JPS61210543A

JPS61210543A - 光カ−ド

Info

Publication number: JPS61210543A
Application number: JP60051997A
Authority: JP
Inventors: Wataru Kuramochi; 倉持　渉; Mitsuru Takita; 多気田　満
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1985-03-15
Filing date: 1985-03-15
Publication date: 1986-09-18
Anticipated expiration: 2010-03-08
Also published as: JPH0721899B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は光記録部を有するカードに関し、さらに詳し
くは、光記録部が適切な位置に配設されている光カード
に関する。

〔従来技術およびその問題点〕

光学的に情報が記録・再生される光記録部を有す、る光
カードは、磁気材料が埋設された磁気カードに比較して
、高密度に情報を記録・再生することができ、しかも、
光記録部の記録寸法が１．５〜５０μｍのように微細で
あることから、複製して偽造することが容易でないとい
う特徴を持っている。したがって、光カードは磁気カー
ドに代ってもしくは磁気記録と併用して、クレジットカ
ード、バンクカード、キャッシュカード、ＩＤカードな
どの種々のカードに広く利用することができる。

しかしながら、例えば、クレジットカードについて日本
工業規格（ＪＩＳ）で規定されているように、エンボス
文字の寸法・位置、磁気ストライブの位置、および署名
部領域などが詳細に規定されているために、従来の光カ
ードの光記録部は、カード片面、しかも磁気ストライブ
領域、エンボス部領域、および署名部領域から外れた領
域に設けられているにすぎなかった。

この発明は上述の問題点を解消するためになされたもの
であり、その目的とするところは、光記録部の領域を広
げてより多くの高密度記録で可能である光カードを提供
することである。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明者等は、磁気ストライプによる記録・再生、エ
ンボス文字による記録・再生、および署名による記録・
再生が光記録部による記録・再生と￥４質のものであり
、したがってその記録および再生を重畳的に実施できる
という知見を得た。

すなわち、この発明の光カードは、光記録部および磁気
記録部を有するカードであって、磁気情報の読取り書込
み装置内を走行する際に光記録部はカード面がその装置
と接触しない領域に配設されたことを特徴とするもので
ある。

この発明の好ましい態様として、光記録部をＪＩＳ　　
Ｂ９５６０に規定するエンボス領域に配設することがで
きる。

この発明における光記録部は、光学的に情報が記録・再
生される領域、さらに具体的には光透過度の相違おＪ：
び／または光反射率の相違によって情報の書込みおよび
読出しが行なわれる領域である。

この発明において光記録部のカード上での位置は、磁気
情報の読取り占込み装置内を走行する際にその装置と物
理的にカード面が接触しない領域である。したがって、
その装置の種類、形式などに応じて光記録部の位置を適
宜変更することができる。例えば、第２図に示すように
カード表面に磁気記録部９と共にＪＩＳＢ９５６０に規
定する光カード１のエンボス領域８に光記録部を設ける
ことができ、また、カード裏面に磁気記録部を、表面の
エンボス領域に光記録部を設けてもよい。

次いで、光記録部まが光透過部分および遮光部分からな
る第１記録層と、金属薄膜からなる第２記録層とから構
成されている光カードを、図面を参照しつつ詳説する。

第１図の示す光カード１は、保護層３と、光記録部２と
、カード基材４とから主に構成され、それらが接合一体
化されたものである。

光記録部の第１記録層２ａは保護層の下面に設けられ、
他方第２記録層２ｂは°接着剤層７を介してカード基材
４面と接合されている。この例におけるカード基材４は
、不透明基材層４ａと透明基材１ｉＷ４ｂとの積層体か
らなる。場合によっては、カード基材４の下面もしくは
保護層３の上面に磁気記録体を設けてもよい。また、光
記録部２をカード面の全面もしくはその一面に設けても
よい。

必要に応じて、ＩＣメモリー、写真、彫刻画像、文字、
マークなどを光カードの表面に設けてもよい。第１図に
示す例において、保護層の外側表面に表面硬化層６が設
けられている。

以下、この発明に用いられる上記カードの構成部材につ
いて説明する。

カード基材カード基材としては、通常のカードの基材として用いる
ことができるあらゆる材料が用いられうる。具体的には
、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、
ポリ塩化ビニリデン、ポリメタクリル酸メチルなどのア
クリル系重合体、ポリスチレン、ポリビニルブチラール
、アセデルヒルロース、スチレン／ブタジェン共重合体
、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネートな
どが用いられる。場合によっては、鉄、ステンレス、ア
ルミニウム、スズ、銅、亜鉛などの金属シート、合成紙
、紙なども用いられうる。さらに、上記のような材料の
ｖＡ層体も用いられる。このうち、不透明材料層４ａと
しては、白色硬質ポリ塩化ビニルが好ましく、透明材料
１１４ｂとしては、透明硬質ポリ塩化ビニルが好ましい
。

