JPS61176178A - ガス循環式放電型レ−ザ−チヤンバ− - Google Patents
ガス循環式放電型レ−ザ−チヤンバ−Info
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- JPS61176178A JPS61176178A JP1731685A JP1731685A JPS61176178A JP S61176178 A JPS61176178 A JP S61176178A JP 1731685 A JP1731685 A JP 1731685A JP 1731685 A JP1731685 A JP 1731685A JP S61176178 A JPS61176178 A JP S61176178A
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- electrode
- gas circulation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/038—Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明はガス循環式放電型レーザーチャンバーの改良に
関するものである。
関するものである。
（発明の背景）
強力な紫外線を発することができるエキシマレーザ−は
、リソグラフィー、光エッチング、光ＣＶＤ、光酸化、
光アニーリング、光ドーピングなどの光源として注目さ
れている。
、リソグラフィー、光エッチング、光ＣＶＤ、光酸化、
光アニーリング、光ドーピングなどの光源として注目さ
れている。
第２図に初期のエキシマレーザ−チャンバーの基本構造
を示す、チャンバーハウジング１の中に入れられたレー
ザーガスは、一対の主放電電極２゜３に加えられた電解
によって放電し、一対のミラーからなる光共振器（図示
せず）の中でレーザー発振する。第２図中、６及び７は
絶縁材である。
を示す、チャンバーハウジング１の中に入れられたレー
ザーガスは、一対の主放電電極２゜３に加えられた電解
によって放電し、一対のミラーからなる光共振器（図示
せず）の中でレーザー発振する。第２図中、６及び７は
絶縁材である。
しかし２通常は均一で、かつ再現性の良いレーザー発振
ビームを得るために主放電の前に一対の主放電電極２．
３の間にあるレーザーガスを予備電離させておく必要が
ある。予備電離の方式には。
ビームを得るために主放電の前に一対の主放電電極２．
３の間にあるレーザーガスを予備電離させておく必要が
ある。予備電離の方式には。
（ｉ）Ｘ線予備電離方式、（ｉｉ）電子線予備電離方式
、（ｉｉｉ）コロナ放電予備電離方式、 （ｉｖ）紫
外線予備電離方式などがある。（ｉ）、（ｉｉ）は大容
量のガスを一様に電離させることができるが、゛装置が
大規模になる欠点がある。それに対しく １ｉｉ）は主
放電電極の近傍に細いワイヤー等のコロナ放電の起こり
やすい電極を配置しただけの簡単な構造で済むが、確実
性の意味から（ｆｖ ）の方式が実用上価れていると言
える。
、（ｉｉｉ）コロナ放電予備電離方式、 （ｉｖ）紫
外線予備電離方式などがある。（ｉ）、（ｉｉ）は大容
量のガスを一様に電離させることができるが、゛装置が
大規模になる欠点がある。それに対しく １ｉｉ）は主
放電電極の近傍に細いワイヤー等のコロナ放電の起こり
やすい電極を配置しただけの簡単な構造で済むが、確実
性の意味から（ｆｖ ）の方式が実用上価れていると言
える。
（ｉｖ）の方式は、第２図に示すように予備電離電極４
または５と主放電電極３との間でスパークさせ、これに
より発生した紫外線でレーザーガスの予備電離を行うも
のである。なお、予備電離電極４に近接させた別の予備
電離電極との間でスパークさせることもある。
または５と主放電電極３との間でスパークさせ、これに
より発生した紫外線でレーザーガスの予備電離を行うも
のである。なお、予備電離電極４に近接させた別の予備
