JPS61105811A - インダクタンス素子の形成方法 - Google Patents
インダクタンス素子の形成方法Info
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- JPS61105811A JPS61105811A JP22746884A JP22746884A JPS61105811A JP S61105811 A JPS61105811 A JP S61105811A JP 22746884 A JP22746884 A JP 22746884A JP 22746884 A JP22746884 A JP 22746884A JP S61105811 A JPS61105811 A JP S61105811A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はインダクタンス素子の形成方法、特に超音波ボ
ンディング装置を用いて絶縁巻線を巻回して形成するイ
ンダクタンス素子の形成方法に関する。
ンディング装置を用いて絶縁巻線を巻回して形成するイ
ンダクタンス素子の形成方法に関する。
（ロ）従来の技術
最近チップ部品の進歩に伴い、電子回路の混成集積回路
化が著しく発展して来た。混成集積回路は半導体集積回
路の他にその外付部品であるコンデンサ、抵抗、コイル
等を１パツケージに収容することにより、電子機器の部
品点数を大巾に低減でき且つ組立の簡素化や保守点検の
容易化が図れる利点を有する。
化が著しく発展して来た。混成集積回路は半導体集積回
路の他にその外付部品であるコンデンサ、抵抗、コイル
等を１パツケージに収容することにより、電子機器の部
品点数を大巾に低減でき且つ組立の簡素化や保守点検の
容易化が図れる利点を有する。
しかしインダクタンス素子に関しては小型チップ化が大
巾に遅れている状況にある。これは導体を巻回して形成
するコイルでは、チップ部品として基板に実装する場合
のハンダ、ディップにおいて導体を被覆する絶縁体の耐
熱性と導体と外部端子との接続に解決できｔｃい問題点
が残っているからである。
巾に遅れている状況にある。これは導体を巻回して形成
するコイルでは、チップ部品として基板に実装する場合
のハンダ、ディップにおいて導体を被覆する絶縁体の耐
熱性と導体と外部端子との接続に解決できｔｃい問題点
が残っているからである。
従来の小型インダクタンス素子としては第４図及び第５
図に示すものを挙げるととができる（例えば特開昭５７
−９２８０７号公報参照）。第４図は磁性体、例えばド
ラム型コア舛に巻線（２１１を施し、巻線端末（２２Ｃ
２２１をコア■の両端鍔部（２３１（２３＋の端面に形
成された銀電極（２４１（２４＋の表面に折り曲げた後
、半田（２５）（ハ）を介して巻線端末、電極及びリー
ド線（２６）ｃ！６）を電気的に接続してなる小型イン
ダクタンス素子である。第５図は、予じめ鍔部（２３）
底面にリード線ｃ２（へ）（２６）を突設したドラム型
コア■の巻回部に巻線（２１１ヲ施し、巻線端末＋２２
１ ｆ２２ ヲソｈぞれリート線ｔ２６１ ｔ２６）に
絡げて半田（２５＋（ハ）により接続した小型インダク
タンス素子である。いずれの小型インダクタンス素子モ
ＩＪ −）”線ｆ２６）１２６１、半［１５１（２５１
ヲ必要とし、チップ抵抗やチップコンデンサの様に小型
化できないのである。
図に示すものを挙げるととができる（例えば特開昭５７
−９２８０７号公報参照）。第４図は磁性体、例えばド
ラム型コア舛に巻線（２１１を施し、巻線端末（２２Ｃ
２２１をコア■の両端鍔部（２３１（２３＋の端面に形
成された銀電極（２４１（２４＋の表面に折り曲げた後
、半田（２５）（ハ）を介して巻線端末、電極及びリー
ド線（２６）ｃ！６）を電気的に接続してなる小型イン
ダクタンス素子である。第５図は、予じめ鍔部（２３）
底面にリード線ｃ２（へ）（２６）を突設したドラム型
コア■の巻回部に巻線（２１１ヲ施し、巻線端末＋２２
１ ｆ２２ ヲソｈぞれリート線ｔ２６１ ｔ２６）に
絡げて半田（２５＋（ハ）により接続した小型インダク
タンス素子である。いずれの小型インダクタンス素子モ
