JPS6113814A - 時定数回路 - Google Patents
時定数回路Info
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- JPS6113814A JPS6113814A JP59134302A JP13430284A JPS6113814A JP S6113814 A JPS6113814 A JP S6113814A JP 59134302 A JP59134302 A JP 59134302A JP 13430284 A JP13430284 A JP 13430284A JP S6113814 A JPS6113814 A JP S6113814A
- Authority
- JP
- Japan
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- time constant
- terminal
- level
- power supply
- inverting amplifier
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Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 244000145845 chattering Species 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は一定の時間幅を作る時定数回路に関するもので
あり、特にMOSモノリシック集積回路。
あり、特にMOSモノリシック集積回路。
とじて実現するに適した時定数回路に関するものである
。
。
従来から時定数回路としてはCBの時定数を用いる方法
やフリップフロップ回路で構成したカウンタによりクロ
ックを計数する方法等が公知となっている。ORを用い
る方法は個別部品により構成するにはとりたてて問題な
い。しかしモノリシック集積回路で構成するとき大きな
値のC又はRを形成して時定数を大とする事は難しく、
一般にその精度も低いものである。またフリップフロッ
プを用いる方法は、計数による時定数を大とするにはカ
ウンタの段数を増大させる必要があり、モノリシック集
積回路で構成すると占有チップ面積が増大する事となる
。
やフリップフロップ回路で構成したカウンタによりクロ
ックを計数する方法等が公知となっている。ORを用い
る方法は個別部品により構成するにはとりたてて問題な
い。しかしモノリシック集積回路で構成するとき大きな
値のC又はRを形成して時定数を大とする事は難しく、
一般にその精度も低いものである。またフリップフロッ
プを用いる方法は、計数による時定数を大とするにはカ
ウンタの段数を増大させる必要があり、モノリシック集
積回路で構成すると占有チップ面積が増大する事となる
。
以上の従来の時定数回路に対して、近年MO8モノリシ
ック集積回路において実現するに有効な回路技術である
スイッチト・キャパシタ回路を用いた時定数回路が採用
されている。第1図(5)は従来例に係るスイッチト・
キャパシタを用いた時定数回路の回路図である。1及び
2は第1(例えばVDD)#第2(例えばGND)の電
源端子である。
ック集積回路において実現するに有効な回路技術である
スイッチト・キャパシタ回路を用いた時定数回路が採用
されている。第1図(5)は従来例に係るスイッチト・
キャパシタを用いた時定数回路の回路図である。1及び
2は第1(例えばVDD)#第2(例えばGND)の電
源端子である。
電源端子間に負荷MO842と駆動MO3)ランジスタ
41からなる反転増幅器を用いたレベル検出回路40が
形成されている。初期リセット用MO3)ランジスタ8
1は第1の制御信号11により第1の容量21 (C,
)を放電させる。第1の制御信号11がオフした後、第
3のスイッチ素子(MOS)ランジスタ83)と第2の
スイッチ素子(MOS)ランジスタ82)はそれぞれ第
3の制御信号13と第2の制御信号12の交互の印加に
よりスイッチング動作をする。これにより第2の容量(
C2)は充電と電荷の再分布を繰り返し、第1の容量2
1の残留電荷は第1の制御信号がオフした抜栓々に増加
し接続点るの電位は徐々に高くなる。この電位がレベル
検出器40のスレショールド値45を超すとその出力が
反転し、所定の時間経過を検出する事ができる。第1図
(ロ)はこの回路の動作説明の為の波形図であり、端子
11,14゜13.3,4における波形を示している。
41からなる反転増幅器を用いたレベル検出回路40が
形成されている。初期リセット用MO3)ランジスタ8
