JPS61177159A - スイツチングレギユレ−タ - Google Patents
スイツチングレギユレ−タInfo
- Publication number
- JPS61177159A JPS61177159A JP60017225A JP1722585A JPS61177159A JP S61177159 A JPS61177159 A JP S61177159A JP 60017225 A JP60017225 A JP 60017225A JP 1722585 A JP1722585 A JP 1722585A JP S61177159 A JPS61177159 A JP S61177159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- switching
- terminal
- circuit
- output
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
- H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/10—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/145—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/155—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はスイッチングレギュレータに係り、直流入力を
チョップ・平滑して昇圧又は降圧し所望電圧の直流出力
を得るスイッチングレギュレータに関する。
チョップ・平滑して昇圧又は降圧し所望電圧の直流出力
を得るスイッチングレギュレータに関する。
従来の技術
従来より入力直流電圧をチョップした後平滑することに
より所望の直流電圧を得るスイッチングレギュレータが
ある。従来のスイッチングレギュレータにおいては、負
荷がショートしたり、過負荷になったときの過電流を防
止するため、平滑回路と出力端子間にリミッタ抵抗を挿
入していた。
より所望の直流電圧を得るスイッチングレギュレータが
ある。従来のスイッチングレギュレータにおいては、負
荷がショートしたり、過負荷になったときの過電流を防
止するため、平滑回路と出力端子間にリミッタ抵抗を挿
入していた。
また、従来よりチョッピングを行なうスイッチング素子
を制御するスイッチング制御回路を半導体集積回路とし
たものがある。この場合、半導体集積回路は任意の個所
に電源端子が接続され、サブストレートが接地される。
を制御するスイッチング制御回路を半導体集積回路とし
たものがある。この場合、半導体集積回路は任意の個所
に電源端子が接続され、サブストレートが接地される。
従って半導体集積回路の最高電位は電源電位、最低電位
はアース電位である。
はアース電位である。
発明が解決しようとする問題点
上記のリミッタ抵抗を用いた従来回路においては、負荷
がショートしたような場合出力電流を制限してスイッチ
ングレギュレータより電源を供給される回路を保護する
ことは可能であるが、スイッチングレギュレータ内のチ
ョッピングを行なうスイッチングトランジスタに過負荷
がかかり、スイツチングトランジスタを破壊する危険性
があるという問題点があった。
がショートしたような場合出力電流を制限してスイッチ
ングレギュレータより電源を供給される回路を保護する
ことは可能であるが、スイッチングレギュレータ内のチ
ョッピングを行なうスイッチングトランジスタに過負荷
がかかり、スイツチングトランジスタを破壊する危険性
があるという問題点があった。
また、半導体集積回路化されたスイッチング制御回路を
使用して直流入力を昇圧する場合、直流出力の電圧は半
導体集積回路の最高電位より高いため、直流出力を直接
半導体集積回路に供給すると半導体集積回路内にリーク
が発生する。また負の直流出力を得る場合には、これが
半導体集積回路のサブストレート電位より低いため、負
の直流出力を直接半導体集積回路に供給すると半導体集
積回路が破壊するという問題点があった。
使用して直流入力を昇圧する場合、直流出力の電圧は半
