JPS61208623A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は垂直磁気記録媒体の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

垂直磁化膜の製造方法として、　　Ｇｏを用い、酸素ガ
スを導入した真空雰囲気中で電子ビーム蒸着法により、
垂直方向の　Ｃｏ粒子と非強磁性のＣｏ。

粒子の２相混合状態よりなる　Ｃｏ系の垂直磁気記録媒
体が提案されている（第７回応用磁気学会学術講演概要
集、　７ａＡ−９〜７ａＡ−Ｂ、　１９８３．１１　）
。

該製造方法の場合、膜形成速度が速く、基板加熱の必要
がないなどの特長があるが、該製造方法においても次の
欠点がある。つまり、該製造方法では導入ガスに酸素ガ
スのみを使用しているため、　　−蒸着時に基体あるい
は真空層の内壁などに付着する　Ｃｏ膜による酸素ガス
のゲッタ作用が生じ、真空雰囲気の圧力が著しく変動す
る。このため、膜の形成条件と形成される磁気記録層と
の磁気特性に再現性がない。さらに有機高分子フィルム
の長尺基体上に該磁気記録層を連続的に形成する際。

該フィルム長手方向の磁気特性・膜厚などが不均一とな
る問題点がある。その上形成された　ＣｏとＧｏ　　酸
化物より成る磁気記録層の表面には亀裂が生じ易い欠点
がある。

上記欠点を解消する製造方法として９本発明者等は先に
真空雰囲気中にガスを導入し９強磁性体を蒸発材料とし
真空蒸着により基体上に垂直磁気記録層を形成するに際
して、前記ガスとして化学的活性の小さいガスと酸素ガ
スを用い、この両者のガスを同時に導入し、かつガス導
入時の基体近傍の圧力が１　ｘ　１０　　Ｔｏｒｒ〜５
　ｘ　１０　　Ｔｏｒｒで真空蒸着する方法（特願昭５
９−２１４４１２号）を提案し念。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、かかる製造方法においても次の如き欠点がある
。

蒸発材料がＧｏの場合、耐食性に劣る。特に高湿下にお
いて磁気特性の劣化、具体的には飽和磁化（ＭＳ）が低
下して行き、長期間高温雰囲気中に放置すると磁性層が
消失してしまうという重大な欠点がある。

一方、蒸発材料が　Ｆｅの場合、磁性層が酸化鉄主成分
であるためヘッドと磁性層の潤滑性には優れるが耐摩耗
性に劣る欠点がある。

本発明の目的は上記欠点を解決することであり。

耐湿性・耐摩耗性に優れた垂直磁気記録媒体の製造方法
を提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は次の構成を有する。すなわち本発明は真空容器
内部に長尺基体の供給装置、基体冷却ドラムおよび基体
巻取り装置からなる走行系を備えた蒸着装置を設け、該
真空容器の真空雰囲気中に化学的活性の小さいガスと酸
素を含むガスを導入しながら強磁性金属を蒸発材料とし
て真空蒸着により、走行する長尺基体上に垂直磁気記録
層を形成するに際して、上記化学的活性の小さいガスを
基体移動方向に対し上流側より導入し、上記酸素を含む
ガスを基体移動方向に対し下流側より導入して、これら
のガスを垂直磁気記録層形成領域に供給することを特徴
とする垂直磁気記録媒体の製造方法である。

本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法において真空雰囲
気中に導入されるガスは、化学的活性の小さいガスと酸
素ガスの両者である。

本発明において化学的活性の小さいガスとは。

蒸発材料である強磁性体に吸着されないガスまたは吸着
される速度の遅いガスであり、その内蒸発材料である強
磁性体への化学吸着熱が室温において１０　Ｋｃａｌ　
／　ｍｏｌ　　以下のガスが望ましく、具体的には、　
Ｎ２．　Ａｒ、　Ｈｅ、　Ｎｅ、　Ｘｅ、　Ｒｎ、　Ｃ
Ｈ４，Ｃ２Ｍ、６から選ばれる１種または２種以上のガ
スを使用することが望ましい。さらに入手が容易、安価
であることなどから工業的規模での使用ではＮ２．Ａｒ
が最も適している。

本発明に使用される蒸発材料の強磁性金属とは室温にお
いて７エロ磁性またはフェリ磁性を示す強磁性金属であ
るが、中でも室温における飽和磁化Ｍｓが３００　ｅｍ
ｕ　１０ｃ以上の材料が好ましい。上記強磁性金属とし
てはＦｅ、　Ｇｏ、　Ｎｉ　　などの強磁性金属または
その合金が挙げられる。

