JPS61159545A - 精密加工用アルミニウム合金、これを用いた管材及び光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光導電部材をはじめとする精密加工を要求され
る電気乃至電子デバイスなどの構成部材として好適なア
ルミニウム合金、このアルミニウム合金を用いた管材及
び光導電部材に関する。

〔従来の技術〕

アルミニウム合金は建材、自動車部品等各種構造体に幅
広く利用されているが、とりわけ、光導電部材の支持体
等精密加工を要求される電気乃至電子デバイスの構成部
材として、その利用度が高まりつつある。

しかしながら、例えば日本工業規格（Ｊ　Ｉ　Ｓ）によ
り規格化された展伸材、鋳物用、ダイガスト等の汎用の
アルミニウム合金には、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｚｎ
等の積極的に添加される成分をはじめとする各種組成成
分と共に各種不純物成分が含有されており、これらが介
在物として組織中に析出したりする。特にケイ素はアル
ミニウムと固溶しにくく、Ｓｉ、５ｉ０２．Ａｌ−５ｉ
化合物、Ａｌ−Ｆｅ−３ｉ化合物、Ａｌ−５１−Ｍｇ化
合物として、またＡ１はＡｌ２Ｏ３としてアルミニウム
組織中に例えば島状等の形態で介在し、これらが仕、ヒ
加工時の表面近傍に析出物（ハードスポット）として作
用して、精密加工の際の加工性を損ない、延いてはアル
ミニウム合金を構成部材とする電子部品等の特性を劣化
させることになる。

この様な事情を、光導電部材を１例として、更に詳しく
説明すると、例えば電子写真感光体は、通常、アルミニ
ウム合金から成る円筒状等の支持体表面上に光導電層を
設けて構成される。

光導電層の材料としては有機乃至無機の各種光導電物質
が用いられているが１例えば１価の元素でダングリング
ボンドが修飾されたアモルファスシリコン（以下、ａ−
３ｉという）は、その優れた光導仏性、耐振性、耐熱性
のために光導電層の材料としての応用が期待されている
。このａ−５ｉを実用に供するためには、ａ−５ｉの光
導電層に加えて、支持体からの電荷の注入を阻止する電
荷注入阻止層、ＳｉＮ　　、ＳｉＣ等の表面保ｘ　　　
　　　　　　　　ｘ 護層等を用い、目的に応じた多層構成とする必要がある
。そしてこの際の光導電部材の均一性は極めて重要であ
り、光導電的特性の不均一やピンホール等の欠陥が存在
すると美麗な画像が提供できないば゛かりでなく、実用
に耐えないものとなる。

特にａ−３ｉは、膜の形態が支持体の表面形状に大きく
左右されることが知られている。とりわけ、殆どの部分
でほぼ均一の光導電特性が必要となる大面積の電子写真
感光体ドラムにおいては。

支持体の表面状態は極めて重要であり、支持体表面に欠
陥が存在すると膜の均一性が悪くなり、柱状構造や球状
突起が形成されるため、光導電的不均一さの生じる原因
となる。

そこで、アルミニウム合金の管材等を支持体として使用
する場合、その表面に鏡面仕上げ、エンボス加工等精密
な各種切削乃至は研摩加工を施す過程において、前述し
た各種介在物により、例えばハードスポットと呼ばれる
固い部分が存在すると、例えば切削加工による鏡面化過
程において。

切削バイトに対する切削抵抗となり、アルミニウムシリ
ンダー表面に欠陥部分を生ずる原因となり、アルミニウ
ム支持体表面上にｌ〜１０ｇｍ程度のひび割れ、エグレ
状の傷、更には微細な凹凸、スジ状キズを発生させる要
因となっている。

そこで、本発明者らは、アルミニウム合金における介在
物成分に着目し、特に含有される合金成分１合金成分の
酸化物等による介在物の大きさを規制することにより、
前述した従来の問題点が解決されることを見出し１本発
明を完成するに至った。