ＩＪ −）”線ｆ２６）１２６１、半［１５１（２５１
ヲ必要とし、チップ抵抗やチップコンデンサの様に小型
化できないのである。
そこで第６図に示すチップインダクタンス素子が特開昭
５９−４３５１３号公報に提案されている。第６図では
ドラム型コア（２０）に巻線０１１を施し、コア（２０
１の鍔部Ｇ３１底面に離間した銀電極（２４１ａ１１）
を設け、巻線端末を銀電極（２４１ＣＩ！４１表面まで
折り曲げた後半田Ｃω（２５１で銀電極（２４）（２（
イ）に接続されている。斯るチップインダクタンス素子
は銀電極Ｃ２４）Ｃ２力上の半田Ｃ）５１ （２５１を
用いて所望の電極に固着される。
５９−４３５１３号公報に提案されている。第６図では
ドラム型コア（２０）に巻線０１１を施し、コア（２０
１の鍔部Ｇ３１底面に離間した銀電極（２４１ａ１１）
を設け、巻線端末を銀電極（２４１ＣＩ！４１表面まで
折り曲げた後半田Ｃω（２５１で銀電極（２４）（２（
イ）に接続されている。斯るチップインダクタンス素子
は銀電極Ｃ２４）Ｃ２力上の半田Ｃ）５１ （２５１を
用いて所望の電極に固着される。
←］ 発明が解決しようとする問題点
しかしながら上述した小型インダクタンス素子およびチ
ップインダクタンス素子では実装する際の半田付は温度
により巻線の絶縁被覆材料が溶けてレアショート不良を
招くことがあった。またチップインダクタンス素子では
多量の半田が銀電極に付着しがちで且つその葉も一定し
ないので傾いた状態で固着されるおそれもあった。
ップインダクタンス素子では実装する際の半田付は温度
により巻線の絶縁被覆材料が溶けてレアショート不良を
招くことがあった。またチップインダクタンス素子では
多量の半田が銀電極に付着しがちで且つその葉も一定し
ないので傾いた状態で固着されるおそれもあった。
に）問題点を解決するための手段
本発明は断点に鑑みてなされ、他の回路素子を半ｌＪ付
けした後絶縁巻線を超音波ボンディング装置を用いて直
接絶縁基板上にインダクタンス素子を形成−ｆることに
より、従来の欠点を完全に除去するものである。
けした後絶縁巻線を超音波ボンディング装置を用いて直
接絶縁基板上にインダクタンス素子を形成−ｆることに
より、従来の欠点を完全に除去するものである。
（７１１作用
本発明に依れば、他の回路素子を半田付けした後に絶縁
巻線が直接導電路上に超音波ポンディング行なえる点に
着目し、超音波ボンディング装置でボンディングワイヤ
ーを巻回してインダクタンス素子を形成しているので、
インダクタンス素子を加熱処理を経ることなく形成でき
る。
巻線が直接導電路上に超音波ポンディング行なえる点に
着目し、超音波ボンディング装置でボンディングワイヤ
ーを巻回してインダクタンス素子を形成しているので、
インダクタンス素子を加熱処理を経ることなく形成でき
る。
（へ）実施例
本発明の一実施例を第１図（イ）乃至第１図（ホ）を参
照して詳述する。
照して詳述する。
本発明の第１の工程は回路基板（１）上に導電路（２）
（２）を形成し且つ所望の回路素子（３）を半田付けす
ることにある（第１図（イ）参照）。
（２）を形成し且つ所望の回路素子（３）を半田付けす
ることにある（第１図（イ）参照）。
回路基板（１）は支持基板として働き、セラミック基板
、ガラスエポキシ樹脂等より成るプリント基板、表面を
アルマイト処理したアルミニウム基板等を用いる。斯る
回路基板（１）上にはその一生面に全面に銅箔を貼り着
けた後、選択的に銅箔をエツチングして所望のパターン
の導電路＋２０２１を形成する。導電路（２＋＋２１は
インダクタンス素子の巻線を接続するパッドのみならず
、混成集積回路の形成に必要な導電路を同時に形成する
のが望ましい。
、ガラスエポキシ樹脂等より成るプリント基板、表面を
アルマイト処理したアルミニウム基板等を用いる。斯る
回路基板（１）上にはその一生面に全面に銅箔を貼り着
けた後、選択的に銅箔をエツチングして所望のパターン
の導電路＋２０２１を形成する。導電路（２＋＋２１は
インダクタンス素子の巻線を接続するパッドのみならず
、混成集積回路の形成に必要な導電路を同時に形成する
のが望ましい。
回路素子（３）は混成集積回路を形成する上で必要な回