具体的にはＦｅ、　Ｇｏ、　ＮｉとＦｅ−Ｇｏ、　Ｆｅ
−Ｎｉ、、Ｇｏ−Ｎｉ。

Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ　　などの合金およびこれら単体金属
または合金と他の金属との合金である。他の金属として
は具体的にはＭｏ’；Ｙ’Ｔｊ’、　Ｃｒ、　Ｎｂ、　
Ｔａ、　Ｔｉ、　Ｚｒ、　Ｒｅ。

Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｐｍ。

Ｓｍ、　Ｅｕ、　ａａ、　’ｒｂ、　Ｄｙ、　Ｈｏ、　
Ｅｒ、　Ｔｍ、　Ｙｋ　などである。

本発明では以上述べたような材料を使用できるが、これ
ら材料の内、結晶磁気異方性または形状磁気異方性が大
なるため、基体に対し垂直方向への磁気異方性を発現す
る上でＦｅまたはＧｏまたはこれらの合金を主成分とし
て用いることがさらに望ましく、最も望ましくはＦｅま
たはＧｏまたは両者の合金を７５重量係以上として用い
るのが良い。

本発明で用いることのできる基体としては、特に限定さ
れるものではないが、アルミニウム、銅。

鉄、ステンレスなどで代表される金属、プラスチックフ
ィルムなどの有機重合体材料などがあげられる。特に加
工性、成形性、可撓性が重視される場合には、有機重合
体材料が適しており、中でもポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンジカルボ
キシレート、などのポリエステル、ポリエチレン、ボリ
グロビレン、ポリブテンなどのポリオレフィン、ポリメ
チルメタア゛クリレート、ポリカーボネート、ポリスル
フォン、ポリアミド、芳香族ポリアミド、ポリフェニレ
ンスルフィド、ポリフェニレンオキサイド、ポリアミド
イミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリ弗化ビニリデン。

ポリテトラフルオロエチレン、酢酸セルローズ。

メチルセルローズ、エチルセルローズ、エポキシ樹脂、
ウレタン樹脂あるいはこれらの混合物、共重合物などが
適している。特に二軸延伸されたフィルム、シート類は
、平面性１寸法安定性に優れ最も適しており、中でもポ
リエステル、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリア
ミドなどが最も適している。基体の形状としては、ドラ
ム状、ディスク状、シート状、テープ状、カード状等い
ずれでも良く、厚みも特に限定されるものではない。

シート状、テープ状、カード状等の場合、加工性。

寸法安定性の点で、厚みは２μ〜５００μ、中でも４μ
〜２００μの範囲が好ましい。

本発明で用いられる基体は９次に述べる磁気記録層の形
成に先だち、易接着化、平面性改良９着色、帯電防止、
耐摩耗性付与等の目的で各種の表面処理や前処理が施さ
れても良い。

本発明で述べる真空蒸着法としては、抵抗加熱蒸着、誘
導加熱蒸着、電子ビーム蒸着、イオンブレーティング、
イオンビーム蒸着、レーザービーム蒸着、アーク放電蒸
着などの真空蒸着法のいずれの方法でも実施が可能であ
るが、保磁力・異方性磁界などの磁気特性を向上する上
で、また速い蒸発速度を得るために電子ビーム蒸着、イ
オンブレーティングなどの方法が適しており、さらに操
作性、量産性などの工業的観点から電子ビーム蒸着が最
も適している。　　。

次に図面に基づいて本発明の製造方法の一例を説明する
。第１図は本発明の製造方法を実施する電子ビーム蒸着
装置の一例である。第１図において基体供給装置１．ニ
ップロール２．基体冷却ドラム３．ニップロール４．基
体巻き取り装置５によって有機高分子より成る長尺フィ
ルム６の走行系が構成されている。基体供給装置１にロ
ール状に巻かれた有機高分子フィルム６を配設する。フ
ィルム６はニップロール２．基体冷却ドラム３゜ニップ
ロール４を経て基体巻き取り装置５に配設された巻取り
コアに巻き取られる。基体冷却ドラム６は有機高分子フ
ィルム６の裏面を５０℃以下に保つように９例えば通水
などによる冷却機能（図示省略）を有している。

