JPS61195991A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JPS61195991A JPS61195991A JP3633885A JP3633885A JPS61195991A JP S61195991 A JPS61195991 A JP S61195991A JP 3633885 A JP3633885 A JP 3633885A JP 3633885 A JP3633885 A JP 3633885A JP S61195991 A JPS61195991 A JP S61195991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- alloy
- pellet
- metal
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、電子部品例えば半導体パッケージ構造および
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
半導体用パッケージは、近年信頼性向上の要求が高まっ
ているが、４９にペレットサイズの大型化にともないペ
レット付強度の増加が必要であり、一方で封止は従来の
ハーメチックシール方式で且つ低コスト化を狙うためガ
ラス封止方式が増加し従って耐熱性が要求される。更に
装置への実装信頼性向上のため、半導体製品は半田コー
トするものが多く、方法としては半田ディツプが大半で
ある。このような傾向に対し、パッケージの金属表面皮
膜構造としては、従来表面はＡｓメッキを施し、Ａｌ４
の下地は特殊品を除いてＮｈ皮膜が多い。しかしながら
、前記の如く高信頼化により従来方法では要求を満足で
きないものが出て来ている。その−例として、ペレット
サイズの大型化に伴ないペレット付活の封止等の熱処理
で、ペレットがＡ％下地のＮｉ中より剥れる問題がある
。又、封止加熱により、Ａｗ−下地のＮｉが酸化し半田
付性が劣化する。
ているが、４９にペレットサイズの大型化にともないペ
レット付強度の増加が必要であり、一方で封止は従来の
ハーメチックシール方式で且つ低コスト化を狙うためガ
ラス封止方式が増加し従って耐熱性が要求される。更に
装置への実装信頼性向上のため、半導体製品は半田コー
トするものが多く、方法としては半田ディツプが大半で
ある。このような傾向に対し、パッケージの金属表面皮
膜構造としては、従来表面はＡｓメッキを施し、Ａｌ４
の下地は特殊品を除いてＮｈ皮膜が多い。しかしながら
、前記の如く高信頼化により従来方法では要求を満足で
きないものが出て来ている。その−例として、ペレット
サイズの大型化に伴ないペレット付活の封止等の熱処理
で、ペレットがＡ％下地のＮｉ中より剥れる問題がある
。又、封止加熱により、Ａｗ−下地のＮｉが酸化し半田
付性が劣化する。
この様な問題を解決するために、特開昭５５−３４６９
２では、ＡＩ−の下地としてのＮ↓メッキをＮｉ−Ｃｏ
。
２では、ＡＩ−の下地としてのＮ↓メッキをＮｉ−Ｃｏ
。
合金メッキとし、耐熱性の向上、半田付性の改善をはか
ると共Ｊｇ、 Ａｕ使用量も減らしている。又、特開昭
５８−４９５５では、Ａ％Ｌの下地に拗メッキをバリア
として使用し、同様の効果を得ている。一方、１９８４
年のアイ・イー・イー・イー（ＩＢＥＥ）の第４６３〜
４６８頁に掲載された「フェイラー・オブ・ゴールド−
シリコン−ダイ−アタッチ・バイ・ザ・プレゼンス・オ
ンφニッケル・シリサイド・イン・ザ・ボンディング・
オン・ツージャー・サイズ・ダイス・ツー・セラミック
・チップーキャリャーズ（ＦＡＩＬＵＲＥ ＯＦ Ｇ
ＯＬＤ−８ＩＬＩＣＯＮ ＤＩＥ−ＡＴＴＡＣＨＢＹ
ＴＨＥ Ｐｉ（、Ｅ８ＥＮＣＥＯＦ ＮＩＣＫＢ
Ｌ ８ＩＬＩＣＩＤＥ ＩＮ ＴＨＥ ＢＯＮＤ
ＩＮＧ ＯＦ ＬＡＲＧＥＲ８ＩＺＢ ＤＩＣＥ
Ｔｏ ＣＢ）ＬＡＭＩＣＣＨＩＰ−ＣＡＲＲＩＥＲ８
）Ｊでは、大形ペレットを使用するとセラミック基板と
ペレットの熱膨張差より基板とペレット間の応力が大き
くなり、接続強度の弱いＮｉ中よりペレットが剥離する
ことを指摘している。このメカニズムはＡ％−８↓でペ
レット付した後、熱処理すると、８ＬがＮｉ中に拡散し
、Ｎｉ−８↓合金が生成される。Ｎｉ−８↓合金（金属
間化合物）は母金層（Ｎｉ）と結晶と不整合であり、こ
の境界に応力が発生し強度が劣下する。
ると共Ｊｇ、 Ａｕ使用量も減らしている。又、特開昭
５８−４９５５では、Ａ％Ｌの下地に拗メッキをバリア
として使用し、同様の効果を得ている。一方、１９８４
年のアイ・イー・イー・イー（ＩＢＥＥ）の第４６３〜
４６８頁に掲載された「フェイラー・オブ・ゴールド−
シリコン−ダイ−アタッチ・バイ・ザ・プレゼンス・オ
ンφニッケル・シリサイド・イン・ザ・ボンディング・