保ｒＩｉ層保護層３としては、光透過性であるガラス、セラミック
、紙、プラスチックフィルム、織布、不織布などあらゆ
るタイプの材料が用いられうるが、生産性および平滑性
の点からガラスあるいはプラスチックフィルムが好まし
い。プラスチックとしては、セルロース誘導体、ポリエ
ステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ビニル系樹脂、ポ
リイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテル樹脂、
ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリメチルベンテ
ン樹脂、トリアセテートなどを用いることができ、透明
性および平滑性の点から、セルローストリアセテート、
ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、アク
リル、ポリ塩化ビニル、ポリサルホン、ポリメチルペン
テンなどが特に好ましい。この保護層３に、必要に応じ
て、コロナ放電処理、プラズマ処理、ブライマー処理な
どの接着性改良のための前処理をしてもよい。

匙土星亙１第１記録層２ａは、光透過部および遮光部から構成され
ている。この第１記録１１ｇ２２ａは、たとえば未露光
部が光透過性となり露光部が遮光性となる感光材をパタ
ーン露光し、次いで現像することによって形成され。場
合によっては、未露光部が遮光性となり、露光部が光透
過性となる感光材をパターン露光し次いで現像すること
によって、第１記録Ｊ！Ｗ２ａを形成してもよい。

感光材は、たとえば（イ）バインダーとしての透明樹脂
、（ロ）ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現
像抑制剤および（ハ）還元されて金属現像核となる金属
錯化合物または金属化合物から構成されている。この感
光材においては、バインダーとしての透明樹脂１００重
吊部に対して、ジアゾ基またはアジド基を有する光分解
性の現像抑制剤は１〜１００重石部好ましくは２０〜５
０不吊部の吊で存在し、還元されて金属現像核となる金
属錯化合物または金属化合物は０．１〜１００重量部好
ましくは１〜１０重量部の？で存在している。上記の現
像抑制剤、金属錯化合物または金属化合物は、バインダ
ーとしての透明樹脂中に溶解あるいは分散されているが
、好ましくは溶解されている。

透明樹脂としては、親油性あるいは親水性の透明樹脂の
いずれもが使用できる。親油性透明樹脂としては、ポリ
酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル／アクリル酸エステル共重
合樹脂、アクリル酸／酢酸ビニル共重合樹脂、エチレン
／酢酸ビニル共重合樹脂などのエステル基を有する樹脂
、酢酸セルロースなどの水酸基を有する樹脂、カルボン
酸基あるいはスルホン８ＩＩ基を含む変性酢酸ビニル系
樹脂などが挙げられる。

また、光記録特性上はヒートモードで変形する性質を有
するニトロセルロースなどのセルロース誘導体をこれら
の親油性透明樹脂に添加することも高Ｓ度化のために有
効である。

また、親水性の透明樹脂としては、ゼラチン、カゼイン
、グル−、アラビアゴム、セラックなどの天然高分子化
合物、カルボキシメチルセルロース、卵白アルブミン、
ポリビニルアルコール（部分ケン化ポリ酢酸ビニル）、
ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロ
リドン、ポリエチレンオキシド、無水マレイン酸共重合
体などの合成樹脂が用いられるが、水溶性ないし親水性
樹脂である限りにおいて、上記以外のものも使用可能で
ある。バインダーとしての親水性透明樹脂には、この透
明樹脂により感光材層を形成して物理現像液と接触させ
る際に、物理現像液が感光剤層に浸透して物理現像が可
能となる程度の親水性を有することが好ましい。

また光記録特性上はヒートモードで変形し易い性質のあ
る、ニトロセルロースなどの低分子吊物質をエタノール
溶解して上記の親水性透明樹脂に添加することも有効で
ある。

現像抑制剤としては、ジアゾ基またはアジド基を有する
化合物が用いられる。ジアゾ基を有する化合物としては
ジアゾ基を有する塩化亜鉛複塩もしくはホウフッ化塩、
またはこれらの化合物とバラホルムアルデヒドより得ら
れる縮合生成物である化合物が好ましい。より具体的に
は、ｐ−Ｎ。