１４は真空槽１０を上槽１５と下槽１６に２分する隔壁
で、該隔壁１４の中央部は図示の如く。

ドラム近傍において下槽側に折り曲げられて所定長さの
側壁部２０が形成されるとともに、該側壁部２０の先端
に、Ｓ蔽板７の両端が連接される。

上槽１５と下槽１６は各々排気口１１．１２より排気さ
れる。遮蔽板７は蒸発蒸気流の入射角度を制限するため
のもので、その中央には蒸発蒸気流入射用の開口部１７
が形成されている。ここで入射角とは第２図において基
体面Ｃに入射する蒸発蒸気流人と基体面Ｃに立てた法線
Ｂとのなす角θである。蒸発蒸気流の内、入射角が４５
度以下の選ばれた角度を越える蒸発蒸気流が基体面に入
射しないように該遮蔽板７を配するのがよい。

該遮蔽板７により制限されない蒸発蒸気流、すなわち垂
直に入射する成分が１７の開口部を経て基体に入射する
。８は電子ビーム蒸着器、９は強磁性金属である。

側壁部２０と遮蔽板７と基体冷却ドラム下端側周面に囲
まれる１９Ａ・１９Ｂはガス供給室である。

該ガス供給室１９Ａ・１９Ｂ　　の密閉率を高めるため
図示の如く隔壁１４の中央折り曲げ部、すなわち側壁部
２０の上端は基体冷却ドラム面に密接して配置すること
が望ましく、また遮蔽板７と基体冷却ドラム下面とは可
能な限り近接することが望ましい、蒸着雰囲気へ導入さ
れるガスは１３Ａ・１３Ｂのガスコントロールバルフｔ
−経テ、　１８Ａ、Ｉ　ＢＢのガス供給管を通り、ガス
供給室１９Ａ・１９Ｂに導入される。ガスコントロール
パルプ１３Ａ・１３Ｂはガス流量を検知し、かつコント
ロールする機能を有する。

上記の装置を使用して９本発明の製造方法により垂直磁
気記録媒体を形成するものであるが、上記した装置にの
み限定されるものではない。

第１図に示した蒸着装置の長尺フィルム走行系に有機重
合体材料より成る長尺フィルム、例えばポリエチレンテ
レフタレートフィルムを配設シ。

電子ビーム蒸着器８の凹部に強磁性金属を配した状態に
て真空槽１０を排気口１１．１２より各々排気する。上
槽１５は圧力が５　ｘ　１ｏ　　Ｔｏｒｒ　　以下にな
るまで、またガス供給室１９Ａ・１９Ｂ　　は圧力が５
　ｘ　１０　　Ｔｏｒｒ　　以下になるまで各々排気口
１１゜１２より排気する。次いで、化学的活性の小さい
ガスをガス流量コントロールパルプ１３Ａよす導入管１
８Ａを経て基体移動方向に対し上流側にあるガス供給室
１９Ａに導入し、同時に酸素を含むガスをガス流量コン
トロールパルプ１３Ｂより導入管１８Ｂを経て基体移動
方向に対し下流側にあるガス供給室１９Ｂに導入する。

上述のように化学的活性の小さいガスを基体移動方向に
対し上流側にあるガス供給室を経て磁気記録層の形成領
域へ供給し、同時に酸素を含むガスを基体移動方向に対
し下流側にあるガス供給室を経て磁気記録層の形成領域
へ供給する。この時ガス供給室１９Ａ・１９Ｂ　　の圧
力が所定の圧力になるようにガス流量コントロールパル
プ１３Ａ−１３Ｂで調節する。

かかる状態とした後、基体である前記ポリエチレンテレ
フタレートフィルムを走行させ、該フィルム上に電子ビ
ーム蒸着により強磁性金属を溶融蒸発せしめ連続的に垂
直方向に磁気異方性を有する磁気記録層を形成するもの
である。

以上述べたように、化学的活性の小さいガスを基体移動
方向に対し上流側より、酸素を含むガスを基体移動方向
に対し下流側より各々導入し、垂直磁気記録層の形成領
域今供給することが本発明の重要な要件である。

基体移動方向に対し下流側より導入するガスは酸素を含
むガスであり、酸素と化学的活性の小さいガスとの混合
ガスでも良く、さらに酸素主体が良く、酸素単独の導入
が最も望ましい。