オン・ツージャー・サイズ・ダイス・ツー・セラミック
・チップーキャリャーズ（ＦＡＩＬＵＲＥ ＯＦ Ｇ
ＯＬＤ−８ＩＬＩＣＯＮ ＤＩＥ−ＡＴＴＡＣＨＢＹ
ＴＨＥ Ｐｉ（、Ｅ８ＥＮＣＥＯＦ ＮＩＣＫＢ
Ｌ ８ＩＬＩＣＩＤＥ ＩＮ ＴＨＥ ＢＯＮＤ
ＩＮＧ ＯＦ ＬＡＲＧＥＲ８ＩＺＢ ＤＩＣＥ
Ｔｏ ＣＢ）ＬＡＭＩＣＣＨＩＰ−ＣＡＲＲＩＥＲ８
）Ｊでは、大形ペレットを使用するとセラミック基板と
ペレットの熱膨張差より基板とペレット間の応力が大き
くなり、接続強度の弱いＮｉ中よりペレットが剥離する
ことを指摘している。このメカニズムはＡ％−８↓でペ
レット付した後、熱処理すると、８ＬがＮｉ中に拡散し
、Ｎｉ−８↓合金が生成される。Ｎｉ−８↓合金（金属
間化合物）は母金層（Ｎｉ）と結晶と不整合であり、こ
の境界に応力が発生し強度が劣下する。
従って、この界面よりペレット剥れが生ずる。対策とし
ては、Ｎｉ−８↓合金の生成を防止することが必要であ
る。上記の文献によれば、Ｎｉ−ＢＬ金合金玉シの拡散
が律則であることを究明しており、Ｎｉの拡散防止には
Ｎｂ上にバリア層を設けることが対策となることを述べ
ている。バリア層の設定には、Ｎｉ中にＣＯを添加する
方法及びＰを添加する方法が有り、メカニズムとしては
ＣＯはＳ＝と合金を作らないことがらＮｉ −Ｃｏが８
Ｌ中に拡散する拡散境界でＣ。
ては、Ｎｉ−８↓合金の生成を防止することが必要であ
る。上記の文献によれば、Ｎｉ−ＢＬ金合金玉シの拡散
が律則であることを究明しており、Ｎｉの拡散防止には
Ｎｂ上にバリア層を設けることが対策となることを述べ
ている。バリア層の設定には、Ｎｉ中にＣＯを添加する
方法及びＰを添加する方法が有り、メカニズムとしては
ＣＯはＳ＝と合金を作らないことがらＮｉ −Ｃｏが８
Ｌ中に拡散する拡散境界でＣ。
リッチ層が形成され、これがバリアとなりＮｉ−８↓合
金の成虫が防止される。Ｐについても同様のメカニズム
で防止すると言われている。又、他の金属にも同様の効
果が得られることを暗示しているｄ〔発明の目的〕 本発明の目的は電子部品、特に半導体用パッケージのペ
レット付性及び半田付性を向上し、高信頼度化を図るこ
とができる構造を提供することにあるＯ また他の目的はそのための構造を得る製法を提供するこ
とＫある。
金の成虫が防止される。Ｐについても同様のメカニズム
で防止すると言われている。又、他の金属にも同様の効
果が得られることを暗示しているｄ〔発明の目的〕 本発明の目的は電子部品、特に半導体用パッケージのペ
レット付性及び半田付性を向上し、高信頼度化を図るこ
とができる構造を提供することにあるＯ また他の目的はそのための構造を得る製法を提供するこ
とＫある。
パッケージは一般に表面はＡｗ下地にＮｉの構成を取り
ている。この構成を大幅に変更することは、予知し得な
い問題が発生する可能性が有り、バリア金属となり得る
金属を検討した結果、Ａｓに効果の有ることが判った。
ている。この構成を大幅に変更することは、予知し得な
い問題が発生する可能性が有り、バリア金属となり得る
金属を検討した結果、Ａｓに効果の有ることが判った。
そこで本発明は金属面上にＮｉ−Ａｓ合金属を設けるこ
とにより、Ｃｏと同様なメカニズムでＮｉ−８，、の形
成の防止、半田付性の向上・。
とにより、Ｃｏと同様なメカニズムでＮｉ−８，、の形
成の防止、半田付性の向上・。
更に耐熱性の向上を図れることができる。
以下、本発明の一実施例な第１図のフラットタイプ半導
体用パッケージにより説明する。
体用パッケージにより説明する。
半導体パッケージはグイボンデングバット２ａ。
ワイヤボンデングバット２ｂ及びリード付バット２Ｃを
有し、これらのバットはＷもしくはＭｏなどの高融点金
属を用い、アルミナセラミック１上にメタライズする。
有し、これらのバットはＷもしくはＭｏなどの高融点金
属を用い、アルミナセラミック１上にメタライズする。
これらはセラミックの焼結前にスクリーン印刷法などで
形成しておき、セラミツ。
形成しておき、セラミツ。
り１と同時焼結し、各バット２ａ〜２ｃが形成される。
その後バット上に１６皮膜３を無電解メッキ法などで形
成する。その後、リード付バット３にリード５を例えば
共晶銀ロウ４により接続する。
成する。その後、リード付バット３にリード５を例えば
共晶銀ロウ４により接続する。
次に電気Ｎ↓メッキをリード５も含めて全金属表面上に
施こす。メッキ厚は１〜６μｍ、メッキ浴はワット浴、
又はスルファミン酸浴で行なう。その後電気ＡＩＬメッ
キを０．５〜２μｍ施こす。例えばｇＢＪＡ製純ＡＳメ
ッキ液、テンペレックス４０１を使う。
施こす。メッキ厚は１〜６μｍ、メッキ浴はワット浴、
又はスルファミン酸浴で行なう。その後電気ＡＩＬメッ
キを０．５〜２μｍ施こす。例えばｇＢＪＡ製純ＡＳメ
ッキ液、テンペレックス４０１を使う。
次に、還元雰囲気中７００〜８００℃、５〜６０分加熱
処理を行う。これにより、Ｎｉ−Ａ％の合金膜７を形成
する。次に電気Ａ％メッキ８を再度行なう。これでパッ
ケージは完成する。
処理を行う。これにより、Ｎｉ−Ａ％の合金膜７を形成
する。次に電気Ａ％メッキ８を再度行なう。これでパッ
ケージは完成する。
以上はＮｉ −ＡＩ−合金膜を熱処理により形成する方
法の例を示したが、直接Ｎｉ −Ａｊ＆合金メッキ法（
ＥＥＪＡ製Ｎ↓−Ａ％合金メッキ液、オートロネクスＷ
。
法の例を示したが、直接Ｎｉ −Ａｊ＆合金メッキ法（
ＥＥＪＡ製Ｎ↓−Ａ％合金メッキ液、オートロネクスＷ
。
又はＮを使用、メッキ厚１〜６μｍ）でＮｉ−ＡｓＬ膜
を形成してもよい。
を形成してもよい。
尚、パッケージ完成后は、半導体組立を行う。
先ずペレット９をＡｍ−８Ｌ共晶ロウ１２でダイボンデ
ィングバットに接合し、ワイヤ１０を超音波又はネール
ヘッド法でボンデングした後、低融点ガラス１３でキャ
ップ１１でハーメチックシールを行う。次Ｋ ＩＪ−ド
５に必ｌ！に応じて迎え半田を行い組立が完成する。
ィングバットに接合し、ワイヤ１０を超音波又はネール
ヘッド法でボンデングした後、低融点ガラス１３でキャ
ップ１１でハーメチックシールを行う。次Ｋ ＩＪ−ド
５に必ｌ！に応じて迎え半田を行い組立が完成する。
本発明によれば、１０１１１１角のペレットサイズのも
のを、ｋｓＬ−ＳＬ付し、ワイヤボンディング后低融点
ガラス封止（４５０℃空気中）しても、ペレット付強饗
の劣下は無く、更に迎え半田のスレ性も非常に良好な結
果が得られるので、Ｎ、、−Ａｗ合金膜の効果は大きい
。
のを、ｋｓＬ−ＳＬ付し、ワイヤボンディング后低融点
ガラス封止（４５０℃空気中）しても、ペレット付強饗
の劣下は無く、更に迎え半田のスレ性も非常に良好な結
果が得られるので、Ｎ、、−Ａｗ合金膜の効果は大きい
。
本発明によれば、ペレット付性、半田付性が向上し、高
信頼度の亀子部品が得られる。
信頼度の亀子部品が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図であるっ１・・
・セラミック基板 ２３〜２Ｃ・・・メタライズ層
・セラミック基板 ２３〜２Ｃ・・・メタライズ層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金属面上にＮｉ−Ａｕ合金層を形成したことを特徴
とする電子部品構造。 ２、金属面上にＮｉメッキを施こし、その上にＡｕメッ
キを施こした後、加熱処理し、上記金属面上にＮｉ−Ａ
ｕ合金属を形成することを特徴とする電子部品の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60036338A JPH0762273B2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60036338A JPH0762273B2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61195991A true JPS61195991A (ja) | 1986-08-30 |
| JPH0762273B2 JPH0762273B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=12467041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60036338A Expired - Lifetime JPH0762273B2 (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762273B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6225569B1 (en) | 1996-11-15 | 2001-05-01 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring substrate and method of manufacturing the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49122828A (ja) * | 1973-03-29 | 1974-11-25 | ||
| JPS59219495A (ja) * | 1983-05-28 | 1984-12-10 | Masami Kobayashi | 半田性を付与したステンレス鋼製品 |
| JPS6033363A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-20 | Nippon Dento Kogyo Kk | 貴金属メッキ方法 |