導体集積回路の最高電位より高いため、直流出力を直接
半導体集積回路に供給すると半導体集積回路内にリーク
が発生する。また負の直流出力を得る場合には、これが
半導体集積回路のサブストレート電位より低いため、負
の直流出力を直接半導体集積回路に供給すると半導体集
積回路が破壊するという問題点があった。
そこで本発明はスイッチング素子の入力側に設けられた
リミッタ抵抗により、上記の問題点を解決したスイッチ
ングレギュレータの保護回路を提供することを目的とす
る。
リミッタ抵抗により、上記の問題点を解決したスイッチ
ングレギュレータの保護回路を提供することを目的とす
る。
問題点を解決するための手段
本発明においては、スイッチング素子の入力側にリミッ
タ抵抗が設けられ、直流入力はリミッタ抵抗を介してス
イッチング素子側に供給され、リミッタ抵抗の出力電圧
が半導体集積回路に供給される。
タ抵抗が設けられ、直流入力はリミッタ抵抗を介してス
イッチング素子側に供給され、リミッタ抵抗の出力電圧
が半導体集積回路に供給される。
作用
本発明においては、スイッチング素子の入力側にリミッ
タ抵抗を設けこのリミッタ抵抗の出力電圧が半導体集積
回路に供給される。この出力電圧は半導体集積回路の最
高電位と最低電位との間の値である。
タ抵抗を設けこのリミッタ抵抗の出力電圧が半導体集積
回路に供給される。この出力電圧は半導体集積回路の最
高電位と最低電位との間の値である。
実施例
第1図は本発明になるスイッチングレギュレータの回路
構成図を示す。同図中、1は例えば電圧5vの直流が供
給される端子である。端子1は半導体集積回路化された
スイッチング制御回路2の電源端子3に接続されると共
に、昇圧回路4のリミッタ抵抗R+、負電源回路5のリ
ミッタ抵抗R2夫々に接続されている。
構成図を示す。同図中、1は例えば電圧5vの直流が供
給される端子である。端子1は半導体集積回路化された
スイッチング制御回路2の電源端子3に接続されると共
に、昇圧回路4のリミッタ抵抗R+、負電源回路5のリ
ミッタ抵抗R2夫々に接続されている。
昇圧回路4はリミッタ抵抗R+ と出力端子6との間に
接続されたコイル1+1ダイオードD+と、出力端子6
とアース間に設けられたコンデンサC1と、スイッチン
グ制御回路2の端子7よりスイッチングパルスをそのベ
ースに供給されてスイッチングを行なうトランジスタQ
I及びトランジスタQ1よりのパルスをベースに供給さ
れてスイッチングを行ないオン時においてコイルL1と
ダイオードD1の接続点を接地するスイッチングトラン
ジスタQ2とより大略構成されている。また、リミッタ
抵抗R1と並列にリップル除去用のコンデンサC2が接
続されている。トランジスタQ+。
接続されたコイル1+1ダイオードD+と、出力端子6
とアース間に設けられたコンデンサC1と、スイッチン
グ制御回路2の端子7よりスイッチングパルスをそのベ
ースに供給されてスイッチングを行なうトランジスタQ
I及びトランジスタQ1よりのパルスをベースに供給さ
れてスイッチングを行ないオン時においてコイルL1と
ダイオードD1の接続点を接地するスイッチングトラン
ジスタQ2とより大略構成されている。また、リミッタ
抵抗R1と並列にリップル除去用のコンデンサC2が接
続されている。トランジスタQ+。
Q2は端子7よりのスイッチングパルスがLレベルのと
ぎオンとなり、リミッタ抵抗R1を介してコイルL+に
電流が流れエネルギーが蓄積される。
ぎオンとなり、リミッタ抵抗R1を介してコイルL+に
電流が流れエネルギーが蓄積される。
スイッチングパルスがHレベルとなるとトランジスタQ
1.Q2はオフとなり、リミッタ抵抗R1を介して供給
される電流及びコイルL+のエネルギー放出による電流
がダイオードD1を通って端子6より出力されると共に
平滑用のコンデンサC1を充電する。これによって端子
6より例えば電圧+12vの直流が出力される。
1.Q2はオフとなり、リミッタ抵抗R1を介して供給
される電流及びコイルL+のエネルギー放出による電流
がダイオードD1を通って端子6より出力されると共に
平滑用のコンデンサC1を充電する。これによって端子
6より例えば電圧+12vの直流が出力される。