〔発明の目的及び概要〕

本発明の第１の目的は、含有する介在物に起因する組織
異常が抑制され、精密加工に用いるのに適したアルミニ
ウム合金を提供することにある。

本発明の第２の目的は、精密加工後における表面欠陥が
抑制され、とりわけ精密加工による正確な表面形状が望
まれる光導電部材等電気乃至電子デバイスなどの構成部
材に用いるのに適した精密加工用アルミニウム合金を提
供することにある。

本発明の第３の目的は、介在物による組織異常が抑制さ
れると共に成形方法を最適化することにより、更に精密
加工への適応度が高められたアルミニウム合金管材を提
供することにある。

本発明の第４の目的は、とりわけ精密加工による正確な
表面形状並びに高い寸法精度が望まれる電子写真感光体
ドラムの支持体等電気乃至電子デバイスなどの管状構成
部材を精密加工するのに適したアルミニウム合金管材を
提供することにある。

本発明の第５の目的は、支持体の表面欠陥が抑制され、
電気的、光学的、光導電的特性の均一性に優れた光導電
部材を提供することにある。

本発明の第６の目的は、画像欠陥が少なく、高品質な画
像を得ることができる光導電部材を提供することにある
。

上記第１乃至第２の目的は、アルミニウムを基質とし且
つケイ素含量が０．５重量％未満であるアルミニウム合
金であって、含有する介在物の大きさがｌＯＢｍ以下で
あることを特徴とする本発明の精密加工用アルミニウム
合金（以下１本発明のアルミニウム合金という）によっ
て達成される。

上記第３乃至第４の目的は、アルミニウムを基質とし、
ケイ素含量が０．５重に％未満であり、且つ含有する介
在物の大きさがｌＯＩＬｍ以下であるアルミニウム合金
を引抜加工により成形したことを特徴とする本発明のア
ルミニウム合金管材によって達成される。

上記第５乃至第６の目的は、支持体上に光導電層を有す
る光導電部材において、前記支持体が。

アルミニウムを基質とし、ケイ素含量が０．５重量％未
満であり、且つ含有する介在物の大きさが１１０μｍ以
下であるアルミニウム合金から成ることを特徴とする本
発明の光導電部材によって達成される。

〔発明の詳細な説明及び実施例〕

汎用のアルミニウム合金には、一般に、必要に応じて積
極的に添加される合金成分や、精錬、官製等の過程で止
むを得ず混入する不純物などに起因する析出物、介在物
が存在し１粒界等において異常成長したり１合金組織内
にハードスポットと呼ばれる固い部分を生じ、精密加工
の際の加工性を損じたり、精密加工により得られる電子
部品等の特性を劣化させる原因となる。前述した様に、
例えばケイ素はアルミニウムと固溶しに＜＜、Ｓｔ、５
ｉ０２．Ａｌ−Ｓｉ化合物、Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ化合物、
Ａｌ−５１−Ｍｇ化合物として、またＡｔはＡｌ２Ｏ３
としてアルミニウム組織中に例えば島状等の形態で介在
する。またＦｅ、Ｔｉ等も酸化物等として堅い粒界析出
物やハードスポットとして現れる。特にＳｉは、板金０
．５重量％未満と低い濃度で含有されていても、Ａｔと
固溶しにくく、硬い（特に５ｉ０２）ため、Ａ１合金の
物理的な特性向上には大きく寄与するが、バイトによる
精密鏡面仕上等加工時に、ダイヤバイト等の切削工具に
よるひっかかりを生じ、表面欠陥を生じる。

本発明においては、特にケイ素含量が０．５重量％未満
のアルミニウム合金において、前述した各種介在物の大
きさく介在物粒子の最大長さで代表される粒径）を１０
ｇｍ以下とした場合、精密加工の際の加工性や精密加工
により得られる電子部品等の特性が予期せぬ程に向上す
ることを見い出し、本発明を完成するに至った。介在物
の更に好ましい大きさは、５ｇｍ以下である。アルミニ
ウム合金中の介在物の大きさを本発明に規定している範
囲に抑制する具体的な方法としては、例えば、アルミニ
ウム合金溶解時に使用するセラミ−／クツイルターの開
孔径の小さいものを用いるとともに、十分な管理のもと
にフィルターの効果を十分に活かす方法をとり、具体的
にはフィルターがある程度目詰まりを生じた時点でのロ
フトを使用する。更には□、溶解炉材の混入防止対策、
スラグの面削厚みの増加などの方法が挙げられる。

