JPS61190331A - フオトレジスト材料 - Google Patents
フオトレジスト材料Info
- Publication number
- JPS61190331A JPS61190331A JP3233585A JP3233585A JPS61190331A JP S61190331 A JPS61190331 A JP S61190331A JP 3233585 A JP3233585 A JP 3233585A JP 3233585 A JP3233585 A JP 3233585A JP S61190331 A JPS61190331 A JP S61190331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substituted
- layer
- photoresist
- formula
- photoresist layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は集積回路の製造における写真食刻工程に用いら
れるマスクのような複写体の像のコントラストを増強す
ることができるフォトレジスト材料に関するものである
。
れるマスクのような複写体の像のコントラストを増強す
ることができるフォトレジスト材料に関するものである
。
「従来の技術」
半導体、ＩＣ，ＬＳＩなどの電子部品は光学的手段によ
って任意の回路パターンを描画しであるマスクを介して
レジストに露光し、現偉してその基板をエツチングする
方法で製造されている。近年、集積回路の高集積化にと
もない、ノモターンの微細化が進められてきた。そのた
めにレジストには微細、ｅターンｔ−精度よく形成する
ことが強く望まれている。しかしながら上記の方法では
露光する光の回折や下層のシリコン基板の表面からの光
の散乱や反射によって、レジスト像の解像力は著しるし
く影響をうける。特に広く用いられている投影式写真食
刻装置を用いる際には、その解儂度は露光に用いられる
光の波長などから実際上、物理的限界に近づいていると
いわれている。ま九これらの装置に用いられるレンズの
解偉度にも飛躍的な向上が望めないのが現状である。と
ころが、近年、特開昭ｊター１０４４ｔμコ号にみられ
るようにフォトレジスト操作において、像のコントラス
）１−増強する方法が提唱され進歩をみるに至った。
って任意の回路パターンを描画しであるマスクを介して
レジストに露光し、現偉してその基板をエツチングする
方法で製造されている。近年、集積回路の高集積化にと
もない、ノモターンの微細化が進められてきた。そのた
めにレジストには微細、ｅターンｔ−精度よく形成する
ことが強く望まれている。しかしながら上記の方法では
露光する光の回折や下層のシリコン基板の表面からの光
の散乱や反射によって、レジスト像の解像力は著しるし
く影響をうける。特に広く用いられている投影式写真食
刻装置を用いる際には、その解儂度は露光に用いられる
光の波長などから実際上、物理的限界に近づいていると
いわれている。ま九これらの装置に用いられるレンズの
解偉度にも飛躍的な向上が望めないのが現状である。と
ころが、近年、特開昭ｊター１０４４ｔμコ号にみられ
るようにフォトレジスト操作において、像のコントラス
）１−増強する方法が提唱され進歩をみるに至った。
この方法は、フォトレジスト層の上に隣接して光脱色性
化合物を含む層をもうけて、露光するとフォトレジスト
層に到達する光のコントラストを高められるというもの
であシ、光脱色性化合物としては特定の化学構造をもつ
ニトロン化合物を用いうろことが記載されている。
化合物を含む層をもうけて、露光するとフォトレジスト
層に到達する光のコントラストを高められるというもの
であシ、光脱色性化合物としては特定の化学構造をもつ
ニトロン化合物を用いうろことが記載されている。
しかしながら、これらの化合物のあるものけ写真食刻法
で通常行われる工程のなかのプリベーキングなどの際に
所望の光学濃度が得られないことがある。この原因はさ
だかではないが、熱に対するこれらの化合物の安定性や
耐昇華性が充分でないとも推定される。またこれらの欠
点がなく、性能上は満足できるものであっても、化合物
を製造するうえで原料が高価であつ九シ、その製造工程
が長く煩雑であったシ、シて、特に工業的に使用してい
くにはコストなどに難点があった。
で通常行われる工程のなかのプリベーキングなどの際に
所望の光学濃度が得られないことがある。この原因はさ
だかではないが、熱に対するこれらの化合物の安定性や
耐昇華性が充分でないとも推定される。またこれらの欠
点がなく、性能上は満足できるものであっても、化合物
を製造するうえで原料が高価であつ九シ、その製造工程
が長く煩雑であったシ、シて、特に工業的に使用してい
くにはコストなどに難点があった。
本発明者らは上記した従来技術を克服すべく検討した結
果、本発明を完成するに至った。
果、本発明を完成するに至った。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明の目的は高温下のプリベーキング工程によっても
、濃度低下のない化合物を用いて、安定してレジスト像
のコントラストｅ高める方法を提供するものである。