負電源回路5はリミッタ抵抗R2にエミッタを接続され
スイッチング制御回路2の端子8よりスイッチングパル
スを供給されてスイッチングを行なうスイッチングトラ
ンジスタQ3と、トランジスタQ3のコレクタと出力端
子9間に接続されたダイオードD2と、トランジスタQ
3のコレクタとアース間に接続されたコイルL2と出力
端子9とアース間に接続されたコンデンサC3とより大
略構成されている。リミッタ抵抗R2と並列にリップル
除去用のコンデンサC4が接続されている。
スイッチング制御回路2の端子8よりスイッチングパル
スを供給されてスイッチングを行なうスイッチングトラ
ンジスタQ3と、トランジスタQ3のコレクタと出力端
子9間に接続されたダイオードD2と、トランジスタQ
3のコレクタとアース間に接続されたコイルL2と出力
端子9とアース間に接続されたコンデンサC3とより大
略構成されている。リミッタ抵抗R2と並列にリップル
除去用のコンデンサC4が接続されている。
昇圧回路4の出力端子6より出力される電圧は抵抗R3
、R4で分圧されて通常状態において例えば電圧1.8
v程度とされ端子10よりスイッチング制御回路2内の
誤差増幅器(以下「エラーアンプ」という)11の非反
転入力端子に供給される。このエラーアンプ11の反転
入力端子には基準電圧発生器12よりの電圧が端子13
.14を介して例えば電圧1.8vの基準電圧として供
給される。エラーアンプは上記の両人力を差動増幅して
誤差電圧を得て、これをコンパレータ15の第1反転入
力端子に供給する。また上記の誤差電圧に比例する電圧
をトランジスタQ4のベースに供給する。コンパレータ
15の非反転入力端子には三角波発振回路16より三角
波が供給されている。
、R4で分圧されて通常状態において例えば電圧1.8
v程度とされ端子10よりスイッチング制御回路2内の
誤差増幅器(以下「エラーアンプ」という)11の非反
転入力端子に供給される。このエラーアンプ11の反転
入力端子には基準電圧発生器12よりの電圧が端子13
.14を介して例えば電圧1.8vの基準電圧として供
給される。エラーアンプは上記の両人力を差動増幅して
誤差電圧を得て、これをコンパレータ15の第1反転入
力端子に供給する。また上記の誤差電圧に比例する電圧
をトランジスタQ4のベースに供給する。コンパレータ
15の非反転入力端子には三角波発振回路16より三角
波が供給されている。
コンパレータ15の第2反転入力端子は端子17よりコ
ンデンサCs、抵抗R5で構成されるソフトスタート回
路に接続されており、コンパレータ15はスイッチング
制御回路2の端子3に電源が供給されて基準電圧発生器
12の出力電圧が立上がった後第2反転入力端子電圧が
ソフトスタート回路により徐々に立上がりHレベルとな
った後非反転入力端子、第1反転入力端子相互の電圧比
較を行なう。これによってコンパレータ15はエラーア
ンプ11よりの誤差電圧に応じてデユーティ比が可変さ
れ、かつ同−繰り返し周期のスイッチングパルスを生成
してアンド回路18に供給する。
ンデンサCs、抵抗R5で構成されるソフトスタート回
路に接続されており、コンパレータ15はスイッチング
制御回路2の端子3に電源が供給されて基準電圧発生器
12の出力電圧が立上がった後第2反転入力端子電圧が
ソフトスタート回路により徐々に立上がりHレベルとな
った後非反転入力端子、第1反転入力端子相互の電圧比
較を行なう。これによってコンパレータ15はエラーア
ンプ11よりの誤差電圧に応じてデユーティ比が可変さ
れ、かつ同−繰り返し周期のスイッチングパルスを生成
してアンド回路18に供給する。
昇圧回路4のリミッタ抵抗R1とコイルL+の接続点は
端子19よりコンパレータ20の非反転入力端子に接続
されている。また、エミッタを抵抗R6を介して接地さ
れたトランジスタQ4のコレクタがコンパレータ20の
反転入力端子に接続されており、また基準電圧発生器1
2より一定電圧をベースに供給されるトランジスタQ5
のエミッタは抵抗R7を介して接地され、コレクタはコ
ンパレータ20の反転入力端子に接続されている。
端子19よりコンパレータ20の非反転入力端子に接続
されている。また、エミッタを抵抗R6を介して接地さ