路部品であり、具体的にはＩＣテップ、トランジスタチ
ップ、チップコンデンサ、チップ抵抗等をいう。
路部品であり、具体的にはＩＣテップ、トランジスタチ
ップ、チップコンデンサ、チップ抵抗等をいう。
本工程では回路素子（３）を半田付けする導電路（２）
上に選択的に半田クリームをスクリーン印刷した後、回
路素子（３）を所定位置に載置して加熱炉内あるいはホ
ットプレート上で、回路基板（１）全体を加熱して半田
層（４）により固着している。
上に選択的に半田クリームをスクリーン印刷した後、回
路素子（３）を所定位置に載置して加熱炉内あるいはホ
ットプレート上で、回路基板（１）全体を加熱して半田
層（４）により固着している。
本発明の第２の工程は回路基板（１）上に巻枠体（５）
を配置することにある（第１図（ロ）参照）。
を配置することにある（第１図（ロ）参照）。
巻枠体（５）はインダクタンス素子を形成する巻線を巻
回させる役目を有し、形成するインダクタンス素子のり
アクタンスの値によりフェライト等の磁性体やプラスチ
ック等の絶縁物を用いても良い。
回させる役目を有し、形成するインダクタンス素子のり
アクタンスの値によりフェライト等の磁性体やプラスチ
ック等の絶縁物を用いても良い。
なお巻枠体（５）の形状は図示した筒状でも良いが、そ
の他に棒状あるいはＩ型形状でも良い。巻枠体（５１は
接着剤（６）により導電路＋２１（２１に近接した回路
基板（１）上に固定配置されている。
の他に棒状あるいはＩ型形状でも良い。巻枠体（５１は
接着剤（６）により導電路＋２１（２１に近接した回路
基板（１）上に固定配置されている。
本発明の第３の工程は超音波ボンディング装置を用いて
−の導電路（２）上に巻線（７）の一端を超音波ボンデ
ィングすることにある（第１図（ハ）参照）。
−の導電路（２）上に巻線（７）の一端を超音波ボンデ
ィングすることにある（第１図（ハ）参照）。
本発明に用いる絶縁巻線は第２図に示す如く、５０〜８
００μグの銅細線（８）とその表面を被覆するウレタン
あるいは弗化エチレンより成る絶縁被膜（９）で形成さ
れている。絶縁破膜（９）は銅細線（８）をウレタンあ
るいは弗化エチレン溶液中を通してｌＯ〜５０μ厚（平
均的には２０μ厚）に付着され、インダクタンス素子を
形成する各巻線の絶縁をしている。
００μグの銅細線（８）とその表面を被覆するウレタン
あるいは弗化エチレンより成る絶縁被膜（９）で形成さ
れている。絶縁破膜（９）は銅細線（８）をウレタンあ
るいは弗化エチレン溶液中を通してｌＯ〜５０μ厚（平
均的には２０μ厚）に付着され、インダクタンス素子を
形成する各巻線の絶縁をしている。
本発明に用いる超音波ボンディング装置は第３図に示す
如く、テーブル００）、キャピラリチップ旧）、超音波
振動源（１２１、クランプｆ１３＋、 ＩＪ−ル０４）
および絶縁巻線（７）より構成されている。斯る超音波
ボンディング装置は既知のものであり、半導体装置の組
立に広く利用されている。簡単に動作を説明すると、テ
ーブル００）上に載置したトランジスタ等の電極にキャ
ピラリチップ旧）の中央の孔より導出されるアルミニウ
ムボンディング細線の一端を２０に〜６０ＫＨｚの超音
波振動を与えて固着し、然る後キャピラリチップ旧）を
移動して他のリードにアルミニウムボンディング細線の
他端を超音波振動を与えて固着する様に作業する。本発
明に用いる超音波ボンディング装置は斯る半導体装置の
組立に用いるものにいくつかの改良を加えている。第１
にリール０滲にはインダクタンス素子の形成のため絶縁
巻ｍ（７）が貯蔵されている。第２に超音波振動源は半
導体装置の組立用よりは若干パワーアップしている。第
３にテーブル（ＩＯｌにはＸＹ軸移動装置（１９とＺ軸
移動装置（＋６）が設けられ、テーブルｔｌ１ｍをＸ、
Ｙ、Ｚ方向に自在に可動できる構造となっている。第４
にテーブル００）は回転装置０′７１が設けられ、テー
ブル（１０）をＸＹの任意の座標を中心に回転できる。
如く、テーブル００）、キャピラリチップ旧）、超音波
振動源（１２１、クランプｆ１３＋、 ＩＪ−ル０４）
および絶縁巻線（７）より構成されている。斯る超音波
ボンディング装置は既知のものであり、半導体装置の組