電離電極との間でスパークさせることもある。
従って、主放電電極の幅が狭い時には、第２図のとおり
に、その側面に予備電離用電極を配置すればよいが、主
放電電極の幅や間隔が大きい場合には、予備電離光の透
過室を良＜シ、シかも、均一なガス照射ができる位置に
配置しなければならない。このため主放電電極の幅が大
きい場合には第３図に示すように主放電電極３をメツシ
ュ構造にし、その内部に予備電離用電極８を設けたもの
が考案された。
に、その側面に予備電離用電極を配置すればよいが、主
放電電極の幅や間隔が大きい場合には、予備電離光の透
過室を良＜シ、シかも、均一なガス照射ができる位置に
配置しなければならない。このため主放電電極の幅が大
きい場合には第３図に示すように主放電電極３をメツシ
ュ構造にし、その内部に予備電離用電極８を設けたもの
が考案された。
しかし、第２図、第３図に示す構造では、比較的開発の
進んでいるＸｅＣｌエキシマレーザ−でさえも１０４〜
１０’回のパルス発振を行うと。
進んでいるＸｅＣｌエキシマレーザ−でさえも１０４〜
１０’回のパルス発振を行うと。
レーザーガスの劣化によりパルス出力は初期値のＡに低
下してしまう欠点がある。さらに、繰り返し周波数や１
パルス当りのエネルギーを高くする程、レーザーガスは
急激に劣化する。
下してしまう欠点がある。さらに、繰り返し周波数や１
パルス当りのエネルギーを高くする程、レーザーガスは
急激に劣化する。
この最大の原因は主放電電極２と３で挟まれた主放電領
域における主放電の際に、レーザーガスと電極材及びチ
ャンバーハウジング材とが反応して不純物ガスが生成し
９次の主放電を行うと、レーザーガス中に混在した不純
物ガスによって、放電励起効率の低下１発振光の内部吸
収、電極の汚染、レーザー発振にとって有害なアーク放
電への移行が大きくなるためである。
域における主放電の際に、レーザーガスと電極材及びチ
ャンバーハウジング材とが反応して不純物ガスが生成し
９次の主放電を行うと、レーザーガス中に混在した不純
物ガスによって、放電励起効率の低下１発振光の内部吸
収、電極の汚染、レーザー発振にとって有害なアーク放
電への移行が大きくなるためである。
この欠点を解決するために、第４図及び第５図（断面図
）に示すようなレーザーガス循環式のチャンバーが開発
された。
）に示すようなレーザーガス循環式のチャンバーが開発
された。
第４図のチャンバーでは外部コンデンサー１１゜１２に
蓄えられた電荷を主放電電極２，３間で放電されること
によりレーザー発振を行なわせるのである。なお、この
場合にも光共振器は紙面と垂直な方向に主放電電極２．
３を挟むように配置されている。そして、主放電によっ
てレーザーガスと電極材、ハウジング材が反応して発生
した不純物ガスをファン１３の回転によって主放電電極
２゜３に挟まれた領域（主放電領域と呼ぶ）から矢印Ａ
に沿って追い出す。その代わり、ハウジング外壁９と内
壁１０とに挟まれたレーザーガスリザーバー１４内にあ
る新しいレーザーガスが矢印Ｂに沿って主放電領域に導
かれる。従って９次の主放電を行うときに、主放電領域
の不純物ガス濃度は低くなるので前述のパルス出力低下
は緩和される。
蓄えられた電荷を主放電電極２，３間で放電されること
によりレーザー発振を行なわせるのである。なお、この
場合にも光共振器は紙面と垂直な方向に主放電電極２．
３を挟むように配置されている。そして、主放電によっ
てレーザーガスと電極材、ハウジング材が反応して発生
した不純物ガスをファン１３の回転によって主放電電極
２゜３に挟まれた領域（主放電領域と呼ぶ）から矢印Ａ
に沿って追い出す。その代わり、ハウジング外壁９と内
壁１０とに挟まれたレーザーガスリザーバー１４内にあ
る新しいレーザーガスが矢印Ｂに沿って主放電領域に導
かれる。従って９次の主放電を行うときに、主放電領域
の不純物ガス濃度は低くなるので前述のパルス出力低下
は緩和される。
勿論、リザーバーと主放電領域の容積比が大きいことが