れたトランジスタQ4のコレクタがコンパレータ20の
反転入力端子に接続されており、また基準電圧発生器1
2より一定電圧をベースに供給されるトランジスタQ5
のエミッタは抵抗R7を介して接地され、コレクタはコ
ンパレータ20の反転入力端子に接続されている。
このコンパレータ20の反転入力端子は抵抗R8を介し
て電源端子3に接続されている。このコンパレータ20
はトランジスタQ4及びQ5のコレクタ電流が抵抗R8
を流れることによって生じる電圧降下と、昇圧回路4の
リミッタ抵抗R1に電流が流れることによって生じる電
圧降下とを比較するものであり、定常状態においてはH
レベルの信号を出力する。コンパレータ20の出力する
Hレベル又はLレベルの信号はアンド回路18に供給さ
れる。アンド回路18はコンパレータ20の出力信号が
Hレベルのときのみコンパレータ15よりのスイッチン
グパルスを取り出してトランジスタQ6のベースに供給
し、トランジスタQ6のコレクタより取り出されたスイ
ッチングパルスが端子7より出力される。
て電源端子3に接続されている。このコンパレータ20
はトランジスタQ4及びQ5のコレクタ電流が抵抗R8
を流れることによって生じる電圧降下と、昇圧回路4の
リミッタ抵抗R1に電流が流れることによって生じる電
圧降下とを比較するものであり、定常状態においてはH
レベルの信号を出力する。コンパレータ20の出力する
Hレベル又はLレベルの信号はアンド回路18に供給さ
れる。アンド回路18はコンパレータ20の出力信号が
Hレベルのときのみコンパレータ15よりのスイッチン
グパルスを取り出してトランジスタQ6のベースに供給
し、トランジスタQ6のコレクタより取り出されたスイ
ッチングパルスが端子7より出力される。
ここで、端子1より第2図(A)に示す如く電圧Vcc
の電源が供給されると、コンデンサCs。
の電源が供給されると、コンデンサCs。
抵抗R5によるソフトスタート回路があるため端子6よ
りの出力電圧Voutは第2図(B)に示す如く徐々に
上昇し、電圧+12vに達する。端子6に接続される負
荷抵抗RLが第2図(C)に示す如く所定の値を維持す
る定常状態において、例えば端子6の電圧変動があると
これに応じてエラーアンプ11の出力する誤差電圧が変
動し、コンパレータ15の出力するスイッチングパルス
のデユーティ比が変化してトランジスタQ+ 、Q2の
オン・オフ夫々の期間が変化して端子6の電圧が一定と
なるよう制御される。
りの出力電圧Voutは第2図(B)に示す如く徐々に
上昇し、電圧+12vに達する。端子6に接続される負
荷抵抗RLが第2図(C)に示す如く所定の値を維持す
る定常状態において、例えば端子6の電圧変動があると
これに応じてエラーアンプ11の出力する誤差電圧が変
動し、コンパレータ15の出力するスイッチングパルス
のデユーティ比が変化してトランジスタQ+ 、Q2の
オン・オフ夫々の期間が変化して端子6の電圧が一定と
なるよう制御される。
次に、第2図(C)に示す如く、負荷抵抗RLが時刻t
lより減少して時刻t2でショートされた場合端子6よ
り出力される負荷電流ILは第2図(D)に示す如く増
加し、リミッタ抵抗R1に流入する入力電流(inは第
2図(E)に示す如く増加する。これによって抵抗R+
の電圧降下が増大し端子19の電圧は低下する。入力電
流(inが所定の値1pに達するとコンパレータ20の
非反転入力端子電圧は反転入力端子電圧より低くなり、
その出力信号はLレベルとなってアンド回路18はスイ
ッチングパルスの出力を停止する。勿論このときスイッ
チングパルスのデユーティ比は小となっている。トラン
ジスタQ1.Q2のスイッチングが行なわれなくなると
端子19の電圧は上昇するためアンド回路18は再びス
イッチングパルスを出力するが、上記スイッチングパル
スの出力停止が繰り返されることにより入力電流1in
は値Ipを越えることはない。
lより減少して時刻t2でショートされた場合端子6よ
り出力される負荷電流ILは第2図(D)に示す如く増
加し、リミッタ抵抗R1に流入する入力電流(inは第
2図(E)に示す如く増加する。これによって抵抗R+
の電圧降下が増大し端子19の電圧は低下する。入力電
