JPS61198730A - 半導体装置製造のエツチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体製造のエツチング工程において、サイ
ドエツチングを防止するエツチング方法に関する。

（従来技術） 半導体装置を製造する過程において、例えば第３図示す
ように、フォトマスキング処理により得られたレジスト
１のパターンを使用し、そのレジスト１の開口窓２から
エツチングによりシリコン酸化膜（Ｓｉ０２）３を除去
して、そこに開口窓を形成しようとする場合、現在のケ
ミカルエツチング（ウェットエツチング）では、そのエ
ツチングが酸化１！＋１！３において等方向に縦横方向
に行われるために、その酸化膜３に形成される開口窓４
の横方向の拡がりが、マスクとしてのレジスト１の開口
窓２の形状よりも大きくなり、即ちサイドエツチングが
起り、マスクパターンの精度が損なわれるという問題が
ある。５はシリコン基板である。

（発明の目的） 本発明はかかる点に鑑みて成されたもので、その目的は
、上記したようなサイドエツチングが防止されるように
したエツチング方法を提供することである。

（発明の構成） このために本発明は、エツチングによって除去すべき部
分にエツチングレートを向上させる物質を予めイオン注
入し、その後にエツチングにより上記部分を除去するよ
うにしている。

（実施例） 以下、本発明の実施例について説明する。本実絶倒にお
いては、まず、通常のフォトマスキン々゛通りに、シリ
コン基板（素子形成用にエピタキシャル成長層が形成さ
れている。）５の上に形成した酸化膜３の上にレジスト
１を塗布し、フォトマスクによりそのレジスト１を露光
し、その後の現像により開口窓２を形成し、その後の定
着によりレジスト１を安定化させる。

次に第１図に示すように、イオン注入機により、エツチ
ングレートを向上させる物質６を、レジスト１の開口窓
２から注入する。この場合、エツチング対象がシリコン
酸化膜３であるので、その注入物質としては、リン（Ｐ
）が好適である。この際、注入物質が被エツチング物質
である酸化膜３の中で停まるようにする。

そして、次に弗酸等のエツチング液を使用する通常のウ
ェットエツチングにより、開口窓２から露出する酸化膜
３の部分をエツチングすると、その酸化膜３における物
質６の注入された部分が他の注入されない部分に対して
エツチング進行速度が相当速くなるので、その酸化膜２
の厚み方向と直角方向、つまり横方向への工・ノチング
があまり進行しない間に、縦方向へのエツチングが完了
してしまう。よって、第２図に示すように、レジスト１
の開口窓２に正確に対応した開口窓７が形成されるよう
になる。レジスト１はこの後除去する。

なお、以上はシリコン酸化膜３を対象としているが、他
の部分でもその部分に対してエツチングレートを向上さ
せる物質を予めイオン注入しておけば、サイドエッチを
防ぐことができ、マスクパターンに正確に対応したエツ
チングを行うことができるようになる。

（発明の効果） 以上のように、本発明によれば、サイドエツチングを防
止することができるので、マスクパターンの精度を充分
発揮させることができるという特徴がある。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の一実施例のエツチング方法
の説明のための半導体装置の断面図、第３図は従来のエ
ツチングによる半導体装置の断面図である。 １・・・レジスト、２・・・開口窓、３・・・シリコン
酸化膜、４・・・開口窓、５・・・シリコン基板、６・
・・注入物質、７・・・開口窓。 特許出１頭人　新日本無線株式会社 代　理　人　弁理士　　長尾常明 第１図 第２図 １３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）、半導体装置製造において、エッチングによって
   除去すべき部分にエッチングレートを向上させる物質を
   予めイオン注入し、その後にエッチングにより上記部分
   を除去するようにしたエッチング方法。