JPS61208804A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）発明の目的 〔産業上の利用分野〕 この発明は多層配線基板の製造方法に関し、殊に配線同
士がクロスオーバする箇所を有する多層配線基板の製造
方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、多層配線基板（１００ａ）の製造方法は、第２図
Ａ−Ｅに示すように以下のように行なわれていた。つま
り、絶縁基板（１ａ）上に下層配線導体層（２ａ）形成
用ペーストを所望のパターンに印刷乾燥し焼成すること
で下層配線導体層（２ａ）を形成し、この下層配線導体
層（２ａ）が後に形成する上層配線導体層とクロスオー
バする箇所（３ａ）に絶縁体層（４ａ）形成用ペースト
を印刷・焼成することで絶縁体層（４ａ）を形成し、 この形成した絶縁体層（４ａ）を介し下層配線導体層（
２ａ）にクロスオーバさせ所定どうりに下層配線導体層
（２ａ）を接続するように上層配線導体層（５ａ）形成
用ペーストを印刷・焼成して上層配線導体層（５ａ）を
形成し、 所定の配線となるように抵抗体層（６ａ）形成用ペース
トを印刷・焼成して抵抗体層（６ａ）を形成し、更に、
上記のとおり回路形成された部分にオーバガラス（７ａ
）を焼成し、多層配線基板（１００ａ）を製造していた
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

この多層配線基板の製造方法では、下層配線導体層（２
ａ）を抵抗体層（６ａ）で接続する際、配線同士のクロ
スオーバ箇所では下層配線導体層（２ａ）を抵抗体層（
６ａ）で直接に接続せず一度上層配線導体層（５ａ）を
設けてからこれを介して接続を行なっていた。このため
、下層配線導体層（２ａ）と抵抗体層（６ａ）とを接続
する上層配線導体層（５ａ）を必要とし、その分絶縁基
板（１ａ）の面積が大きくなり高密度化がさまたげられ
るという問題があった。又、下層配線導体層（２ａ）を
抵抗体層（６ａ）で直接に接続することに比べ上層配線
導体層（５ａ）を形成するという余分な工程を必要とす
る問題があった。

（ロ）発明の構成 この発明の構成は、製造が簡便で高密度である多層配線
基板の製造方法である。その更に詳細な構成は、絶縁基
板の一面に印刷・焼成により所望のパターンをした下層
配線導体層を形成し、次いで、少なくとも、この下層配
線導体層が後に形成する上層の抵抗体層とクロスオーバ
する箇所に絶縁体層を形成し、更に、所望のパターンに
抵抗体層を形成し、加えて所望により配線部分を保護す
るオーバガラスを形成してなることを特徴とする多層配
線基板の製造方法である。

〔実施例〕

この発明を第１図Ａ−Ｄに示す実施例に基づいて詳述す
るが、これによってこの発明が限定されるものではない
。

第１図Ａに示すように、主成分が例えばアルミナからな
る絶縁基板（１）上に、主成分が例えば銀パラジウム（
Ａｇ　−Ｐｄ）である下層配線導体層（２）形成用ペー
ストを所望のパターンに印刷・乾燥し、例えばベルト炉
を用いピーク温度が約８００〜９５０℃、ピーク温度時
間が５〜１５分間、トータル時間が３０〜６０分間で焼
成して下層配線導体層（２）を形成する。

第１図Ｂに示すように、上記の下層配線導体層（２）が
後に形成する抵抗体層とクロスオーバする箇所（３）に
主成分が例えば結晶化ガラスである絶縁体層（４）形成
用ペーストを印刷し、例えばベルト炉を用いピーク温度
が８．００〜９５０℃、ピーク温度時間が５〜１５分間
、トータル時間が３０〜６０分間で焼成して絶縁体層（
４）を形成する。

第１図Ｃに示すように、下層配線導体層（２）と接続し
所定の配線となるように、主成分が例えば酸化ルテニウ
ムである抵抗体Ｐｉ　（６）形成用ペーストを印刷・乾
燥し、例えばベルト炉を用いピーク温度が８００〜９５
０℃、ピーク温度時間が５〜１５分間、トータル時間が
３０〜６０分間で焼成して抵抗体層（６）を形成する。

ここで、配線形成の工程は完了する。

第１図りに示すように、下層配線導体層（２）の端子部
分を除いた配線部分に、主成分が例えば非結晶ガラスか
らなる回路保護のオーバガラス（７）をベルト炉を用い
、ピーク温度が約５００℃で焼成する。

この後、絶縁基板（１）に所定の実装工程を施し、多層
配線基板（１００）を得る。

この多層配線基板（１００）は、上述したとおりに製造
することより製造の工程数が減少し、製造が簡便となっ
てコスト低下となっている。又、配線導体層を不要とし
たことにより絶縁基板の面積が狭小となり、多層配線基
板（１００）は高密度化となっている。

（ハ）発明の効果 この発明は、製造が簡便でよって低コストで、また高密
度である多層配線基板の製造方法を提供している。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ−Ｄはこの発明の一実施例を示し各々、絶縁基
板上に下層配線導体層を形成したことを説明する説明図
、次にこれに絶縁層を形成したことを説明する説明図、
更にこれに抵抗体層を形成したことを説明する説明図お
よび加えてこれにオーバガラスを形成したことを説明す
る説明図である。 第２図Ａ−Ｅは従来例を示し各々、絶縁基板上に下層配
線導体層を形成したことを説明する説明図、次にこれに
絶縁層を形成したことを説明する説明図、更にこれに上
層配線導体層を形成したことを説明する説明図、次いで
これに抵抗体層を形成したことを説明する説明図および
加えてこれにオーバガラスを形成したことを説明する説
明図である。 （１００）　　−多層配線基板、 （１）−絶縁基板、　　　　　（２１−下層配線導体層
、（３）−−クロスオーバの箇所、（４１−絶縁体層、
（６）−・抵抗体層、　　　　　（７）−オーバガラス
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板の一面に印刷・焼成により所望のパターン
   をした下層配線導体層を形成し、 次いで、少なくとも、この下層配線導体層が後に形成す
   る上層の抵抗体層とクロスオーバする箇所に絶縁体層を
   形成し、 更に、所望のパターンに抵抗体層を形成し、加えて所望
   により配線部分を保護するオーバガラスを形成してなる
   ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。