JPS62287628A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62287628A JPS62287628A JP13253686A JP13253686A JPS62287628A JP S62287628 A JPS62287628 A JP S62287628A JP 13253686 A JP13253686 A JP 13253686A JP 13253686 A JP13253686 A JP 13253686A JP S62287628 A JPS62287628 A JP S62287628A
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- Japan
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- oxidation
- semiconductor substrate
- substrate
- insulating film
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 20
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101000617725 Homo sapiens Pregnancy-specific beta-1-glycoprotein 2 Proteins 0.000 description 1
- 102100022019 Pregnancy-specific beta-1-glycoprotein 2 Human genes 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にフィール
ド絶縁膜の形成方法に関する。
ド絶縁膜の形成方法に関する。
半導体装置のフィールド絶縁膜の製造方法は、従来の技
術としては半導体基板の表面の一部を、耐酸化物質で被
いその他の部分を酸化し、その後酸化性物質を除去する
という方法がある（例えば日経エレクトロニクス１９７
９年３月５日号、ＰＰ１３０〜１３１）。
術としては半導体基板の表面の一部を、耐酸化物質で被
いその他の部分を酸化し、その後酸化性物質を除去する
という方法がある（例えば日経エレクトロニクス１９７
９年３月５日号、ＰＰ１３０〜１３１）。
普通この方法は、ＬＯＧＯ８（Ｌｏｃａｌ ０ｘｉｄａ
−ｔｉｏｎ ｏｆ ５ｉｌｉｃｏｎの略）と言われてい
る。
−ｔｉｏｎ ｏｆ ５ｉｌｉｃｏｎの略）と言われてい
る。
上述した従来のフィールド絶縁膜の形成方法は、半導体
基板の表面に耐酸化性物質を形成しているので、酸化工
程によりフィールド絶縁膜が、耐酸化性物質の下にもく
い込んで形成されるという欠点がある。
基板の表面に耐酸化性物質を形成しているので、酸化工
程によりフィールド絶縁膜が、耐酸化性物質の下にもく
い込んで形成されるという欠点がある。
第７図に示しであるように、半導体基板７１の表面に形
成された耐酸化性物質７２の下に、フィールド酸化膜７
３がくい込んできている。このため、活性領域となる部
分がせまくなる等の欠点がある。
成された耐酸化性物質７２の下に、フィールド酸化膜７
３がくい込んできている。このため、活性領域となる部
分がせまくなる等の欠点がある。
上述した従来のフィールド絶縁膜の形成法に対し、本発
明は半導体基板の表面を酸化しても、耐酸化性物質の下
に酸化膜がくい込んで形成されることがないという独創
的内容を有する。
明は半導体基板の表面を酸化しても、耐酸化性物質の下
に酸化膜がくい込んで形成されることがないという独創
的内容を有する。
本発明のフィールド絶縁膜の形成法は、半導体基板の表
面のフィールド絶縁膜を形成すべき以外の部分をエツチ
ングする工程と、半導体基板の表面全体に耐酸化性物質
である窒化シリコン膜を形成する工程と、半導体基板を
リンを含む酸化性雰囲気の中で熱処理をし窒化シリコン
の表面をリンを含んだ酸化シリコン（以下ＰＥＧと略す
）に変化させる工程と、ＰＥＧの表面を平らにする熱処
理工程と、半導体基板の表面全体全エツチングしフィー
ルド絶縁膜を形成すべき部分の半導体基板のシリコン面
を露出させる工程と、半導体基板を酸化する工程と、耐
酸化性物質である窒化シリコンを除去する工程とを有し
ている。
面のフィールド絶縁膜を形成すべき以外の部分をエツチ
ングする工程と、半導体基板の表面全体に耐酸化性物質
である窒化シリコン膜を形成する工程と、半導体基板を
リンを含む酸化性雰囲気の中で熱処理をし窒化シリコン
の表面をリンを含んだ酸化シリコン（以下ＰＥＧと略す
）に変化させる工程と、ＰＥＧの表面を平らにする熱処
理工程と、半導体基板の表面全体全エツチングしフィー
ルド絶縁膜を形成すべき部分の半導体基板のシリコン面
を露出させる工程と、半導体基板を酸化する工程と、耐
酸化性物質である窒化シリコンを除去する工程とを有し
