JPH034585A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPH034585A JPH034585A JP1140469A JP14046989A JPH034585A JP H034585 A JPH034585 A JP H034585A JP 1140469 A JP1140469 A JP 1140469A JP 14046989 A JP14046989 A JP 14046989A JP H034585 A JPH034585 A JP H034585A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- printed
- integrated circuit
- insulating layer
- circuit device
- Prior art date
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- Pending
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はテレビ、VTR、オーディオ機器等の電子通信
機器の電気回路に使用することのできる混成集積回路装
置に関するものである。
機器の電気回路に使用することのできる混成集積回路装
置に関するものである。
従来の技術
従来より、混成集積回路装置の実装密度を高める手段と
して印刷抵抗を用いている。この場合、印刷抵抗は単層
又は多層の層毎に形成している。
して印刷抵抗を用いている。この場合、印刷抵抗は単層
又は多層の層毎に形成している。
従来例を第5図、第6図に示す、第5図は従来の混成集
積回路装置の単層の場合の例で、同図(a)は抵抗体部
分の断面図、同図(ロ)は同斜視図を表わし、第6図は
従来の混成集積回路装置の多層の場合の例で抵抗体部分
の断面図を表わす。
積回路装置の単層の場合の例で、同図(a)は抵抗体部
分の断面図、同図(ロ)は同斜視図を表わし、第6図は
従来の混成集積回路装置の多層の場合の例で抵抗体部分
の断面図を表わす。
第5図および第6図において、21.22は単層の印刷
抵抗体、23は導体、24は基板、25は多層の下層印
刷抵抗体、26は絶縁層、27は多層の上層印刷抵抗体
、28はトリミング溝である。
抵抗体、23は導体、24は基板、25は多層の下層印
刷抵抗体、26は絶縁層、27は多層の上層印刷抵抗体
、28はトリミング溝である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来例では、
(1)印刷抵抗の占有面積は各本体の面積及びトリミン
グ等のためのデッドスペースの合計だけ必要で実装密度
を高める上での障害となる。
グ等のためのデッドスペースの合計だけ必要で実装密度
を高める上での障害となる。
(2)多層の場合に限り
(a)トリミング時に絶縁層26が破壊して抵抗値に悪
影響を及ぼす。
影響を及ぼす。
[有])絶縁層26は数10u−と薄く、その下に導体
等があるとトリミング時に損傷を与える恐れがある。
等があるとトリミング時に損傷を与える恐れがある。
(C) 各層毎に抵抗トリミング工程があり工数が多
くなる。
くなる。
(d) 下層の抵抗体をトリミングした後に絶縁層形
成等の熱処理があり最終的な抵抗値の制御が難しい等の
問題点がある。
成等の熱処理があり最終的な抵抗値の制御が難しい等の
問題点がある。
本発明は前記問題点に鑑み、実装密度を高め、印刷抵抗
を精度良(作り、工数を削減する混成集積回路装置を提
供することを目的とるすものである。
を精度良(作り、工数を削減する混成集積回路装置を提
供することを目的とるすものである。
課題を解決するための手段
上記の問題点を解決するめための本発明の混成集積回路
装置は、ホーロー基板上に、酸化ルテニューム系印刷抵
抗を形成し、前記印刷抵抗体の一部分上に無機ガラス系
又は有機系絶縁層を形成し、前記絶縁層上に、前記印刷
抵抗とクロスオーバーして、酸化ルテニュームあるいは
有機系の印刷抵抗体を形成したものである。
装置は、ホーロー基板上に、酸化ルテニューム系印刷抵
抗を形成し、前記印刷抵抗体の一部分上に無機ガラス系
又は有機系絶縁層を形成し、前記絶縁層上に、前記印刷
抵抗とクロスオーバーして、酸化ルテニュームあるいは
有機系の印刷抵抗体を形成したものである。
作用
本発明は上記の構成により、印刷抵抗の占有面積を減ら
し、実装密度を高めることができる。また印刷抵抗のト
リミングは全て、ホーロー基板上で行ない、且つ、最後
に一括して行えるため、抵抗値の精度が従来例では5%
〜10%のバラツキがあるのに対し、本発明では1%以
下にすることが可能である。さらに、トリミングの工数
を減らすことができるものである。
し、実装密度を高めることができる。また印刷抵抗のト
リミングは全て、ホーロー基板上で行ない、且つ、最後
に一括して行えるため、抵抗値の精度が従来例では5%
〜10%のバラツキがあるのに対し、本発明では1%以
下にすることが可能である。さらに、トリミングの工数
を減らすことができるものである。
実施例
以下、本発明の一実施例の混成集積回路装置について図
面を参照しながら説明する。第1図は本発明の第1の実
施例における混成集積回路装置の印刷抵抗部分の断面図
、第2図は同じく印刷抵抗部分の斜視図を示す。