Ｎ−ジエチルアミノベンゼンアゾニウム塩化亜鉛複塩、
ｐ−Ｎ−エチル−Ｎ−βヒドロキシエヂルアミノベンゼ
ンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−モルフォリノ−２，
６−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４
−モルフォリノ−２゜５−ジブトキシベンゼンジアゾニ
ウム塩化亜鉛複塩、４−ベンゾイルアミノ−２，５−ジ
ェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−（４
’−メトキシベンゾイルアミノ）−２，５−ジェトキシ
ベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、４−（＋）−トル
イルメルカプト）−２，５−ジメトキシベンゼンジアゾ
ニウム塩化亜鉛複塩、４−ジアゾ−４′−メトキシジフ
ェニルアミン塩化亜鉛複塩、４−ジアゾ−３−メトキシ
ジフェニルアミン塩化亜鉛複塩などのジアゾ基を有する
塩化亜鉛複塩もしくは以上のような塩化亜鉛複塩の代わ
りに上記のホウフッ化塩、硫酸塩、リン酸塩なども使用
できる。

アジド基を有する化合物としては、ｐ−アジドアセトフ
ェノン、４．４′−ジアジドカルコン、２．６−ビス−
（４′−７ジドベンザル）−アセトン、２．６−ビス−
（４′−アジドベンザル）−シクロヘキサノン、２．６
−ビス−（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロ
ヘキサノン、２．６−ビス（４′−アジドスチリル）−
アセトン、アジドピレンなどが使用できる。ジアゾ基も
しくはアジド基を有する限り上記以外の化合物も使用す
ることもでき、また、上記したジアゾ基もしくはアジド
基を有する化合物を任意に２種以上併用して使用するこ
ともできる。

なおジアゾ基を有する化合物を用いる場合には、この化
合物を安定化させる安定化剤を用いるとよく、有機カル
ボン酸や有機スルホン酸がこの安定化剤として用いるこ
とができ、より実際的にはｐ−トルエンスルホン酸など
を用いることが好ましい。

次に還元されて金属現像核となる金属錯化合物もしくは
金属化合物について説明する。

まず、還元されて金属現像核となる金属錯化合物として
は、パラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の錯化合
物が用いられ、これらの金属に対し電子ドナーとなる配
位子としては通常知られているものを用いることができ
る。具体的には、下記のような金属錯化合物が用いられ
る。

ビス（エチレンジアミン）パラジウム（ＩＩ）塩、ツク
０ロエチレンジアミンパラジウム（ＩＩ）塩、ジクロ０
（エチレンジアミン）白金（Ｖ）塩、テトラクロロジア
ンミン白金（ｒＶ）塩、ジクロロビス（エチレンジアミ
ン）白金（ｒＶ）塩、テトラエチルアンモニウム銅（Ｉ
Ｆ）塩、ビス（エチレンジアミン銅（Ｉ［）塩。

さらに金属の錯化合物を形成する配位子としては、２ｈ
所以上で配位して環状構造をとるいわゆるキレ−１〜化
剤を用いると、形成される金属錯化合物の安定性が高い
ために好適である。キレート化剤としては第１級、第２
級もしくは第３級アミン類、オキシム類、イミン類、ケ
トン類を挙げることができ、より具体的にはジメチルグ
リオキシム、ジチオン、オキシン、アセチルアセトン、
グリシン、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、
ウラミルニ酢酸などの化合物が用いられる。

上記のキレ−１−他剤を用いたものとしては、ビス（２
，２’　−ビピリジン）パラジウム（ｎ）塩、ビス（ア
セチルアセトナート）パラジウム（Ｉ）、ビス（Ｎ、Ｎ
−ジエチルエチレンジアミン）銅（Ｉ）塩、ビス（２，
２’−ビピリジン）銅（ＩＩ）塩、ビス１，１０−フェ
ナントロリン）銅（ＩＩ）塩、ビス（ジメチルグリオキ
シマート）銅（ＩＩ）、ビス（アセチルアセトナート）
銅（■）、ビス（アセチルアセトナート）白金（ＩＦ）
などが好ましい。

還元されて金属現像核を与える金属化合物としては、パ
ラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の塩化物、硝酸
塩などの水溶性塩などの金属化合物が用いられ、具体的
には無電解メッキのアクチベーター液中に含まれる塩化
パラジウム、硝酸銀、四塩化水素金などの塩が好ましい
が、このうちパラジウムの塩が特に好ましい。

