JPS61199636A - テ−パ形成法 - Google Patents

テ−パ形成法

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Publication number
JPS61199636A
JPS61199636A JP60038709A JP3870985A JPS61199636A JP S61199636 A JPS61199636 A JP S61199636A JP 60038709 A JP60038709 A JP 60038709A JP 3870985 A JP3870985 A JP 3870985A JP S61199636 A JPS61199636 A JP S61199636A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
photosensitive polyimide
taper angle
resin film
developing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60038709A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuo Yoshimoto
吉本 光雄
Akihiro Kenmochi
釼持 秋広
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60038709A priority Critical patent/JPS61199636A/ja
Publication of JPS61199636A publication Critical patent/JPS61199636A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00Etching of wafers, substrates or parts of devices

Landscapes

  • Magnetic Heads (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は樹脂膜のテーパ形成法に係り、パターン段差部
のテーバが特性に影響を及ぼすような薄膜デバイスの樹
脂膜パターンのテーパを小さく形成する方法に関する。
〔発明の背景〕
樹脂膜リテーパを小さくする方法としては、汀i用他に
よる「薄膜磁気ヘッド絶縁層用PIQのテーパエツチン
グ」と題する文献にふ・いて論じられている。しかし、
この方法においてはテーパ角が25°以下憂こついては
達成されていない。
また、この方法はホトレジストを用いているため工程が
多い。
〔発明の目的〕
本発明の目的は樹脂膜パターンのテーパ角を従来よりも
小さくできるテーバ形成法を提供することにるる。
また、感光性ポリイミドを用いること曇こよって従来よ
りも工程数が少なく生産合理化か可能な方法を提供する
ことにある。
(発明の概要」 感光性ポ、リイミドの一例としてPhoto−PAL 
(日立化成商品名)のテーパ角の現像時間依存性を第2
図に示す。また第3図に現像時間毎のスルホール形状を
示す。第2図の破線で示した部分はスルホールが第3図
のdで示したようにスルホール形成かでさていないため
従来注目されていない範囲でめった。しかし、テーパ角
は小さくなることが推定さ2’したので、現像時間が短
かい範囲でパターン形成するために初期膜厚を小さくす
ることによジスルホール形成が可能となるよりにしたと
ころデーパ角が小さくなることが確認できた。
本発明の概要を第1図によ#)!2明する。図は感光性
ポリイミドのテーバ形成法の工程図を示して2す、(a
)感光性ポリイミドスピン塗布、(b)プリベーク、(
C)露光、(d)現像、(e)キュアの工程によってパ
ターン形成が可能となる。プロセス条件は、Photo
−PALを用いた場合、(C)が50〜400mJ/a
n2、(d)が10〜120秒であり、(a)は所要膜
厚。
材料粘度によって設定すればよく、その他の条件は従来
のPhoto−PALのパターン形成工程と同様である
。そして、露光量と現像時間の条件によってテーパ角を
3〜20°の範囲でコントロール可能である。
〔発明の実施例」 以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。感光
性ポリイミドとしてPhoto−PAL (日立化成商
品名)、基板として2インチφガーネットウェハにAu
パターンを形成したものを用い、各工程の7′ロtス条
件は(a) Photo−PAL 、 350Orpm
 。
30秒(材料粘g 0.5 Pa−5)、(bJ 85
℃、20分、(e)2dOmJ /bML2、(d) 
25℃、30秒、(e) 200℃、座中(30分)、
+550’に *山中(30分)である。
本実施例によりテーパ角は4〜7°に形成できたO 本実施例ではPhoto−PALを用いたが、他の感光
性ポリイミドfこ対しても不発明のテーバ形成法が適用
できるCとはもちろんでめる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、樹脂膜のテーパ角を5〜20゜の範囲
で小さくすることが可能であり、従来のレジストを用い
た方法よりも工程数を約Iにすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による形成物の断面図、第2
図は従来例を示す秀性図、第3図は同じく説明図である

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、配線基板と樹脂膜とからなる基板において、樹脂膜
    に感光性ポリイミドを用い、感光性ポリイミドの現像時
    間を通常の約1/4以下でパターン形成できるように現
    像前の膜厚を設定し、露光量を大きくすることによつて
    、パターンのテーパ角を小さくすることを特徴とするテ
    ーパ形成法。
JP60038709A 1985-03-01 1985-03-01 テ−パ形成法 Pending JPS61199636A (ja)

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JPS61199636A true JPS61199636A (ja) 1986-09-04

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