面を参照しながら説明する。第1図は本発明の第1の実
施例における混成集積回路装置の印刷抵抗部分の断面図
、第2図は同じく印刷抵抗部分の斜視図を示す。
第1図、第2図において、1は下層の酸化ルテニューム
系の抵抗体、2は硼珪酸ガラス等の無機ガラス系絶縁層
、3は酸化ルテニューム系印刷抵抗1とクロスオーバー
する酸化ルテニューム系印刷抵抗体、4はAg、/Pd
等の導体、5はホーロー基板、6はトリミング溝である
。
系の抵抗体、2は硼珪酸ガラス等の無機ガラス系絶縁層
、3は酸化ルテニューム系印刷抵抗1とクロスオーバー
する酸化ルテニューム系印刷抵抗体、4はAg、/Pd
等の導体、5はホーロー基板、6はトリミング溝である
。
上記の構成要素を存する混成集積回路装置の形成方法に
ついて以下説明する。酸化ルテニュームを主成分とする
印刷抵抗体1を基板5上に印刷、乾燥後850°C前後
の温度で空気雰囲気中で焼成する。その後の無機ガラス
系の絶縁層2を印刷抵抗体lの上に印刷乾燥し、そして
850℃前後の温度で空気雰囲気中で焼成する。その後
、印刷抵抗体lとは絶縁層2で電気的に絶縁され、印刷
抵抗体1とクロスオーバーする酸化ルテニューム系の印
刷抵抗体3を印刷、乾燥したのち850℃前後の温度で
空気雰囲気中で焼成し形成する。このようにして絶縁層
2で電気的に絶縁された重なり合う印刷抵抗体1.3を
形成する。抵抗のトリミングはその後−括して行なう。
ついて以下説明する。酸化ルテニュームを主成分とする
印刷抵抗体1を基板5上に印刷、乾燥後850°C前後
の温度で空気雰囲気中で焼成する。その後の無機ガラス
系の絶縁層2を印刷抵抗体lの上に印刷乾燥し、そして
850℃前後の温度で空気雰囲気中で焼成する。その後
、印刷抵抗体lとは絶縁層2で電気的に絶縁され、印刷
抵抗体1とクロスオーバーする酸化ルテニューム系の印
刷抵抗体3を印刷、乾燥したのち850℃前後の温度で
空気雰囲気中で焼成し形成する。このようにして絶縁層
2で電気的に絶縁された重なり合う印刷抵抗体1.3を
形成する。抵抗のトリミングはその後−括して行なう。
ちなみにAg/Pd等の導体4は下層印刷抵抗体1の形
成前に形成しておく。
成前に形成しておく。
以上のように実施例によれば、下層抵抗体1の一部分を
絶縁層2で覆い、その絶縁112上で上層抵抗体3を下
層抵抗体1にクロスオーバーし形成することにより、実
装密度を高め、抵抗を精度良くトリミングしトリミング
工数を減らすことができる。
絶縁層2で覆い、その絶縁112上で上層抵抗体3を下
層抵抗体1にクロスオーバーし形成することにより、実
装密度を高め、抵抗を精度良くトリミングしトリミング
工数を減らすことができる。
第3図は本発明の第2の実施例における混成集積回路装
置の印刷抵抗部分の断面図、第4図は同じく印刷抵抗部
分の斜視図を示す。
置の印刷抵抗部分の断面図、第4図は同じく印刷抵抗部
分の斜視図を示す。
第3図、第4図において1.4〜6は第1図、第2図と
同様に、各々、1は下層の酸化ルテニューム系印刷抵抗
体、4はAg/pd等の導体、5はホーロー基板、6は
トリミング溝を表す。11はエポキシ樹脂等の有機系絶
縁層、12はカーボン等を主成分とする有機系印刷抵抗
体である。
同様に、各々、1は下層の酸化ルテニューム系印刷抵抗
体、4はAg/pd等の導体、5はホーロー基板、6は
トリミング溝を表す。11はエポキシ樹脂等の有機系絶
縁層、12はカーボン等を主成分とする有機系印刷抵抗
体である。
酸化ルテニューム系の印刷抵抗体1を印刷、乾燥後、8
50″C前後の温度で空気雰囲気中にて焼成した後に、
有機系絶縁層11を印刷抵抗体1の上に印刷する。
50″C前後の温度で空気雰囲気中にて焼成した後に、
有機系絶縁層11を印刷抵抗体1の上に印刷する。
そしてその後50〜200℃程度の温度で硬化させ、そ
の後印刷抵抗体1と絶縁層11で電気的に絶縁され、印
刷抵抗体1とクロスオー・バーする有機系印刷抵抗体1
2を印刷し、150〜200°C程度の温度硬化させる
。
の後印刷抵抗体1と絶縁層11で電気的に絶縁され、印
刷抵抗体1とクロスオー・バーする有機系印刷抵抗体1
2を印刷し、150〜200°C程度の温度硬化させる
。
このようにして絶縁層11で電気的に絶縁された重なり
合う印刷抵抗体1.12を形成する。
合う印刷抵抗体1.12を形成する。
以上のように本実施例によれば第1の実施例と同様の効
果を奏するとともに、絶縁層を第1の実施例よりも低温
で形成することができる。
果を奏するとともに、絶縁層を第1の実施例よりも低温
で形成することができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、下層抵抗体の一部分を絶
縁層で覆い、その絶縁層上で上層抵抗体を下層抵抗体に
クロスオーバーして形成することにより、実装密度を高
め、抵抗を精度良くトリミングし、かつトリミングの工
数を減らすことができる。
縁層で覆い、その絶縁層上で上層抵抗体を下層抵抗体に
クロスオーバーして形成することにより、実装密度を高
め、抵抗を精度良くトリミングし、かつトリミングの工
数を減らすことができる。
第1図は本発明の第1の実施例における混成集積回路装
置の印刷抵抗部分の断面図、第2図は同抵抗体部分の斜
視図、第3図は本発明の第2実施例における混成集積回
路装置の印刷抵抗体部分の断面図、第4図は同抵抗体部
分の斜視図、第5図(a)は従来例における単層混成集