、濃度低下のない化合物を用いて、安定してレジスト像
のコントラストｅ高める方法を提供するものである。
本発明の他の目的は新規な光脱色性化合物を用いてレジ
スト像のコントラスト金高める方法を提供するものであ
る。
スト像のコントラスト金高める方法を提供するものであ
る。
「問題点を解決するための手段」
本発明は被エツチング材料上にフォトレジスト層を設け
、更にその上に下記一般式ＣＩ）で示される化合物を少
くとも一樵含有す・る層を設けたフォトレジスト材料を
用いることによシ達成され九。
、更にその上に下記一般式ＣＩ）で示される化合物を少
くとも一樵含有す・る層を設けたフォトレジスト材料を
用いることによシ達成され九。
を表わす。Ｒ１＋１２はそれぞれ独立に水素原子、置換
もしくは未置換のアルキル基（例えばメチル、エチル、
ブチル、ヘキシル、ｔｅｒｔ−オクチル、メトキシエチ
ル、ヒドロキシエチル、メタンスルホンアミドエチル、
エトキ７カルボニルエチル、アセチルオキシエチル、ク
ロロエチル、シアノエチルなど）、または置換もしくは
未置換のアリール基（例えばフェニル、メチルフェニル
、メチルフェニル、クロルフェニルナト） ｔ−表ワｆ
。Ｘ。
もしくは未置換のアルキル基（例えばメチル、エチル、
ブチル、ヘキシル、ｔｅｒｔ−オクチル、メトキシエチ
ル、ヒドロキシエチル、メタンスルホンアミドエチル、
エトキ７カルボニルエチル、アセチルオキシエチル、ク
ロロエチル、シアノエチルなど）、または置換もしくは
未置換のアリール基（例えばフェニル、メチルフェニル
、メチルフェニル、クロルフェニルナト） ｔ−表ワｆ
。Ｘ。
Ｙ、Ｚはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子（例え
ば塩素原子、臭素原子］、置換もしくは未置換のアルキ
ル基、（例えばメチル、エチル、ブチル、メトキシエチ
ル、など）置換もしくは未置換のアルコキシ基およびア
リールオキシ基（例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ
、フェノキシ、ｐ／４！／、／弘←頁（技報堂、昭和３
λ年発行）に記載されたアニオンや有機カルボン酸など
であり、有機スルフォン酸や有機カルボン酸が好ましい
。】を表わす。
ば塩素原子、臭素原子］、置換もしくは未置換のアルキ
ル基、（例えばメチル、エチル、ブチル、メトキシエチ
ル、など）置換もしくは未置換のアルコキシ基およびア
リールオキシ基（例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ
、フェノキシ、ｐ／４！／、／弘←頁（技報堂、昭和３
λ年発行）に記載されたアニオンや有機カルボン酸など
であり、有機スルフォン酸や有機カルボン酸が好ましい
。】を表わす。
またＲ１とＲ２で！〜６員環（例えばモルホリン、ピペ
リジン、ピロリジン環など］を形成してもよいし、Ｘと
Ｙで！〜６員環（例えばナフタレン環など）を形成して
もよい。
リジン、ピロリジン環など］を形成してもよいし、Ｘと
Ｙで！〜６員環（例えばナフタレン環など）を形成して
もよい。
またＲ□もしくはＲ２とＺもしくはＹで１−４員環を形
成してもよい。
成してもよい。
またＲ□とＲ２のいずれかがアルキル基（例えばエチレ
ン、プロピレン）やアリーレン基（例えハフエニレン）
をとってビス体を形成してもよい。
ン、プロピレン）やアリーレン基（例えハフエニレン）
をとってビス体を形成してもよい。
但し、Ｒ１とＲ２が開時に水素原子ｔとることはない。
次に本発明に用いられる化合物の具体例を示すが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
Ｈｓ
本発明の化合物は前記した「染料化学」の第６ｊ／頁以
降に記載された方法で容易に合成することができ勾。
降に記載された方法で容易に合成することができ勾。
上記一般式ＣＩ）で表わされる化合物を含む層を形成す
るための結合剤としては酢酸ビニル重合体および他のビ
ニル化合物との共重合体やこれらの部分加水分解物、ス
チレンま九はそれの誘導体の共重合体、アクリル酸また
はメタクリル酸エステルの単重合体や共重合体、アセタ
ール樹脂アクリロニトリル−ブタジェン共重合体、エチ
ルセルロースやその他の炭化水素可溶性セルロースエー
テル類、プロピオン酸セルロースやその他の炭化水素可
溶性セルロースエステル類、ポリクロロプレン、ポリエ
チレンオキシドおよびポリビニルピロリド／などが挙げ
られる。
るための結合剤としては酢酸ビニル重合体および他のビ
ニル化合物との共重合体やこれらの部分加水分解物、ス
チレンま九はそれの誘導体の共重合体、アクリル酸また
はメタクリル酸エステルの単重合体や共重合体、アセタ
ール樹脂アクリロニトリル−ブタジェン共重合体、エチ
ルセルロースやその他の炭化水素可溶性セルロースエー
テル類、プロピオン酸セルロースやその他の炭化水素可
溶性セルロースエステル類、ポリクロロプレン、ポリエ
チレンオキシドおよびポリビニルピロリド／などが挙げ
られる。
本発明の化合物を含む層を形成するために必要な混合物
を調整するための溶剤としては、芳香族炭化水素（ｉＦ
ＩＪ、ｔばトルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロ
