JPS6112889A - 異方性めつき用ピロリン酸銅水溶液 - Google Patents
異方性めつき用ピロリン酸銅水溶液Info
- Publication number
- JPS6112889A JPS6112889A JP13298384A JP13298384A JPS6112889A JP S6112889 A JPS6112889 A JP S6112889A JP 13298384 A JP13298384 A JP 13298384A JP 13298384 A JP13298384 A JP 13298384A JP S6112889 A JPS6112889 A JP S6112889A
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- Japan
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- plating
- copper
- pyrophosphate
- brightener
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、異方性めっき用ピロリン酸銅水溶液に関する
ものである。ここでいう異方性にとは第１図に示す如く
、あるめっきされる面の巾（Ａｏ ）に対して平行方向
へのめっきの伸びＡ１ＶＣ対して垂直方向への伸びＢの
比を示したもので、弐に＝ Ｂ Ｂ／Ａ−□ で表わされる。Ｋ＞１０時異（Ａｉ−Ａ。
ものである。ここでいう異方性にとは第１図に示す如く
、あるめっきされる面の巾（Ａｏ ）に対して平行方向
へのめっきの伸びＡ１ＶＣ対して垂直方向への伸びＢの
比を示したもので、弐に＝ Ｂ Ｂ／Ａ−□ で表わされる。Ｋ＞１０時異（Ａｉ−Ａ。
）／２
方性があるという。
〈従来の技術〉
従来から精密な印刷回路基板をつくる場合フォトリソグ
ラ・フイがよく用いられてきたが特にアディティブ法を
用いることによって高配線密度の回路基板ができかなり
有利な製造法であるとされてきている。
ラ・フイがよく用いられてきたが特にアディティブ法を
用いることによって高配線密度の回路基板ができかなり
有利な製造法であるとされてきている。
しかしながら、この製造法を用いた印刷回路基板では異
方性にの値が１を越えないことから厚くて微細なパター
ンを製造することが困難であった。
方性にの値が１を越えないことから厚くて微細なパター
ンを製造することが困難であった。
それは例えば、ある線状に並んだパターンにめっきを行
う場合めりき前のパターンの線間隔がＺｏ。
う場合めりき前のパターンの線間隔がＺｏ。
μｍであり、それＫ ５０μｍの厚さのめりきをつけれ
ば異方性Ｋが１だからめっき幅も５０μ飢ずつ広がシ線
間でシュートしてしまう。
ば異方性Ｋが１だからめっき幅も５０μ飢ずつ広がシ線
間でシュートしてしまう。
一方、本発明者らはすでに特願昭５５−１６６６１４号
の中でめりきの電流密度を高くすることでＫの値を大き
くすることを明らかにした。そのために微細な印刷回路
基板を厚くめりきすることができるようになった。
の中でめりきの電流密度を高くすることでＫの値を大き
くすることを明らかにした。そのために微細な印刷回路
基板を厚くめりきすることができるようになった。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、さらに微細なパターンの印刷回路基板を
つくるにはＫの値をよシ高くすることが望ましい。
つくるにはＫの値をよシ高くすることが望ましい。
〈問題点を解決するための手段及び作用〉本発明者らは
、ピロリン酸銅めっき液の組成条件について詳細に検討
した結課必要とされる鍋物性・表面平滑度を維持しｆｃ
ままで、よシにの値が高くできる組成物を見い出した。
、ピロリン酸銅めっき液の組成条件について詳細に検討
した結課必要とされる鍋物性・表面平滑度を維持しｆｃ
ままで、よシにの値が高くできる組成物を見い出した。
すなわち
Ａ、銅イオｙ＆［（：Ｃｕ”）２２〜４２ ｙ／ｌ。
Ｂ、ピロリン酸イオン濃度（ｐ２ｏ２’つ／銅イオン濃
度（Ｃｕ”）重量比６．０〜８．０、Ｃ，アンモニア濃
度〔ＮＨｓ） ｏ、ｏａ −、０，２０ｍａｔ／ｌ 。
度（Ｃｕ”）重量比６．０〜８．０、Ｃ，アンモニア濃
