JPS61155946A - 排ガスセンサ - Google Patents
排ガスセンサInfo
- Publication number
- JPS61155946A JPS61155946A JP28010784A JP28010784A JPS61155946A JP S61155946 A JPS61155946 A JP S61155946A JP 28010784 A JP28010784 A JP 28010784A JP 28010784 A JP28010784 A JP 28010784A JP S61155946 A JPS61155946 A JP S61155946A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- gas sensor
- tio2
- piece
- temp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
この発明は、金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用し
た排ガスセンサの改良に関する。
た排ガスセンサの改良に関する。
特公昭５７−４６６４１号は、緻密に焼結したＴｉＯ２
を温度補償片に、多孔質に焼結したＴｉＯ２をガス検出
片にした、排ガスセンナを開示している０ そしてこのセンナにおける主要な課題は、いかにして緻
密な焼結体を得るかという点に有る。
を温度補償片に、多孔質に焼結したＴｉＯ２をガス検出
片にした、排ガスセンナを開示している０ そしてこのセンナにおける主要な課題は、いかにして緻
密な焼結体を得るかという点に有る。
この発明の課題は、緻密な温度補償片を有する排ガスセ
ンサの提供に有る。
ンサの提供に有る。
この発明の排ガスセンサは、温度補償片の材料として、
組成式（ＡＯ）ｎ・ＴｉＯ２）ここにｎは０と１との間
の範囲をとり、Ａはアルカリ土類元素の少くとも一員を
現す、で示される物質を用いたことを特徴とする。ｎは
より好ましくは、０．０２〜０．９５とする。
組成式（ＡＯ）ｎ・ＴｉＯ２）ここにｎは０と１との間
の範囲をとり、Ａはアルカリ土類元素の少くとも一員を
現す、で示される物質を用いたことを特徴とする。ｎは
より好ましくは、０．０２〜０．９５とする。
（センナの構造）
第１図と第２図とにより、センナの構造を説明する。図
において（２）はアルミナ製の６穴管基体で、その先端
にはヒータ内蔵のセラミックス管（４）が取り付けであ
る。このセラミックス管（４）は、内部にタングステン
や白金等の膜ヒータ（６）を設けたもので、ガス検出片
（８）や温度補償片ｕ０を一定温度に加熱するためのも
ので有る。なおヒータについては、図示の膜ヒータ（６
）以外にも種々のものを用い得る。
において（２）はアルミナ製の６穴管基体で、その先端
にはヒータ内蔵のセラミックス管（４）が取り付けであ
る。このセラミックス管（４）は、内部にタングステン
や白金等の膜ヒータ（６）を設けたもので、ガス検出片
（８）や温度補償片ｕ０を一定温度に加熱するためのも
ので有る。なおヒータについては、図示の膜ヒータ（６
）以外にも種々のものを用い得る。
基体（２）とセラミックス管（４）との間のくぼみ部に
は、しきい部（２）を介してガス検出片（８）と温度補
償片ａＯとを設ける。
は、しきい部（２）を介してガス検出片（８）と温度補
償片ａＯとを設ける。
ガス検出片（８）には、開気孔率１２〜４５％程度の多
孔質焼結体に一対の電極を接続したものを用い、その材
料は、ＴｉＯ２，８ｎ０２．５ｒＴｉＯ８、ＢａＴｉＯ
３、Ｂａ８ｎ０３、ｃｏｏＳＮｉｏ等の任意のガス敏感
性金属酸化物半導体を用い得る。
孔質焼結体に一対の電極を接続したものを用い、その材
料は、ＴｉＯ２，８ｎ０２．５ｒＴｉＯ８、ＢａＴｉＯ
３、Ｂａ８ｎ０３、ｃｏｏＳＮｉｏ等の任意のガス敏感
性金属酸化物半導体を用い得る。
温度補償片αＱは、（ＡＯ）ｎ・ＴｉＯ２の組成隠密質
焼結体に少くとも一対の電極を接続したもので有る。こ
こに０＜ｎ＜１で、Ａはアルカリ土類元素の一員または
複数具を現す。温度補償片α０の開気孔率は、測定不能
な程度に小さいものが容易に得られるが、これに限定す
るものではない。磐はセンサを自動車エンジンの排気管
やストーブやボイラー等の燃焼室に取り付けるための金
具である。