上述のような、（イ）バインダーとしての透明樹脂、（
ロ）ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現像抑
制剤および（ハ）還元されて金属現像核となる金属錯化
合物または金属化合物は、バインダーとしての透明樹脂
に応じて選択された溶剤とともに混合されて、塗布に適
した粘度である１０〜１０００センチボイズを有する感
光材層形成用塗布液とされる。この感光材層形成用塗布
液は、保ｌ！層３上に通常０．１〜３０μ扉の膜厚に塗
布されて感光材層が形成される。

バインダーとしての透明樹脂を溶解する溶剤としては、
種々の溶剤が使用できるが、親水性透明樹脂を用いる場
合には、水、低級アルコール、ケトン、エーテルなどの
水混和性溶媒、あるいは水と水混和性溶媒との混合溶剤
が用いられる。また、親油性透明樹脂を用いる場合には
、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピル
アルコールなどの低級アルコール類、アセトン、メチル
エチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酸１１ｊｎ
−ブチルなどのエステル類、メチルセロソルブなどの極
性の高い溶剤が好ましく用いられる。

なお、親水性の透明樹脂を用いる場合には、感光材層を
形成後、物理現像処理中の現像液へのバインダーなどの
溶出を抑制するため、硬膜処理を行うことが望ましい。

硬膜処理は、たとえば下記化合物を感光材形成用塗布液
中に透明樹脂１００部に対して０．１〜５０部の闇で予
じめ混合するか、あるいは下記化合物の水溶液をすでに
形成された感光材層上に塗布することにより行なうこと
ができる。

カリ明パン、アンモニウム明パンなどのＡ１化合物ニク
ロム明パン、硫酸クロムなどのＣｒ化合物：ホルムアル
デヒド、グリオキザル、グルタルアルデヒド、２−メチ
ルグルタルアルデヒド、ナクシナルデヒドなどのアルデ
ヒド類、二〇−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、シク
ロヘキサン−１，２−ジオン、シクロペンタン−１，２
−ジオン、ジアセチル、２．３−ペンタンジオン、２゜
５−ベキ１ナンジオン、２．５−ヘキセンジオンなどの
ジケトン；トリグリシジルイソシアヌル酸塩などのエポ
キシド：テトラフタロイルクロリド、４．４′−ジフェ
ニルメタンジスルフォニルクロリドなどの酸無水物；タ
ンニン酸、没食子酸、２゜４−ジクロロ−６−ヒドロキ
シ−６−トリアジン、ならびに一般式Ｒ，，ＮＰＯＸ、
。

Ｒ−Ｎ−Ｃ−Ｎ−Ｒ’　　（ここでＲは炭素２〜６のア
ルキル基、Ｒ′は（ＣＨ）　　Ｎ　　（ＣＨ３）３Ｘ−基、ＸはＦまたは
Ｃρ、ｎは１または２）で表わされるリン化合物または
カルボジイミド；スチレン／マレイン酸共重合体、ビニ
ルピロリドン／マレイン酸共重合体、ビニルメチルエー
テル／マレイン酸共重合体、エチレンイミン／マレイン
酸共重合体、メタクリル酸／メタクリＯニトリル共重合
体、ポリメタクリルアミド、メタクリル酸エステル共重
合体などの樹脂類、グルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、
乳酸、クエン酸、アスパラギン酸、ゲルコール酸、酒石
酸など。

このようにして、保護層３上に設けられた感光材層をパ
ターン露光し、次いで現像して未露光部である光透過部
および露光部である遮光部とからなる第１記録ＷＪ２ａ
を形成する。パターン露光は、たとえばホトマスクなど
のマスクを介して行なうことができる。

また照射光をビーム状に集光して感光材層に直接照射し
てパターン状に遮光部を形成することもできる。

第１記録層２ａにおける光透過部および遮光部によりも
たらされる画像情報は、情報そのものあるいは情報を読
取る際に、トラッキングおよびプレフォーマットとして
の働きをしている。

感光材層における露光部では、ジアゾ基またはアジド基
を有する光分解性の現像抑制剤は、露光量に応じて分解
されて潜像が形成される。

露光に際して使用される光源としては、ジアゾ基もしく
はアジド基を有する化合物を分解しうる光源ならば任意
に用いることができ、通常超高圧水銀灯が好ましく用い
られる。

上記のようなパターン露光によりジアゾ基もしくはアジ
ド基を有する化合物の分解により形成された潜像を、還
元剤水溶液と接触させて金属現像核を発生させる。なお
未露光部では、ジアゾ基またはアジド基を有する現像抑
制剤は分解されていないため、還元剤水溶液と接触して
も金属現像核は発生せずそのまま光透過部として残存し
ている。