ルベンゼンなど）またはそれと脂肪族炭化水素（例えば
シクロヘキサンなど）との混合物、ハロゲン化脂肪族化
合物（例えば、トリクロロエチレン、メチルクロロホル
ムなト）、アルコール類（例えばプロパツール、ブタノ
ール、エチルセロソルブなど）、エステル類（例えばセ
ロソルブアセラード、ブチルアセテートなど）やシクロ
ヘキサノンなども挙げられる。
を調整するための溶剤としては、芳香族炭化水素（ｉＦ
ＩＪ、ｔばトルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロ
ルベンゼンなど）またはそれと脂肪族炭化水素（例えば
シクロヘキサンなど）との混合物、ハロゲン化脂肪族化
合物（例えば、トリクロロエチレン、メチルクロロホル
ムなト）、アルコール類（例えばプロパツール、ブタノ
ール、エチルセロソルブなど）、エステル類（例えばセ
ロソルブアセラード、ブチルアセテートなど）やシクロ
ヘキサノンなども挙げられる。
本発明の化合物は前記結合剤に対してｊ〜１０Ｑ重量％
添加される好ましくはよ一１０重量％である。添加の方
法は前記結合剤と前記溶剤の混合物中へ本発明の化合物
を添加してもよいし、あらかじめ前記溶剤で溶解したも
のを結合剤中に添加してもよい。
添加される好ましくはよ一１０重量％である。添加の方
法は前記結合剤と前記溶剤の混合物中へ本発明の化合物
を添加してもよいし、あらかじめ前記溶剤で溶解したも
のを結合剤中に添加してもよい。
本発明に用いられるフォトレジスト材料の基材となるフ
ォトレジストとしては環化ゴムとビスアジドを主成分と
するゴム系フォトレジスト、フェノール及びまたはクレ
ゾールノボラック樹脂と少くとも７個の０−キノンジア
ジド化合物を含むポジ型レジストなどが用いられる。
ォトレジストとしては環化ゴムとビスアジドを主成分と
するゴム系フォトレジスト、フェノール及びまたはクレ
ゾールノボラック樹脂と少くとも７個の０−キノンジア
ジド化合物を含むポジ型レジストなどが用いられる。
「実施例」
次に本発明の実施例ｔ−あげて詳細に説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
５１４ｔＩＩＡ例１
ノボラック樹脂と少くとも１個のＯ−キノンジアジドを
含むポ′）鳳フォトレジストＨＰＲ−、ＺＯ弘（商品名
、フィリップ、人、）・ント社製、固減分割合２７．ｒ
重量Ｉｔ−φインチシリコンウェハーに膜厚が／、４μ
ｍになるようにスピナーで回転塗布（７０００ｒ、ｐ、
ｍ、−０秒）し、Ｎ２気流下でりｏ ０ｃ、３ｏ分加熱
して溶剤を除去し九〇次にトルエン溶剤中に！重量−の
スチレンアリールアルコール共重合体、！重量−の化合
物１１化合物−を各々溶解した溶液を調整した。この溶
液を薄さ０．２！μｍになるようにスピナーで回転塗布
し、加熱して溶剤を除去して試料ｌ、試料−を作成した
。本発明の化合物を含まないものを比較試料として、こ
れらの試料に解像カッ宛ターンを介して露光を与え、ト
ルエンで上層金除去したのち、Ｐｏ５ｉｔｉｖｅ Ｌ
ＳＩ Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ ＭｅｔａｌＩｏｎ
Ｆｒｅｅ （商品名、フィリップ、Ａ、）１ント社製）
２倍希釈液にλｒ ’Ｃで１分間浸し現像した。形成さ
れたパターンを比較すると、λ、θμ亀の線巾は３つの
試料に差はみとめられなかったが０．１μｍの線巾のと
ころでは、比較試料はや過度に露光されたようにレジス
ト像もいわゆるダレ気録であった。一方、試料１１試料
コの、ｅターンは露光も適度とみられ、レジスト像の側
壁も垂直に近く、コントラストの増強され九ことを示し
ていた。
含むポ′）鳳フォトレジストＨＰＲ−、ＺＯ弘（商品名
、フィリップ、人、）・ント社製、固減分割合２７．ｒ
重量Ｉｔ−φインチシリコンウェハーに膜厚が／、４μ
ｍになるようにスピナーで回転塗布（７０００ｒ、ｐ、
ｍ、−０秒）し、Ｎ２気流下でりｏ ０ｃ、３ｏ分加熱
して溶剤を除去し九〇次にトルエン溶剤中に！重量−の
スチレンアリールアルコール共重合体、！重量−の化合
物１１化合物−を各々溶解した溶液を調整した。この溶
液を薄さ０．２！μｍになるようにスピナーで回転塗布
し、加熱して溶剤を除去して試料ｌ、試料−を作成した
。本発明の化合物を含まないものを比較試料として、こ
れらの試料に解像カッ宛ターンを介して露光を与え、ト
ルエンで上層金除去したのち、Ｐｏ５ｉｔｉｖｅ Ｌ
ＳＩ Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ ＭｅｔａｌＩｏｎ
Ｆｒｅｅ （商品名、フィリップ、Ａ、）１ント社製）
２倍希釈液にλｒ ’Ｃで１分間浸し現像した。形成さ
れたパターンを比較すると、λ、θμ亀の線巾は３つの
試料に差はみとめられなかったが０．１μｍの線巾のと
ころでは、比較試料はや過度に露光されたようにレジス
ト像もいわゆるダレ気録であった。一方、試料１１試料
コの、ｅターンは露光も適度とみられ、レジスト像の側
壁も垂直に近く、コントラストの増強され九ことを示し
ていた。
実施例コ
ポリメチルメタアクリレートのブチルアセテート溶液（
固型分割合、６．４重量％）に固形分に対して４．７重
量−の下記の比較化合物Ａｔ−添加した溶液を調整した
。この溶液を青板ガラス基板に膜厚コ、Ｏμ扉になるよ