焼結体に少くとも一対の電極を接続したもので有る。こ
こに０＜ｎ＜１で、Ａはアルカリ土類元素の一員または
複数具を現す。温度補償片α０の開気孔率は、測定不能
な程度に小さいものが容易に得られるが、これに限定す
るものではない。磐はセンサを自動車エンジンの排気管
やストーブやボイラー等の燃焼室に取り付けるための金
具である。
また（ハ）、（４）は膜ヒータ（６）に接続したリード
ピン、（至）、（至）はガス検出片（８）に接続したリ
ードピン、（イ）。
ピン、（至）、（至）はガス検出片（８）に接続したリ
ードピン、（イ）。
（ロ）は温度補償片αＯに接続したリードピンで有る。
（試験例）
ｓｒｃｏ８とＴｉＯ２とを１：１２．５モルの比で混合
し、空気中で１時間１２００’Ｃに仮焼した。ガラス状
光沢を有する。′Ｉ！Ｉ密な塊が得られた。これを粉砕
後、はとんど圧力を加えず温度補償片ｑ１の形状に成型
し、空気中で１時間１２００°Ｃで焼結した。生成物は
緻密で開気孔率は測定できなかった。
し、空気中で１時間１２００’Ｃに仮焼した。ガラス状
光沢を有する。′Ｉ！Ｉ密な塊が得られた。これを粉砕
後、はとんど圧力を加えず温度補償片ｑ１の形状に成型
し、空気中で１時間１２００°Ｃで焼結した。生成物は
緻密で開気孔率は測定できなかった。
このことは、（ｓｒｏ）・１２ＴｉＯ２の付近の組成に
、低融点の共融混合物または低融点化合物が存在するこ
とを意味する。
、低融点の共融混合物または低融点化合物が存在するこ
とを意味する。
ｓｒｏとＴｌＯ２との組成を変え、さらにｓｒ。
をＢａＯやＣａｂ、ＭｇＯ等に代え、同じ方法で温度補
償片αＯを得た。仮焼や焼結はいずれも空気中で１時間
とした。結果を表１に示すと、実施例では全ての場合に
緻密で開気孔率が測定範囲で０となる焼結体が得られた
。またこれらの各温度補償片ＱＯの抵抗温度特性を第３
図〜第５図に示す。
償片αＯを得た。仮焼や焼結はいずれも空気中で１時間
とした。結果を表１に示すと、実施例では全ての場合に
緻密で開気孔率が測定範囲で０となる焼結体が得られた
。またこれらの各温度補償片ＱＯの抵抗温度特性を第３
図〜第５図に示す。
表１．試験例
１ （８ｒＯ）ａｏｓ・Ｔｉ０２ １１００°Ｃ１２０
０℃２ （ＳｒＯ）Ｏ，ｏｓ・ＴｉＯ２１２００℃
１２００°Ｃ８（８ｒＯ）ｏ、ｇｓ、ＴｉＯ２１２００
℃１２００℃４ （ｓｒｏ）Ｑｌｇ−’ｒｉｏｇ １
２００℃１８００℃５ （ＢａＯ）ｏ、ｏａ、Ｔｉｏｇ
１２００℃１２５０℃６ （ＢａＯ）０，２．Ｔ
ｉＯ２１２００℃ １２００℃７ （Ｂａｄ） ０，
７ 、ＴｉＯ２１２００℃ １８００℃８ （ＭｇＯ
）ｏＪｓ・ＴｉＯ２ １２００°Ｃ１２５０℃ｇ （Ｏ
ａＯ）６．ｇ・ＴｉＯ２１２００℃１８００”０※ ※
印は比較例。
０℃２ （ＳｒＯ）Ｏ，ｏｓ・ＴｉＯ２１２００℃
１２００°Ｃ８（８ｒＯ）ｏ、ｇｓ、ＴｉＯ２１２００
℃１２００℃４ （ｓｒｏ）Ｑｌｇ−’ｒｉｏｇ １
２００℃１８００℃５ （ＢａＯ）ｏ、ｏａ、Ｔｉｏｇ
１２００℃１２５０℃６ （ＢａＯ）０，２．Ｔ
ｉＯ２１２００℃ １２００℃７ （Ｂａｄ） ０，
７ 、ＴｉＯ２１２００℃ １８００℃８ （ＭｇＯ
）ｏＪｓ・ＴｉＯ２ １２００°Ｃ１２５０℃ｇ （Ｏ
ａＯ）６．ｇ・ＴｉＯ２１２００℃１８００”０※ ※
印は比較例。
これらの結果は以下のことを示唆する。
（１）組成物（ＡＯ）ｎ・ＴｉＯ２には、０＜ｎ＜１
で共融混合物または低融点化合物が存在する、（２）
ｎが小さいときにはＴｉＯ２への融剤として、ｎが１に
近い時にはＡ−ＴｉＯ３への融剤として、共融混合物等
が作用する。
で共融混合物または低融点化合物が存在する、（２）
ｎが小さいときにはＴｉＯ２への融剤として、ｎが１に
近い時にはＡ−ＴｉＯ３への融剤として、共融混合物等
が作用する。
なお比較のため、１１００℃で仮焼したＴｉＯ２をプレ
ス圧１００ ｋｇ／ｃｔＡ で温度補償片へＱに成型し
、１５００°Ｃで焼結した。仮焼や焼結は空気中で各１
時間とした。このような高温での焼結にもかかわらず、
得られた温度補償片αＯの開気孔率は約３％で有った。
ス圧１００ ｋｇ／ｃｔＡ で温度補償片へＱに成型し
、１５００°Ｃで焼結した。仮焼や焼結は空気中で各１
時間とした。このような高温での焼結にもかかわらず、
得られた温度補償片αＯの開気孔率は約３％で有った。
この発明では微密な温度補償片が容易に得られ、排ガス