度〔ＮＨｓ） ｏ、ｏａ −、０，２０ｍａｔ／ｌ 。
Ｄ、ピロリン酸銅メッキ用光沢剤５．０Ｘ１０−７〜２
、 ＯＸ １０−６ｍｏｔ／Ａ 。
、 ＯＸ １０−６ｍｏｔ／Ａ 。
からなるめっき液である。
本発明のピロリン酸銅水溶液をつくるには、市販のピロ
リン政調めっき液にピロリン酸カリウムとビルリン酸銅
を加え、さらにアンモニア水及びピロリン酸銅メツキ用
光沢剤を加え前記組成条件に調節する。またはピロリン
酸カリウムとピロリン政調を水に所定量溶解させ、さら
にアンモニア水及びピロリン酸銅メツキ用光沢剤を加え
る方法でもよい。
リン政調めっき液にピロリン酸カリウムとビルリン酸銅
を加え、さらにアンモニア水及びピロリン酸銅メツキ用
光沢剤を加え前記組成条件に調節する。またはピロリン
酸カリウムとピロリン政調を水に所定量溶解させ、さら
にアンモニア水及びピロリン酸銅メツキ用光沢剤を加え
る方法でもよい。
本発明のピロリン酸銅水溶液のピロリン酸イオ７Ｐ、Ｏ
，’−の銅イオンＣｕ”＋に対する重量濃度比の値をＰ
比 は、６．０〜８．０、好ましくは６．０〜７．８、さら
に好ましくは６．３〜７．５である。Ｐ比が６．０より
低い場合には、いわゆるくもりが生じる。また、８．０
より高い場合には限界電流密度が低くなシ、やけやすく
なる。
，’−の銅イオンＣｕ”＋に対する重量濃度比の値をＰ
比 は、６．０〜８．０、好ましくは６．０〜７．８、さら
に好ましくは６．３〜７．５である。Ｐ比が６．０より
低い場合には、いわゆるくもりが生じる。また、８．０
より高い場合には限界電流密度が低くなシ、やけやすく
なる。
また、銅イオン濃度（Ｃｕ ２＋ ）は２２−４２ ｆ
／ｌ。
／ｌ。
好ましくは２８〜４２９／ｌ、さらに好ましくは３０〜
ａｎｙ／ｌで条る。銅イオン製置が２２ ’ｔ／ｌより
低い場合は限界電流密度が低くなりやけやすくなる。ま
た４２ｔ／Ｌより高い場合はくもりが生じる。
ａｎｙ／ｌで条る。銅イオン製置が２２ ’ｔ／ｌより
低い場合は限界電流密度が低くなりやけやすくなる。ま
た４２ｔ／Ｌより高い場合はくもりが生じる。
さらに、アンモニア濃度〔ＮＨ３）は、０．０３〜０．
２０ｍａｔ／ｌ、好ましくはｏ、ｏｓ 〜０．２０ ｍ
ａｔ／ｌ 、さらに好ましくは０．０８〜０．１６ ｍ
ｏｔ／ｌである。アンモニア濃度がｏ、ｏａ ｍｏｔ／
ｌ よシ低い場合は限界電流密度がさがシ光沢範囲が狭
くなる。ま７′ＣＯ，２０ｍａｔ／ｌよシ高い場合は硬
くてもろい銅が析出する。
２０ｍａｔ／ｌ、好ましくはｏ、ｏｓ 〜０．２０ ｍ
ａｔ／ｌ 、さらに好ましくは０．０８〜０．１６ ｍ
ｏｔ／ｌである。アンモニア濃度がｏ、ｏａ ｍｏｔ／
ｌ よシ低い場合は限界電流密度がさがシ光沢範囲が狭
くなる。ま７′ＣＯ，２０ｍａｔ／ｌよシ高い場合は硬
くてもろい銅が析出する。
さらにまた、光沢剤としてはピロリン政調めっき用のも
のならなんでも良いが、たとえば２，５−ジメルカプト
−１，３，４−チアジアゾール又はその塩が特に好まし
い。その濃度としては、５．０Ｘ１０−７＃２．Ｏｘ
１０””’ ｍｏｂ／ｌ、 好ましくは５．ＯＸ １
０−７〜６．５ｘ １０−’ ｍｏＡ／ｌ、さらに好ま
しくは５．０ Ｘ １０−７〜３．４Ｘ １（１” ｍ
ｏｂ／Ｌ が良い。
のならなんでも良いが、たとえば２，５−ジメルカプト
−１，３，４−チアジアゾール又はその塩が特に好まし
い。その濃度としては、５．０Ｘ１０−７＃２．Ｏｘ
１０””’ ｍｏｂ／ｌ、 好ましくは５．ＯＸ １
０−７〜６．５ｘ １０−’ ｍｏＡ／ｌ、さらに好ま
しくは５．０ Ｘ １０−７〜３．４Ｘ １（１” ｍ
ｏｂ／Ｌ が良い。
上記薬品は光沢剤としてよく用いらする物であり、試薬
でもめっき液メーカーから光沢剤として市販されている
ものでも良い。光沢剤は銅メツキ表面の凸部に選択的に
付着することによりその部分のめつき銅の析出を抑制し
相対的に凹部の銅の析出を促進させそれによって平滑化
が行われると一般には言われている。このことが正しい
とすればめっきの異方性においては光沢剤は負の働きを
すると推定される。しかしながらその原因はよくわから
ないが光沢剤がある領域にある場合、特に低濃度領域に
ある場合にはむしろ異方性が無光沢剤浴よシ高くなり、
しかも光沢剤本来の効果つまシ表面平滑化作用も機能上