うに回転塗布（１１００ｒ、ｐ、ｍ、 ／ ７秒）し
た試料３、全作成し、これらをＮ２気流下り０’ＣＪＯ
分間加熱し、ＵＶ−可視スにクトロメーターを用いて吸
光度比の変化を測定した。
固型分割合、６．４重量％）に固形分に対して４．７重
量−の下記の比較化合物Ａｔ−添加した溶液を調整した
。この溶液を青板ガラス基板に膜厚コ、Ｏμ扉になるよ
うに回転塗布（１１００ｒ、ｐ、ｍ、 ／ ７秒）し
た試料３、全作成し、これらをＮ２気流下り０’ＣＪＯ
分間加熱し、ＵＶ−可視スにクトロメーターを用いて吸
光度比の変化を測定した。
巣に比較化合物Ａのかわりに本発明の化合物３、≦、７
．１３ｔ−用いて試料φ、ｔ、 ４．７を作成し、試料
３と同様にして吸光度比を測定した。その結果を第１表
に示す。
．１３ｔ−用いて試料φ、ｔ、 ４．７を作成し、試料
３と同様にして吸光度比を測定した。その結果を第１表
に示す。
＠１表
（比較化合物Ａ）
本発明の化合物は従来品に比較して、加熱乾燥されても
濃度の低下が小さく安定であることがわかる。従って現
像後のレジスト像の形状即ちコントラストの増強に於い
てバラツキが少ない。
濃度の低下が小さく安定であることがわかる。従って現
像後のレジスト像の形状即ちコントラストの増強に於い
てバラツキが少ない。
特許出願人 富士写真フィルム株式会社昭和４０年３月
ｒ日 ／ｌ＊−４７−・、、−、ｒ １、事件の表示 昭和６０年２月コＱ日出願（Ｂ） ２・ 発明の名称 フォトレジスト材料３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人名 称（５２０
）富士写真フィルム株式会社電話（４０６） ２５３７ 古式ご） 本 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ＆ 補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の通シ
補正する。
ｒ日 ／ｌ＊−４７−・、、−、ｒ １、事件の表示 昭和６０年２月コＱ日出願（Ｂ） ２・ 発明の名称 フォトレジスト材料３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人名 称（５２０
）富士写真フィルム株式会社電話（４０６） ２５３７ 古式ご） 本 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ＆ 補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の通シ
補正する。
第７３頁２行目の
「試料として、」から同頁１０行目の「露光を与え、」
までを 「試料とし、密着型マスクアライメント装置、タイプＭ
Ａ−／ｌミカサ■製）を用いて、フィルターを通した≠
０１１ｍの単色光光源でコ、Ｏμｍと００２μｍのパタ
ーン露光を与えた。露光量は走査型電子顕微鏡で見た各
々の試料のレジスト像の底部が各々λ、Ｏμｍと０６２
μｍの巾になるｔｔ−選んだ。」と補正する。
までを 「試料とし、密着型マスクアライメント装置、タイプＭ
Ａ−／ｌミカサ■製）を用いて、フィルターを通した≠
０１１ｍの単色光光源でコ、Ｏμｍと００２μｍのパタ
ーン露光を与えた。露光量は走査型電子顕微鏡で見た各
々の試料のレジスト像の底部が各々λ、Ｏμｍと０６２
μｍの巾になるｔｔ−選んだ。」と補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被エッチング材料上にフォトレジスト層を設け、更にそ
の上に下記一般式〔 I 〕で表わされる化合物を少くと
も一種含有する層を設けたことを特徴とするフォトレジ
スト材料。 一般式〔 I 〕▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ａは▲数式、化学式、表等があります▼あるいは
Ｒ＿１−Ｏ−を表わす。Ｒ＿１、Ｒ＿２はそれぞれ独立
に水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換も
しくは未置換のアリール基を表わし、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれ
ぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子置換もしくは未置換
のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基およ
びアリールオキシ基、または▲数式、化学式、表等があ
ります▼を表わす。Ｍ＾−はアニオンを表わす。またＲ
＿１とＲ＿２、ＸとＹで５〜６員環を形成してもよいし
、Ｒ＿１もしくはＲ＿２とＺもしくはＹで５〜６員環を
形成してもよい。またＲ＿１とＲ＿２のいずれかがアル
キレン基、やアリーレン基でビス体を形成してもよい。 但しＲ＿１とＲ＿２が同時に水素原子であることはない