望ましい、しかし、第４図の例では、主放電領域がレー
ザーガスリザーバーから離れているためにガス循環が円
滑に行われない欠点がある。
望ましい、しかし、第４図の例では、主放電領域がレー
ザーガスリザーバーから離れているためにガス循環が円
滑に行われない欠点がある。
そこで第５図の例では主放電電極２．３をＩＪザーバー
１４の中に組み込んだ形をとっている。また。
１４の中に組み込んだ形をとっている。また。
コンデンサー１１と主放電電極２．３とは、できるだけ
近くに配置した方がレーザー発振に有利であるため、コ
ンデンサー１１もリザーバー１４の中に組み入れられて
いる。このため、レーザーガスの循環路自身は簡単な円
状になったが、今度はコンデンサー１１がガス流のさま
たげとなる。
近くに配置した方がレーザー発振に有利であるため、コ
ンデンサー１１もリザーバー１４の中に組み入れられて
いる。このため、レーザーガスの循環路自身は簡単な円
状になったが、今度はコンデンサー１１がガス流のさま
たげとなる。
エキシマレーザ−のパルス繰り返し周波数ｆを上げるた
めには、レーザーガスを高速に循環させる必要があるの
で、コンデンサー１１によるガス流のさまたげは、増々
深刻な問題となる。さらに前述の用途（リソグラフィー
、光エッチング・・・）に利用する際、エキシマレーザ
−の出力ビーム断面形状は、細長い長方形よりも正方形
に近い方が望ましい場合が多く、そのために複雑な光学
系による変換を必要としていた。エキシマレーザ−の出
力ビーム断面を大きな正方形にするには主放電電極２．
３の幅と間隔を大きくシ、かつ同程度の寸法にすればよ
いが、ファン１３の能力でパルス繰り返し周波数ｆは制
限される。
めには、レーザーガスを高速に循環させる必要があるの
で、コンデンサー１１によるガス流のさまたげは、増々
深刻な問題となる。さらに前述の用途（リソグラフィー
、光エッチング・・・）に利用する際、エキシマレーザ
−の出力ビーム断面形状は、細長い長方形よりも正方形
に近い方が望ましい場合が多く、そのために複雑な光学
系による変換を必要としていた。エキシマレーザ−の出
力ビーム断面を大きな正方形にするには主放電電極２．
３の幅と間隔を大きくシ、かつ同程度の寸法にすればよ
いが、ファン１３の能力でパルス繰り返し周波数ｆは制
限される。
その理由を次に説明する。そのため、まず第６゜７図を
用いて、レーザーガス循環速度、パルス発振繰り返し周
波数ｆ及び電極寸法の関係を説明する。
用いて、レーザーガス循環速度、パルス発振繰り返し周
波数ｆ及び電極寸法の関係を説明する。
ガス循環路の幅をり、主放電電極の幅をＷ９間隔をｄと
し、ファン１３を一定回転数で回転させたとき主放電領
域を流れるガス流速をＶとすると。
し、ファン１３を一定回転数で回転させたとき主放電領
域を流れるガス流速をＶとすると。
Ｖ ／ Ｖ ６とｄ／Ｄとの関係は第７図のようになる
。
。
但し、主放電電極２，３の発振軸方向の長さは一定とし
、また主放電電極２，３を除いた状態でファン１３を同
じ回転数で回転させたときのレーザーガス循環速度をｖ
ｏとする。第７図からｄ／Ｄが０．５〜１の領域では、
ｖ＝ ＣＤ／ｄ）Ｖ６の関係があるが、ｄ／Ｄ＜０．５
ではＶ ／ Ｖ ６は極大値を持ち、またｄ／Ｄ〜０の
領域では、Ｖ／Ｖ６、は急激に小さくなる。
、また主放電電極２，３を除いた状態でファン１３を同
じ回転数で回転させたときのレーザーガス循環速度をｖ
ｏとする。第７図からｄ／Ｄが０．５〜１の領域では、
ｖ＝ ＣＤ／ｄ）Ｖ６の関係があるが、ｄ／Ｄ＜０．５
ではＶ ／ Ｖ ６は極大値を持ち、またｄ／Ｄ〜０の
領域では、Ｖ／Ｖ６、は急激に小さくなる。
他方、正方形に近いビーム断面形状を得るには。
ｄｅｗとする必要があるが、Ｗは任意に太き（できるも
のの、ｄは最大でもＤどまりであるので。
のの、ｄは最大でもＤどまりであるので。
結局出来るだけ大きくかつ、正方形に近い形状を得るに
はｄ／Ｄ−１でなければならない。そこでｄ／Ｄ、１付