この際用いられる還元剤としては、塩化第１スズ、硫酸
第１スズ、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ラザン、ジエチルアミンボラザン、トリメチルアミンボ
ラザンなどのボラザン系化合物、ボラン、ジボラン、メ
チルジボランなどのボラン系化合物、ヒドラジンなどが
用いられる。このうち、酸性塩化第１スズ溶液、硫酸第
１スズ溶液（＋５ｅｉＳＳ液）あるいは市販の無電解メ
ッキ用のセンシタイザ−液などが特に好ましいが、一般
には、強力な還元剤であればすべて使用できる。

次いで、このようにして得られた金属現像核と物理現像
液とを接触させると、物理現像液中に含まれる金属が還
元されて、前記金属現像核を中心として析出し、遮光部
４が形成される。

物理現像液としては、水溶性の被還元性金属塩および還
元剤を含む水溶液が、低温または必要に応じて加温した
状態で使用される。

被還元性金属塩としては、たとえばニッケル、コバルト
、鉄およびクロムなどのｖｔｂ族金属、銅などの１ｂ族
金属の水溶性塩が単独でまたは混合して使用される。ま
た−口調塩溶液で物理現像した後、塩化第一錫や硫酸錫
で置換メッキを行い錫ないし錫・銅系の金属層を得るこ
とも可能である。

これらの中でも安全性、保存性を考慮するとニッケル、
銅、錫が好ましい。但し、蒸着と異なり原料の純度、メ
ッキ安定化剤などから少量の昇柱金属やリン、イオウな
どの元素が混入することはあり得るが、特に光記録材料
としての特性に影響を与えるものではない。

適当な水溶性の被還元性金属塩としては、具体的には以
下のものが用いられる。

塩化第一コバルト、ヨウ化第−コバルト、臭化第一鉄、
塩化第一鉄、臭化第ニクロム、ヨウ化第ニクロム、塩化
第二銅などの重金属ハライド；硫酸ニッケル、硫酸第一
鉄、硫酸第一コバルト、硫酸第ニクロム、硫酸第二銅な
どの重金属硫酸塩；硝酸ニッケル、硝酸第一鉄、硝酸第
一コバルト、硝酸第ニクロム、硝酸第二銅などの重金属
硝Ｆｉ１塩；フェラスアセテート、コバルタスアセテー
ト、クロミックアセテート、キューブリックフォルメー
トなどの金属の有機酸塩。

これら被還元性重金属塩は物理現像液中にたとえば１０
〜１００９／Ｊｌの８で含まれることが好ましい。

還元剤としては、たとえば次亜リン酸、次亜リン酸ナト
リウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ホルマ
リン、ジエチルアミンボラン、ジメチルアミンボラン、
トリメチルアミンボラン、ボラン、ジボラン、メチルジ
ボラン、ジボラザン、ボラザン、ボラジン、ｔ−ブチル
アミンボラザン、ボラぜン、ボラジン、ｔ−ブチルアミ
ンボラザン、ピリジンボラン、２．６−ルチシンボラン
、エチレンジアミンボラン、ヒドラジンジボラン、ジメ
チルホスフィンボラン、フェニルホスフィンボラン、ジ
メチルアルシンボラン、フェニルアルシンボラン、ジメ
チルスチビンボラン、ジエチルスチビンボランなどが使
用できる。

これらの還元剤は、物理現像液中に、たとえば０．１〜
５０ｇ／ρの量で用いられることが好ましい。

物理現像液中には、前記した被還元性重金属塩の溶解に
より生成する重金属イオンが水酸化物として沈澱するの
を防止するために、たとえばモノカルボン酸、ジカルボ
ン酸、リンゴ酸、乳酸などのヒドロキシカルボン酸、コ
ハク酸、クエン酸、アスパラギン酸、グリコール酸、酒
石酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、グルコン酸、糖酸
、キニン酸などの有機カルボン酸からなる錯塩化剤の一
種または二種以上を含ませることができる。これら錯塩
化剤は、物理現像液中にたとえば１〜１００ｇ＃の伍で
用いられることが好ましい。

さらに、物理現像液には、現像液の保存性および操作性
ならびに得られる画像の質を改善するために、酸および
塩基などのｐＨ調節剤、ＭｉＩ剤、防腐剤、増白剤、界
面活性剤などが常法に従い必要に応じて添加される。

