなマージンを有し
ている仁とが分った。
（発明の効果）
以上の様に実施例１〜１９で示したパーフロロアルキル
ポリマー又はパー７０ｔ：Ｉアルキルポリエーテルは耐
久性に優れ、またヘッド吸着を生じに＜＜、磁気ディス
クの装置の信頼性を飛躍的に向上出来ることが分った。
ポリマー又はパー７０ｔ：Ｉアルキルポリエーテルは耐
久性に優れ、またヘッド吸着を生じに＜＜、磁気ディス
クの装置の信頼性を飛躍的に向上出来ることが分った。
なお、本発明の実施例では磁気ディスクについて述べた
が、フロシビーディスク、磁気テープ。
が、フロシビーディスク、磁気テープ。
磁気カードにも本発明が有効であることは明らかである
。
。
第１図及び第２図は本発明を示す部分断面図である。
１・・・下地体、２・・・磁性媒体、３・−保護膜、４
・・・潤滑層
・・・潤滑層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）下地体の上に強磁性媒体が被覆され、さらに該媒
体上に直接または保護膜を介してパーフロロアルキルエ
ーテルと架橋分子繰り返し単位を１つ以上含むパーフロ
ロアルキルポリマーもしくは該ポリマーと潤滑剤の混合
物が被覆されてなる構造を有することを特徴とする磁気
記憶体。 （２）下地体の上に強磁性媒体が被覆され、さらに該媒
体上に直接または保護膜を介して下記の様な構造の繰り
返し単位構造を１つ以上含むパーフロロアルキルポリマ
ーもしくは該ポリマーと潤滑剤の混合物が被覆されてな
る構造を有することを特徴とする磁気記憶体。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただしｋは０または１以上の整数、ｋ′は１以上の整
数、ｎは１以上の整数、Ｊ′は架橋分子である。）（３
）下地体の上に強磁性媒体が被覆され、さらに該媒体上
に直接または保護膜を介して下記の様な構造の繰り返し
単位構造を１つ以上含むパーフロロアルキルポリマーも
しくは該ポリマーと潤滑剤の混合物が被覆されてなる構
造を有することを特徴とする磁気記憶体。 −（Ｃ＿ｉＦ＿２＿ｉ−Ｊ′）−＿ｎ （ただしｉは３以上の整数、ｎは１以上の整数、Ｊ′は
架橋分子である。） （４）下地体の上に強磁性媒体が被覆され、さらに該媒
体上に直接または保護膜を介して１つ以上の架橋単位で
２つ以上のポリマー鎖が結ばれた２次元構造を有するパ
ーフロロアルキルポリマーもしくは該ポリマーと潤滑剤
の混合物が被覆されてなる構造を有することを特徴とす
る磁気記憶体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22173084A JPH079697B2 (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
| US06/768,834 US4696845A (en) | 1984-08-27 | 1985-08-23 | Magnetic storage medium with lubricating coating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22173084A JPH079697B2 (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104318A true JPS61104318A (ja) | 1986-05-22 |
| JPH079697B2 JPH079697B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=16771355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22173084A Expired - Lifetime JPH079697B2 (ja) | 1984-08-27 | 1984-10-22 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079697B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0249218A (ja) * | 1988-05-31 | 1990-02-19 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| EP0279843B1 (en) * | 1986-08-28 | 1993-11-24 | Unisys Corporation | Surface lubricants for recording surface and method of reducing their depletion |
| JPH07216375A (ja) * | 1993-02-24 | 1995-08-15 | Hitachi Maxell Ltd | 潤滑剤 |
| JP2010231857A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Hoya Corp | 磁気ディスク用潤滑剤化合物及び磁気ディスク |
-
1984
- 1984-10-22 JP JP22173084A patent/JPH079697B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0279843B1 (en) * | 1986-08-28 | 1993-11-24 | Unisys Corporation | Surface lubricants for recording surface and method of reducing their depletion |
| JPH0249218A (ja) * | 1988-05-31 | 1990-02-19 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH07216375A (ja) * | 1993-02-24 | 1995-08-15 | Hitachi Maxell Ltd | 潤滑剤 |
| JP2010231857A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Hoya Corp | 磁気ディスク用潤滑剤化合物及び磁気ディスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH079697B2 (ja) | 1995-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |