JPH02236809A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 本発明は、面内記録再生用または垂直記録再生用の薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関し、導体コイル膜を支持する
有機絶縁膜を、ノボラック樹脂系フォトレジストを使用
して形成する場合に、そのキュア工程を、第１段階が１
２０℃〜１４０℃、次の第２段階が１７０℃〜１９０℃
、次の第３段階が２００℃〜３２０℃の３段階キュア工
程とすることにより、キュア工程において、ノボラツク
樹脂系フォトレジストでなる絶縁膜を軟化させることな
く、硬化させ、絶縁膜の軟化による導体コイル膜のパタ
ーン崩れを防止するようにしたものである。

く従来の技術〉 薄膜磁気ヘッドとしては、面内記録再生用と垂直記録再
生用の２種類の方式のものが知られている。第１図は従
来より知られた面内記録再生用薄膜磁気ヘッドの要部の
断面図で、１は基体、２は下部磁性膜、３はアルミナ等
でなるギャップ膜、４は上部磁性膜、５１、５２は導体
コイル膜、６１〜６３はノボラック樹脂系フォトレジス
トで構成された有機絶縁膜、７はアルミナ等の保護膜で
ある。

基体１は、Ａｌ２０３・ＴｉＣ等のセラミック基体１０
１の上にアルミナ等の絶縁膜１０２を被着させた構造と
なっている。

下部磁性膜２及び上部磁性膜４の先端部はギャップ膜３
を隔てて対向するボール部２１、４１となっており、こ
のボール部２１、４１において読み書きを行なう．ボー
ル部２１、４１に連続するヨーク部２２、４２は、ボー
ル部２１、４１とは反対側の結合部で、互いに結合され
ている。

導体コイル膜５１、５２は上述の結合部を渦巻状にまわ
るように配置され、互いに直列に接続されている。

上述の薄膜磁気ヘッドは、フォトリソグラフイと呼ばれ
る薄膜パターン形成技術によって製造される。その製造
工程のうち、導体コイル膜及び有機絶縁膜の形成工程の
概略を第２図に示してある。

まず、第２図（ａ）の工程では、基板１の上に下部磁性
膜２及びギャップ膜３を形成した後、ノボラック樹脂系
フォトレジストでなるネガタイプまたはボジタイブレジ
スト膜６１をコーティングし、９０℃、３０分の条件で
ソフトベークを行ない、露光、現像及び水洗の処理を施
す．続いて、１３０℃、１時間の熱処理及び２２０℃、
１時問の熱処理をそれぞれ行なって有機絶縁膜６１を形
成する。従って、有機絶縁１１！６１のキュア工程は、
第１段階が１３０℃、第２段階が２２０℃の２段階キュ
ア工程となる。

次に、第２図（ｂ）の工程では、有機絶縁膜６１の表面
にＣ　Ｕ　／　Ｔ　ｉの材料をスパッタリングして、下
地導体膜５１Ａを形成する。

次に、第２図（ｃ）に示すように、下地導体膜５１Ａの
表面にネガまたはボジレジスト膜６２Ａを塗布し、９０
℃、３０分の条件でソフトベークを行なった後、第２図
（ｄ）に示すように、レジスト膜６２Ａの上にフオトマ
ス８を位置決めし、露光を行なう．これにより、第２図
（ｅ）に示すように、フォトマスク８のパターンと一致
した露光パターンが得られる． 次に、第２図（ｆ）に示すように、Ｃｕメツキ膜５１Ｂ
を、例えば２．５μｍの厚さで、レジスト膜６２Ａの除
去された部分６２Ｂに付着させる． 次に、レジスト膜６２Ａを剥離し、剥離されたレジスト
膜６２Ａの下にある下地導体＠５１Ａをイオンミーリン
グで除去して、第２図（ｆ）に示すように、有機絶縁１
ｊ６１の上に導体コイル膜５１を形成する． この後、第２図（ａ）〜（ｆ）の工程を繰返し、有機絶
緑膜６２、導体コイル膜５２及び有機絶縁膜６３を積層
形成する。そして、有機絶縁膜６３の表面に第１図に示
した上部磁性膜を形成し、その上から保護膜をスパッタ
リング等の手段によって付着させる． く発明が解決しようとする課題〉 ところが、２段階キュア工程をとった従来の製造方法で
は、有機絶縁膜６１〜６３がパターン崩れを起し、これ
が原因となって導体コイル膜５１、５２のパターン崩れ
を招き、断線、短絡等の原因となっていることが分った
。有機絶縁膜６１〜６３のパターン崩れの原因は、次の
ように推測される。