この添加剤のうち、ｌ）Ｈを上げるためにはアンモニア
水もしくは水酸化ナトリウム水溶液を用いることが特に
好ましい。

また、物理現像は、次亜リン酸ナトリウム還元剤を用い
た６５℃から９０℃の高温ニッケルメッキ浴または同メ
ッキ浴中で高速メッキ条件下で行ってもよい。この際得
られた画像を、たとえば塩酸５％または硝酸の５％の水
溶液で５分間程度処即することにより光透過部の透明樹
脂を一部選択的に除去することもできる。

また、感光材では、上述のような透明樹脂、現像抑制剤
、金属錯化合物または金属化合物からなる系のほかに、
（イ）ハロゲン化銀、ドライシルバー（登録商標）など
の有機銀塩に代表される銀塩系材料、（ロ）ジアゾニウ
ム塩とカプラーとの組合せ系、（ハ）カルバ−フィルム
（登録商標）、ＰＤプロセス（登録商標）材料などに代
表されるジアゾ系材料、（ニ）アクリル七ツマ−、ポリ
ビニルケイ皮酸などに代表される光重合型光種かけ型の
フォトポリマー系材料（ホ）トナー像を形成するＣｄ　
Ｓ、Ｚｎ　Ｏ、ポリビニルカルバゾールどの電子写真感
光体あるいはその転写体、（へ）フロスト像を形成する
サーモプラスチックス電子写真感光体などの電子写真系
材料、（１・）ロイコ染料と四臭化炭素との組合せ系、
（チ）ダイラックス（登録商標）コバルト錯体とロイコ
染料との組合せ系、（す）シュウ酸第二酸と鉄塩との組
合せ系、（ヌ）スピロピラン、モリブデンタングステン
化合物などの顔料または色素の画像を形成する材料など
が用いられつる。

上記の感光材のうら、ある種のものは露光部が遮光性と
なり未露光部が光透過性であるが、またある種のものは
露光部が光透過性となり未露光部が遮光性である。いず
れにしても露光した後に必要に応じて現像することによ
って、光透過部分と遮光部分とからなる記録を行ないう
るような感光材であれば使用できる。

但し、上記の感光材のうち、（イ）バインダーとしての
透明樹脂、（口）ジアゾ基またはアジド基を有する光分
解性の現像抑制剤および（ハ）還元されて金属現像核と
なる金属錯化合物または金属化合物から構成されている
感光材を用いると遮光部が近赤外線を使用した読取りの
際にも高温度のものとして読取り可能であり、解像度を
高く、しかも明室で取り扱える利点がある。

このような感光材への照射光としては、紫外線、可視光
線、赤外線、Ｘ線、電子線などが用いられうる。

第２記録層光透過部および遮光部とからなる第１記録層２ａ上に、
反射性金ｒＦ４ｍｍ層からなる第２記録層２ｂを形成す
る。

反射性金１［膜層は、Ｃｒ　、Ｔｉ　、　Ｆｅ　、Ｇｏ
、ＩＩ，　ＣＬＩ　％ＡＩＪ　、Ａｌｌ　、　ａｅ　１
Ａｎ　、Ｍ（］、Ｓｂ　、　Ｔｅ　、　Ｐｂ　、　Ｐｄ
　、　Ｃｄ　、　３ｉ　、　Ｓｎ　。

３６、ｉｎ，Ｑａ，Ｒｈなどの金属を単独もしくは二種
以上組合せて用いて形成される。

反射性金属薄ＩＩＩｉ層からなる第２記録層２ｂに情報
をエネルギービームの照射によりさらに書込む場合には
、低融点金属であるＴｅ　、Ｚｎ　１Ｐｂ　。

Ｃｄ，Ｂｉ、Ｓｎ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ１Ｒｂなどの金属
を主成分として反射性金属薄膜を構成することが好まし
く、特にＴｅ　−Ｓｅ　、　Ｔｅ　−Ｓｅ　−Ｐｂ　、
Ｔｅ　−Ｐｂ　１Ｔｅ　−Ｓｎ−Ｓ，Ｓｎ　−Ｃｕ　。

Ｔｅ　−Ｃｕ　、　Ｔｅ　−Ｑｕ−ｐｂなどの合金が好
ましい。

さらにこれらの合金のうち、５〜４０原子数パーセント
のＣｌｌを含むＴｅ−Ｃｕ合金あるいは５〜４０原子数
パーセントのＣｕおよびＣｕに対して１〜５０原子数パ
ーセントのｐｂを含むＴｅ　−Ｃｕ−Ｐｂ合金が、読出
し用照射エネルギービームの波長を６　５　０　ｒｖ以
上とする場合に特に好ましい。これらの合金からなる反
射性台ｐＡＦｔＩ膜層を第２記録層として用いると、外
周部での乱れが少ない記録ビットが得られ、しかも読出
し用照射エネルギービームの波長が６５０ｎｍ以上特に
７００〜９　０　０　ｎｌｌである場合に、記録部であ
るピットにおける反射率と未記録部である金ｙｒｈａｍ
における反射率すなわち相対反射率が小さいという優れ
た情報読出し特性を有する反射性金属薄膜が得られる。