立に広く利用されている。簡単に動作を説明すると、テ
ーブル００）上に載置したトランジスタ等の電極にキャ
ピラリチップ旧）の中央の孔より導出されるアルミニウ
ムボンディング細線の一端を２０に〜６０ＫＨｚの超音
波振動を与えて固着し、然る後キャピラリチップ旧）を
移動して他のリードにアルミニウムボンディング細線の
他端を超音波振動を与えて固着する様に作業する。本発
明に用いる超音波ボンディング装置は斯る半導体装置の
組立に用いるものにいくつかの改良を加えている。第１
にリール０滲にはインダクタンス素子の形成のため絶縁
巻ｍ（７）が貯蔵されている。第２に超音波振動源は半
導体装置の組立用よりは若干パワーアップしている。第
３にテーブル（ＩＯｌにはＸＹ軸移動装置（１９とＺ軸
移動装置（＋６）が設けられ、テーブルｔｌ１ｍをＸ、
Ｙ、Ｚ方向に自在に可動できる構造となっている。第４
にテーブル００）は回転装置０′７１が設けられ、テー
ブル（１０）をＸＹの任意の座標を中心に回転できる。
本工程では指上の超音波ボンディング装置のテーブル０
０）上に回路基板ｍを真空の吸引力を利用して固定［７
、−の導電路（２）がキャピラリチップ（Ｉｌｌの真下
に来る様にテーブル００）をＸＹ軸移動装置（１５１で
移動させる。続いてキャピラリチップ（１１）を下降し
て−の導電路（２）に絶縁巻線（７）の一端を超音波振
動により固着する。絶縁巻線（７）は断面円形の銅細線
を用いているので、導電路（２）との接点に超音波振動
のエネルギーが集中して絶縁被膜（９）が破れて銅細線
が露出されろ。そして銅細線と銅の導電路（２）との同
一材料の結合により超音波ボンディングが実現できる。
０）上に回路基板ｍを真空の吸引力を利用して固定［７
、−の導電路（２）がキャピラリチップ（Ｉｌｌの真下
に来る様にテーブル００）をＸＹ軸移動装置（１５１で
移動させる。続いてキャピラリチップ（１１）を下降し
て−の導電路（２）に絶縁巻線（７）の一端を超音波振
動により固着する。絶縁巻線（７）は断面円形の銅細線
を用いているので、導電路（２）との接点に超音波振動
のエネルギーが集中して絶縁被膜（９）が破れて銅細線
が露出されろ。そして銅細線と銅の導電路（２）との同
一材料の結合により超音波ボンディングが実現できる。
本発明の第４の工程は回路基板（１）を回転させて絶縁
巻線（７）を巻枠体（５）に巻回させることにある（第
１図に）参照）。
巻線（７）を巻枠体（５）に巻回させることにある（第
１図に）参照）。
本工程では巻枠体（５）に所定のターン数だけ絶縁巻線
（７）を巻回し、所望の値のインダクタンス素子を形成
できる。前工程で絶縁巻線（７）の一端は−の導電路（
２）に固着されているので、ＸＹ軸移動装置０９により
回路基板ｆｉｌを移動して巻枠体（５）に絶縁巻線（７
）がからむ様にする。続いてＸＹ軸移動装置０５１を用
いて巻枠体（５）の中心あるいは中心近傍に回転の中心
が設定される様に移動する。然る後超音波ボンディング
装置の回転装ｗａｎｌを作動させて巻枠体（５）を回転
させてリール（１４）より給送される絶縁巻線（７）を
巻枠体（５）に均一に所定のターン数だけ巻回する。な
お巻枠体（５）に均一な厚みに絶縁巻線（７）を巻回す
るためにＺ軸移動装置０６）を用いてテーブルを上下動
させて巻枠体（５１の位置を上下動させることにより均
一な巻回な実現できる。更に本発明では巻枠体（５）を
回転させることにより絶縁巻線（７）を一定の張力で巻
回でき、且つターン数が多くても全く任意に設定できる
。
（７）を巻回し、所望の値のインダクタンス素子を形成
できる。前工程で絶縁巻線（７）の一端は−の導電路（
２）に固着されているので、ＸＹ軸移動装置０９により
回路基板ｆｉｌを移動して巻枠体（５）に絶縁巻線（７
）がからむ様にする。続いてＸＹ軸移動装置０５１を用
いて巻枠体（５）の中心あるいは中心近傍に回転の中心
が設定される様に移動する。然る後超音波ボンディング
装置の回転装ｗａｎｌを作動させて巻枠体（５）を回転
させてリール（１４）より給送される絶縁巻線（７）を
巻枠体（５）に均一に所定のターン数だけ巻回する。な
お巻枠体（５）に均一な厚みに絶縁巻線（７）を巻回す