| JPS6196088A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Masami Kobayashi | Ｎｉ−Ｆｅ合金ＩＣ用リ−ドフレ−ムの製造法 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP60036338A patent/JPH0762273B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49122828A (ja) * | 1973-03-29 | 1974-11-25 | ||
| JPS59219495A (ja) * | 1983-05-28 | 1984-12-10 | Masami Kobayashi | 半田性を付与したステンレス鋼製品 |
| JPS6033363A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-20 | Nippon Dento Kogyo Kk | 貴金属メッキ方法 |
| JPS6196088A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Masami Kobayashi | Ｎｉ−Ｆｅ合金ＩＣ用リ−ドフレ−ムの製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6225569B1 (en) | 1996-11-15 | 2001-05-01 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring substrate and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0762273B2 (ja) | 1995-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59155950A (ja) | 半導体装置用セラミックパッケージ | |
| JPS6050343B2 (ja) | 半導体装置製造用リ−ドフレ−ム | |
| JPS584955A (ja) | 金めつきされた電子部品パツケ−ジ | |
| JPH01257356A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
| JPS61195991A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| KR900003472B1 (ko) | 전자부품의 도금방법 | |
| JP2001210776A (ja) | 半導体装置とその製造方法及びリードフレームとその製造方法 | |
| JPS5933851A (ja) | 気密封止半導体容器 | |
| JP2000068396A (ja) | ハーメチックシール用カバー | |
| JPH03274755A (ja) | 樹脂封止半導体装置とその製造方法 | |
| JPS628532A (ja) | 金メツキされた電子部品パツケ−ジ | |
| JPS62131526A (ja) | 金めつきされた電子部品 | |
| JPS6083356A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS639957A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム | |
| JPH04137552A (ja) | リードフレーム | |
| JP4123719B2 (ja) | テープキャリアおよびこれを用いた半導体装置 | |
| JPS60143636A (ja) | 電子部品 | |
| JPS6050342B2 (ja) | 半導体装置製造用リ−ドフレ−ム | |
| JP3215851B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造法 | |
| WO2024047959A1 (ja) | 半導体装置及び接合方法 | |
| JPH01115151A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS63293951A (ja) | 半導体素子電極構造 | |
| TW200305266A (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing the same | |
| JPS60165745A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS628533A (ja) | 金めつきされた電子部品パツケ−ジ |