センサの温度補償を容易に行うことができる０
センサの温度補償を容易に行うことができる０
第１図は実施例の排ガスセンサの部分切り欠き部付き斜
視図、第２図はその長手方向断面図、第３図〜第５図は
実施例の排ガスセンサの特性図で有る。 （２）・・・基体、（４）・・・セラミックス管、（６
）・・・膜ヒータ、 （８）・・・ガス検出片、
αＱ・・・温度補償片。 第３図 第４図
視図、第２図はその長手方向断面図、第３図〜第５図は
実施例の排ガスセンサの特性図で有る。 （２）・・・基体、（４）・・・セラミックス管、（６
）・・・膜ヒータ、 （８）・・・ガス検出片、
αＱ・・・温度補償片。 第３図 第４図
Claims (2)
- （１） 多孔質の金属酸化物半導体の焼結体をガス検出
片とし、緻密質の金属酸化物半導体の焼結体を温度補償
片とした排ガスセンサにおいて、温度補償片の金属酸化
物半導体には、組成式（ＡＯ）ｎ・ＴｉＯ＿２、ただし
ｎ＜１、かつＡはアルカリ土類元素の少くとも一員を現
す、の物質を用いたことを特徴とする排ガスセンサ。 - （２） 特許請求の範囲第１項記載の排ガスセンサにお
いて、 前記ｎは０．０２ないし０．９５で有ることを特徴とす
る排ガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28010784A JPS61155946A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 排ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28010784A JPS61155946A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 排ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61155946A true JPS61155946A (ja) | 1986-07-15 |
Family
ID=17620414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28010784A Pending JPS61155946A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 排ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61155946A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4929186A (ja) * | 1972-07-08 | 1974-03-15 | ||
| JPS49135695A (ja) * | 1973-04-27 | 1974-12-27 | ||
| JPS5115492A (en) * | 1974-07-29 | 1976-02-06 | Hitachi Ltd | Kemuri oyobi gasukenchisoshi |
| JPS5689048A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Exhaust gas sensor |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP28010784A patent/JPS61155946A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4929186A (ja) * | 1972-07-08 | 1974-03-15 | ||
| JPS49135695A (ja) * | 1973-04-27 | 1974-12-27 | ||
| JPS5115492A (en) * | 1974-07-29 | 1976-02-06 | Hitachi Ltd | Kemuri oyobi gasukenchisoshi |
| JPS5689048A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Exhaust gas sensor |
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