JPS6114570B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はNi−Fe合金などの磁気抵抗素子を
用いた磁気抵抗ヘツドの製造方法に関する。

最近、磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗ヘツドが
開発されつつある。

この磁気抵抗ヘツドは、磁気テープなどの磁性
媒体と近接することにより、この媒体の磁化状態
に応じて磁化され抵抗が変化して、上記媒体に記
憶させた情報を再生することができる。

ところで、上記磁気抵抗素子を磁気抵抗ヘツド
に応用する場合、磁性媒体の利用が高密度化する
のに伴い、上記磁気抵抗素子はÅ単位の厚さで、
たとえばガラス基板に蒸着させて磁気抵抗ヘツド
として用いることが考えられる。

だが、上記磁気抵抗素子が磁性媒体が近接する
ことにより磁化する領域はその近接部分近傍だけ
に限られ、深さ方向に深く磁化するということが
ないから、上記磁気抵抗素子の抵抗変化が小さく
再生効率の低下を招くという問題が発生する。そ
して、この傾向は高周波数になるにしたがつて顕
著となることが確認されている。

この発明は上記事情にもとづきなされたもの
で、その目的とするところは、磁気抵抗素子の抵
抗変化が磁性媒体との近接部分近傍だけに留まら
ず、深さ方向に深く変化するようにして、再生効
率の向上を計るようにした磁気抵抗ヘツドを量産
することのできる製造方法を提供することにあ
る。

以下、この発明の一実施例を第１図乃至第４図
にもとづいて説明する。図中１はセラミツクやガ
ラスなどの非磁性非導電材料によつて角柱状に形
成された接合体である。また、図中２はフエライ
トやパーマロイなどによつて上記接合体１と同様
の形状に形成された磁性体である。これら接合体
１と磁性体２との短手側一側面の一対の隅角部は
扇状に切欠されトラツク幅Twを規制する凹部３
………になつている。上記接合体１の一対の凹部
３，３はAu、Ag、Cuなどの非磁性導電材４，４
で埋設され、上記磁性体２の一対の凹部３，３は
ガラスなどの耐摩耗絶縁物５，５で埋設されてい
る。

また、接合体１の短手側の側面上端部には、そ
の全長に亘つて蒸着あるいはスパツタなどの手段
で磁気抵抗素子６がÅ単位の極めて薄い板状に設
けられている。そして、この磁気抵抗素子６の両
端部分は凹部３，３に埋設された非磁性導電材
４，４と電気的に接続し、この非磁性導電材４，
４が磁気抵抗素子６のリード線となつている。ま
た、磁性体２の短手側の側面上端部にはその全長
に亘つてガラスやセラミツクなどのギヤツプ用絶
縁膜７が上記磁気抵抗素子６の深さ方向の幅より
もやや狭い幅に設けられ、このギヤツプ用絶縁膜
７の下側にはフエライトやパーマロイなどからな
る磁性帯８が上記ギヤツプ用絶縁膜７とで磁気抵
抗素子６と同じ幅になるように設けられている。

そして、上記接合体１と磁性体２とは、これら
の短手順の側面がガラス系などの非磁性接着剤９
によつて接合されている。したがつて、上記磁気
抵抗素子６はその下端部分が磁性帯８によつて磁
性体２と磁気的に導通しているとともに他の部分
はギヤツプ用絶縁膜７により絶縁されている。

しかして、上記構成によれば、第４図の拡大断
面図に示すように磁気抵抗ヘツドに被磁性体１０
が近接すると、磁気抵抗素子６が磁化され図中矢
示で示すように磁束が発生し、磁気抵抗素子６の
抵抗値が変化するから、その変化を接合体１に設
けられた非磁性導電材４，４から取り出すことに
よつて、上記被磁性媒体１０に記憶された情報を
再生することができる。

ところで、上記磁気抵抗素子６は、その深さ方
向の一端側に磁性媒体１０が近接し、他端側が磁
性帯８によつて磁気的に磁性体２と接続されてい
る。したがつて、被磁性媒体１０の近接により生
じる磁束は磁気抵抗素子６の深さ方向ほぼ全長を
磁化する閉磁路となり、この素子６の抵抗変化を
大きくするから、磁性媒体１０の再生を高効率に
行うことができる。

また、磁気抵抗素子６の一側には接合体１、他
端には磁性体２が接合されている。したがつて、
磁気抵抗素子６は、上記接合体１と磁性体２とに
よつて磁性媒体１０と必要以上に強く接触するこ
とが防止されるから、ほとんど摩耗することなく
長期に亘つて性能を維持することができる。

さらに、非磁性導電材４，４を接合体１のトラ
ツク幅Twを規制する凹部３，３に埋設し、この
非磁性導電材４，４を磁気抵抗素子６のリード線
としたから、磁気抵抗ヘツドが高密度化するに伴
い小さくなつても、磁気抵抗素子６のリード線を
容易に設けることができる。

なお、上記の一実施例では磁気抵抗素子６の一
側面にだけ磁性体２を設けたが、この素子６の両
側面に磁性体２，２（図示せず）を設け、これら
の磁性体２，２と上記素子６とを磁気的に導通さ
せるようにしてもよい。