1は第1の制御信号11により第1の容量21 (C,
)を放電させる。第1の制御信号11がオフした後、第
3のスイッチ素子(MOS)ランジスタ83)と第2の
スイッチ素子(MOS)ランジスタ82)はそれぞれ第
3の制御信号13と第2の制御信号12の交互の印加に
よりスイッチング動作をする。これにより第2の容量(
C2)は充電と電荷の再分布を繰り返し、第1の容量2
1の残留電荷は第1の制御信号がオフした抜栓々に増加
し接続点るの電位は徐々に高くなる。この電位がレベル
検出器40のスレショールド値45を超すとその出力が
反転し、所定の時間経過を検出する事ができる。第1図
(ロ)はこの回路の動作説明の為の波形図であり、端子
11,14゜13.3,4における波形を示している。
45はレベル検出器40のスレショールドレベルを示し
ており、接点4のレベルが45を超すと出力8は反転す
る。矢印70で示した期間が所望の期間となる。しかし
、このスイシチト・キャパシタ型時定数回路は時間の経
過と共に端子4の電位変動の勾配が低下するため、わず
かなレベル検出回路40のスレショールド電圧45のバ
ラツキが時定数の変動に与える影響は大きい(第1図(
ト))。またスレショールドレベルと交叉する積分信号
(接点4の出力電圧)は超低スロープとなるから、レベ
ル検出回路による不要なチャタリング現象の原因となる
。
ており、接点4のレベルが45を超すと出力8は反転す
る。矢印70で示した期間が所望の期間となる。しかし
、このスイシチト・キャパシタ型時定数回路は時間の経
過と共に端子4の電位変動の勾配が低下するため、わず
かなレベル検出回路40のスレショールド電圧45のバ
ラツキが時定数の変動に与える影響は大きい(第1図(
ト))。またスレショールドレベルと交叉する積分信号
(接点4の出力電圧)は超低スロープとなるから、レベ
ル検出回路による不要なチャタリング現象の原因となる
。
本発明は上記従来例の欠点に鑑み提案されたものであり
、モノリシック集積回路構成に適し、かつ安定した時定
数が得られる時定数回路の提供を目的とする。
、モノリシック集積回路構成に適し、かつ安定した時定
数が得られる時定数回路の提供を目的とする。
と、前記反転増幅器の入力端子と出力端子間に接続され
た第1の容量素子と、前記反転増幅器の入力端子と第1
のバイアス端子間に接続され、第1の制御信号によりス
イッチング制御される第1のスイッチ素子と、一端が第
2のバイアス端子に接続された第2の容量素子と、前記
第2の容量素子の他端と前記反転増幅器の入力端子間に
接続され、第2の制御信号によりスイッチング制御され
る第2のスイッチ素子と、前記第2の容量素子の端子間
に並列接続され、第3の制御信号によりスイッチング制
御される第3のスイッチ素子と、前記反転増幅器の出力
端子に接続されたレベル検出器とを有することを特徴と
する。
た第1の容量素子と、前記反転増幅器の入力端子と第1
のバイアス端子間に接続され、第1の制御信号によりス
イッチング制御される第1のスイッチ素子と、一端が第
2のバイアス端子に接続された第2の容量素子と、前記
第2の容量素子の他端と前記反転増幅器の入力端子間に
接続され、第2の制御信号によりスイッチング制御され
る第2のスイッチ素子と、前記第2の容量素子の端子間
に並列接続され、第3の制御信号によりスイッチング制
御される第3のスイッチ素子と、前記反転増幅器の出力
端子に接続されたレベル検出器とを有することを特徴と
する。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第2図は本発明の実施例に係る時定数回路の回路図であ
り、第3図はその動作説明のための各端子における波形
図である。第1図(4)、@と同じ番号は同じものを示
しているが、0MO8回路によって構成されている。1
はVDD端子、2はVflB端子であり、それぞれVD
D電源、GNDに接続されている。60は0M0Sイン
バータの反転増幅器であり、Pチャンネルトランジスタ
61とNチャンネルトランジスタ62により構成されて
いる。反転増幅器60のスレショールドはVTRである
。40は同じ< 0M0Sインバータのレベル検出器で
あり、Pチャンネルトランジスタ51とNチャンネルト
ランジスタ52により構成されている。その出力は8で
ある。28は反転増幅器の入φ出力を容量結合する容量
素子03であり、入力端子7と出力端子6の間に接続さ
れている。81はリセット用のPチャンネルトランジス
タであり、第1の制御信号11により制御される。82
.88はNチャンネルトランジスタで形成された第2.