流(inが所定の値1pに達するとコンパレータ20の
非反転入力端子電圧は反転入力端子電圧より低くなり、
その出力信号はLレベルとなってアンド回路18はスイ
ッチングパルスの出力を停止する。勿論このときスイッ
チングパルスのデユーティ比は小となっている。トラン
ジスタQ1.Q2のスイッチングが行なわれなくなると
端子19の電圧は上昇するためアンド回路18は再びス
イッチングパルスを出力するが、上記スイッチングパル
スの出力停止が繰り返されることにより入力電流1in
は値Ipを越えることはない。
端子6がショートしたような場合、端子10の電圧が異
常に低下するため、エラーアンプ11はバランスを失な
いトランジスタQ4のベースに供給される電圧が低下し
てトランジスタQ4のコレクタ電流が減少する。これに
よって抵抗R8を流れる電流は減少し、最終的にはトラ
ンジスタQ5のコレクタ電流(一定)に依存することに
なる。
常に低下するため、エラーアンプ11はバランスを失な
いトランジスタQ4のベースに供給される電圧が低下し
てトランジスタQ4のコレクタ電流が減少する。これに
よって抵抗R8を流れる電流は減少し、最終的にはトラ
ンジスタQ5のコレクタ電流(一定)に依存することに
なる。
つまりコンパレータ20の反転入力端子電圧は上昇する
。従ってコンパレータ20がLレベル信号を出力する期
間が長くなり、スイッチングパルスが端子7より出力さ
れる期間が短かくなる。これによって入力電流1inは
例えば値Ipの略1/3程度に制限される。上記のリミ
ッタ抵抗R+の入力電流finと端子6よりの出力電圧
voutとの関係は第3図に示す如く、所謂フの字特性
を示す。
。従ってコンパレータ20がLレベル信号を出力する期
間が長くなり、スイッチングパルスが端子7より出力さ
れる期間が短かくなる。これによって入力電流1inは
例えば値Ipの略1/3程度に制限される。上記のリミ
ッタ抵抗R+の入力電流finと端子6よりの出力電圧
voutとの関係は第3図に示す如く、所謂フの字特性
を示す。
負荷抵抗RLが時刻【3より通常の値(定常状態)に戻
ると、出力電圧voutの上昇に従って入力電流1in
はフの字特性を上記ショート時とは逆の経路で復帰増加
し、値1pに達した後は減少する。
ると、出力電圧voutの上昇に従って入力電流1in
はフの字特性を上記ショート時とは逆の経路で復帰増加
し、値1pに達した後は減少する。
このようにリミッタ抵抗R1の入力電流1inが所定値
を越えると、入力電流11nが減少させられるため、ス
イッチングトランジスタQ2にかかる負荷が減少され、
スイッチングトランジスタQ2及び端子6に接続される
回路の保護が行なわれる。
を越えると、入力電流11nが減少させられるため、ス
イッチングトランジスタQ2にかかる負荷が減少され、
スイッチングトランジスタQ2及び端子6に接続される
回路の保護が行なわれる。
また、半導体集積回路であるスイッチング制御回路2に
供給される信号電圧は電源電圧+5vからアース電圧Q
vの範囲内でなければならないが、抵抗R1とコイルL
1との接続点の電圧はこの範囲内であるため、直接この
接続点の電圧を端子19に供給することができ、回路構
成が簡単となる。
供給される信号電圧は電源電圧+5vからアース電圧Q
vの範囲内でなければならないが、抵抗R1とコイルL
1との接続点の電圧はこの範囲内であるため、直接この
接続点の電圧を端子19に供給することができ、回路構
成が簡単となる。
負電源回路5のスイッチング制御を行なうスイッチング
制御回路2内のエラーアンプ21、コンパレータ22.
23、アンド回路24等の動作は上記エラーアンプ11
、コンパレータ15.20、アンド回路18の動作とま
ったく同一であり、その説明を省略する。なお、コンパ
レータ21の非反転入力端子は端子25より接地され、
反転入力端子には端子9の電圧と基準電圧発生器12よ
りの電圧とを加算して定常状態においてQv程度の電圧
が端子26より供給されている。またコンパレータ23
の非反転入力端子にはリミッタ抵抗R2とトランジスタ
Q3のエミッタと接続された一端の電圧が端子27を介
して供給されている。
制御回路2内のエラーアンプ21、コンパレータ22.