積回路装置の抵抗体部分の断面図、同図(ハ)は同抵抗
体部分の斜視図、第6図は従来例における多層混成集積
回路装置の印刷抵抗体部分の断面図である。 1・・・・・・下層印刷抵抗体(酸化ルテニューム系)
2・・・・・・絶縁層(無機ガラス系)、3・・・・・
・上層印刷抵抗体(酸化ルテニューム系)、4・・・・
・・Ag/Pd等の導体、5・・・・・・ホーロー基板
、6・・・・・・抵抗トリミング溝、11・・・・・・
絶縁層(有機系)、12・・・・・・上層印刷抵抗体(
を機系)。
置の印刷抵抗部分の断面図、第2図は同抵抗体部分の斜
視図、第3図は本発明の第2実施例における混成集積回
路装置の印刷抵抗体部分の断面図、第4図は同抵抗体部
分の斜視図、第5図(a)は従来例における単層混成集
積回路装置の抵抗体部分の断面図、同図(ハ)は同抵抗
体部分の斜視図、第6図は従来例における多層混成集積
回路装置の印刷抵抗体部分の断面図である。 1・・・・・・下層印刷抵抗体(酸化ルテニューム系)
2・・・・・・絶縁層(無機ガラス系)、3・・・・・
・上層印刷抵抗体(酸化ルテニューム系)、4・・・・
・・Ag/Pd等の導体、5・・・・・・ホーロー基板
、6・・・・・・抵抗トリミング溝、11・・・・・・
絶縁層(有機系)、12・・・・・・上層印刷抵抗体(
を機系)。
Claims (1)
- ホーロー基板上に形成した酸化ルテニュームを主成分
とする抵抗体と、前記抵抗体の一部分上に形成した無機
ガラスと有機系絶縁物の少なくとも一方からなる絶縁層
と、前記抵抗体上に前記絶縁層を介して形成した酸化ル
テニュームを主成分とする抵抗体又は有機系抵抗体とを
備えることを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140469A JPH034585A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140469A JPH034585A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034585A true JPH034585A (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=15269324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140469A Pending JPH034585A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH034585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104364184A (zh) * | 2012-05-15 | 2015-02-18 | 科恩起重机有限公司 | 吊钩以及用于吊钩的安全闩锁 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60214583A (ja) * | 1984-04-10 | 1985-10-26 | 日本金属株式会社 | 混成集積回路基板 |
| JPS61181187A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-13 | 株式会社三協精機製作所 | 厚膜回路の製造方法 |
| JPS63306690A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Hitachi Cable Ltd | 酸化物セラミックス系超電導体を用いたハイブリッドic配線回路 |
| JPH01128588A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成集積回路装置 |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1140469A patent/JPH034585A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60214583A (ja) * | 1984-04-10 | 1985-10-26 | 日本金属株式会社 | 混成集積回路基板 |
| JPS61181187A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-13 | 株式会社三協精機製作所 | 厚膜回路の製造方法 |
| JPS63306690A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Hitachi Cable Ltd | 酸化物セラミックス系超電導体を用いたハイブリッドic配線回路 |
| JPH01128588A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成集積回路装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104364184A (zh) * | 2012-05-15 | 2015-02-18 | 科恩起重机有限公司 | 吊钩以及用于吊钩的安全闩锁 |
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