近におけるガス流速に注目するとそこでは前述のとおり
、ｖｓ （Ｄ／ｄ）Ｖ＠の関係繰り返し周波数をｆとし
たとき、１／ｆの間に「主放電によって発生した不純物
ガス」を主放電領域から追い出せばよい。この条件はｖ
／ ｆ≧Ｗでありｒ ｖ＝ ＣＤ／ｄ）Ｖｏである
からｗ ｄ ｆａＤ ｖ 。
はｄ／Ｄ−１でなければならない。そこでｄ／Ｄ、１付
近におけるガス流速に注目するとそこでは前述のとおり
、ｖｓ （Ｄ／ｄ）Ｖ＠の関係繰り返し周波数をｆとし
たとき、１／ｆの間に「主放電によって発生した不純物
ガス」を主放電領域から追い出せばよい。この条件はｖ
／ ｆ≧Ｗでありｒ ｖ＝ ＣＤ／ｄ）Ｖｏである
からｗ ｄ ｆａＤ ｖ 。
／ｆとなる。従って、ビーム断面形状（面積）Ｗｄを大
きくするためには、ｆを小さくするかＩＤＩｖｏを大き
くしなければならない。しかし、Ｄ。
きくするためには、ｆを小さくするかＩＤＩｖｏを大き
くしなければならない。しかし、Ｄ。
ｖｏを大きくすることはファンの大型化を要求すること
になる。
になる。
つまり、エキシマルーザーに限らず、従来のガス循環式
放電型レーザーチャンバーではファンを大型化する、こ
となしに、出力ビーム断面形状を正方形にして大面積化
すると、パルス発振繰り返し周波数ｆを高くすることが
できず、また、°均一性が低下する。
放電型レーザーチャンバーではファンを大型化する、こ
となしに、出力ビーム断面形状を正方形にして大面積化
すると、パルス発振繰り返し周波数ｆを高くすることが
できず、また、°均一性が低下する。
（発明の目的）
本発明の目的は、第５図の如きガス循環式放゛電型レー
ザーチャンバーに於いてファンを大型化することなしに
、出力ビーム断面形状を正方形にして大面積化し、それ
でいてパルス発振繰り返し周波数ｆを向上させ、均一化
を可能にすることにある。
ザーチャンバーに於いてファンを大型化することなしに
、出力ビーム断面形状を正方形にして大面積化し、それ
でいてパルス発振繰り返し周波数ｆを向上させ、均一化
を可能にすることにある。
（発明の概要）
そのため本発明の特徴は、第５図の如くレーザ、−ガス
がはゾ円を描いて循環するガス循環式の放を型レーザー
チャンバーに於いて、一対の主放電電極の主要部をメツ
シュ構造とし、該メツシュ構造部を貫通するようにガス
を循環させることにある。
がはゾ円を描いて循環するガス循環式の放を型レーザー
チャンバーに於いて、一対の主放電電極の主要部をメツ
シュ構造とし、該メツシュ構造部を貫通するようにガス
を循環させることにある。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
（実施例）
第１図は本実施例のチャンバーの概略垂直断面図であっ
て、はゾ同心円状の内壁ｌＯと外壁９とに挟まれたドー
ナツ状のガス循環路中のレーザーガスはファン１３によ
ってはり円を描いて矢印Ａ。
て、はゾ同心円状の内壁ｌＯと外壁９とに挟まれたドー
ナツ状のガス循環路中のレーザーガスはファン１３によ
ってはり円を描いて矢印Ａ。
Ｂ方向に流される。一対の主放電電極２，３は。
いずれも主要部がメツシュ構造となっており、ガス循環
路に対し直角に配置されている。
路に対し直角に配置されている。
メツシュ構造の主要部を有する主放電電極３と予備電離
電極８との間でスパークを起こさせると。
電極８との間でスパークを起こさせると。
ここで生じた紫外線は主放電電極３のメツシュ部を透過
して、一対の主放電電極２と３との間の主放電領域にあ
るレーザーガスを電離させる。この時、予備電離電極８
は主放電電極２の内側に配置望ましい。予備電離の後、
メツシュ状主放電電極２．３間に適当な放電電圧が加わ
ると、主放電が起こり、レーザー発振が行われる。主放
電が起こると、この領域にはレーザー発振に不利益な不
純物ガスも発生するので、これをメツシュ状主放電電極
２を通して追い出してやる。そして、メツシュ状電極３
を通して不純物濃度の低いレーザーガスを送り込んでや
る。