化学的活性の小さいガスと酸素を含むガスを導入し走時
、ガス供給室の圧力はＩ　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒ〜５　
ｘ　１０　　Ｔｏｒｒの範囲が望ましく、該範囲を逸脱
し低圧側では異方性磁界が低下し、ま九高圧側では蒸発
速度が低下し、垂直方向保磁力も低下する。

さらに磁気特性を向上し、速い蒸発速度を得るためには
、ガス供給室の圧力が２ｘ１０　　Ｔｏｒｒ〜２×１０
　　Ｔｏｒｒ　　の範囲が望ましい。

また、真空槽内に導入する酸素ガスと酸素ガス以外のガ
スの流量比は９０／１０〜１５／８５の範囲が望ましい
。上記範囲を逸脱し酸素ガスの流量が多くなると、酸素
ガスが激しくゲッタ作用を受けるため槽内圧力が変動し
磁気特性が安定せず、また形成された磁気記録層表面に
亀裂が生じ、垂直方向保磁力・異方性磁界も低下する。

一方上記範囲を逸脱し、酸素以外のガスの流量が増える
と。

蒸発速度が遅くなるので望ましくない。

なお本発明の製造方法により得られる磁気記録層の厚さ
は、特に限定されるものでないが実用的には０，０２μ
ＷＩ〜５μｍの範囲であり、可撓性。

磁気ヘッドとの接触、および該磁気記録層の成膜速度を
考慮した場合０，０５μｍ〜２．０μｍの範囲が望まし
い。

〔作用〕

本発明の製造方法によれば、基体移動方向に対し上流側
から化学的活性の小さいガスを導入することにより磁気
記録層形成領域付近の圧力を高め。

柱状構造粒子の初期の成長を促し、よって垂直方向への
磁気特性を向上し、−力差体移動方向に対し下流側から
酸素を含むガスを導入することで。

形成されつつある磁気記録層表層付近の酸化度を高め、
よって磁気記録層の耐食性・耐摩耗性を向上することに
寄与するものと考えられる。

〔特性の測定方法・評価基準〕

（１）保磁力、異方性磁界の測定方法 磁気記録層の磁気特性は、、ＴＩＳ　　Ｃ−２５６１で
示されている振動試料型磁力計法や、自記磁束計法によ
って測定できる。磁気特性の測定方法について振動試料
型磁力計（理研電子■製、Ｂｌ（Ｖ−３０＞によって測
定する方法を第３図により説明する。

第３図において０は原点、たて軸は磁化された磁気記録
層の磁化量ＣＭ）を示し、よこ軸は磁気記録層に印加す
る外部磁界（Ｈ）を示す。

磁化されていない測定試料の磁気記録層に外部磁界（Ｈ
）を一方向に絶えず増加しつつ印加すると、外部磁界（
Ｈ）の増加に従って破線矢印の如く磁化量（Ｍ）は増大
していく。外部磁界（Ｈ）がある値以上になると、それ
以上外部磁界（Ｈ）を増しても磁化量ＣＭ）は飽和して
、それ以上増大しなくなる。第３図におけるＤ点がこの
点である。Ｄ点における磁化量ＣＭ）を飽和磁化（Ｍ８
）と呼ぶ。さらにＤ点より出発して、逆に外部磁界（イ
）を実線矢印の如く減少させていくと、磁化量ＣＭ）も
減少をはじめる。外部磁界（Ｈ）を０の状態にしても磁
化量（Ｍ）は０とならず残留磁化（Ｍｒ）の値を残す。

さらに外部磁界（Ｈ）を０を越えて負方向に増大させて
いくと、磁化量ＣＭ）は０となる。この時の外部磁界（
Ｈ）の強さを保磁力（Ｈａ　）と呼ぶ。さらに外部磁界
（Ｈ）を負方向に増大すると磁化量ＣＭ）はある値で飽
和する。この値が負の飽和磁化（第３図Ｅ点）である。

さらにＥ点より出発して再び外部磁界（Ｈ）を正方向に
印加をはじめると、磁化量ＣＭ）は再び正方向に実線矢
印の如く増大しはじめ、負方向の残留磁化点（−Ｍｒ　
）を経て、磁化量（Ｍ）は０となり、再び最初の正の飽
和磁化点（第３図り点）に戻る。

以上のようにして得られる曲線は、ヒステリシスループ
と呼ばれており、このヒステリシスループにより保磁力
（Ｈａ）を得る。振動試料型磁力計今使用し、外部磁界
を基体面の垂直方向と平行方向に加えた場合のヒステリ
シスループをそれぞれ記録し、垂直方向保磁力・平行方
向保磁力を得る。

