JPS6120694A - ボンデイングワイヤ− - Google Patents

ボンデイングワイヤ−

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JPS6120694A
JPS6120694A JP59139109A JP13910984A JPS6120694A JP S6120694 A JPS6120694 A JP S6120694A JP 59139109 A JP59139109 A JP 59139109A JP 13910984 A JP13910984 A JP 13910984A JP S6120694 A JPS6120694 A JP S6120694A
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JP
Japan
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wire
conductivity
ball
bonding wire
bonding
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JP59139109A
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JPH0520494B2 (ja
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Shigemi Yamane
山根 茂美
Koichiro Atsumi
幸一郎 渥美
Tetsuo Ando
安藤 鉄男
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPH0520494B2 publication Critical patent/JPH0520494B2/ja
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026Alloys based on copper
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550°C
    • B23K35/302Cu as the principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
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    • HELECTRICITY
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    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • HELECTRICITY
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    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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  • Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、銅系ポンディングワイヤーに関する。
〔発明の技術的背景及びその問題点〕
ICやT、 S I等の半導体素子の内部では、例えば
、図面に示すように、半導体チップ+11及びリードフ
ィンガー(2)が設けられており、これらを線径10〜
100μ程度のポンディングワイヤー(3)で結ぶ借造
となっている。
このボンディングワイヤー(3)の接合方法としては、
まずワイヤーの先端をポール状に加熱溶融させ、次にこ
のポール状の先端を半導体チップ0)に圧接し、更に弧
を描くようにワイヤーを延ばし、300〜350℃に加
熱されたリードフィンガー(2)にワイヤーの一部を再
度圧接し、切断するこきにより、半導体チップ(1)と
リードフィンガー(2)とを結線するものである。
この種のボンディングワイヤーとして導η。
性、ワイヤー伸び、ワイヤー強度、半導体チップとの接
合強度(以下ポール接合強度と称す。)及びボール形成
性が要求されており、従来から主lこ金線が使用されて
いる。
しかし、近年、価格及び導電性の点からボンディングワ
イヤーとして、鋼船を用いる訊みがなされているか、銅
線を用いて熱圧接を行なうと、ボール接合強度が十分量
ない場合がしばしばあり、一方、この点を改善しようと
すると、導電性が低下し、双方の特性を満足する銅リー
ドワイヤーが得られなか′った。
〔発明の目的〕
本発明は、ボール接合強度が良好でかつ導m性が良好な
鋼リードワイヤーを提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明者らC:、ボンデインクワイヤーについて鋭意イ
υf究した結果、ボンディング強度の低下は、主に形成
されたボール中のガスにより生じることを見い出した。
即ち、半導体チップ上にこのボールが圧接された際、カ
スによる空洞が接合部に位置し、。
接合強度を低下させること及びこの現象は詩に鋼線で発
生しやすいことを見い出した。
本発明は、これらの知見をもとに完成されたものである
。 ゛ 本発明は、HF3 + S n + Z n r l 
r r A gCr及びFeから選択された1植又は2
独以上の元素を0.001重社%以上、0,1重量%未
7+i4含有し、残部が実質的に鋼であるボンディング
ワイヤーを提供する。
即ち、これら添加元素は、合金中のH,、O。
N、Cを&!!1定し、N2.O□、N2及びCOガス
の発生を抑制する。
しかし、これらの添加量が多すぎると、導電性を低下さ
せ、−力受なすぎると、効果が生じにくい、したがって
、上記添加元素の成分範囲は0.001〜0.1重ty
%未前、更には0.01〜0.05重量%が好ましい。
上記添加元素のうぢでも、A g 、 Z r及びCr
は、導電性をあまり低下させず、ガス発生防止効果が商
い。しかし、こn、らの徐刀口景も多すぎると、導電性
を低下させ、−力受なすきると、効果が生じにくい。し
たがって、その成分範囲は0.005〜0.08重±1
4%、史には0007〜0.05重量%が好才しい。
なお、本発明のワイヤーは被覆されて使用されてもよい
以上述べたワイヤーの製造方法を次に述べる。まず、成
分元素を添加して溶解鋳造してインゴットfK8、次に
このインボラトラ700〜800°Cで熱間加工し、そ
の後900〜960℃で熱処理し、急冷後、60%以上
の冷間加工を施し、400〜600℃で熱処理を施す。
それにより、所望のワイヤーか得られる。
〔発明の実施例〕
本発明の実施例について説明する。第1表にボす成分の
リードワイヤーを製造し、その特1クトとして、導電性
、初期ボール硬度、ワイ−1=−の伸び、ワイヤー強度
、ボール接合強度及びボール形成性を測定した。
初期ボール硬度は、ボール圧着時の硬度をいい、Ir1
.i 1(J−が低いほど、圧着性は良好となる。
又、ワイヤーの伸びは、ワイヤーが破断する迄の伸びを
いい、伸びが太きいはと、断線率が低い。
又、ボール接合強度は、熱圧着されているリードワイヤ
ーの接合部に、つり針状のカギをかけ、真横に引っばっ
て、接合部をせん断破壊させるまでの荷重(gf)を測
定することにより、得られる。
又、ボール形成性は、ワイヤーの先端がボール状に溶融
した際、酸比するかどうか、空洞ができるかどうか、ボ
ールの径のバラツキが大きいか小さいかという事を測定
するこきにより、判断される。
まず、導電性に関しては、実施例(1)〜(5)及び比
較例(1)がAu線より高い導電性を示し、極めて有用
である。
又、初期ボール硬度に関しては、実施例(1)〜(5)
及び比較例(4)がビッカース硬度90以下を示し、実
用的である。
又、ワイヤーの伸びに関しては、実施例(1)〜(5)
及び比較例(11、+31がAu線より大きい伸びを示
し、有用である。
又、ワイヤー強度に関しては、実施例(1)〜(5)及
び比較例(1)〜(3)がA u @より大きい強度を
示し、有用である。
又、ボール接合強度に関して、実施例(1)〜(5)及
び比較例(2)〜(4)は、接合強度が65 (#f)
以上あり、実用的である。
又、ボール形成性は、すべて良好である。
以上の各特性を総合的に考慮すると、本発明の実施例+
1)〜(5)は比較例(1)〜(4)に比べて、優れて
いる。
以下余白 〔発明の効果〕 本発明は、B e + S n * Z n 、 Z 
r + A gQr及びFθから選択された1種又は2
独以上の元二・:、を0001重俵%以。ヒ、0.1重
′r1十%未びく含有さぜることにより、ポール接合強
度が良好でかp心電性が良好な銅系リードワイヤーをに
l、′:供できる。
【図面の簡単な説明】
図面d゛、半傅体薯ξ子の一部切り欠き斜視1シ1であ
る。 1 半導体チップ 2 リードフィンガー 3−ポンディングワイヤー 4・・J<i#脂上モール

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)Be、Sn、Zn、Zr、Ag、Cr及びFeか
    ら選択された1種又は2種以上の元素を0.001重量
    %以上、0.1重量%未満含有し、残部が実質的に銅で
    あるボンディングワイヤー。
  2. (2)Ag、Cr及びZrから選択された1種又は2種
    以上の元素を0.005〜0.08重量%含有し、残部
    が実質的に銅である特許請求の範囲第1項に記載のボン
    ディングワイヤー。
JP59139109A 1984-07-06 1984-07-06 ボンデイングワイヤ− Granted JPS6120694A (ja)

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