JPS6113642B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6113642B2 JPS6113642B2 JP4212176A JP4212176A JPS6113642B2 JP S6113642 B2 JPS6113642 B2 JP S6113642B2 JP 4212176 A JP4212176 A JP 4212176A JP 4212176 A JP4212176 A JP 4212176A JP S6113642 B2 JPS6113642 B2 JP S6113642B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- dielectric
- temperature
- soldering
- polyguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
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- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
- H01P11/006—Manufacturing dielectric waveguides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波、ミリ波通信用の誘電体線
路の製造方法に関するものである。
路の製造方法に関するものである。
マイクロ波、ミリ波へと周波数が高くなるにつ
れ、マイクロストリツプ基板による平面回路は順
次小型化されるため製作が極めて難しい。したが
つて誘電体線路による平面回路の製作が必要であ
るが、単に半田付けするだけではやはり非常に難
しい。
れ、マイクロストリツプ基板による平面回路は順
次小型化されるため製作が極めて難しい。したが
つて誘電体線路による平面回路の製作が必要であ
るが、単に半田付けするだけではやはり非常に難
しい。
従来第１図のように誘電体１と金属薄膜２とか
ら成るポリガイドを金属基板３に半田付けする
際、半田ごて、バーナー等による加熱によれば前
記誘電体１と金属薄膜２の膨張率および熱容量が
異なるため非常に大きく変形し、極端な場合は誘
電体１が、溶け始めることもある。さらに第１図
のＡ方向から見た第２図のように金属薄膜２と金
属基板３との間の半田４はなるべく薄く、さらに
金属基板３上に流れる余剰半田のないａおよびｂ
のようにする必要があるが上記従来の方法によれ
ばｃ，ｄおよびｅのようになり半田を均一に薄く
周囲に流れ出さないようにすることが殆んど不可
能である。
ら成るポリガイドを金属基板３に半田付けする
際、半田ごて、バーナー等による加熱によれば前
記誘電体１と金属薄膜２の膨張率および熱容量が
異なるため非常に大きく変形し、極端な場合は誘
電体１が、溶け始めることもある。さらに第１図
のＡ方向から見た第２図のように金属薄膜２と金
属基板３との間の半田４はなるべく薄く、さらに
金属基板３上に流れる余剰半田のないａおよびｂ
のようにする必要があるが上記従来の方法によれ
ばｃ，ｄおよびｅのようになり半田を均一に薄く
周囲に流れ出さないようにすることが殆んど不可
能である。
本発明はかゝる欠点を除去し、完全な誘電体線
路を提供することを目的とするものである。
路を提供することを目的とするものである。
第３図は第１図のＢ方向から見た本発明による
誘電体線路の製造方法の説明図である。先づ誘電
体１と金属薄膜２とから成るポリガイドの金属薄
膜２の表面に半田ごてによつて低温半田（約110
℃）を薄く予備半田付けする。誘電体１は130℃
で変形するため110℃用の低温半田を用いた。次
に研磨紙等で仕上げた金属基板３をホツトプレー
ト５で予備加熱（約100℃）し、ポリガイドを半
田付けする近傍に前記低温半田を予備半田付けす
る。次にポリガイドを金属基板３上に位置決め
し、スコツチテープ（商品名）等で抑えつけ、ホ
ツトプレート５でさらに加熱（約110℃）する。
誘電体線路の製造方法の説明図である。先づ誘電
体１と金属薄膜２とから成るポリガイドの金属薄
膜２の表面に半田ごてによつて低温半田（約110
℃）を薄く予備半田付けする。誘電体１は130℃
で変形するため110℃用の低温半田を用いた。次
に研磨紙等で仕上げた金属基板３をホツトプレー
ト５で予備加熱（約100℃）し、ポリガイドを半
田付けする近傍に前記低温半田を予備半田付けす
る。次にポリガイドを金属基板３上に位置決め
し、スコツチテープ（商品名）等で抑えつけ、ホ
ツトプレート５でさらに加熱（約110℃）する。
低温半田の軟化が、始まつた時点でＣ方向から
加圧（約10Kg）し、金属基板３上に半田が、流れ
出たときに金属基板３とポリガイドを他の場所に
移し強制冷却する。次に半田付けされた金属基板
３とポリガイドを再度ホツトプレート５上で加熱
（85℃）し、流れ出た余剰半田部分に約130℃に温
度制御した半田ごてを押し当て、フラツクスを塗