次に異方性磁界の測定方法について説明する。

垂直磁気記録媒体の垂直方向への磁気異方性をあられす
指標として異方性磁界（Ｈｋ　）があり、この値が大き
いほど垂直方向に磁化されやすい優れた垂直磁気記録媒
体と言える。異方性磁界（Ｈｋ　）の測定方法について
第４図により説明する。第４図において０は原点、たて
軸は磁化された磁気記録層の磁化量ＣＭ）を示し、よこ
軸は磁気記録層に印加する外部磁界（Ｈ）を示す。第４
図は、試料とする磁気記録層表面に平行方向に外部磁界
を加えた場合のヒステリシスループである。原点０より
ヒステリシスループに引いた接線と、正の飽和磁化点り
を通り、外部磁界軸（Ｈ）と平行に引いた直線との交点
Ｐの外部磁界（Ｈ）の値が異方性磁界（Ｈｋ）である。

なお外部磁界（Ｈ）、保磁力（Ｈａ）　、異方性磁界（
Ｈｋ）の単位は　Ｏｅである。

（２）　　ガス供給室の圧力測定方法 ガス供給室の圧力測定位置は、該ガス供給室が密閉に近
い構造となっているため該ガス供給室の内部であればい
ずれでも良いが、基体面への磁気記録層形成を妨げない
範囲で、できるだけ基体面近傍に近接し圧力測定子を配
設した。圧力測定には酸素ガスの悪影響を受けない隔膜
型真空計を使用した。

（３）導入ガス流量の制御および流量測定真空槽内に導
入するガスの流量は質量流量計とガス流量コントロール
バルブの組み合せにより行なった。具体的にはエステツ
ク■製１マスフローコントローラ（ＳＥＣシリーズ）１
を使用した。

（４）耐湿試験方法 磁気記録媒体を３０ｘ３０ｍｍに切り出し試験試料とす
る。該試料を６０℃、９０％ＲＨ雰囲気中に一週間放置
し、磁気記録層の腐食状態を目視で判定する。磁気記録
層の変色、錆、ふくれ、はがれを腐食とした。なお実施
例、比較例中の表−１には上記腐食がまったくガいもの
を○で、腐食発生は有るが試料全面積の１／２以下の場
合Δで１丁を越えるものを×で表示した。

（５）耐摩耗試験方法 試験試料を５．２５インチのフロッピーディスク状に打
ち抜き、フッ化炭素系の潤滑剤を約２０ＯＡ厚さコーテ
ィングしジャケットに納める。

上記のものをフロッピーディスク耐久性試験機（東京エ
ンジニアリング■製’５Ｋ−４２９Ｂ”型）と市販のフ
ロッピーディスクドライブ（机下通信工業■製”ＪＡ５
５１″）を用い、同一トラックを１０万回走行させる。

１０万回走行後の磁気記録層の透過価の有無により耐摩
耗性を判定した。

上記試験に使用したヘッドはボタン型形状のものであり
、ヘッド荷重は約１５ｇである。またフロッピーディス
クの回転数は毎分６００回転である。

なお実施例、比較例中の表−１には上記試験の結果につ
いて、透過傷発生の認められなかったものを○で表示し
、透過傷が発生したものをＸで表示した。

〔実施例〕

以下実施例に基づいて本発明の製造方法の一実施態様を
説明する。

実施例１〜６．比較例１〜８ 第１図に示した電子ビーム蒸着装置の上槽圧力。

ガス供給室圧力を各々５　ｘ　１０　　Ｔｏｒｒ　　以
下、５×ｉＱ　　Ｔｏｒｒ　　以下になるまで排気し９
次いで基体移動方向に対し上流側より化学的活性の小さ
いガスを導入し、同時に下流側より酸素を含むガスを導
入して、厚さ５０μの２軸延伸されたポリエチレンテレ
フタレートフィルムを所定の走行速度で走行させ、電子
ビーム蒸着により強磁性金属を溶融蒸発せしめ、前記フ
ィルム上に連続的に磁気記録層を形成する。なお該電子
ビーム蒸着装置内部には蒸発蒸気流の入射角が２６″以
下となるよう開口部を有する遮蔽板を配設し、また前記
ポリエチレンテレフタレートフィルムの裏面は５０℃以
下になるよう冷却ドラムにより冷却した。電子ビーム蒸
着器としては日本真空技術■製ＥＧＬ−１１０型を使用
し、該電子ビーム蒸着器用電源として日本真空技術■製
、ＨＰ−１６１０Ｆを使用した。該電子ビーム蒸着器の
凹部には純度９９９％以上の蒸着金属を使用した。