この様に、水引においてはアルミニウム合金中に含有さ
れる介在物の大きさを規定したが、基質アルミニウムを
はじめとするその他の合金成分については、特に制限は
なく、成分の種類、組成等については任意に選択するこ
とができる。従って１本発明のアルミニウム合金には１
日木工業規格（ＪＩＳ）、ＡＡ規格、ＢＳ規格、ＤＩＮ
規格、国際合金登録等に展伸材、鋳物用、ダイカスト等
として規格化あるいは登録されている、純アルミニウム
系、Ａｔ−Ｃｕ系、Ａ　ｌ　−Ｍ　ｎ系、Ａｌ−３ｔ系
、Ａｌ−Ｍｇ系、ＡＩ　−Ｍｇ−３ｉ系、Ａｌ−Ｚｎ−
Ｍｇ系等の組成の合金、Ａｌ−Ｃｕ　−Ｍ　ｇ系（ジュ
ラルミン、超ジュラルミン等）　、　Ａ　１−Ｃｕ−３
ｉ系（ラウタル等）、Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｇ系（Ｙ合
金、ＲＲ金合金）、アルミニウム粉末焼結体（Ｓ　Ａ　
Ｐ）等が包含される。

本発明においてアルミニウム合金の組成を選択するには
、使用目的に応じた特性として、例えば機械的強度、耐
食性、加工性、耐熱性、寸法精度等を考慮して適宜に選
択すれば良いが、例えば精密加工に際して、鏡面化切削
加工等を伴う場合には、アルミニウム合金中にマグネシ
ウム及び銅を共存させることによって、アルミニウム合
金の快削性が向上する。マグネシウムあるいは銅の含量
は、それぞれ０．５〜１０重量％の範囲が好ましく、特
に１〜７重量％の範囲が望ましい、−／グネシウム含量
が余りにも高過ぎると結晶粒界部分に粒界腐食が生じ易
くなるため、１０重量％を超えて添加することは望まし
くない。

また、アルミニウム合金中に含有される鉄は。

共存するアルミニウムやケイ素とＦｅ−Ａｌ系やＦｅ−
Ａｌ−５ｉ系の金属間化合物を形成し、アルミニウムマ
トリックス中にハードスポットとして現れる。特にこの
ハードスポットは鉄含量２０００ｐｐｍを境にして鉄が
増加すると急激に増加し、例えば鏡面切削加工等の際に
悪影響を及ぼす、従って、本発明のアルミニウム合金に
おける好ましい鉄含量は、２０００ｐｐｍ以下、更には
１１０００ｐｐ以下である。

更に、アルミニウム合金中に含有される水素は、空孔（
Ｂ　１　ｉ　ｓ　ｔ　ｅ　ｒ）等の組織異常を生起させ
、精密加工の際の加工性を損じたり、精密加工により得
られる電子部品等の特性を劣化させる原因となる。この
様な不都合は、特にアルミニウム合金中の水素量をアル
ミニウム１００グラムに対して１．Ｏｃｃ以下、より好
ましくは０．７ＣＣ以下と抑制することにより解消する
ことができる。

アルミニウム合金中に含有される鉄の含量を２０００ｐ
ｐｍ以下に抑える具体的な方法としては、Ｗ料としての
Ａｔ地金の純度の高いもの、例えば、電解精錬を繰返し
行なったものを使用する。また、溶解、鋳込の各工程で
十分管理を行なうなどの方法が挙げられる。

アルミニウム合金中に含有される水素量を、アルミニウ
ム１００グラムに対して１．０ｃｃ以下に抑える具体的
な方法としては、Ａ１合金溶解時に脱ガス工程として塩
素ガスを溶湯中に吹き込み合金組織中に存在するＨ２ガ
スをＨＣＩとして除去する方法、あるいは溶解したＡ１
合金を真空炉中に一定時間保持し１合金組織中に存在す
るＨ２ガスを真空中へ拡散除去する方法などが挙げられ
る。