るためにＺ軸移動装置０６）を用いてテーブルを上下動
させて巻枠体（５１の位置を上下動させることにより均
一な巻回な実現できる。更に本発明では巻枠体（５）を
回転させることにより絶縁巻線（７）を一定の張力で巻
回でき、且つターン数が多くても全く任意に設定できる
。
本発明で秀れた点は巻枠体（５；としてＥ型のものでも
Ｉ型のものでも絶縁巻線（７）を巻回できることにある
。即ち１型の巻枠体（５）においてはキャピラリチップ
（１１）の高さをＩ型の巻枠体（５）に対応する様に配
置ｆ−ｆれば良いからである。またＥ型のコアではキャ
ピラリテップ（１１）をＥ型のすき間に配置すれば良い
からである。
Ｉ型のものでも絶縁巻線（７）を巻回できることにある
。即ち１型の巻枠体（５）においてはキャピラリチップ
（１１）の高さをＩ型の巻枠体（５）に対応する様に配
置ｆ−ｆれば良いからである。またＥ型のコアではキャ
ピラリテップ（１１）をＥ型のすき間に配置すれば良い
からである。
本発明の第５の工程は絶縁巻線（７）の他端を他の導電
路（２）に超音波ボンディングすることにある（第１図
（ホ）参照）。
路（２）に超音波ボンディングすることにある（第１図
（ホ）参照）。
本工程では超音波ボンディング装置のテーブル（１０）
をＸＹ軸移動装置０５）で移動させ、キャピラリチップ
旧）を他の導電路（２）上に持って来る。続いてキャピ
ラリチップ（１１）を下降させて他の導電路（２）と当
接させて超音波振動を加え、絶縁巻線（７）の他端を超
音波ボンディングする。なお絶縁巻線（７）はキャピラ
リチップ旧）の上昇時にカッター等を用いて切断する。
をＸＹ軸移動装置０５）で移動させ、キャピラリチップ
旧）を他の導電路（２）上に持って来る。続いてキャピ
ラリチップ（１１）を下降させて他の導電路（２）と当
接させて超音波振動を加え、絶縁巻線（７）の他端を超
音波ボンディングする。なお絶縁巻線（７）はキャピラ
リチップ旧）の上昇時にカッター等を用いて切断する。
以上に詳述した如く本発明に依れば回路基板（１）上に
従来より組み込まれていたＩＣ、トランジスタ、チップ
コンデンサあるいはチップ抵抗の回路素子（３）の他に
インダクタンス素子も組み込み可能となり、外付部品を
ほとんど不要とできるのである。またインダクタンス素
子は半田付けの加熱工程終了後に組み込まれるため、絶
縁巻線（７）の加熱による短絡も全く発生しなくなる。
従来より組み込まれていたＩＣ、トランジスタ、チップ
コンデンサあるいはチップ抵抗の回路素子（３）の他に
インダクタンス素子も組み込み可能となり、外付部品を
ほとんど不要とできるのである。またインダクタンス素
子は半田付けの加熱工程終了後に組み込まれるため、絶
縁巻線（７）の加熱による短絡も全く発生しなくなる。
（ト）発明の効果
本発明の第１の効果は回路素子（３）の半８］付は終了
後にインダクタンス素子を形成するので、インダクタン
ス素子は加熱工程を経ることなく形成できる利点を有す
る。この結果インダクタンス素子の絶縁巻線のレアショ
ートを完全に防止できる。
後にインダクタンス素子を形成するので、インダクタン
ス素子は加熱工程を経ることなく形成できる利点を有す
る。この結果インダクタンス素子の絶縁巻線のレアショ
ートを完全に防止できる。
本発明の第２の効果はインダクタンス素子を任意の値で
直接回路基板（１１に組み込むことが可能となるので、
回路基板（１）上にＬＣＲのすべての回路素子を集積化
することができ、回路基板（１）上に広い範囲の回路を
実現できる。
直接回路基板（１１に組み込むことが可能となるので、
回路基板（１）上にＬＣＲのすべての回路素子を集積化
することができ、回路基板（１）上に広い範囲の回路を
実現できる。
本発明の第３の効果はインダクタンス素子を、回路基板
（１）上に直接形成できることにある。即ち本発明では
巻枠体（５）と絶縁巻線（７）と最少限の部品でインダ
クタンス素子を形成できるので、従来のチップインダク
タンスに比べてきわめて小型で安価なものを得ることが
できる。
（１）上に直接形成できることにある。即ち本発明では
巻枠体（５）と絶縁巻線（７）と最少限の部品でインダ
クタンス素子を形成できるので、従来のチップインダク