上述した製造方法により、蒸着金属、基体移動方向に対
し上流側から導入のガスと、下流側から導入のガス、該
両者のガスの流量比（上流側から導入のガス流量／下流
側からのガス流量）、基体近傍の圧力等を表−１に示す
ように変えて磁気記録層を形成した。得られた磁気記録
媒体を実施例１〜６とする。実施例１〜６の下流側から
導入のガスはいずれも酸素単独あるいは酸素を含む混合
ガスである。

実施例１〜乙に使用した電子ビーム蒸着装置を使用し、
基体移動方向に対し下流側からは化学的活性の小さいガ
スを導入し、あるいはガスの供給をせずしてその他は実
施例１〜６で述べたと同様の製造方法により厚さ５０μ
の２軸延伸されたポリエチレンテレフタレートフィルム
上に連続的に磁気記録層を形成した。

得られた磁気記録媒体を比較例１〜６とする。

比較例１〜６の蒸着金属、導入ガス、流量比、基体近傍
の圧力等も表−１に示す。

なお磁気記録層の膜厚は２０００〜３０００Ａになるよ
うに基体であるポリエチレンテレフタレートフィルムの
走行速度を変えて調整した。また実施例１〜６．比較例
１〜６の電子ビーム蒸着器への投入電力は、４ｋＷ一定
で実施した。

以上のようにして得られた実施例１〜６および比較例１
〜乙の磁気記録媒体について垂直方向保磁力、異方性磁
界、耐湿試験の結果、耐摩耗試験の結果についても表−
１に一括して示す。

表−１に示した結果より明らかなように本発明の製造方
法により形成された実施例１〜６の磁気記録媒体はいず
れも垂直方向の磁気特性に優れ。

また耐湿性、ｉ４摩耗性に優れた垂直磁気記録媒体であ
った。

一方、基体移動方向に対し下流側から酸素ガスの導入の
ない比較例１〜６のうち　Ｃｏを蒸着材料とした比較例
１〜４は６０℃、９０％ＲＨ雰囲気中で短期間に腐食が
生じ問題があり、ｒｅを蒸着材料とした比較例５〜６は
耐摩耗性に欠点があり。

比較例１〜６のいずれも垂直磁気記録媒体として耐久性
の点で実用に供し難いものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の製造方法を実施する為の電子ビーム蒸
着装置の一例を示す概略図、第２図は蒸発蒸気流の入射
角の説明図、第３図は磁気記録層の保磁力をあられすヒ
ステリシスループの測定例を示す模式図、第４図は磁気
記録層の異方性磁界をあられすヒステリシスループの測
定例を示す模式図である。 １：基体供給装置　　　３：基体冷却ドラム５：基体巻
取り装置　　６：有機高分子フィルム７：遮蔽板　　　
　　　８：電子ビーム蒸着器９二強磁性金属　　　　１
０：真空槽 １１：排気口　　　　　　１２：排気口１３Ａ、１３Ｂ
　　：カス流量コントロールパルプ１８Ａ、１８Ｂ　　
：ガス供給管 １９Ａ、１９Ｂ　　：ガス供給室 Ａ：蒸発蒸気流　　　　Ｂ：基体面に立てた法線Ｃ：基
体面　　　　　　θ：入射角 ０：原　点　　　　　　Ｍ：琳什暑 Ｈ：外部磁界　　　　Ｈｋ：異方性磁界特許出願人　　
東　し　株　式　会　社ｐ目

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空容器内部に長尺基体の供給装置、基体冷却ド
   ラムおよび基体巻取り装置からなる走行系を備えた蒸着
   装置を設け、該真空容器の真空雰囲気中に化学的活性の
   小さいガスと酸素を含むガスを導入しながら強磁性金属
   を蒸発材料として真空蒸着により、走行する長尺基体上
   に垂直磁気記録層を形成するに際して、上記化学的活性
   の小さいガスを基体移動方向に対し上流側より導入し、
   上記酸素を含むガスを基体移動方向に対し下流側より導
   入してこれらのガスを垂直磁気記録層形成領域に供給す
   ることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。