因みに、本発明のアルミニウム合金の具体的組成を以下
に例示する。

（Ａ　Ｉ　−Ｍｇ系） Ｍｇ　　　０．５〜ｌＯ重篭％ Ｓｉ　　　Ｏ，５重量％以下 Ｆｅ　　　２０００ｐｐｍ以下 Ｃｕ　　　Ｏ，０４〜０．２重量％ Ｍ　ｎ　　　０　、０１〜１　、０重量％Ｃｒ　　　Ｏ
，０５〜０．５重量％ Ｚｎ　　　０．０３〜０．２５重量％ Ｔｉ　　　Ｔｒ又は０．０５〜０．２０ｔＩＬ景％Ｈ２
Ａ１１００グラムに対して １．０ｃｃ以下 ＡＩ　　　実質的に残部 （ＡＩ　−Ｍｎ系〕 Ｍ　ｎ　　　０　、３〜１　、５重量％Ｓｉ　　　Ｏ，
５重量％以下 Ｆｅ　　　２０００ｐｐｍ以下 Ｃｕ　　　Ｏ，０５〜０．３重量％ Ｍｇ　　　０．２〜１．３重量％ Ｃｒ　　　Ｏ又は０．１〜０．２重量％Ｚｎ　　　Ｏ，
１〜０．４重量％ Ｔｉ　　　Ｔｒ又は０．１重量％程度 Ｈ２Ａｌ１００グラムに対して １．０ｃｃ以下 ＡＩ　　　実質的に残部 ［Ａｌ−Ｃｕ系］ Ｃｕ　　　１．５〜６．０重量％ Ｓｉ　　　Ｏ，５重量％以下 Ｆｅ　　　２０００ｐｐｍ以下 Ｍｎ　　　Ｏ又は０．２〜１．２重量％Ｍｇ　　　Ｏ又
は０．２〜ｉ、ａ重量％Ｃｒ　　　Ｏ又は０．１重量％
程度 Ｚｎ０．２〜０．３重量％ Ｔｉ　　　Ｔｒ又は０．１５〜０．２重量％Ｈ２Ａｌ１
００グラムに対して １．０ｃｃ以下 ＡＩ　　　実質的に残部 〔純アルミニウム系〕 Ｍｇ　　　０．０２〜０．５重量％ Ｓｉ　　　Ｏ，３重量％以下 Ｆｅ　　　２０００ｐｐｍ以下 Ｃｕ　　　Ｏ，０３〜０．１重量％ Ｍｎ　　　０．０２〜０．０５ｆｉｉ％Ｃｒ　　　Ｔｒ Ｚｎ　　　Ｏ，０３〜０．１重量％ Ｔｉ　　　Ｔｒ又は０．０３〜０．１重量％Ｈ２Ａｌ１
００グラムに対して １．０ｃｃ以下 ＡＩ　　　実質的に残部 （但し、前記Ｔｒとは積極的に添加しない場合の痕跡量
を意味する。） 本発明のアルミニウム合金は、圧延、押出等の塑性加工
を経た後、切削乃至は研摩等の機械的方法、乃至は化学
エツチング等化学的乃至物理的方法を伴なう精密加工を
施し、必要に応じて熱処理、調質等を随時組合せて、使
用目的に応じた適宜の形状に賦形される０例えば電子写
真感光体ドラム等の厳格な寸法精度を要求される管状の
構成部材に賦形する場合は１通常の押出加工により得ら
れるボートホール押出管あるいはマンドレル押出管を、
更に冷間引抜加工して得られる引抜管を使用するのが好
ましく、この様な管を用い１例えば管表面に鏡面仕上げ
、エンポシング等のための切削乃至は研摩等の機械的方
法、乃至は化学エツチング等化学的乃至物理的方法を伴
なう精密加工を施した場合に、本発明のアルミニウム合
金の特長が特に顕著に現われる。

本発明のアルミニウム合金は、電子写真感光体等の光導
電部材の支持体、コンピューターメモリー用磁気ディス
ク基板、レーザースキャン用のポリゴンミラー基体に最
適であり、またダイヤバイトによる鏡面仕上げ、円筒研
削仕上げ、ラフピン下の表面粗さ、好ましくはＲ，、，
８＝０．０５ＩＬｍ以下の平面度に仕上げられる各種電
気乃至は電子デバイスの構成部材として有用である。

