JPS61210545A - 偽造防止された光カ−ド - Google Patents
偽造防止された光カ−ドInfo
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- JPS61210545A JPS61210545A JP60051999A JP5199985A JPS61210545A JP S61210545 A JPS61210545 A JP S61210545A JP 60051999 A JP60051999 A JP 60051999A JP 5199985 A JP5199985 A JP 5199985A JP S61210545 A JPS61210545 A JP S61210545A
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光記録部を有する光カードに関し、さらに詳
しくは、光記録部の偽造を防止することのできる光カー
ドに関する。
しくは、光記録部の偽造を防止することのできる光カー
ドに関する。
光学的に情報が記録・再生される光記録部を有する光カ
ードは、磁気材料が埋設された磁気カードに比較して、
高密度に情報を記録・再生することができ、光記録部の
記録寸法が1.5〜50μmのように微細であることか
ら光記録部自体を複製して偽造することが容易でないと
いう特徴を持っている。したがって、光カードは磁気カ
ードに代ってもしくは磁気と併用して、クレジットカー
ド、バンクカード、キャッシュカード、10カードなど
の種々のカードに広く利用されつつある。
ードは、磁気材料が埋設された磁気カードに比較して、
高密度に情報を記録・再生することができ、光記録部の
記録寸法が1.5〜50μmのように微細であることか
ら光記録部自体を複製して偽造することが容易でないと
いう特徴を持っている。したがって、光カードは磁気カ
ードに代ってもしくは磁気と併用して、クレジットカー
ド、バンクカード、キャッシュカード、10カードなど
の種々のカードに広く利用されつつある。
しかしながら、光カードは、通常、カード基材、光記録
部およびその保護層とから主に構成され、各部にill
を持たせつつそれと接合・積層して製造されている(例
えば、特願昭57−49716号)。また、光記録部を
写真的複製法によって調製し、読み取り専用情報(Re
ad Only M emory)、書き込み用ガイド
およびアドレス番号などを事前に記録する製造法(例え
ば、特願昭55−91586号、特願昭59−7158
2号、特願昭59−71583号)においても、光カー
ドはカード基材、光記録部およびその保護層とから主に
構成され、それらが結合されて製造されている。
部およびその保護層とから主に構成され、各部にill
を持たせつつそれと接合・積層して製造されている(例
えば、特願昭57−49716号)。また、光記録部を
写真的複製法によって調製し、読み取り専用情報(Re
ad Only M emory)、書き込み用ガイド
およびアドレス番号などを事前に記録する製造法(例え
ば、特願昭55−91586号、特願昭59−7158
2号、特願昭59−71583号)においても、光カー
ドはカード基材、光記録部およびその保護層とから主に
構成され、それらが結合されて製造されている。
したがって、光記録部自体の複製偽造が困難であっても
、カード流通中にカードの構成部分ごとに接合部で剥離
して光記録部を改変・再接合することが比較的に容易で
あるために、従来の光カードには、偽造・悪用されると
いう問題点がある。
、カード流通中にカードの構成部分ごとに接合部で剥離
して光記録部を改変・再接合することが比較的に容易で
あるために、従来の光カードには、偽造・悪用されると
いう問題点がある。
この発明は上述の問題点を解決するためになされたもの
であり、その目的とするところは容易に偽造することの
できない光カードを提供することである。
であり、その目的とするところは容易に偽造することの
できない光カードを提供することである。
この発明の光カードは、カード基材上に光記録部および
保iI層を積層されたものであって、光記録部と挾着す
る保護層および/またはカード基材と光記録部との接着
力が接着面内で相違することを特徴とするものである。
保iI層を積層されたものであって、光記録部と挾着す
る保護層および/またはカード基材と光記録部との接着
力が接着面内で相違することを特徴とするものである。
この発明における光記録部は、光学的に情報が記録・再
生される領域、さらに具体的には光透過度の相違および
/または光反射率の相違によって情報の書き込みおよび
読み出しが行なわれる領域である。
生される領域、さらに具体的には光透過度の相違および
/または光反射率の相違によって情報の書き込みおよび
読み出しが行なわれる領域である。
この発明において、光記録部と保護層との間の接着力が
、もしくは光記録部とカード基材との間の接着力が、そ
れぞれの接着面内で相違するように光カードが形成され
る。この相違させる方法として、種々のものがあり、例
えば、光記録部またはカード基材の表面の一部にブライ
マー処理して接着力を部分的に強める方法、逆に光記録