第3のスイッチ素子であり、それぞれ第2の制御信号1
2、第3の制御信号18によって制御される。24はス
イッチ素子82と88のオン・オフにより、電荷の充放
電を行う容量素子C4である。
り、第3図はその動作説明のための各端子における波形
図である。第1図(4)、@と同じ番号は同じものを示
しているが、0MO8回路によって構成されている。1
はVDD端子、2はVflB端子であり、それぞれVD
D電源、GNDに接続されている。60は0M0Sイン
バータの反転増幅器であり、Pチャンネルトランジスタ
61とNチャンネルトランジスタ62により構成されて
いる。反転増幅器60のスレショールドはVTRである
。40は同じ< 0M0Sインバータのレベル検出器で
あり、Pチャンネルトランジスタ51とNチャンネルト
ランジスタ52により構成されている。その出力は8で
ある。28は反転増幅器の入φ出力を容量結合する容量
素子03であり、入力端子7と出力端子6の間に接続さ
れている。81はリセット用のPチャンネルトランジス
タであり、第1の制御信号11により制御される。82
.88はNチャンネルトランジスタで形成された第2.
第3のスイッチ素子であり、それぞれ第2の制御信号1
2、第3の制御信号18によって制御される。24はス
イッチ素子82と88のオン・オフにより、電荷の充放
電を行う容量素子C4である。
次に本発明の実施例の動作について説明する。
第3図は動作説明のための各端子における波形図である
。まず第1の制御信号11によりトランジスタ81をオ
ンして端子7のレベルをVDDレベルに上げる。次に第
2の制御信号12によりスイッチ素子82をオンすると
、容量素子c4との間で電荷の再分布が行われ、端子7
のレベルは若干下がる。さらに第3の制御信号18によ
りスイッチ素子88をオンすると、容量素子C4から電
荷がV8B端子側へ放電する。1回のクロックサイクル
により放電される電荷量はQu = 02・VTHであ
る。なおVTIIは反転増幅器6oのスレショールドで
ある。
。まず第1の制御信号11によりトランジスタ81をオ
ンして端子7のレベルをVDDレベルに上げる。次に第
2の制御信号12によりスイッチ素子82をオンすると
、容量素子c4との間で電荷の再分布が行われ、端子7
のレベルは若干下がる。さらに第3の制御信号18によ
りスイッチ素子88をオンすると、容量素子C4から電
荷がV8B端子側へ放電する。1回のクロックサイクル
により放電される電荷量はQu = 02・VTHであ
る。なおVTIIは反転増幅器6oのスレショールドで
ある。
数回のりシックサイクルの後、端子7のレベルは反転増
幅器60のIJ ニア増幅領域に達する(期間80)。
幅器60のIJ ニア増幅領域に達する(期間80)。
このため、この後のクロックサイクルにより、反転増幅
器60の出力6のレベル変動が生じる。この変動量は1
りシックサイクルあたり、ΔN’=Qu10□となり、 従ってΔV−−剪一拳V!Hとなる。
器60の出力6のレベル変動が生じる。この変動量は1
りシックサイクルあたり、ΔN’=Qu10□となり、 従ってΔV−−剪一拳V!Hとなる。
図のように出力レベル6の勾配は一定であるから、レベ
ル検出回路40のスレショールドのバラツキによる時定
数の変動は少ない。もしレベル検出器40のスレショー
ルドが反転増幅器60のスレショールドV’FHと同じ
とすると、レベル検出器の入力スレショールドに達する
までのクロツクサイクみで決まる(期間85)。従って
時定数回路の時定数は、時定数(期間70)=期間80
十期間85となる。
ル検出回路40のスレショールドのバラツキによる時定
数の変動は少ない。もしレベル検出器40のスレショー
ルドが反転増幅器60のスレショールドV’FHと同じ
とすると、レベル検出器の入力スレショールドに達する
までのクロツクサイクみで決まる(期間85)。従って
時定数回路の時定数は、時定数(期間70)=期間80
十期間85となる。
なお、VTHを高くすれば期間80は短かく、一方期間
85は長くできる。この場合、時定数はほぼC1と02
により設定できる。従って、電源変動や温度変動に対し
ても安定動作が可能となる。
85は長くできる。この場合、時定数はほぼC1と02
により設定できる。従って、電源変動や温度変動に対し
ても安定動作が可能となる。
第4図は本発明の実施例に係る時定数回路と従来例に係
る時定数回路とにおいて、レベル検出回路40のスレシ
ョールドレベルがバラついたときの時定数の変動量を比
較したものである。図において、145がレベル検出回
路のスレショールドレベルのバラツキを示し、171.