以下、本発明のアルミニウム合金を支持体として用い、
光導電物質としてａ−３ｉを用いた電子写真用の光導電
部材について１本発明の光導電部材の構成例を説明する
。

この様な光導電部材は１例えば支持体上に電荷注入阻止
層、光導電層（感光層）及び表面保護層を順次積層した
構成を有している。

支持体の形状は、所望によって決定されるが、　　　゛
例えば電子写真用として使用するのであれば、連続高速
複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい、支持体の厚みは、所望通りの光導電部材が形成
される様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が十分発揮
される範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしな
がら、この様な場合にも、支持体の製造上及び取扱い上
、更には機械的強度等の点から、通常は、１０ｕＬｍ以
上とされる。

支持体表面は、光導電部材の均一性を保つために例えば
鏡面化切削加工等により鏡面仕上げが施され、また、感
光体を光源としてレーザー光等の可干渉性単色光を使用
するデジタル画像情報記録に使用する場合に、干渉縞模
様を防止するためなどに１例えば旋盤、フライス盤等を
用いたダイヤモンド切削等機械的精密加工あるいは化学
エツチング等地の精密加工により規則的乃至は不規則の
例えば螺旋状の微細な凹凸が付される。

電荷注入阻止層は１例えば水素原子及び／又はハロゲン
原子を含有するａ−３ｔで構成されると共に、伝導性を
支配する物質として、通常半導体の不純物として用いら
れる周期律表第１ＩＩ族乃至は第Ｖ族に属する元素の原
子が含有される。電荷注入阻止層の層厚は、好ましくは
０．０１〜１ＯＪＬ　ｍ　、より好適には０．０５〜８
ＩＬｍ、最適には０．０７〜５ＩＬｍとされるのが望ま
しい。

電荷注入阻止層の代りに１例えばＡｌ２Ｏ，。

Ｓ　ｉ０２　、　Ｓ　ｉ３　Ｎｍ　、ポリカーボネート
等の電気絶縁材料から成る障壁層を設けてもよいし、あ
るいは電荷注入阻止層と障壁層とを併用することもでき
る。

光導電層は１例えば水素原子とハロゲン原子を含有する
ａ−３Ｌで構成され、所望により電荷注入阻止層に用い
るのとは別種の伝導性を支配する質が含有される。光導
電層の層厚は、好ましくは１〜１００路ｍ、より好適に
は１〜８０終ｍ、最適には２〜５０＃Ｌｍとされるのが
望ましい。

等で構成され、層厚は、好ましくは０．Ｏ１〜１０＃Ｌ
ｍ、より好適には０．０２〜５ＩＬｍ、最適には０．０
４〜５μｍとされるのが望ましい。

本発明において、ａ−３ｉで構成される光導電層等を形
成するには、例えばグロー放電法、スパッタリング法、
あるいはイオンブレーティング法等の従来公知の種々の
放電現象を利用する真空堆積法が適用される。

次にグロー放電分解法による光導電部材の製造法の１例
について説明する。

第１図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装置
を示す、堆積槽ｌは、ベースプレート２と槽壁３とトッ
ププレート４とから構成され、この塩１１ｍ１内には、
カソード電極５が設けられており、ａ−５ｉ堆積膜が形
成される特定の組成を有するアルミニウム合金製のドラ
ム状支持体６はカソード電極５の中央部に設置され、７
ノード電極としての役割も兼ねている。

この製造装置を使用してａ−５ｉ堆積膜をドラム状支持
体上に形成するには、まず、原料ガス流入バルブ７及び
リークバルブ８を閉じ、排気バルブ９を開け、堆積槽ｌ
内を排気する。真空計１０の読みが約５　Ｘ　Ｉ　Ｏ−
＠ｔ　ｏ　ｒ　ｒになった時点で原料ガス流入バルブ７
を開いて、マスフローコントローラーｔｉ内で所定の混
合比に調整された、例えばＳｉＨ＊ガス、Ｓｉ２Ｈ６ガ
ス、Ｓ　ｉ　Ｆ４ガス等の原料混合ガスを堆積槽ｌ内に
流入させる。