部またはカード基材の表面に剥離処理を施して接着力を
部分的に弱める方法、また接合用の接着剤を部分的に変
える方法がある。これらについての処理法として通常の
コーティング法の他、プラズマ処理、PVD、CVDな
どの薄膜処理などがある。
、もしくは光記録部とカード基材との間の接着力が、そ
れぞれの接着面内で相違するように光カードが形成され
る。この相違させる方法として、種々のものがあり、例
えば、光記録部またはカード基材の表面の一部にブライ
マー処理して接着力を部分的に強める方法、逆に光記録
部またはカード基材の表面に剥離処理を施して接着力を
部分的に弱める方法、また接合用の接着剤を部分的に変
える方法がある。これらについての処理法として通常の
コーティング法の他、プラズマ処理、PVD、CVDな
どの薄膜処理などがある。
例えば、第1図および第3図に示す光カード1では、光
記録部2と保fI層3との間の接着面の一部にブライマ
ー処理部5を、また、光記憶部2とカード基材4との間
の接着面の一部にブライマー処理部5を形成する。
記録部2と保fI層3との間の接着面の一部にブライマ
ー処理部5を、また、光記憶部2とカード基材4との間
の接着面の一部にブライマー処理部5を形成する。
この発明において接着力を相違させる場合、接着力が変
化する境界を、複製困難な地紋などの偶然性の^いパタ
ーンに重ねることが好ましい。このことにより高い偽造
防止効果が期待される。
化する境界を、複製困難な地紋などの偶然性の^いパタ
ーンに重ねることが好ましい。このことにより高い偽造
防止効果が期待される。
さらに、光記録部が、光透過部および遮光部からなる第
1記録層と反射性金属薄膜層からなる第2記録層とから
なる場合、少なくとも第1記録層と保護層との間の接着
力をその接着面内で相違するように実施することが望ま
しい。
1記録層と反射性金属薄膜層からなる第2記録層とから
なる場合、少なくとも第1記録層と保護層との間の接着
力をその接着面内で相違するように実施することが望ま
しい。
この発明の光カードにおいて、光記録部の接着面内で接
着力が相違しているために、カードの構成部分ごとに剥
離しようとすると光記録部が、接着力が相違する境界か
ら破断する。したがって、光記録部の記録寸法が1.5
〜50μ汎のように微細であって光記録部自体を複製・
偽造することが容易でないことと、この発明の効果とが
相俟って光カードの偽造をほぼ完全に防止することがで
きる。
着力が相違しているために、カードの構成部分ごとに剥
離しようとすると光記録部が、接着力が相違する境界か
ら破断する。したがって、光記録部の記録寸法が1.5
〜50μ汎のように微細であって光記録部自体を複製・
偽造することが容易でないことと、この発明の効果とが
相俟って光カードの偽造をほぼ完全に防止することがで
きる。
以下、この発明の光カードの一実施例と、図面と参照し
つつ示して、この発明を具体的に説明する。
つつ示して、この発明を具体的に説明する。
この実施例の光カード1は、第2図に示すように、保護
層3と光記録部2とカード基材4とから主に構成され、
それらが接合一体化されたものである。
層3と光記録部2とカード基材4とから主に構成され、
それらが接合一体化されたものである。
この実施例において光記録部2は、第1記録層2aとそ
れと隣接する第2記録層2bとからなる。
れと隣接する第2記録層2bとからなる。
第1記録層2aは保護層3の下面に設けられ、他方第2
記録層2bは接着剤層7を介してカード基材4面と接合
されている。
記録層2bは接着剤層7を介してカード基材4面と接合
されている。
この実施例におけるカード基材4は、不透明基材層4a
と透明基材層4bとの積層体からなる。
と透明基材層4bとの積層体からなる。
場合によっては、カード基材4の下面もしくは保護層3
の上面に磁気記録体を設けてもよい。また、光記録部2
をカード面の全体もしくはその一面に設けてもよい。さ
らに、必要に応じてICメモリー、写真、彫刻画像し、
文字、マーク、インプリントと称する浮き出し文字など
を、光カードの表面に併設してもよい。このようにする
ことによって、1枚のカードで種々の再生方式に対応で
きる。
の上面に磁気記録体を設けてもよい。また、光記録部2
をカード面の全体もしくはその一面に設けてもよい。さ
らに、必要に応じてICメモリー、写真、彫刻画像し、
文字、マーク、インプリントと称する浮き出し文字など
を、光カードの表面に併設してもよい。このようにする
ことによって、1枚のカードで種々の再生方式に対応で
きる。
実施例において、保護層の外側表面に表面硬化層6が設
けられ、さらにこの発明に従って第1記録1i2aと保
護層3との接合面の一部に、また第2記録層の接合面の
一部にブライマー処理が施されている。
けられ、さらにこの発明に従って第1記録1i2aと保
護層3との接合面の一部に、また第2記録層の接合面の
一部にブライマー処理が施されている。
以下、この実施例の光カードの構成部材について詳細に
説明づる。
説明づる。
カード基材
カード基材4としては、通常のカードの基材として用い
ることができるあらゆる材料が用いられうる。具体的に
