JPS6120694A - ボンデイングワイヤ− - Google Patents
ボンデイングワイヤ−Info
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- JPS6120694A JPS6120694A JP59139109A JP13910984A JPS6120694A JP S6120694 A JPS6120694 A JP S6120694A JP 59139109 A JP59139109 A JP 59139109A JP 13910984 A JP13910984 A JP 13910984A JP S6120694 A JPS6120694 A JP S6120694A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- conductivity
- ball
- bonding wire
- bonding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
- H01B1/026—Alloys based on copper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550°C
- B23K35/302—Cu as the principal constituent
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5525—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、銅系ポンディングワイヤーに関する。
ICやT、 S I等の半導体素子の内部では、例えば
、図面に示すように、半導体チップ+11及びリードフ
ィンガー(2)が設けられており、これらを線径10〜
100μ程度のポンディングワイヤー(3)で結ぶ借造
となっている。
、図面に示すように、半導体チップ+11及びリードフ
ィンガー(2)が設けられており、これらを線径10〜
100μ程度のポンディングワイヤー(3)で結ぶ借造
となっている。
このボンディングワイヤー(3)の接合方法としては、
まずワイヤーの先端をポール状に加熱溶融させ、次にこ
のポール状の先端を半導体チップ0)に圧接し、更に弧
を描くようにワイヤーを延ばし、300〜350℃に加
熱されたリードフィンガー(2)にワイヤーの一部を再
度圧接し、切断するこきにより、半導体チップ(1)と
リードフィンガー(2)とを結線するものである。
まずワイヤーの先端をポール状に加熱溶融させ、次にこ
のポール状の先端を半導体チップ0)に圧接し、更に弧
を描くようにワイヤーを延ばし、300〜350℃に加
熱されたリードフィンガー(2)にワイヤーの一部を再
度圧接し、切断するこきにより、半導体チップ(1)と
リードフィンガー(2)とを結線するものである。
この種のボンディングワイヤーとして導η。
性、ワイヤー伸び、ワイヤー強度、半導体チップとの接
合強度(以下ポール接合強度と称す。)及びボール形成
性が要求されており、従来から主lこ金線が使用されて
いる。
合強度(以下ポール接合強度と称す。)及びボール形成
性が要求されており、従来から主lこ金線が使用されて
いる。
しかし、近年、価格及び導電性の点からボンディングワ
イヤーとして、鋼船を用いる訊みがなされているか、銅
線を用いて熱圧接を行なうと、ボール接合強度が十分量
ない場合がしばしばあり、一方、この点を改善しようと
すると、導電性が低下し、双方の特性を満足する銅リー
ドワイヤーが得られなか′った。
イヤーとして、鋼船を用いる訊みがなされているか、銅
線を用いて熱圧接を行なうと、ボール接合強度が十分量
ない場合がしばしばあり、一方、この点を改善しようと
すると、導電性が低下し、双方の特性を満足する銅リー
ドワイヤーが得られなか′った。
本発明は、ボール接合強度が良好でかつ導m性が良好な
鋼リードワイヤーを提供することを目的とする。
鋼リードワイヤーを提供することを目的とする。
本発明者らC:、ボンデインクワイヤーについて鋭意イ
υf究した結果、ボンディング強度の低下は、主に形成
されたボール中のガスにより生じることを見い出した。
υf究した結果、ボンディング強度の低下は、主に形成
されたボール中のガスにより生じることを見い出した。
即ち、半導体チップ上にこのボールが圧接された際、カ
スによる空洞が接合部に位置し、。
スによる空洞が接合部に位置し、。
接合強度を低下させること及びこの現象は詩に鋼線で発
生しやすいことを見い出した。
生しやすいことを見い出した。
本発明は、これらの知見をもとに完成されたものである
。 ゛ 本発明は、HF3 + S n + Z n r l
r r A gCr及びFeから選択された1植又は2
独以上の元素を0.001重社%以上、0,1重量%未
7+i4含有し、残部が実質的に鋼であるボンディング
ワイヤーを提供する。
。 ゛ 本発明は、HF3 + S n + Z n r l
r r A gCr及びFeから選択された1植又は2
独以上の元素を0.001重社%以上、0,1重量%未
7+i4含有し、残部が実質的に鋼であるボンディング
ワイヤーを提供する。
即ち、これら添加元素は、合金中のH,、O。
N、Cを&!!1定し、N2.O□、N2及びCOガス
の発生を抑制する。
の発生を抑制する。
しかし、これらの添加量が多すぎると、導電性を低下さ
せ、−力受なすぎると、効果が生じにくい、したがって
、上記添加元素の成分範囲は0.001〜0.1重ty
%未前、更には0.01〜0.05重量%が好ましい。
せ、−力受なすぎると、効果が生じにくい、したがって
、上記添加元素の成分範囲は0.001〜0.1重ty
%未前、更には0.01〜0.05重量%が好ましい。
上記添加元素のうぢでも、A g 、 Z r及びCr
は、導電性をあまり低下させず、ガス発生防止効果が商
い。しかし、こn、らの徐刀口景も多すぎると、導電性