有機絶縁膜６１〜６３を構成するノボラツク樹脂系フォ
トレジストは、温度条件によって、熱軟化性となったり
、熱硬化性となったりするという極めて複雑な特性を有
している。このような複雑な特性を有するノボラック樹
脂系フォトレジストに対して、従来は、第１段階１３０
℃、第２段階２２０℃の２段階キュア工程をとっていた
ため、キュア工程において、ノボラック樹脂系フォトレ
ジストの軟化温度条件が満たされ、ノボラック樹脂系フ
ォトレジストが流動し、パターン崩れを生じてしまうも
のと推測される。

そこで、本発明の課題は、ノボラック樹脂系フォトレジ
ストでなる絶縁膜を軟化させることなく硬化させ、絶縁
膜軟化による導体コイル膜のパターン崩れを防止するよ
うにした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することであ
る。

く課題を解決するための手段〉 上述する課題を解決するため、本発明は、基体の上にノ
ボラック樹脂系フォトレジストにより、導体コイル膜を
支持する有機絶縁膜を形成する際に、前記有機絶縁膜は
、第１段階が１２０℃〜１４０℃、次の第２段階は１フ
Ｏ℃〜１９０℃、次の第３段階は２００℃〜３２０℃の
３段階キュア工程で形成することを特徴とする。

く作用〉 ノボラック樹脂系フォトレジストは、第１の軟化温度と
、それよりも高い第２の軟化温度とを有することが分っ
た．これらの軟化温度は、ノボラック樹脂に添加される
感光樹脂の種類にもよるが、第１の軟化温度は１４０℃
前後で、第２の軟化温度は１９０℃前後であることも判
明した。また、３２０℃を越えると、ノボラツク樹脂自
体が熱分解を起すことも分った。

そこで、本発明は、第１段階で、ノボラツク樹脂系フォ
トレジストが熱軟化を起す第１の軟化温度寸前の１２０
℃〜１４０℃の温度で熱処理して、ノボラック樹脂系フ
ォトレジストを予備的に硬化させる。

次の第２段階では、第１の軟化温度を越え、第２の軟化
温度寸前の温度１７０℃〜１９０℃で熱処理して、予備
的に硬化させる。

そして、次の第３段階で、第２の軟化温度を越えノボラ
ック樹脂の熱分解温度よりは低い２００℃〜３２０℃で
熱処理して、最終的にキュアさせる。

従って、本発明によれば、ノボラック樹脂系フォトレジ
ストを、軟化、流動及びパターン崩れを生じさせること
なく硬化させ、所定のパターンを有する有機絶縁膜を形
成することができる。

例えば有機絶縁膜６１を形成する場合を例にとって説明
すると、第２図（ａ）の工程において、基板１の上に下
部磁性膜２及びギャップ膜３を形成し、更に、ノボラッ
ク樹脂系フォトレジストでなるボジタイブレジスト膜６
１をコーティングし、９０℃、３０分の条件でソフトベ
ークを行ない、露光、現像及び水洗の処理を施す。

この後、従来は、８０℃、！時間の熱処理及び２２０℃
、１時間の熱処理をそれぞれ行なって有機絶縁膜６１を
形成していたが、本発明では、第１段階が１２０℃〜１
４０℃、次の第２段階が１７０℃〜１９０℃、次の第３
段階が２００℃〜３２０℃の３段階キュア工程とする。

時間的条件は、各段階とも１時間程度が適当である。

有機絶縁膜６２、６３のキュア工程も同様にして行なう
。従って、本発明によれば、有機絶縁膜６１〜６３に熱
軟化を生じさせることなく、熱硬化させることができる
。

本発明は、面内記録再生用薄膜磁気ヘッドのみならず、
垂直記録再生用薄膜磁気ヘッドにも同様に適用が可能で
ある． 〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、基体の上に、ノボラック樹脂系フォトレジスト
により、導体コイル膜を支持する有機絶縁膜を形成する
際に、有機絶縁膜は、第１段階が１２０℃〜１４０℃、
次の第２段階が１７０℃〜１９０℃、次の第３段階が２
００℃〜３２０℃の３段階キュア工程で形成するように
したから、ノボラック樹脂系フォトレジストでなる絶縁
膜を軟化させることなく硬化させ、絶縁膜軟化による導
体コイル膜のパターン崩れを防止するようにした薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄膜磁気ヘッドの要部における断面図、第２図
（ａ）〜（ｇ）は薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す断面
図である。 １・・・基体　　　　　２・・・下部磁性膜５、５１、
５２・・・導体コイル膜 ６１〜６３・・・有機絶縁膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基体の上に、ノボラック樹脂系フォトレジストにより
   、導体コイル膜を支持する有機絶縁膜を形成する際に、
   前記有機絶縁膜は、第１段階が１２０℃〜１４０℃、次
   の第２段階が１７０℃〜１９０℃、次の第３段階が２０
   ０℃〜３２０℃の３段階キュア工程で形成することを特
   徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。