十分である。添加剤濃度が５．０ Ｘ １０”−’ ｍ
ｏｔ／Ｌ以下では異方性向上は起こらない。また２、Ｏ
ｘ １０”−’ ｍｏｌ／を以上においては、表面平滑
度は向上するが異方性が光沢剤濃度とともに低下し、光
沢剤を添力ｏしていない浴を使った時の異方性と等しく
なる。本発明のポイントは微量に光沢剤を添加すること
により表面平滑性を維持しつつ異方性を高めたことにあ
る。
でもめっき液メーカーから光沢剤として市販されている
ものでも良い。光沢剤は銅メツキ表面の凸部に選択的に
付着することによりその部分のめつき銅の析出を抑制し
相対的に凹部の銅の析出を促進させそれによって平滑化
が行われると一般には言われている。このことが正しい
とすればめっきの異方性においては光沢剤は負の働きを
すると推定される。しかしながらその原因はよくわから
ないが光沢剤がある領域にある場合、特に低濃度領域に
ある場合にはむしろ異方性が無光沢剤浴よシ高くなり、
しかも光沢剤本来の効果つまシ表面平滑化作用も機能上
十分である。添加剤濃度が５．０ Ｘ １０”−’ ｍ
ｏｔ／Ｌ以下では異方性向上は起こらない。また２、Ｏ
ｘ １０”−’ ｍｏｌ／を以上においては、表面平滑
度は向上するが異方性が光沢剤濃度とともに低下し、光
沢剤を添力ｏしていない浴を使った時の異方性と等しく
なる。本発明のポイントは微量に光沢剤を添加すること
により表面平滑性を維持しつつ異方性を高めたことにあ
る。
以上の様な組成条件においては、ＰＨは８．２〜９．０
の間になるはずであるが、もしもＰＨがこれよシ低い時
はＫＯＨ，高い時はポリリン酸或いはクエン酸や各メッ
キ液メーカーから市販されているＰＨ調整剤で上記範囲
、さらに好ましくはＰＨ８，４〜８．８ Ｋ調節する。
の間になるはずであるが、もしもＰＨがこれよシ低い時
はＫＯＨ，高い時はポリリン酸或いはクエン酸や各メッ
キ液メーカーから市販されているＰＨ調整剤で上記範囲
、さらに好ましくはＰＨ８，４〜８．８ Ｋ調節する。
本発明のピロリン酸銅水溶液を用いてめっきを行なう場
合、カノードの電流密度は３〜５０Ａ／ｄｒＩ！、好ま
しくは５〜２０ Ａ／ｄ♂が良い。
合、カノードの電流密度は３〜５０Ａ／ｄｒＩ！、好ま
しくは５〜２０ Ａ／ｄ♂が良い。
攪拌は必要で、空気攪拌でもポンプ攪拌でも、カンード
揺動でもまたそれらを組み合わせても良いが、例えば空
気攪拌ならそのエアー流量は帆０１〜１．０ Ｍ’／Ｍ
’分（単位メッキ槽液面積当シに１分間に流す空気量の
標準状態での体積）が好ましい。
揺動でもまたそれらを組み合わせても良いが、例えば空
気攪拌ならそのエアー流量は帆０１〜１．０ Ｍ’／Ｍ
’分（単位メッキ槽液面積当シに１分間に流す空気量の
標準状態での体積）が好ましい。
またメッキ中の浴温は一般に行われている様に５０〜６
０℃が好ましい。
０℃が好ましい。
メッキの下地としては、導電性があれば何んでもよく、
例えば金属なら銅、ニッケル、アルミニウム等が考えら
れる。
例えば金属なら銅、ニッケル、アルミニウム等が考えら
れる。
その他メッキ装置等については、一般に行われているも
のなら特に問題はない。
のなら特に問題はない。
〈実施例〉
以下に本発明の態様を一層明確にする為に、実施例を挙
げて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるも
のではなく、種々の変形が可能である。
げて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるも
のではなく、種々の変形が可能である。
実施例１〜４
絶縁性ポリイミドフィルムデュポン社「カプトン」厚さ
２５μｍのものに５μｍ厚銅箔をボスチック社製ｒＸＡ
−５６４−４Ｊフェノール樹脂系接着剤を使って接着す
る。次にイーストマンコダック社製ネガ型しジストｒマ
イクロレジスト７４７−１１０ ｃｓｔ Ｊ を乾燥
後レジスト厚が３〜５μｍになる様に銅面に塗布し、プ
リベーク後、回路パターンマスクを通して高圧水銀ラン
プで露光し、イーストランプダック社製現像液「マイク
ロレジストデベロッパー」及びイーストマンコダック社
製り゛ンス液「マイクロレジストリンス」で現像し、ポ
ストベークして回路パターン状にレジストを形成する。
２５μｍのものに５μｍ厚銅箔をボスチック社製ｒＸＡ