ている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、半導体基板ｌｌ上に、フィールド絶縁膜を形
成する領域に７オトレジスト１２を形成し、それをマス
クとして基板表面をエツチングしたところである。第２
図は、フォトレジストヲ除去した後半導体基板２１の全
表面に窒化シリコン２２を形成した後、リンを含む酸化
雰囲気で熱処理し、窒化シリコン２２の表面がＰＳＧ２
３に変化したところである。第３図は、半導体基板３１
を熱処理し低融点のＰＳＧ３３のみがとけ、平滑化した
ところである。
成する領域に７オトレジスト１２を形成し、それをマス
クとして基板表面をエツチングしたところである。第２
図は、フォトレジストヲ除去した後半導体基板２１の全
表面に窒化シリコン２２を形成した後、リンを含む酸化
雰囲気で熱処理し、窒化シリコン２２の表面がＰＳＧ２
３に変化したところである。第３図は、半導体基板３１
を熱処理し低融点のＰＳＧ３３のみがとけ、平滑化した
ところである。
第４図は、平面をイオンミ’）ング等の方法でエツチン
グをし、半導体基板４１の表面を露出させたところで、
耐酸化物質４２もフィールド絶縁膜を形成しない所に残
っている。第５図は、半導体基板５１を酸化したところ
で、耐酸化性物質５２のない部分にのみフィールド絶縁
膜５３が形成される。ここで、フィールド絶縁膜は、耐
酸化性物質の下に全くくい込まずに形成され、活性領域
をせばめない。
グをし、半導体基板４１の表面を露出させたところで、
耐酸化物質４２もフィールド絶縁膜を形成しない所に残
っている。第５図は、半導体基板５１を酸化したところ
で、耐酸化性物質５２のない部分にのみフィールド絶縁
膜５３が形成される。ここで、フィールド絶縁膜は、耐
酸化性物質の下に全くくい込まずに形成され、活性領域
をせばめない。
第６図は、耐酸化性物質を除去したところである。
以上説明したように本発明は、半導体基板の表面にフィ
ールド絶縁膜を形成する場合に、活性領域となる部分を
エツチングしてから耐酸化性物質を形成し、その後酸化
することにより耐酸化性物質の下にフィールド酸化膜が
くい込むのを防ぐことができ、活性領域をせまくするこ
となく形成できる効果がある。
ールド絶縁膜を形成する場合に、活性領域となる部分を
エツチングしてから耐酸化性物質を形成し、その後酸化
することにより耐酸化性物質の下にフィールド酸化膜が
くい込むのを防ぐことができ、活性領域をせまくするこ
となく形成できる効果がある。
第１図ないし第６図は本発明の工程順を示す半導体基板
の断面図、第７図は従来のフィールド酸化膜の形成過程
の断面図である。 １１．２１．３１．４１．５１．６１．７１・・。 ・・・半導体基板、１２・・・・・・フォトレジス）、
２２゜３２．４２，５２．７２・・・・・・耐酸化性物
質、２３゜３３・・・・・・ＰＳＧ、５３，６２．７３
・・・・・・フィールド絶縁膜である。 皿Ｉ／ 代理人 弁理士 内 原 日ｌ ラ ５１ 茶５ 図
の断面図、第７図は従来のフィールド酸化膜の形成過程
の断面図である。 １１．２１．３１．４１．５１．６１．７１・・。 ・・・半導体基板、１２・・・・・・フォトレジス）、
２２゜３２．４２，５２．７２・・・・・・耐酸化性物
質、２３゜３３・・・・・・ＰＳＧ、５３，６２．７３
・・・・・・フィールド絶縁膜である。 皿Ｉ／ 代理人 弁理士 内 原 日ｌ ラ ５１ 茶５ 図
Claims (1)
- 半導体基板の表面にフィールド絶縁膜を形成する方法に
おいて、半導体基板の表面のフィールド絶縁膜を形成す
べき以外の部分のシリコン基板の一部をエツチングする
工程と、前記エッチングした領域のみに窒化シリコン膜
を形成する工程と、半導体基板を酸化する工程と、前記
窒化シリコン膜を除去する工程とを含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13253686A JPS62287628A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13253686A JPS62287628A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62287628A true JPS62287628A (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=15083572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13253686A Pending JPS62287628A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62287628A (ja) |
-
1986
- 1986-06-06 JP JP13253686A patent/JPS62287628A/ja active Pending
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