を低下させ、−力受なすきると、効果が生じにくい。し
たがって、その成分範囲は0.005〜0.08重±1
4%、史には0007〜0.05重量%が好才しい。
は、導電性をあまり低下させず、ガス発生防止効果が商
い。しかし、こn、らの徐刀口景も多すぎると、導電性
を低下させ、−力受なすきると、効果が生じにくい。し
たがって、その成分範囲は0.005〜0.08重±1
4%、史には0007〜0.05重量%が好才しい。
なお、本発明のワイヤーは被覆されて使用されてもよい
。
。
以上述べたワイヤーの製造方法を次に述べる。まず、成
分元素を添加して溶解鋳造してインゴットfK8、次に
このインボラトラ700〜800°Cで熱間加工し、そ
の後900〜960℃で熱処理し、急冷後、60%以上
の冷間加工を施し、400〜600℃で熱処理を施す。
分元素を添加して溶解鋳造してインゴットfK8、次に
このインボラトラ700〜800°Cで熱間加工し、そ
の後900〜960℃で熱処理し、急冷後、60%以上
の冷間加工を施し、400〜600℃で熱処理を施す。
それにより、所望のワイヤーか得られる。
本発明の実施例について説明する。第1表にボす成分の
リードワイヤーを製造し、その特1クトとして、導電性
、初期ボール硬度、ワイ−1=−の伸び、ワイヤー強度
、ボール接合強度及びボール形成性を測定した。
リードワイヤーを製造し、その特1クトとして、導電性
、初期ボール硬度、ワイ−1=−の伸び、ワイヤー強度
、ボール接合強度及びボール形成性を測定した。
初期ボール硬度は、ボール圧着時の硬度をいい、Ir1
.i 1(J−が低いほど、圧着性は良好となる。
.i 1(J−が低いほど、圧着性は良好となる。
又、ワイヤーの伸びは、ワイヤーが破断する迄の伸びを
いい、伸びが太きいはと、断線率が低い。
いい、伸びが太きいはと、断線率が低い。
又、ボール接合強度は、熱圧着されているリードワイヤ
ーの接合部に、つり針状のカギをかけ、真横に引っばっ
て、接合部をせん断破壊させるまでの荷重(gf)を測
定することにより、得られる。
ーの接合部に、つり針状のカギをかけ、真横に引っばっ
て、接合部をせん断破壊させるまでの荷重(gf)を測
定することにより、得られる。
又、ボール形成性は、ワイヤーの先端がボール状に溶融
した際、酸比するかどうか、空洞ができるかどうか、ボ
ールの径のバラツキが大きいか小さいかという事を測定
するこきにより、判断される。
した際、酸比するかどうか、空洞ができるかどうか、ボ
ールの径のバラツキが大きいか小さいかという事を測定
するこきにより、判断される。
まず、導電性に関しては、実施例(1)〜(5)及び比
較例(1)がAu線より高い導電性を示し、極めて有用
である。
較例(1)がAu線より高い導電性を示し、極めて有用
である。
又、初期ボール硬度に関しては、実施例(1)〜(5)
及び比較例(4)がビッカース硬度90以下を示し、実
用的である。
及び比較例(4)がビッカース硬度90以下を示し、実
用的である。
又、ワイヤーの伸びに関しては、実施例(1)〜(5)
及び比較例(11、+31がAu線より大きい伸びを示
し、有用である。
及び比較例(11、+31がAu線より大きい伸びを示
し、有用である。
又、ワイヤー強度に関しては、実施例(1)〜(5)及
び比較例(1)〜(3)がA u @より大きい強度を
示し、有用である。
び比較例(1)〜(3)がA u @より大きい強度を
示し、有用である。
又、ボール接合強度に関して、実施例(1)〜(5)及
び比較例(2)〜(4)は、接合強度が65 (#f)
以上あり、実用的である。
び比較例(2)〜(4)は、接合強度が65 (#f)
以上あり、実用的である。
又、ボール形成性は、すべて良好である。
以上の各特性を総合的に考慮すると、本発明の実施例+
1)〜(5)は比較例(1)〜(4)に比べて、優れて
いる。
1)〜(5)は比較例(1)〜(4)に比べて、優れて
いる。
以下余白
〔発明の効果〕
本発明は、B e + S n * Z n 、 Z
r + A gQr及びFθから選択された1種又は2
独以上の元二・:、を0001重俵%以。ヒ、0.1重
′r1十%未びく含有さぜることにより、ポール接合強
度が良好でかp心電性が良好な銅系リードワイヤーをに
l、′:供できる。
r + A gQr及びFθから選択された1種又は2
独以上の元二・:、を0001重俵%以。ヒ、0.1重
′r1十%未びく含有さぜることにより、ポール接合強
度が良好でかp心電性が良好な銅系リードワイヤーをに
l、′:供できる。
図面d゛、半傅体薯ξ子の一部切り欠き斜視1シ1であ
る。 1 半導体チップ 2 リードフィンガー 3−ポンディングワイヤー 4・・J<i#脂上モール
る。 1 半導体チップ 2 リードフィンガー 3−ポンディングワイヤー 4・・J<i#脂上モール
Claims (2)
- (1)Be、Sn、Zn、Zr、Ag、Cr及びFeか
ら選択された1種又は2種以上の元素を0.001重量
%以上、0.1重量%未満含有し、残部が実質的に銅で
あるボンディングワイヤー。 - (2)Ag、Cr及びZrから選択された1種又は2種
以上の元素を0.005〜0.08重量%含有し、残部
が実質的に銅である特許請求の範囲第1項に記載のボン
ディングワイヤー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139109A JPS6120694A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | ボンデイングワイヤ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139109A JPS6120694A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | ボンデイングワイヤ− |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6117381A Division JPH07138678A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 半導体装置 |