23、アンド回路24等の動作は上記エラーアンプ11
、コンパレータ15.20、アンド回路18の動作とま
ったく同一であり、その説明を省略する。なお、コンパ
レータ21の非反転入力端子は端子25より接地され、
反転入力端子には端子9の電圧と基準電圧発生器12よ
りの電圧とを加算して定常状態においてQv程度の電圧
が端子26より供給されている。またコンパレータ23
の非反転入力端子にはリミッタ抵抗R2とトランジスタ
Q3のエミッタと接続された一端の電圧が端子27を介
して供給されている。
このため、リミッタ抵抗R2の出力電圧を直接スイッチ
ング制御回路2へ供給でき、スイッチングトランジスタ
Q3及び端子9に接続される回路の保護が行なわれる。
ング制御回路2へ供給でき、スイッチングトランジスタ
Q3及び端子9に接続される回路の保護が行なわれる。
発明の効果
上述の如く、本発明になるスイッチングレギュレータは
、スイッチング素子の入力側に設けられたリミッタ抵抗
とスイッチング制御回路とよりなるため、リミッタ抵抗
の電流が所定値を越えるとこの電流が減少せしめられ、
スイッチング素子にかかる負荷が軽減されて、スイッチ
ング素子及びスイッチングレギュレータに接続される回
路を保護することができ、またリミッタ抵抗はスイッチ
ング素子の入力側にあるため、リミッタ抵抗の出力電圧
は半導体集積回路の最高電位から最低電位までの範囲内
の値であり、リミッタ抵抗の出力電圧を直接供給しても
半導体集積回路を破壊する等の問題がなく半導体集積回
路の汎用性が向上する等の特長を有している。
、スイッチング素子の入力側に設けられたリミッタ抵抗
とスイッチング制御回路とよりなるため、リミッタ抵抗
の電流が所定値を越えるとこの電流が減少せしめられ、
スイッチング素子にかかる負荷が軽減されて、スイッチ
ング素子及びスイッチングレギュレータに接続される回
路を保護することができ、またリミッタ抵抗はスイッチ
ング素子の入力側にあるため、リミッタ抵抗の出力電圧
は半導体集積回路の最高電位から最低電位までの範囲内
の値であり、リミッタ抵抗の出力電圧を直接供給しても
半導体集積回路を破壊する等の問題がなく半導体集積回
路の汎用性が向上する等の特長を有している。
第1図は本発明回路の一実施例の回路構成図、第2図は
第1図示の回路各部の信号波形図、第3図は第1図示の
回路の特性図である。 1.3.6.9・・・端子、2・・・スイッチング制御
回路、4・・・昇圧回路、5・・・負電源回路、11゜
21・・・誤差増幅器(エラーアンプ)、12・・・基
準電圧発生器、15,20.22.23・・・コンパレ
ータ、16・・・三角波発掘器、18.24・・・アン
ド回路、R+ 、R2・・・リミッタ抵抗、L+ 、L
2・・・コイル、D+ 、D2・・・ダイオード、C+
〜C4・・・コンデンサ。
第1図示の回路各部の信号波形図、第3図は第1図示の
回路の特性図である。 1.3.6.9・・・端子、2・・・スイッチング制御
回路、4・・・昇圧回路、5・・・負電源回路、11゜
21・・・誤差増幅器(エラーアンプ)、12・・・基
準電圧発生器、15,20.22.23・・・コンパレ
ータ、16・・・三角波発掘器、18.24・・・アン
ド回路、R+ 、R2・・・リミッタ抵抗、L+ 、L
2・・・コイル、D+ 、D2・・・ダイオード、C+
〜C4・・・コンデンサ。
Claims (1)
- スイッチングパルスによりオン・オフするスイッチング
素子を用いて直流入力をチョップした後平滑し所望電圧
の直流出力を得るスイッチングレギュレータにおいて、
該スイッチング素子の入力側に設けられ該直流入力を該
スイッチング素子側に供給すると共に、その出力電圧を
スイッチングパルス生成用の半導体集積回路に供給する
リミッタ抵抗を具備してなることを特徴とするスイッチ
ングレギュレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60017225A JPS61177159A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | スイツチングレギユレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60017225A JPS61177159A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | スイツチングレギユレ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177159A true JPS61177159A (ja) | 1986-08-08 |
Family
ID=11938004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60017225A Pending JPS61177159A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | スイツチングレギユレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177159A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5920269A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-02-01 | ザ ダウ ケミカル カンパニ− | 2,3―ジフルオロ―5―(トリフルオロメチル)ピリジンの製造方法 |
| JPS5918859U (ja) * | 1983-06-09 | 1984-02-04 | 有限会社上林商会 | グラウンドロ−プ用ボビン |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP60017225A patent/JPS61177159A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5920269A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-02-01 | ザ ダウ ケミカル カンパニ− | 2,3―ジフルオロ―5―(トリフルオロメチル)ピリジンの製造方法 |
| JPS5918859U (ja) * | 1983-06-09 | 1984-02-04 | 有限会社上林商会 | グラウンドロ−プ用ボビン |
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