−５６４−４Ｊフェノール樹脂系接着剤を使って接着す
る。次にイーストマンコダック社製ネガ型しジストｒマ
イクロレジスト７４７−１１０ ｃｓｔ Ｊ を乾燥
後レジスト厚が３〜５μｍになる様に銅面に塗布し、プ
リベーク後、回路パターンマスクを通して高圧水銀ラン
プで露光し、イーストランプダック社製現像液「マイク
ロレジストデベロッパー」及びイーストマンコダック社
製り゛ンス液「マイクロレジストリンス」で現像し、ポ
ストベークして回路パターン状にレジストを形成する。
続いて塩化第２鉄５０チ溶ｉにより銅箔をエツチング除
去する。さらにナガセ化成工業社製レジスト剥離剤ｒＪ
−１００Ｊを使用し銅箔上のレジストを除去する。
去する。さらにナガセ化成工業社製レジスト剥離剤ｒＪ
−１００Ｊを使用し銅箔上のレジストを除去する。
との結果、膜厚５μｍ１幅１３０μｍ１ 配列ピッチ２
００μｍ（１）線状パターンが得られた。次にバーショ
ウ打出社製ピロリン酸銅メッキ液に、ピロリ。
００μｍ（１）線状パターンが得られた。次にバーショ
ウ打出社製ピロリン酸銅メッキ液に、ピロリ。
ン酸カリ、ピロリン酸鋼及び水を適量加えて、その組成
が銅イオン濃度３４ ｔ／ｌＳＰ比＝７になる様調節し
たのち、濃度２８ｔＩ６のアンモニア水を適量加え、ア
ンモニアに換算して０．０８ ｍｏｂ／Ｌ の濃度にバ
ーショウ打出社製ピロリン政調めっき用光沢剤ＣＰ−２
を１．７ Ｘ ｔｏ−” ｍｏｔ／を添加して調節し、
その後、この調合されたメッキ液のＰＨが８．７になる
様ＫＯＨ５チ溶液又は、バーショウ打出社製ＰＨ調製液
を加えた。このメッキ液を用いて、前記の線状銅パター
ンを電流密度ｓ、ｓ Ａ／ｄｖｌ、 空気攪拌０．１Ｍ
”７Ｍ”分、浴温５５℃の条件下でメッキを行った。こ
の結果、高い異方性が発揮された。さらに実施例２〜４
は、表１の如く銅イオン濃度、Ｐ比、アンモニア濃度、
光沢剤ＣＰ−２濃度を調節し、さらにＰＨｆ：調節し次
メッキ浴を・用い前記と同様の銅線状パターンに同一の
条件でメッキを行った。その結果得られたパターンの厚
み、幅を測定した結果を９１に示す。なおいずれの場合
も鍋物性は実用上充分なものであった。
が銅イオン濃度３４ ｔ／ｌＳＰ比＝７になる様調節し
たのち、濃度２８ｔＩ６のアンモニア水を適量加え、ア
ンモニアに換算して０．０８ ｍｏｂ／Ｌ の濃度にバ
ーショウ打出社製ピロリン政調めっき用光沢剤ＣＰ−２
を１．７ Ｘ ｔｏ−” ｍｏｔ／を添加して調節し、
その後、この調合されたメッキ液のＰＨが８．７になる
様ＫＯＨ５チ溶液又は、バーショウ打出社製ＰＨ調製液
を加えた。このメッキ液を用いて、前記の線状銅パター
ンを電流密度ｓ、ｓ Ａ／ｄｖｌ、 空気攪拌０．１Ｍ
”７Ｍ”分、浴温５５℃の条件下でメッキを行った。こ
の結果、高い異方性が発揮された。さらに実施例２〜４
は、表１の如く銅イオン濃度、Ｐ比、アンモニア濃度、
光沢剤ＣＰ−２濃度を調節し、さらにＰＨｆ：調節し次
メッキ浴を・用い前記と同様の銅線状パターンに同一の
条件でメッキを行った。その結果得られたパターンの厚
み、幅を測定した結果を９１に示す。なおいずれの場合
も鍋物性は実用上充分なものであった。
比較例１〜２
絶縁性ポリイミドフィルム（デュポン社製「カプトン」
厚さ２５μｍのものに５μｍ厚銅箔をボスチック社製ｒ
ＸＡ−５６４−４Ｊ フェノール樹脂系接着剤を使っ
て接着する。次にイーストマンコグツク社製ネガ型レジ
スト［マイクロレジスト７４７−１１０ｃｓｔＪを乾燥
後レジスト厚が３〜５μｍ１ｒＬＶＣなる様に銅面に塗
布し、プリベーク後、回路パターンマスクを通してｈ圧
水銀ランプで露光し、イーストランプダック社製現像液
「マイクロレジストデベロッパー」及びイーストマンコ
ダック社製リンス液［マイクロレジストリンス］で現像
し、ポストベークして回路パターン状にレジストを形成
する。続いて、塩化第２鉄５０％浴液によシ銅箔をエツ
チング除去する。さらにナガセ化成工業社製レジスト剥
離剤ｒＪ −１００Ｊを使用し、銅箔上のレジストを除
去する。
厚さ２５μｍのものに５μｍ厚銅箔をボスチック社製ｒ
ＸＡ−５６４−４Ｊ フェノール樹脂系接着剤を使っ
て接着する。次にイーストマンコグツク社製ネガ型レジ
スト［マイクロレジスト７４７−１１０ｃｓｔＪを乾燥
