JPS6112050A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6112050A JPS6112050A JP59132324A JP13232484A JPS6112050A JP S6112050 A JPS6112050 A JP S6112050A JP 59132324 A JP59132324 A JP 59132324A JP 13232484 A JP13232484 A JP 13232484A JP S6112050 A JPS6112050 A JP S6112050A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- bed
- leads
- mold layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特にその熱衝撃
に対する耐久性を改善して信頼性を向上するための構造
に係る。
に対する耐久性を改善して信頼性を向上するための構造
に係る。
一般的に、樹脂封止型半導体装置は第２図に示すような
断面構造を有している。同図におし）で、１は樹脂モー
ルド層である。該樹脂モールド層１の、内部には半導体
ベレット２が封止されている。
断面構造を有している。同図におし）で、１は樹脂モー
ルド層である。該樹脂モールド層１の、内部には半導体
ベレット２が封止されている。
この半導体ベレット２は銀ペースト層、半田層或いはＡ
ｕ−３ｉ共晶合金層等を介して金属製のベッド部３上に
マウントされ、且つベッド部３の周囲に配設されたリー
ド４の間でワイヤボンディング５が施されている。リー
ド４の樹脂封止されている部分は前記ベッド部３と同一
、のレベルで、且つその端部はベッド部３の側端に対向
して配置されている。また、リード４は樹脂モールド層
１の側壁から外方に延出され、下方に折曲げられている
。
ｕ−３ｉ共晶合金層等を介して金属製のベッド部３上に
マウントされ、且つベッド部３の周囲に配設されたリー
ド４の間でワイヤボンディング５が施されている。リー
ド４の樹脂封止されている部分は前記ベッド部３と同一
、のレベルで、且つその端部はベッド部３の側端に対向
して配置されている。また、リード４は樹脂モールド層
１の側壁から外方に延出され、下方に折曲げられている
。
上記の樹脂封止型半導体装置は、リード４をプリント配
線板に設け゛られた端子に半田付は等により接続して実
装される。
線板に設け゛られた端子に半田付は等により接続して実
装される。
（背景技術の問題点〕
ところで、上記の樹脂封止型半導体装置をブリント配線
基板に実装する際、パッケージ全体を溶融半田層の中に
浸漬（２６０℃Ｘ１０ｓｅｃ）する方法が最近用いられ
ている。この場合、樹脂の熱膨張係数がリードフレーム
材料（４２％Ｎｉ。
基板に実装する際、パッケージ全体を溶融半田層の中に
浸漬（２６０℃Ｘ１０ｓｅｃ）する方法が最近用いられ
ている。この場合、樹脂の熱膨張係数がリードフレーム
材料（４２％Ｎｉ。
残部Ｆｅ）や半導体ベレット（Ｓｌ）の熱膨張係数より
も大きいため、上記のように厳しい熱負荷を受けると樹
脂モールド層１に大きな熱応力が発生し、樹脂モールド
層１にクラックが発生するという問題が顕著に現れるに
至った。このため、全体を溶融半田中に浸漬する方法で
実装した樹脂封止型半導体装置の場合、半田浸漬を行な
わずに実装したものに比較して耐湿性テスト（例えばＰ
ＣＴ）の成績が極端に悪化するという事態を生じ、改善
が強く求められている。
も大きいため、上記のように厳しい熱負荷を受けると樹
脂モールド層１に大きな熱応力が発生し、樹脂モールド
層１にクラックが発生するという問題が顕著に現れるに
至った。このため、全体を溶融半田中に浸漬する方法で
実装した樹脂封止型半導体装置の場合、半田浸漬を行な
わずに実装したものに比較して耐湿性テスト（例えばＰ
ＣＴ）の成績が極端に悪化するという事態を生じ、改善
が強く求められている。
そこで、半田浸漬による上述した耐湿性低下のｒＩＲＩ
！について種々検討した結果、第２図中に図示したよう
にベッド部３の側端部とり−ド４の端部との間で樹脂モ
ールド層にクラック６が発生し、該クラック６を通して
水分が侵入するためにＡ１配線の腐蝕等、耐湿性劣化を
生じていることが分〔発明の目的〕 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、溶融半田浸
漬のような厳しい熱衝撃時における樹脂モールド層のク
ラック発生を防止し、樹脂封止型半導体装置の信頼性を
向上することを目的とするものである。
！について種々検討した結果、第２図中に図示したよう
にベッド部３の側端部とり−ド４の端部との間で樹脂モ
ールド層にクラック６が発生し、該クラック６を通して
水分が侵入するためにＡ１配線の腐蝕等、耐湿性劣化を
生じていることが分〔発明の目的〕 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、溶融半田浸
漬のような厳しい熱衝撃時における樹脂モールド層のク
ラック発生を防止し、樹脂封止型半導体装置の信頼性を
向上することを目的とするものである。
本発明による樹脂封止型半導体装置は、ベッド部の側端
部およびこれに対向して配置されたリードの先端部に高
分子物質からなる歪み吸収層を付着させ、熱衝撃時に樹
脂モールド層に生じた熱応力をこの歪み吸収層で吸収さ
せるようにしたことを特徴とするものである。
部およびこれに対向して配置されたリードの先端部に高
分子物質からなる歪み吸収層を付着させ、熱衝撃時に樹
脂モールド層に生じた熱応力をこの歪み吸収層で吸収さ
せるようにしたことを特徴とするものである。
第１図は本発明の一実施例になる樹脂封止型半導体装置
を示す断面図であり、第２図と同じ部分には同一の参照
番号を付しである。即ち、１は樹脂モールド層、２は半
導体ベレット、３はベッド部、４はリード、５はボンデ
ィングワイヤである。
を示す断面図であり、第２図と同じ部分には同一の参照
番号を付しである。即ち、１は樹脂モールド層、２は半
導体ベレット、３はベッド部、４はリード、５はボンデ
ィングワイヤである。
図から明らかなように、この実施例の樹脂封止型半導体
装置はベッド部３の側端部およびリード４の先端部にシ
リコーンゴム（ＪＣＲ６１１０：商品名トーレシリコー
ン）からなる歪み吸収層７が塗布されている。その他の
構成は第２図で説明した従来例と全く同じである。
装置はベッド部３の側端部およびリード４の先端部にシ
リコーンゴム（ＪＣＲ６１１０：商品名トーレシリコー
ン）からなる歪み吸収層７が塗布されている。その他の