は、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル/酢酸ビニル共重合体
、ポリ塩化ビニリデン、ポリメタクリル酸メチルなどの
アクリル系重合体、ポリスチレン、ポリビニルブチラー
ル、アセチルセルロース、スチレン/ブタジェン共重合
体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート
などが用いられる。場合によっては、鉄、ステンレス、
アルミニウム、スズ、銅、亜鉛などの金属シート、合成
紙、紙なども用いられうる。さらに、上記のような材料
の積層体も用いられる。このうち、不透明材料層4aと
しては、白色硬質ポリ塩化ビニルが好ましく、透明材料
層4bとしては、透明硬質ポリ塩化ビニルが好ましい。
ることができるあらゆる材料が用いられうる。具体的に
は、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル/酢酸ビニル共重合体
、ポリ塩化ビニリデン、ポリメタクリル酸メチルなどの
アクリル系重合体、ポリスチレン、ポリビニルブチラー
ル、アセチルセルロース、スチレン/ブタジェン共重合
体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート
などが用いられる。場合によっては、鉄、ステンレス、
アルミニウム、スズ、銅、亜鉛などの金属シート、合成
紙、紙なども用いられうる。さらに、上記のような材料
の積層体も用いられる。このうち、不透明材料層4aと
しては、白色硬質ポリ塩化ビニルが好ましく、透明材料
層4bとしては、透明硬質ポリ塩化ビニルが好ましい。
保護層
保護層3としては、光透過性であるガラス、セラミック
、紙、プラスチックフィルム、織布、不織布などあらゆ
るタイプの材料が用いられうるが、生産性および平滑性
の点からガラスあるいはプラスチックフィルムが好まし
い。プラスチックとしては、セルロース誘導体、ポリエ
ステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ビニル系樹脂、ポ
リイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテル樹脂、
ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリメチルペンテ
ン樹脂、トリアセテートなどを用いることができ、透明
性および平滑性の点から、セルローストリアセテート、
ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、アク
リル、ポリ塩化ビニル、ポリサルホン、ポリメチルペン
テンなどが特に好ましい。この保護層3にこの発明に従
って部分的にコロナ放電処理、プラズマ処理、ブライマ
ー処理などの接着性改良のための前処理をしてもよい。
、紙、プラスチックフィルム、織布、不織布などあらゆ
るタイプの材料が用いられうるが、生産性および平滑性
の点からガラスあるいはプラスチックフィルムが好まし
い。プラスチックとしては、セルロース誘導体、ポリエ
ステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ビニル系樹脂、ポ
リイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテル樹脂、
ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリメチルペンテ
ン樹脂、トリアセテートなどを用いることができ、透明
性および平滑性の点から、セルローストリアセテート、
ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、アク
リル、ポリ塩化ビニル、ポリサルホン、ポリメチルペン
テンなどが特に好ましい。この保護層3にこの発明に従
って部分的にコロナ放電処理、プラズマ処理、ブライマ
ー処理などの接着性改良のための前処理をしてもよい。
第1記録層
第1記録層2aは、光透過部および遮光部から構成され
ている。この第1記録層2aは、たとえば未露光部が光
透過性となり露光部が遮光性となる感光材をパターン露
光し、次いで現像することによって形成され。場合によ
っては、未露光部が遮光性となり、露光部が光透過性と
なる感光材をパターン露光し次いで現像することによっ
て、第1記録層2aを形成してもよい。
ている。この第1記録層2aは、たとえば未露光部が光
透過性となり露光部が遮光性となる感光材をパターン露
光し、次いで現像することによって形成され。場合によ
っては、未露光部が遮光性となり、露光部が光透過性と
なる感光材をパターン露光し次いで現像することによっ
て、第1記録層2aを形成してもよい。
感光材は、たとえば(イ)バインダーとしての透明樹脂
、(ロ)ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現
像抑制剤および(ハ)還元されて金属現像核となる金属
錯化合物または金属化合物から構成されている。この感
光材においては、バインダーとしての透明樹脂100重