つぎに、上記磁気ヘツドの製造方法を第５図乃
至第１０図にもとづき説明する。なお、同一部分
には同一記号を付して説明を省略する。

まず、第５図に示すように接合体１となる第１
のブロツク１１ａと磁性体２となる第２のブロツ
ク１１ｂとを用意し、これらのブロツク１１ａ，
１１ｂにそれぞれ対応するように断面半円形状の
多数の凹部３………を等間隔で形成する。そして
第１のブロツク１１ａには第６図に示すようにガ
ラス系接着剤などでその凹部３………にAu、
Ag、Cuなどの金属棒１２………を接着して設
け、これら金属棒１２………を第７図に示すよう
にブロツク１１ａと同一平面となるように研摩す
る。つぎに、第８図に示すように上記第１のブロ
ツク１１ａの凹部３………が形成された面の幅方
向一端側に全長に亘つて磁気抵抗素子６を所定幅
に蒸着あるいはスパツタなどの手段で設ける。

つぎに、第９図に示すように第２のブロツク１
１ｂの凹部３………に耐摩耗絶縁物５………を埋
設する。そして、この第２のブロツクの耐摩耗絶
縁物５………が埋設された面の幅方向一端全長に
亘つて上記磁気抵抗素子６よりもやゝ狭い幅にギ
ヤツプ用絶縁膜７を蒸着がスパツタなどで設け
る。さらに、このギヤツプ用絶縁膜７の隣側に磁
性帯８を上記ギヤツプ用絶縁膜７と磁気抵抗素子
６と同じ幅になるように形成する。しかるのち、
第１０図に示すように上記第１のブロツク１１ａ
と第２のブロツク１１ｂとをこれらの磁気抵抗素
子６とギヤツプ用絶縁膜７および磁性体８とを対
応させて非磁性接着剤９で接合し、ヘツドブロツ
ク１３を構成し、このヘツドブロツク１３を図中
鎖線で示すように切断することにより上記実施例
に挙げた磁気抵抗ヘツドを得ることができる。

つぎに、この発明の他の実施例について第１１
図乃至第１４図にもとづいて説明する。なお、同
一部分には同一記号を付して説明を省略する。ま
ず、第１１図と第１２図に示すものは、接合体１
の高さ寸法を磁性体２の寸法よりも大きくすると
ともに、上記接合体１の一対の隅角部に断面矩形
状の凹所３ａ，３ａを形成したもので、このよう
な構成とすることによつて上記凹所３ａ，３ａに
埋設されたリード線としての非磁性導電材４，４
の露出面積を大きくすることができるから、この
磁気抵抗ヘツドと他の電気部品との接続が容易と
なる。

また、第１３図と第１４図に示すものは、接合
体１の幅寸法を磁性体２よりもかなり小さくし、
この接合体１の両側に上記磁性体２と同じ幅寸法
となるように非磁性導電材４，４を設けたもの
で、このようにすることにより、非磁性導電材
４，４の露出面積をさらに大きくすることができ
る。

以上述べたようにこの発明によれば、接合させ
られた一対のブロツクを所定幅でスライスするこ
とによつて、磁気抵抗素子の抵抗変化が磁性媒体
との近接部分だけに留まらず、深さ方向に非常に
深くなり、再生効率が大幅に向上する磁気抵抗ヘ
ツドを量産することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１０図はこの発明の一実施例を示す
もので、第１図は平面図、第２図は側面図、第３
図は第１図Ａ部の拡大図、第４図は要部を断面し
て作用を示した説明図、第５図〜第１０図は製造
工程を順次示した説明図、第１１図はこの発明の
他の実施例を示す平面図、第１２図は同じく側面
図、第１３図はこの発明のさらに他の実施例を示
す平面図、第１４図は同じく側面図である。 ２……磁性体、６……磁気抵抗素子、７……ギ
ヤツプ用絶縁膜、８……磁性帯、１０……磁性媒
体。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 非磁性非導電材料からなる第１のブロツクと
   磁性体からなる第２のブロツクとにそれぞれ多数
   の凹部を等間隔で形成する第１の工程と、上記第
   １のブロツクの凹部に非磁性導電材を埋設する第
   ２の工程と、第１のブロツクの凹部が設けられた
   面に所定幅の磁気抵抗素子を全長にわたつて設け
   る第３の工程と、上記第２のブロツクの凹部に耐
   摩耗性絶縁物を埋設する第４の工程と、この第２
   のブロツクの耐摩耗性絶縁物が埋設された面に上
   記磁気抵抗素子よりもやゝ狭い幅のギヤツプ用絶
   縁膜およびこの絶縁膜に接合させて並列に磁性体
   とを設ける第５の工程と、上記第１のブロツクと
   第２のブロツクとを互いの凹部を対応させかつ磁
   気抵抗素子とギヤツプ用絶縁膜とを対応させて接
   合固定する第６の工程と、接合された一対のブロ
   ツクを凹部の幅方向中心に沿つて切断する第７の
   工程とを具備したことを特徴とする磁気抵抗ヘツ
   ドの製造方法。