構成は第２図で説明した従来例と全く同じである。
上記実施例で歪み吸収層７に用いているシリコーンゴム
は一般にジャンクションコーティングレジンと一称され
、第３図に示すように通常のシリコーンゴムが一４０℃
程度で硬化するのに較べて一１００℃までは硬化せずに
ゲル状を維持する等、特に優れた耐寒性を有している。
は一般にジャンクションコーティングレジンと一称され
、第３図に示すように通常のシリコーンゴムが一４０℃
程度で硬化するのに較べて一１００℃までは硬化せずに
ゲル状を維持する等、特に優れた耐寒性を有している。
このように、溶融半田浸漬等の熱負荷詩に最も応力が集
中する部分に弾力性の高い歪み吸収層７を介在させたこ
とによって、樹脂モールド層１に発生する熱ストレスが
吸収され、樹脂クラックの発生を防止することが可能と
なる。従って、上記実施例の樹脂封止型半導体装置では
、その全体を溶融半田中に浸漬した場合にも半田浸漬を
しない従来の樹脂封止型半導体装置と同程度の耐湿性を
維持することができる口 なお、歪み吸収層７としては上記実施例におけるシリコ
ーンゴムの他、例えばポリフッ化エチレン等の高分子材
料を用いても一定の効果を得ることができる。
中する部分に弾力性の高い歪み吸収層７を介在させたこ
とによって、樹脂モールド層１に発生する熱ストレスが
吸収され、樹脂クラックの発生を防止することが可能と
なる。従って、上記実施例の樹脂封止型半導体装置では
、その全体を溶融半田中に浸漬した場合にも半田浸漬を
しない従来の樹脂封止型半導体装置と同程度の耐湿性を
維持することができる口 なお、歪み吸収層７としては上記実施例におけるシリコ
ーンゴムの他、例えばポリフッ化エチレン等の高分子材
料を用いても一定の効果を得ることができる。
以上詳述したように、本発明によれば樹脂封止型半導体
装置の熱衝撃時における樹脂クラックの発生を防止し、
信頼性を向上できる等、顕著な効果が得られるものであ
る。
装置の熱衝撃時における樹脂クラックの発生を防止し、
信頼性を向上できる等、顕著な効果が得られるものであ
る。
第１図は本発明の一実施例になる樹脂封止型半導体装置
を示す断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の
断面図、第３図は本発明の一実施例において歪み吸収層
として用いたシリコーン樹脂（ジャンクションコーティ
ングレジン）の耐寒性を示す線図である゛。 １・・・樹脂モールド層、２・・・半導体ベレット、３
・・・ベッド部、４・・・リード、５・・・ボンディン
グワイヤ、６・・・クラック、７・・・歪み吸収層。 Ｆ
Ｎ僻 懐 鴇マξ鞭等８ 区 Ｃワ 憾
を示す断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の
断面図、第３図は本発明の一実施例において歪み吸収層
として用いたシリコーン樹脂（ジャンクションコーティ
ングレジン）の耐寒性を示す線図である゛。 １・・・樹脂モールド層、２・・・半導体ベレット、３
・・・ベッド部、４・・・リード、５・・・ボンディン
グワイヤ、６・・・クラック、７・・・歪み吸収層。 Ｆ
Ｎ僻 懐 鴇マξ鞭等８ 区 Ｃワ 憾
Claims (1)
- 金属製のベッド部上にマウントされた半導体ペレット
と、前記ベッド部の周囲に離間して配置された金属製の
リードと、該リードと前記半導体ペレット表面の内部端
子とを接続するボンディングワイヤと、これらを封止す
る樹脂モールド層とを具備し、前記リードが前記樹脂モ
ールド層の側壁から外方に延出されている樹脂封止型半
導体装置において、前記ベッド部の側端部および前記リ
ードの樹脂封止側端部を高分子材料からなる歪み吸収層
で被覆したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132324A JPS6112050A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132324A JPS6112050A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6112050A true JPS6112050A (ja) | 1986-01-20 |
Family
ID=15078651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59132324A Pending JPS6112050A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6112050A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5427042A (en) * | 1993-07-20 | 1995-06-27 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Horizontal rotary hook including loop spreader |
| WO2018146780A1 (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
-
1984
- 1984-06-27 JP JP59132324A patent/JPS6112050A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5427042A (en) * | 1993-07-20 | 1995-06-27 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Horizontal rotary hook including loop spreader |
| WO2018146780A1 (ja) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
| JPWO2018146780A1 (ja) * | 2017-02-09 | 2019-11-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
| US11101225B2 (en) | 2017-02-09 | 2021-08-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and power conversion device |
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