さらに、１〜４０原子数パーセントのＣｕを含むＳｎ−
Ｃｕ合金を用いると記録ピッ１〜形状の外周部の乱れが
少なく、かつ毒性の低い反射性金属薄膜が得られる。

反射性金属薄膜層からなる第２記録層２ｂに情報を書込
まずに単に反射層として使用する場合には、ＡＩ、Ｃｒ
’　、Ｎｉ　、ＡＱ　、Ａｌｌなどの特に光反射性に優
れた金属あるいは合金により反射性金属薄膜層を形成す
ることが好ましい。

このような反射性金属薄膜層を第１記録層上に形成する
には、上記のような金属あるいは合金を準備し、これを
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティング
法、電気メツキ法などの従来既知の方法によって第１記
録層上に成膜すればよい。この反射性金属薄膜層の膜厚
は、２００〜ｉｏ、ｏｏｏ人好ましくは１０００〜５０
００八であることが好ましい。場合によっては、上記金
属からなる多層膜たとえばＩｎｌ！とＴｅａとの多層膜
も反射性金属薄膜として用いられる。また、上記金属と
有機化合物または無機酸化物との複合物たとえばＴｅ　
−ＣＨ、Ｔｅ　−Ｃ８１Ｔｅ　−スチレン、Ｓｎ　−８
０２、Ｇｅ　５−８ｎ　、Ｓｎ　Ｓ−８などの薄膜ある
いは５ｉ０２／Ｔｉ／５ｉ０２／Ａｊ）などの多Ｍｍも
反射性金ａｖＪＳとして用いられうる。

さらに、シアニンなどの色素を凝集させて光反射性を与
えた薄膜、ニトロセルロース、ポリスチレン、ポリエチ
レンなどの熱可塑性樹脂中に色素または銀などの金属粒
子を分散させたもの、あるいはこの熱可塑性樹脂の表面
に色素または金属粒子を凝集させたものなどが反射性金
ｆ１．ｉｔｌ膜として用いられつる。

さらにまた、エネルギービームの照射により相転移が生
じてその反射率が変化する、Ｔｅａ化物、Ｓｂ酸化物、
ＭＯ酸化物、Ｇｅ酸化物、■酸化物、Ｓｌｌ酸化物、あ
るいはＴｅ酸化物−ＱｅｌＴｅ−３ｎなどの化合物が、
反射性金属薄膜として用いられうる。

また、カルコーゲンあるいは発色型のＭ２Ｏ３−Ｃｕ　
、Ｍｏ　０３−８ｎ−Ｃｕが反射性金属薄膜として用い
られ、場合によっては泡形成型の有様薄膜と金属薄膜と
の多層体も反射性金属薄膜として用いられうる。

ざらに光磁記録材料であるＧｄ　Ｃｏ　、Ｔｂ　Ｃｏ、
Ｇｄ　Ｆｅ　、ｏｙ　Ｆｅ　ＳＧｄ　Ｔｂ　Ｆｅ　。

Ｇｄ　Ｆｅ　Ｂｉ　１Ｔｂ　Ｄｙ　Ｆｅ　、Ｍｎ　Ｃｕ
　Ｂｉなども反射性金属薄膜として用いられうる。

上記のような各種のタイプの反射性金属薄膜を組合せて
用いることも可能である。

九１！１１表面硬化１６は、光カード１の光記録部側の表面の硬度
を高めてその保護をすることにより、カードの携帯や使
用時における表面損傷を防止する。

これにより、カードの耐久性と書込み、読取り精度を高
めて信頼性を向上させる。

この表面硬化層の材料としては、シリコン系、アクリル
系、メラミン系、ウレタン系、エポキシ系硬化剤やＡρ
　Ｏ５ｉ０２などの金ｊ！酸化２　　３　・物の他、プラズマ重合膜などが用いられる。

艷ｉ方１この実施例に係る光カードの製造方法について説明する
。

まず、保！１ｕｌｌとなる材料の表面の一部をブライマ
ー処理して、その表面に第１記録層および第２記録層を
設は光記録部を形成する。この保ＩＩ層は、光カードと
して組立てられた場合に、カード保護層としての役割を
果している。