172がそれぞれ実施例回路と従来例回路の時定数の変
動量を示している。
る時定数回路とにおいて、レベル検出回路40のスレシ
ョールドレベルがバラついたときの時定数の変動量を比
較したものである。図において、145がレベル検出回
路のスレショールドレベルのバラツキを示し、171.
172がそれぞれ実施例回路と従来例回路の時定数の変
動量を示している。
第6図は本発明の別の実施例に係る時定数回路であり、
第2図と同じ番号は同じものを示している。本実施例で
は電源端子1には正電源が、電源端子2には負電源が印
加されている。この場合の容量素子OSに充電される充
電量は正電源lと負電源2の電圧レベルによって制御可
能である。例゛えば電源1と電源2の電圧レベルの差を
大きくすると、第3図と同じ容量のas + 04を用
いても大きな時定数を得ることができる効果がある。但
し、第6図は本発明のさらに別の実施例に係る時定数回
路であり、エンハンスメント/ディプリーション型NM
OSモノリシック集積回路で実現した回路である。第2
図と同じ番号は同じものを示して−いる。図において5
8.68はディプリーション型Nチャンネルトランジス
タであり、その他はエンハンスメントNチャンネルトラ
ンジスタである。
第2図と同じ番号は同じものを示している。本実施例で
は電源端子1には正電源が、電源端子2には負電源が印
加されている。この場合の容量素子OSに充電される充
電量は正電源lと負電源2の電圧レベルによって制御可
能である。例゛えば電源1と電源2の電圧レベルの差を
大きくすると、第3図と同じ容量のas + 04を用
いても大きな時定数を得ることができる効果がある。但
し、第6図は本発明のさらに別の実施例に係る時定数回
路であり、エンハンスメント/ディプリーション型NM
OSモノリシック集積回路で実現した回路である。第2
図と同じ番号は同じものを示して−いる。図において5
8.68はディプリーション型Nチャンネルトランジス
タであり、その他はエンハンスメントNチャンネルトラ
ンジスタである。
この実施例に係る回路の動作は第3図のものと同じであ
り、従って同等の効果が得られる。
り、従って同等の効果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、特に大きな容量を
必要としないで大きな時定数を得ることもできるのでモ
ノリシック集積回路で形成することに適している。また
電源電圧の変動や温度変動に対しても安定した動作が可
能である。さらに他の回路の誤動作の原因を与える時定
数検電時のチャタリングの防止が可能である。
必要としないで大きな時定数を得ることもできるのでモ
ノリシック集積回路で形成することに適している。また
電源電圧の変動や温度変動に対しても安定した動作が可
能である。さらに他の回路の誤動作の原因を与える時定
数検電時のチャタリングの防止が可能である。
第1図(4)は従来例に係るスイッチト・キャパシタを
用いた時定数回路の回路図、第1図(ト)は第1図(4
)の回路の動作説明のための波形図である。第2図は本
発明の実施例に係る時定数回路の回路図であり、第3図
は第2図の回路の動作説明のための波形図である。第4
図は本発明の実施例に係る時定数回路と従来例に係る時
定数回路とにおいて、レベル検出回路40のスレショー
ルドレベルがバラついたときの時定数変動量の比較図で
ある。第5図、第6図はそれぞれ本発明の別の実施例に
係1・・・第1の電源(VDD ) 2・・・第2の電源(Vss) 8・・・レベル検出回路の出力端子 4.6・・・レベル検出回路の入力端子5.7・・・ス
イッチ素子間の端子 11・・・第1の制御信号 12・・・第2の制御信号 18・・・第3の制御信号 21.28・・・第1の容量素子 22.24・・・第2の容量素子 81・・・リセット用素子 82・・・第1のスイッチ素子 88・・・第2のスイッチ素子 40・・・レベル検知素子 60・・・反転増幅器 特許出願人 日本電気株式会社 第1 図(A) 第1 図(B)
用いた時定数回路の回路図、第1図(ト)は第1図(4
)の回路の動作説明のための波形図である。第2図は本
発明の実施例に係る時定数回路の回路図であり、第3図
は第2図の回路の動作説明のための波形図である。第4
図は本発明の実施例に係る時定数回路と従来例に係る時
定数回路とにおいて、レベル検出回路40のスレショー
ルドレベルがバラついたときの時定数変動量の比較図で
ある。第5図、第6図はそれぞれ本発明の別の実施例に
係1・・・第1の電源(VDD ) 2・・・第2の電源(Vss) 8・・・レベル検出回路の出力端子 4.6・・・レベル検出回路の入力端子5.7・・・ス
イッチ素子間の端子 11・・・第1の制御信号 12・・・第2の制御信号 18・・・第3の制御信号 21.28・・・第1の容量素子 22.24・・・第2の容量素子 81・・・リセット用素子 82・・・第1のスイッチ素子 88・・・第2のスイッチ素子 40・・・レベル検知素子 60・・・反転増幅器 特許出願人 日本電気株式会社 第1 図(A) 第1 図(B)