このとき、堆積槽ｌ内の圧力が所望の値になる様に真空
計ｌＯの読みを見ながら、排気バルブ９の藷口度を調整
する。そしてドラム状支持体６の表面温度が加熱ヒータ
ー１２により所定の温度に設定されていることを確認し
た後、高周波電源１３を所望の電力に設定して堆積槽ｌ
内にグロー放電を生起させる。

また１層形成を行なっている間は、層形成の均一化を図
るためにドラム状支持体６をモータ１４により一定速度
で回転させる。このようにしてドラム状支持体６上に、
ａ−５ｉ堆積膜を形成することができる。

以下、本発明を実施例に基きより詳細に説明する。

実施例１〜３、比較例１．２ 精密切削用のエアーダンパー付旋盤 （ＰＮＥＵＭＯＰＲＥＣＩＳＩＯＮ　　ＩＮＣ。

製）に、先端部曲率０．０１（ｓｌｌ−１）のダイヤモ
ンドバイトを、シリンダー中心角に対して５°の負のす
くい角を得る様にセットした０次にこの旋盤の回転軸フ
ランジに、第１表に示した介在物の大きさの異なる５種
のＡ　ｌ−Ｍｇ系アルミニウム合金製シリンダー（Ｓｉ
含量は何れも０．５ｆｉ１％未満、Ｍｇ含量は何れも４
重量％、Ｆｅ含量は何れもｌｏ００ｐｐｍ以下）を真空
チャックし、付設したノズルからの白燈油噴霧、同じく
付設した真空ノズルからの切り粉の吸引を併用しつつ、
周速１０００　（ｍ／ｍ１ｎ）、送り速度０．０１（ｍ
　ｍ　／　Ｒ）の条件で、外径が８０ｍｍΦとなる様鏡
面切削を施した。このようにして鏡面加工したシリンダ
ーにつき、鏡面加工後に生じている表面欠陥（エグレ状
の傷、ひび割れ、スジ状キズ）を目視及び金属！Ｉ微鏡
により検査し、その数を調べた。なお、シリンダイーに
含有される水素の量は作製したシリンダーの一部を切り
とり、これをサンプルとし、ラボラトリ−・イクイップ
メンツ・コーポレーション製ＲＨ−ＩＥ型を用い、その
仕様書に従って測定した。

次に、これらの鏡面加工したアルミニウム合金製シリン
ダーのそれぞれの上に、第１図に示した光導電部材の製
造装置を用い、先に詳述したグロー放電分解法に従い、
下記の条件により光導電部材を作製した。

堆！＊　Ｉｌｌの積層順序　使用原料ガス　膜厚（ｐｍ
＞■電荷注入阻止層　Ｓ　ｉ　Ｈａ　／　　　　０　、
６ＢｚＨら ■光導電層　　　　Ｓ　ｉ　Ｈ４２０ ■表面保護層　　　５ｉＨａ／　　　　０．Ｉ２Ｈ４ アルミニウムシリンダ一温度：　２５０℃堆Ｍ膜形成時
の堆積室内内圧：　　０．３Ｔｏｒｒ放電周波数：　　
１３．５６ＭＨｚ 堆積膜形成速度：　　２０Ａ／ｓｅｃ 放電電カニ　　０．１８Ｗ／Ｃｍ２ こうして得られた各電子写真感光体ドラムを、キャノン
（株）製４００ＲＥ複写装置に設置して画出しを行ない
、白点状の画像欠陥（０，３ｍｍΦ以上）の評価を実施
した。これらの評価結果を第１表に示した。

なお、実施例１〜３の各電子写真感光体ドラムについて
は、更に１００万枚の耐久試験を、２３℃／相対湿度５
０％、３０℃／相対湿度９０％、５℃／相対湿度２０％
の各環境下で実施したが、画像欠陥、特に白抜は等の欠
陥の増加もなく、良好な耐久性を有していることが確認
された。

実施例４〜６．比較例３〜５ Ａ　１−Ｍｇ系アルミニウム合金の代りに、ＡＩ−Ｍ　
ｎ系、Ａｌ−Ｃｕ系、及び、純アルミニウム系のアルミ
ニウム合金（Ｆｅ含量は何れもｌ１００Ｏｐｐ以下）を
用いた以外は、実施例１と同一のアルミニウム合金製シ
リンダー並びに光導電部材を作製した。