次に、カード基材と保護層とを、光記録部の第２記録層
がカード基材と接するように、熱接着剤などの接着剤層
を介して重ね合わせた後、９０〜１５０℃程度に加熱さ
れた熱ロールなどにて圧着することにより光カードを１
１造できる。

場合によっては、以下のようにして光カードを製造する
こともできる。すなわち保護層材料の表面に親水性樹脂
をバインダーとして含む第１記録層および第２記録層を
設けた後、第２記録層である反射性金属薄膜上に、アク
リル樹脂等の保護膜をスクリーン印刷などにより塗布し
、この部分を耐水性とする。この際保護層の周辺縁部に
はその保：１Ｉｌｌは設けない。次いでこの光記録部を
温水に浸漬し、保護膜の設けられていない部分の親水性
樹脂を除去した後乾燥する。

一方、白色ポリ塩化ビニルフィルムなどのカード基材に
は、必要に応じて、熱プレス法などによって光記録部の
第１記録層および第２記録層を嵌込むための凹部を形成
することも表面に接着剤層を設ける。

次に、光記録部とカード基材とを、光記録部の第２記Ｂ
層がカード基材と接するようにして重ね合わせ、熱ロー
ルなどにて圧着することにより九カードを製造できる。

峠肱二且ユ反射性金属薄膜層への情報の書込みおよび光カードに書
込まれた情報の読出しについて説明する。

反射性金属薄膜層への情報の書込みは、この金属薄膜層
に波長３００〜１ｌ１００ｎのレーザビームなどのエネ
ルギービームをレンズなどにより集光して照射し、照射
部分の金属を蒸散あるいは偏在させて記録ビットを形成
することにより行なう。

この際エネルギービームの強度は、０．１〜１００ｍＷ
、パルス巾は５　ｎ５ｅｃ　〜５００　ｍ５ｅｃ１ビー
ム径は、０．１〜１００μｍであることが好ましい。

反射性金ｆｌｉｐ膜層上に照射されるエネルギービーム
としては、半導体レーザ、アルゴンレーザ、ヘリウム−
ネオンレーザなとのレーデビーム、赤外線フラッシュな
どが用いられる。

−六本発明に係る光カードに１込まれた情報の読出しは
、反射性金属薄膜層を溶融させない程度の低エネルギー
のエネルギービームあるいは白色光、タングステン光な
どをレンズなどを介して光カードの保護層側から光透過
部および遮光部からなる第１記録層ならびに第２記録層
上に集光して照射し、反射光の強度と位相変化とを関連
づけて検出することによって行なわれる。

第１記録層における遮光部は、前述のように金属現像核
を中心にその付近に金属が析出して黒色に近い色調に形
成されているため、この遮光部に読出し用照射ビームが
照射されると、照射ビームはこの部分で吸収されて反射
率は小さくなる。一方光透過部では照射ビームにあまり
吸収されずに反射性金１！＆ｗＩ膜層に達するため、こ
の光透過部における反射率は大きい値となる。

また、反射性金属薄膜層における未記録部に相当する金
ＷＡ薄膜層では高い反射率が得られるのに対し、記録部
に相当するビット部では低い反射率となる。

このようにして、第１記録層では遮光部と光透過部とに
おける透過度の相違、また第２記録層ではビット部と未
記録部とにおける反射率の相違を位相変化と関連づけて
読出すことによって、本発明に係る光カードに書込まれ
た情報を読出すことができる。

〔発明の効果〕

この発明の光カードによって、より任意なカード位置に
多くの高密度情報を記録することができ、しかも、光記
録部の表面箇所が磁気情報の読取り書込み装置と接触し
ないので、その表面の汚染や１１１１ｍを防いで信頼性
の高い光記録情報の記録・再生を可能にする。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の光カードの一例を示す断面図、第２
図は光記録部および磁気記録部を有する光カードの一例
を示す平面図である。１・・・光カード、２・・・光記録部、２ａ・・・第１
記録層、２ｂ・・・第２記録層、３・・・保護層、４ａ
・・・不透明基材、４ｂ・・・透明基材、６・・・表面
硬化層、７・・・接着剤層、８・・・エンボス領域、９
・・・磁気記録部。

Claims

【特許請求の範囲】

　１．光記録部および磁気記録部を有するカードであつ
て、磁気情報の読取り書込み装置内を走行する際に光記
録部はカード面がその装置と接触しない領域に配設され
たことを特徴とする光カード。
　２．光記録部がＪＩＳＢ９５６０に規定するエンボス
領域に配設されている特許請求の範囲第１項記載の光カ
ード。