タンスに比べてきわめて小型で安価なものを得ることが
できる。
本発明の第４の効果はインダクタンス素子を回路基板（
１）上の任意の位置に連続して形成できることにある。
１）上の任意の位置に連続して形成できることにある。
即ち超音波ボンディング装置のテーブルＯＩをＸＹ軸移
動装置０５）で移動させてインダクタンス素子の形成工
程を繰り返し行なえば良い。
動装置０５）で移動させてインダクタンス素子の形成工
程を繰り返し行なえば良い。
本発明の第５の効果はインダクタンス素子を任意の値に
設定できることにある。即ち各インダクタンス素子の形
成工程に於いて絶縁巻線（７）のターン数をプログラム
すれば良い。この結果多種のインダクタンスを必要とす
るチューナー回路等ではきわめて利用価値が高い。
設定できることにある。即ち各インダクタンス素子の形
成工程に於いて絶縁巻線（７）のターン数をプログラム
すれば良い。この結果多種のインダクタンスを必要とす
るチューナー回路等ではきわめて利用価値が高い。
本発明の第６の効果は超音波ボンディング装置にパター
ン認識およびプログラム可能なメモリを付加することに
よってインダクタンス素子自動的に形成することができ
る。
ン認識およびプログラム可能なメモリを付加することに
よってインダクタンス素子自動的に形成することができ
る。
第１図（イ）乃至第１図（ホ）は本発明に依るインダク
タンス素子の形成方法を説明する断面図、第２図は本発
明に用いる絶縁巻線を説明する断面図、第３図は本発明
に用いる超音波ボンディング装置を説明するブロック図
、第４図乃至第６図は従来の小型インダクタンス素子お
よびチップインダクタンス素子を説明する断面図である
。 主な図番の説明 （１）は回路基板、＋２１１２１は導電路、（３）は回
路素子、（５）は巻枠体、（７）は絶縁巻線、０αはテ
ーブル、０υはキャピラリチップ、（１４）はリール、
Ｑ７）は回転装置である。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図（伺 第１図（ロ） 第１図（ハ） 第１図い〕 第２図 塩３図 第４図
タンス素子の形成方法を説明する断面図、第２図は本発
明に用いる絶縁巻線を説明する断面図、第３図は本発明
に用いる超音波ボンディング装置を説明するブロック図
、第４図乃至第６図は従来の小型インダクタンス素子お
よびチップインダクタンス素子を説明する断面図である
。 主な図番の説明 （１）は回路基板、＋２１１２１は導電路、（３）は回
路素子、（５）は巻枠体、（７）は絶縁巻線、０αはテ
ーブル、０υはキャピラリチップ、（１４）はリール、
Ｑ７）は回転装置である。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図（伺 第１図（ロ） 第１図（ハ） 第１図い〕 第２図 塩３図 第４図
Claims (1)
- （１）回路基板上に直接組み込まれるインダクタンス素
子の形成方法に於いて、前記回路基板の所望の導電路上
に回路素子を半田付けした後超音波ボンディング装置を
用いてリールに貯蔵された絶縁巻線を給送して導電路上
に超音波ボンディングされコイル状に巻回されたインダ
クタンス素子を組み込むことを特徴とするインダクタン
ス素子の形成方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22746884A JPH0234442B2 (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | Indakutansusoshinokeiseihoho |
| DE19853536908 DE3536908A1 (de) | 1984-10-18 | 1985-10-16 | Induktivitaetselement und verfahren zur herstellung desselben |
| NL8502843A NL192157C (nl) | 1984-10-18 | 1985-10-17 | Werkwijze voor de vervaardiging van een inductantie-element. |