して、一対の主放電電極２と３との間の主放電領域にあ
るレーザーガスを電離させる。この時、予備電離電極８
は主放電電極２の内側に配置望ましい。予備電離の後、
メツシュ状主放電電極２．３間に適当な放電電圧が加わ
ると、主放電が起こり、レーザー発振が行われる。主放
電が起こると、この領域にはレーザー発振に不利益な不
純物ガスも発生するので、これをメツシュ状主放電電極
２を通して追い出してやる。そして、メツシュ状電極３
を通して不純物濃度の低いレーザーガスを送り込んでや
る。
° ここでレーザーガス循環速度、パルス発振繰り返
し周波数、電極寸法の関係を説明する。ガス循環路の幅
をり、メツシュ状主放電電極２．３の幅をＷ９間隔をｄ
とし、ファン１３を一定回転数で回転させたとき、主放
電領域を流れるガス流速をＶとし、またメツシュの開口
率をαとすれば、Ｖ／ Ｖ ６ 、 αｗ ／ Ｄの関
係は第７図においてｄ−αＷとしたもので表される。但
し、予備電離電極８の影響は小さいので無視し、メツシ
ュ状主放電電極２．３の発振軸方向の長さは一定とし、
また電極２．３を除いた状態でファン１３を同じ回転数
で回転させたときのレーザーガス循環速度をｖｏとする
。パルス発振繰り返し周波数をｆとすると。
し周波数、電極寸法の関係を説明する。ガス循環路の幅
をり、メツシュ状主放電電極２．３の幅をＷ９間隔をｄ
とし、ファン１３を一定回転数で回転させたとき、主放
電領域を流れるガス流速をＶとし、またメツシュの開口
率をαとすれば、Ｖ／ Ｖ ６ 、 αｗ ／ Ｄの関
係は第７図においてｄ−αＷとしたもので表される。但
し、予備電離電極８の影響は小さいので無視し、メツシ
ュ状主放電電極２．３の発振軸方向の長さは一定とし、
また電極２．３を除いた状態でファン１３を同じ回転数
で回転させたときのレーザーガス循環速度をｖｏとする
。パルス発振繰り返し周波数をｆとすると。
１／ｆの間に不純物ガスを放電領域から追い出せ従って
１本実施例で得られるビーム断面積（Ｗｄ）をＳｔと、
従来例（第５図）で得られるビーム断面積（ｗｄ）をＳ
、とすると＋Ｓ１ とＳ！との比ｒは、ｒ＝Ｓ２／５Ｉ
＝１／αとなり９本実施例のビーム断面積の方が数倍大
きくなる。なお。
１本実施例で得られるビーム断面積（Ｗｄ）をＳｔと、
従来例（第５図）で得られるビーム断面積（ｗｄ）をＳ
、とすると＋Ｓ１ とＳ！との比ｒは、ｒ＝Ｓ２／５Ｉ
＝１／αとなり９本実施例のビーム断面積の方が数倍大
きくなる。なお。
メツシュを通過する予備電離用紫外線の量は、開口率α
で制限されるので、αは０．３〜０．７程度に選ぶ必要
がある。
で制限されるので、αは０．３〜０．７程度に選ぶ必要
がある。
次に本実施例のチャンバーの運転データを数例示す。
〔データ１〕 発振波長λ＝２４９ｎｍ・レーザーガス
組成 Ｈｅ：Ｋｒ：Ｆｚ＃９７：３：０．２（体積比
） 〃 全気圧 ２，５ａｔｍ ・主放電電極長 １ｍ 〃 幅 ３ｃａ＋ 〃 間隔 ３３ ・パルス発振繰り返し周波数 ３００Ｈｚ・開口率
α ０．５ ・出力 ４５Ｗ ・寿命（初期値の９０％毒になる時間）２Ｘ１０’パル
ス ・ビーム断面形状 ２．５ Ｘ ２．５ ｃＩｌｌ
の正方形〔データ２〕 発振波長λ−３０８ｎｍ・レー
ザーガス組成 Ｎｅ：Ｘｅ：Ｈｃｌ＃９８．９ ：
０．９５ ： ０．１５（体積比） 〃 全気圧 ２．５ａｔａ＋ ・主放電電極長 １ｍ 〃 幅 ３ｃｌＩ 〃 間隔 ３ｃｍ ・パルス発振繰り返し周波数 ３００Ｈｚ・開口率α
０．５ ・出力 ２５Ｗ ・寿命 ２ｘｌＯ’パルス・ビーム断面
形状 ２．５ Ｘ ２．５ ｃｓの正方形〔データ
３〕 発振波長λ＝２２２ｒｕｗ・レーザーガス組成
Ｎｅ：’Ｋｒ：Ｈｃｌ −９８：１．５：０．５（体
積 比） ・ 〃 全気圧 ２，５ａｔｍ ・主放電電極長 １ｍ 〃 幅 ３ｃ１１ 〃 間隔 ３ｃｍ ・パルス発振繰り返し周波数 ３００ Ｈｚ・開口率
α ０．５ ・出力 ５Ｗ ・寿命 ２Ｘ１０’パルス・ビーム断面
形状 ２．５ Ｘ ２．５ （Ｊの正方形〔データ