り半田吸上げ器を用いて余剰半田を除去する。こ
れによつて余剰半田ももなく、かつ未半田もない
ため電気的ロスの殆んどない完全な回路を得るこ
とができ極めて有利である。
加圧（約10Kg）し、金属基板３上に半田が、流れ
出たときに金属基板３とポリガイドを他の場所に
移し強制冷却する。次に半田付けされた金属基板
３とポリガイドを再度ホツトプレート５上で加熱
（85℃）し、流れ出た余剰半田部分に約130℃に温
度制御した半田ごてを押し当て、フラツクスを塗
り半田吸上げ器を用いて余剰半田を除去する。こ
れによつて余剰半田ももなく、かつ未半田もない
ため電気的ロスの殆んどない完全な回路を得るこ
とができ極めて有利である。
以上のように本発明によれば、低温半田、予備
半田付け、ホツトプレート、加圧、フラツクス、
半田ごて、半田吸い上げ器等を利用することによ
つて従来殆んど製造が不可能であつた誘電体線路
を第２図ａまたはｂのようにすることが可能であ
る。
半田付け、ホツトプレート、加圧、フラツクス、
半田ごて、半田吸い上げ器等を利用することによ
つて従来殆んど製造が不可能であつた誘電体線路
を第２図ａまたはｂのようにすることが可能であ
る。
第１図および第２図は誘電体線路の説明図で、
第２図は第１図のＡ方向からみた状態を示す図で
あり、第３図は本発明の一実施例を説明するため
の断面図で、第１図のＢ方向からみた状態を示す
図であり、Ｃは加圧方向である。 １……誘電体、２…金属薄膜、３……金属基
板、４……半田、５……ホツトプレート。
第２図は第１図のＡ方向からみた状態を示す図で
あり、第３図は本発明の一実施例を説明するため
の断面図で、第１図のＢ方向からみた状態を示す
図であり、Ｃは加圧方向である。 １……誘電体、２…金属薄膜、３……金属基
板、４……半田、５……ホツトプレート。
Claims (1)
- １ 誘電体と金属薄膜とから成るポリガイドを金
属基板に半田付けする際、前記ポリガイドの金属
薄膜面および金属基板に低温予備半田を施して重
ね合せ後、ホツトプレート上で加熱し、低温半田
の軟化時に加圧、冷却を行ない、再度ホツトプレ
ート上で前記軟化温度より低い温度で加熱し、余
剰半田部分に熱源を押し当て、フラツクスを塗布
後（半田吸い上げ器等で）前記余剰半田を除去す
ることを特徴とする誘電体線路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212176A JPS52125787A (en) | 1976-04-14 | 1976-04-14 | Manufacturing process of dielectric line |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212176A JPS52125787A (en) | 1976-04-14 | 1976-04-14 | Manufacturing process of dielectric line |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52125787A JPS52125787A (en) | 1977-10-21 |
| JPS6113642B2 true JPS6113642B2 (ja) | 1986-04-15 |
Family
ID=12627108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4212176A Granted JPS52125787A (en) | 1976-04-14 | 1976-04-14 | Manufacturing process of dielectric line |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS52125787A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177338U (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-11 | ||
| JPS63185651U (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 |
-
1976
- 1976-04-14 JP JP4212176A patent/JPS52125787A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177338U (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-11 | ||
| JPS63185651U (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52125787A (en) | 1977-10-21 |
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