かくして得られたシリンダーのハードスポット数、鏡面
化過程で発生した欠陥数並びに画出しを行なった際の画
像欠陥を実施例１と同様に評価し、結果を第２表に示し
た。

実施例７〜ＩＱ Ｆｅ含量を第３表に示した値とした以外は、実施例１と
同一のＡ　ｌ−Ｍｇ系アルミニウム合金製シリンダー並
びに光導電部材を作製した。

かくして得られたシリンダーのハードスポット数、鏡面
化過程で発生した欠陥数並びに画出しを行なった際の画
像欠陥を実施例１と同様に評価し、結果を第３表に示し
た。

〔発明の効果〕

本発明のアルミニウム合金によれば、含有する介在物に
よるハードスポット等の組織異常が抑制され、乃至は全
くなくなり、精密加工による加工性の低下や加工製品の
所望される特性の劣化が抑えられるため、精密加工が必
要とされる電気乃至は電子デバイスの構成部材、とりわ
け精密加工による正確な表面形状が望まれる光導電部材
、コンピューターメモリー用磁気ディスク基板、レーザ
ースキャン用のポリゴンミラー基体等の電気乃至は電子
デバイスの構成部材として好適である。

また、このアルミニウム合金を引抜加工して得られる管
材は、正確な表面形状並びに高い寸法精度が得られるた
め、とりわけ電子写真感光体ドラムの支持体等精密な管
状構成部材等を構成するのに好適である。

更に、本発明のアルミニウム合金を支持体として用いた
光導電部材は、電気的、光学的乃至は光導電的特性の均
一性に優れ、就中、電子写真用として用いた場合、画像
欠陥が少なく、高品質な画像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、グロー放電解法による光導電部材の製造装置
を示した図である。 １・＋１−堆積槽、 ２１・ベースプレート、 ３・・・槽壁、 ４・・・トッププレート、 ５・・・、カソード電極、 ６・・・ドラム状支持体、 ７・・・原料ガス流入バルブ、 ８拳・拳リークバルブ。 ９・・・排気バルブ。 １０・争・真空計、 １１−−・マスフローコントローラ。 １２・Ｏ・加熱ヒーター、 １３・・・高周波電源、 １４日・モータ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）アルミニウムを基質とし且つケイ素含量が０．５
   重量％未満であるアルミニウム合 金であって、含有する介在物の大きさが １０μｍ以下であることを特徴とする精密 加工用アルミニウム合金。 （２）鉄含量が２０００ｐｐｍ以下である特許請求の範
   囲第（１）項記載の精密加工用ア ルミニウム合金。 （３）マグネシウム含量が０．５〜１０重量％である特
   許請求の範囲第（１）項又は第 （２）項記載の精密加工用アルミニウム合 金。 （４）銅含量が０．５〜１０重量％である特許請求の範
   囲第（１）項乃至第（３）項のう ちの１に記載の精密加工用アルミニウム合 金。 （５）含有する水素の量がアルミニウム１００グラムに
   対して１．０ｃｃ以下である特許 請求の範囲第（１）項乃至第（４）項のう ちの１に記載の精密加工用アルミニウム合 金。 （６）アルミニウムを基質とし、ケイ素含量が０．５重
   量％未満であり且つ含有する介 在物の大きさが１０μｍ以下であるアルミ ニウム合金を引抜加工により成形したこと を特徴とするアルミニウム合金管材。 （７）管表面に切削乃至は研摩加工を施している特許請
   求の範囲第（６）項記載のアルミ ニウム合金管材。 （８）支持体上に光導電層を有する光導電部材において
   、前記支持体が、アルミニウムを 基質とし、ケイ素含量が０．５重量％未満 であり且つ含有する介在物の大きさが１０ μｍ以下であるアルミニウム合金から成る ことを特徴とする光導電部材。 （９）光導電層が、ケイ素原子を含む非晶質材料から成
   る層を含むものである特許請求の 範囲第（８）項記載の光導電部材。