４〕 発振波長λ＝１９３ｒｖ＋・レーザーガス組成
Ｈｅ：Ａｒ：Ｆ、＝９７：２．７：０．３（体積比） ・ Ｉ 全気圧 ２．５ａｔｍ ・主放電電極長 １ｍ 、 〃 幅 ３ａｌ ・ 〃 間隔 ３ａｍ ・パルス発振繰り返し周波数 ３００ Ｈｚ・開口率
α ０．５ ・出力 ２０ｗ ・寿命 ４．５Ｘ１０’パルス・ビーム
断面形状 ２．３ Ｘ ２．３ ｃｍの正方形なお
、予備電離電極８は主放電電極２又は３の内側だけでな
く、電極２．３の間にやや離して配置してもよい。
組成 Ｈｅ：Ｋｒ：Ｆｚ＃９７：３：０．２（体積比
） 〃 全気圧 ２，５ａｔｍ ・主放電電極長 １ｍ 〃 幅 ３ｃａ＋ 〃 間隔 ３３ ・パルス発振繰り返し周波数 ３００Ｈｚ・開口率
α ０．５ ・出力 ４５Ｗ ・寿命（初期値の９０％毒になる時間）２Ｘ１０’パル
ス ・ビーム断面形状 ２．５ Ｘ ２．５ ｃＩｌｌ
の正方形〔データ２〕 発振波長λ−３０８ｎｍ・レー
ザーガス組成 Ｎｅ：Ｘｅ：Ｈｃｌ＃９８．９ ：
０．９５ ： ０．１５（体積比） 〃 全気圧 ２．５ａｔａ＋ ・主放電電極長 １ｍ 〃 幅 ３ｃｌＩ 〃 間隔 ３ｃｍ ・パルス発振繰り返し周波数 ３００Ｈｚ・開口率α
０．５ ・出力 ２５Ｗ ・寿命 ２ｘｌＯ’パルス・ビーム断面
形状 ２．５ Ｘ ２．５ ｃｓの正方形〔データ
３〕 発振波長λ＝２２２ｒｕｗ・レーザーガス組成
Ｎｅ：’Ｋｒ：Ｈｃｌ −９８：１．５：０．５（体
積 比） ・ 〃 全気圧 ２，５ａｔｍ ・主放電電極長 １ｍ 〃 幅 ３ｃ１１ 〃 間隔 ３ｃｍ ・パルス発振繰り返し周波数 ３００ Ｈｚ・開口率
α ０．５ ・出力 ５Ｗ ・寿命 ２Ｘ１０’パルス・ビーム断面
形状 ２．５ Ｘ ２．５ （Ｊの正方形〔データ
４〕 発振波長λ＝１９３ｒｖ＋・レーザーガス組成
Ｈｅ：Ａｒ：Ｆ、＝９７：２．７：０．３（体積比） ・ Ｉ 全気圧 ２．５ａｔｍ ・主放電電極長 １ｍ 、 〃 幅 ３ａｌ ・ 〃 間隔 ３ａｍ ・パルス発振繰り返し周波数 ３００ Ｈｚ・開口率
α ０．５ ・出力 ２０ｗ ・寿命 ４．５Ｘ１０’パルス・ビーム
断面形状 ２．３ Ｘ ２．３ ｃｍの正方形なお
、予備電離電極８は主放電電極２又は３の内側だけでな
く、電極２．３の間にやや離して配置してもよい。
また１本発明のチャンバー内に第８図に示すように、従
来から行われている不純物ガス吸着用の。
来から行われている不純物ガス吸着用の。
低温トラップを配置してもよく、その場合には。
パルス発振繰り返し寿命は１０〜２０％向上する。
発振出力パワーが低下した場合には、ハロゲンガスを補
給するか、混合されたレーザーガスを再注入することに
よって、初期発振出力パワーに復帰させることができる
。
給するか、混合されたレーザーガスを再注入することに
よって、初期発振出力パワーに復帰させることができる
。
更に循環用ファン１３の位置は、第９図に示すようにリ
ザーバーの中央に位置させてもよい。
ザーバーの中央に位置させてもよい。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、主放電電極をメツシュ構
造とし、該メツシュ構造を貫通するようにレーザーガス
循環路を設定したので主放電領域耗 から効率的に不純物ガスを追い出せ、その効果ファンを
大型化することなくガス循環を行なえるほか、高いパル
ス繰り返し周波数で発振させながら大面積の正方形ビー
ム断面を均一性良く得ることができる。
造とし、該メツシュ構造を貫通するようにレーザーガス
循環路を設定したので主放電領域耗 から効率的に不純物ガスを追い出せ、その効果ファンを
大型化することなくガス循環を行なえるほか、高いパル
ス繰り返し周波数で発振させながら大面積の正方形ビー
ム断面を均一性良く得ることができる。
第１図は１本発明の実施例にかかるチャンバーの概略垂
直断面図である。 第２〜６図は、従来のチャンバーの概略垂直断面図であ
る。 第７図はガスの流速と主電離電極の寸法との関係を示す
グラフである。 第８図及び第９図は１本発明の他の実施例にかかるチャ