後レジスト厚が３〜５μｍ１ｒＬＶＣなる様に銅面に塗
布し、プリベーク後、回路パターンマスクを通してｈ圧
水銀ランプで露光し、イーストランプダック社製現像液
「マイクロレジストデベロッパー」及びイーストマンコ
ダック社製リンス液［マイクロレジストリンス］で現像
し、ポストベークして回路パターン状にレジストを形成
する。続いて、塩化第２鉄５０％浴液によシ銅箔をエツ
チング除去する。さらにナガセ化成工業社製レジスト剥
離剤ｒＪ −１００Ｊを使用し、銅箔上のレジストを除
去する。
この結果、膜厚５μ展、幅１３０μｍ、配列ピッチ２０
０μｍの線状パターンが得られた。次にバーショウ行田
社製ピロリン酸鋼メッキ液に、ピロリ゛ン酸カリ、ピロ
リン酸銀及び水を適量加えて、その組成が銅イオン濃度
３４ ｔ／１． Ｐ比＝７になる様調節し、さらＩ／ｃ
濃度２８ｑ６のアンモニア水を適量加え、アンモニアに
換算してｏ、ｏｓ ｍｏｔ７ｔの濃度にさらにバーショ
ウ打出社製ピロリン政調めっき用光沢剤ＣＰ−２を３
、ＯＸ １０ ’ ｍｏｔ／を添加して調節し、その後
、この調合されたメッキ液のＰＩ（が８．７になる様Ｋ
ＯＨ５％溶液又は、）１−ショウ打出社−！Ｉ！ｉ！Ｐ
Ｈ調兼液を加えた０ この様なメッキ液を用いて、前記の粉状銅パターンを電
流密夏ｓ 、ｓ Ａ／ ｄｎｒ’ 、 空気攪拌０．
１ Ｍ３／Ｍ２分浴温５５℃の条件化でメッキを行った
。（比較例１） この結果を光１に示す。
０μｍの線状パターンが得られた。次にバーショウ行田
社製ピロリン酸鋼メッキ液に、ピロリ゛ン酸カリ、ピロ
リン酸銀及び水を適量加えて、その組成が銅イオン濃度
３４ ｔ／１． Ｐ比＝７になる様調節し、さらＩ／ｃ
濃度２８ｑ６のアンモニア水を適量加え、アンモニアに
換算してｏ、ｏｓ ｍｏｔ７ｔの濃度にさらにバーショ
ウ打出社製ピロリン政調めっき用光沢剤ＣＰ−２を３
、ＯＸ １０ ’ ｍｏｔ／を添加して調節し、その後
、この調合されたメッキ液のＰＩ（が８．７になる様Ｋ
ＯＨ５％溶液又は、）１−ショウ打出社−！Ｉ！ｉ！Ｐ
Ｈ調兼液を加えた０ この様なメッキ液を用いて、前記の粉状銅パターンを電
流密夏ｓ 、ｓ Ａ／ ｄｎｒ’ 、 空気攪拌０．
１ Ｍ３／Ｍ２分浴温５５℃の条件化でメッキを行った
。（比較例１） この結果を光１に示す。
また、ピロリン酸銀めっき用光沢剤を含まないメッキ液
を用いる以外は上記比較例１と同様にしてメッキを行っ
た。その結果を表１に示す０（比較例２） 以下余白 く効 呆〉 本願にある構成要素からなるピロリン酸銅水溶液を用い
ると、電子部品として機能上充分な表面性を保ちつつ異
方性にの高いめっきが可能となり、これを利用して従来
よりも厚い微細なパターンの印刷回路基板を製造するこ
とが可能となった。
を用いる以外は上記比較例１と同様にしてメッキを行っ
た。その結果を表１に示す０（比較例２） 以下余白 く効 呆〉 本願にある構成要素からなるピロリン酸銅水溶液を用い
ると、電子部品として機能上充分な表面性を保ちつつ異
方性にの高いめっきが可能となり、これを利用して従来
よりも厚い微細なパターンの印刷回路基板を製造するこ
とが可能となった。
第１図は、印刷回路基板の１所面図である。図中；１は
めっき銅、２は銅箔、３は絶縁体、ＡＯは絶縁体上にあ
る銅箔の幅、Ａ１はＡＯ上に形成されためっき銅の線幅
、ＢはＡｃ上に形成されためつき銅の厚さ、ＡはＡｏ上
に形成されためっき銅のめっき面に対して平行方向のの
びを示す。 特許出願人 旭化成工業株式会社 第１図
めっき銅、２は銅箔、３は絶縁体、ＡＯは絶縁体上にあ
る銅箔の幅、Ａ１はＡＯ上に形成されためっき銅の線幅
、ＢはＡｃ上に形成されためつき銅の厚さ、ＡはＡｏ上
に形成されためっき銅のめっき面に対して平行方向のの
びを示す。 特許出願人 旭化成工業株式会社 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ａ、銅イオン濃度〔Ｃｕ＾２＾＋〕２２〜４２ｇ／ｌ、
Ｂ、ピロリン酸イオン濃度〔Ｐ＿２Ｏ＿７＾４＾−〕／
銅イオン濃度〔Ｃｕ＾２＾＋〕重量比６．０〜８．０、
Ｃ、アンモニア濃度〔ＮＨ＿３〕０．０３〜０．２０ｍ
ｏｌ／ｌ、Ｄ、ピロリン酸銅メッキ用光沢剤５．０×１
０＾−＾７〜２．０×１０＾−＾５ｍｏｌ／ｌ、 からなる異方性めっき用ピロリン酸銅水溶液
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132983A JPH0674514B2 (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 異方性めっき用ピロリン酸銅水溶液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132983A JPH0674514B2 (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 異方性めっき用ピロリン酸銅水溶液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6112889A true JPS6112889A (ja) | 1986-01-21 |
| JPH0674514B2 JPH0674514B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=15094040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59132983A Expired - Lifetime JPH0674514B2 (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 異方性めっき用ピロリン酸銅水溶液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0674514B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119433635A (zh) * | 2024-10-24 | 2025-02-14 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种焦磷酸盐镀铜液的维护方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5737898A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Asahi Chemical Ind | Thick film fine pattern |
| JPS5791590A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-07 | Asahi Chemical Ind | Method of producing thick film fine pattern conductor |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP59132983A patent/JPH0674514B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5737898A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Asahi Chemical Ind | Thick film fine pattern |
| JPS5791590A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-07 | Asahi Chemical Ind | Method of producing thick film fine pattern conductor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119433635A (zh) * | 2024-10-24 | 2025-02-14 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种焦磷酸盐镀铜液的维护方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0674514B2 (ja) | 1994-09-21 |
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