| JP6117403A Division JPH07138679A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | ボンディングワイヤー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120694A true JPS6120694A (ja) | 1986-01-29 |
| JPH0520494B2 JPH0520494B2 (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=15237693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59139109A Granted JPS6120694A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | ボンデイングワイヤ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120694A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199646A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-17 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 半導体素子のボンデイング用銅線 |
| JPS6199645A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-17 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 半導体素子のボンデイング用銅線 |
| JPS61113740A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-05-31 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 半導体素子のボンデイング用銅線 |
| JPS6321841A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH02243733A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-27 | Fujikura Ltd | 銅合金線材 |
| JPH0441920A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-12 | Aisin Chem Co Ltd | カップリングファンの取付構造 |
| JPH0441919A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-12 | Aisin Chem Co Ltd | カップリングファンの取付構造 |
| CN103137235A (zh) * | 2011-12-01 | 2013-06-05 | 贺利氏材料科技公司 | 用于微电子装置中接合的二次合金1n铜线 |
| CN103137237A (zh) * | 2011-12-01 | 2013-06-05 | 贺利氏材料科技公司 | 用于微电子装置中接合的具有痕量加入物的3n铜线 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124960A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子結線用線 |
-
1984
- 1984-07-06 JP JP59139109A patent/JPS6120694A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124960A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子結線用線 |
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| JPH02243733A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-27 | Fujikura Ltd | 銅合金線材 |
| JPH0441920A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-12 | Aisin Chem Co Ltd | カップリングファンの取付構造 |
| JPH0441919A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-12 | Aisin Chem Co Ltd | カップリングファンの取付構造 |
| CN103137235A (zh) * | 2011-12-01 | 2013-06-05 | 贺利氏材料科技公司 | 用于微电子装置中接合的二次合金1n铜线 |
| CN103137237A (zh) * | 2011-12-01 | 2013-06-05 | 贺利氏材料科技公司 | 用于微电子装置中接合的具有痕量加入物的3n铜线 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0520494B2 (ja) | 1993-03-19 |
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