ンバーの概略垂直断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 ｔ −−−−−−−−−−−・−・ ハウジング２．
３ ・−・・−・ 一対の主放電電極４．５．８ ・
−−−一一一一・ 予備電離電極９−・−−−−−−−
−−−−一 外壁（ハウジング）１０ −−−−−−−
−−−−一 内壁１３−・−・−ファン
直断面図である。 第２〜６図は、従来のチャンバーの概略垂直断面図であ
る。 第７図はガスの流速と主電離電極の寸法との関係を示す
グラフである。 第８図及び第９図は１本発明の他の実施例にかかるチャ
ンバーの概略垂直断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 ｔ −−−−−−−−−−−・−・ ハウジング２．
３ ・−・・−・ 一対の主放電電極４．５．８ ・
−−−一一一一・ 予備電離電極９−・−−−−−−−
−−−−一 外壁（ハウジング）１０ −−−−−−−
−−−−一 内壁１３−・−・−ファン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レーザーガスがほゞ円を描いて循環するガス循環式
放電型レーザーチャンバーに於いて、一対の主放電電極
の主要部をメッシュ構造とし、該メッシュ構造を貫通し
てレーザーガスが循環するように前記電極を配置したこ
とを特徴とするチャンバー。 ２ 前記一対の主放電電極の一方の内側に予備電離用電
極を配置したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のチャンバー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1731685A JPS61176178A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | ガス循環式放電型レ−ザ−チヤンバ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1731685A JPS61176178A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | ガス循環式放電型レ−ザ−チヤンバ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61176178A true JPS61176178A (ja) | 1986-08-07 |
Family
ID=11940609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1731685A Pending JPS61176178A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | ガス循環式放電型レ−ザ−チヤンバ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61176178A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH045667U (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-20 |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP1731685A patent/JPS61176178A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH045667U (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-20 |
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