| GB08525605A GB2166005B (en) | 1984-10-18 | 1985-10-17 | Inductance element and method of manufacturing the same |
| FR858515516A FR2572214B1 (fr) | 1984-10-18 | 1985-10-18 | Element inductif et son procede de fabrication |
| CN85108084A CN1007943B (zh) | 1984-10-18 | 1985-10-18 | 电感元件制造方法 |
| US07/084,332 US4860433A (en) | 1984-10-18 | 1987-08-11 | Method of manufacturing an inductance element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22746884A JPH0234442B2 (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | Indakutansusoshinokeiseihoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61105811A true JPS61105811A (ja) | 1986-05-23 |
| JPH0234442B2 JPH0234442B2 (ja) | 1990-08-03 |
Family
ID=16861347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22746884A Expired - Lifetime JPH0234442B2 (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-29 | Indakutansusoshinokeiseihoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0234442B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032014A (en) * | 1988-10-27 | 1991-07-16 | Asahi Seimitu Kabushiki Kaisha | Datum beam projecting apparatus for use with surveying equipment |
| US5726612A (en) * | 1992-12-01 | 1998-03-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip-type electronic component |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP22746884A patent/JPH0234442B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032014A (en) * | 1988-10-27 | 1991-07-16 | Asahi Seimitu Kabushiki Kaisha | Datum beam projecting apparatus for use with surveying equipment |
| US5726612A (en) * | 1992-12-01 | 1998-03-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip-type electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0234442B2 (ja) | 1990-08-03 |
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