Claims (6)
- (1)第1の電源端子と第2の電源端子とを備えた反転
増幅器と、 前記反転増幅器の入力端子と出力端子間に接続された第
1の容量素子と、 前記反転増幅器の入力端子と第1のバイアス端子間に接
続され、第1の制御信号によりスイッチング制御される
第1のスイッチ素子と、一端が第2のバイアス端子に接
続された第2の容量素子と、 前記第2の容量素子の他端と前記反転増幅器の入力端子
間に接続され、第2の制御信号によりスイッチング制御
される第2のスイッチ素子と、 前記第2の容量素子の端子間に並列接続され、第3の制
御信号によりスイッチング制御される第3のスイッチ素
子と、 前記反転増幅器の出力端子に接続されたレベル検出器と
を有する時定数回路。 - (2)前記第1のバイアス端子が前記第1又は第2の電
源端子に接続されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載の時定数回路。 - (3)前記第2のバイアス端子が前記第1又は第2の電
源端子に接続されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項又は第2項に記載の時定数回路。 - (4)前記反転増幅器は1個の駆動素子と1個の負荷素
子とによつて形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第1〜第3項のいずれかに記載の時定数回路。 - (5)前記レベル検出器は第2の反転増幅器であること
を特徴とする特許請求の範囲第1〜第4項のいずれかに
記載の時定数回路。 - (6)前記反転増幅器、前記スイッチ素子及び前記容量
素子はMOSモノリシック集積回路により形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1〜第5項のいず
れかに記載の時定数回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59134302A JPS6113814A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 時定数回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59134302A JPS6113814A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 時定数回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113814A true JPS6113814A (ja) | 1986-01-22 |
Family
ID=15125105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59134302A Pending JPS6113814A (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 時定数回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266920A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-04 | Rohm Co Ltd | 遅延回路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4971858A (ja) * | 1972-11-10 | 1974-07-11 | ||
| JPS58136136A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-13 | Ricoh Co Ltd | 間欠駆動型時定数回路 |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP59134302A patent/JPS6113814A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4971858A (ja) * | 1972-11-10 | 1974-07-11 | ||
| JPS58136136A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-13 | Ricoh Co Ltd | 間欠駆動型時定数回路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266920A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-04 | Rohm Co Ltd | 遅延回路 |
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