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3233585A JPS61190331A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | フオトレジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3233585A JPS61190331A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | フオトレジスト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190331A true JPS61190331A (ja) | 1986-08-25 |
Family
ID=12356080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3233585A Pending JPS61190331A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | フオトレジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61190331A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370245A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Tosoh Corp | 感光性樹脂組成物およびそれを用いた微細パタ−ン形成法 |
| JPH02872A (ja) * | 1987-11-27 | 1990-01-05 | Tosoh Corp | 感光性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成法 |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP3233585A patent/JPS61190331A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370245A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Tosoh Corp | 感光性樹脂組成物およびそれを用いた微細パタ−ン形成法 |
| JPH02872A (ja) * | 1987-11-27 | 1990-01-05 | Tosoh Corp | 感光性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5108874A (en) | Composite useful in photolithography | |
| EP0110165B1 (en) | A method of enhancing the contrast of images and materials therefor | |
| EP0161660B1 (en) | Pattern forming method and composition for pattern formation to be used therefor | |
| KR100191858B1 (ko) | 레지스트 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법 | |
| JPS6235349A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| KR940001554B1 (ko) | 사진평판의 스트리핑 방법 | |
| JPS61190331A (ja) | フオトレジスト材料 | |
| JPS6193445A (ja) | 新規なフオトレジスト組成物 | |
| JPH0544665B2 (ja) | ||
| JPS6134653B2 (ja) | ||
| JPH05507563A (ja) | 非化学増感アルカリ現像可能フォトレジストのコントラスト向上 | |
| JPH0343615B2 (ja) | ||
| JPS6240697B2 (ja) | ||
| JPH0513492B2 (ja) | ||
| JPS61118741A (ja) | フオトレジスト材料 | |
| JPS61121051A (ja) | フオトレジスト材料 | |
| JPS6364772B2 (ja) | ||
| JPS61109048A (ja) | 新規なフオトレジスト組成物 | |
| US5215861A (en) | Thermographic reversible photoresist | |
| JP2626068B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JPS63161443A (ja) | フオトレジスト組成物 | |
| Padmanaban et al. | Chemical and lithographic aspects of organic deep-UV BARCs | |
| TW574606B (en) | Thinner composition for rinsing photoresist | |
| JPS63159839A (ja) | 新規なフオトレジスト組成物 | |
| JP2626067B2 (ja) | フォトレジスト組成物 |