量部に対して、ジアゾ基またはアジド基を有する光分解
性の現像抑制剤は1〜100重量部好ましくは20〜5
0重量部の量で存在し、還元されて金属現像核となる金
属錯化合物または金属化合物は0.1〜100重量部好
ましくは1〜10重量部の量で存在している。上記の現
像抑制剤、金属錯化合物または金属化合物は、バインダ
ーとしての透明樹脂中に溶解あるいは分散されているが
、好ましくは溶解されている。
、(ロ)ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現
像抑制剤および(ハ)還元されて金属現像核となる金属
錯化合物または金属化合物から構成されている。この感
光材においては、バインダーとしての透明樹脂100重
量部に対して、ジアゾ基またはアジド基を有する光分解
性の現像抑制剤は1〜100重量部好ましくは20〜5
0重量部の量で存在し、還元されて金属現像核となる金
属錯化合物または金属化合物は0.1〜100重量部好
ましくは1〜10重量部の量で存在している。上記の現
像抑制剤、金属錯化合物または金属化合物は、バインダ
ーとしての透明樹脂中に溶解あるいは分散されているが
、好ましくは溶解されている。
透明樹脂としては、親油性あるいは親水性の透明樹脂の
いずれもが使用できる。親油性透明樹脂としては、ポリ
酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル/アクリル酸エステル共重
合樹、脂、アクリル酸/酢酸ビニル共重合樹脂、エチレ
ン/酢酸ビニル共重合樹脂などのエステル基を有する樹
脂、酢酸セルロースなどの水酸基を有する樹脂、カルボ
ン酸基あるいはスルホン酸基を含む変性酢酸ビニル系樹
脂などが挙げられる。
いずれもが使用できる。親油性透明樹脂としては、ポリ
酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル/アクリル酸エステル共重
合樹、脂、アクリル酸/酢酸ビニル共重合樹脂、エチレ
ン/酢酸ビニル共重合樹脂などのエステル基を有する樹
脂、酢酸セルロースなどの水酸基を有する樹脂、カルボ
ン酸基あるいはスルホン酸基を含む変性酢酸ビニル系樹
脂などが挙げられる。
また、光記録特性上はヒートモードで変形する性質を有
するニトロセルロースなどのセルロース誘導体をこれら
の親油性透明樹脂に添加することも高感度化のために有
効である。
するニトロセルロースなどのセルロース誘導体をこれら
の親油性透明樹脂に添加することも高感度化のために有
効である。
また、親水性の透明樹脂としては、ゼラチン、カゼイン
、グル−、アラビアゴム、セラックなどの天然高分子化
合物、カルボキシメチルセルロース、卵白アルブミン、
ポリビニルアルコール(部分ケン化ポリ酢酸ビニル)、
ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロ
リドン、ポリエチレンオキシド、無水マレイン酸共重合
体などの合成樹脂が用いられるが、水溶性ないし親水性
樹脂である限りにおいて、上記以外のものも使用可能で
ある。バインダーとしての親水性透明樹脂には、この透
明樹脂により感光材層を形成して物理現像液と接触させ
る際に、物理現像液が感光剤層に浸透して物理現像が可
能となる程度の親水性を有することが好ましい。
、グル−、アラビアゴム、セラックなどの天然高分子化
合物、カルボキシメチルセルロース、卵白アルブミン、
ポリビニルアルコール(部分ケン化ポリ酢酸ビニル)、
ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロ
リドン、ポリエチレンオキシド、無水マレイン酸共重合
体などの合成樹脂が用いられるが、水溶性ないし親水性
樹脂である限りにおいて、上記以外のものも使用可能で
ある。バインダーとしての親水性透明樹脂には、この透
明樹脂により感光材層を形成して物理現像液と接触させ
る際に、物理現像液が感光剤層に浸透して物理現像が可
能となる程度の親水性を有することが好ましい。
また光記録特性上はヒートモードで変形し易い性質のあ
る、ニトロセルロースなどの低分子量物質をエタノール
溶解して上記の親水性透明樹脂に添加することも有効で
ある。
る、ニトロセルロースなどの低分子量物質をエタノール
溶解して上記の親水性透明樹脂に添加することも有効で
ある。
現像抑制剤としては、ジアゾ基またはアジド基を有する
化合物が用いられる。ジアゾ基を有する化合物としては
ジアゾ基を有する塩化亜鉛複塩もしくはホウフッ化塩、
またはこれらの化合物とパラホルムアルデヒドより得ら
れる綜合生成物である化合物が好ましい。より具体的に
は、I)−N。
化合物が用いられる。ジアゾ基を有する化合物としては
ジアゾ基を有する塩化亜鉛複塩もしくはホウフッ化塩、
またはこれらの化合物とパラホルムアルデヒドより得ら
れる綜合生成物である化合物が好ましい。より具体的に
は、I)−N。
N−ジエチルアミノベンゼンアゾニウム塩化亜鉛複、塩
、p−N−エチル−N−βヒドロキシエチルアミノベン
ゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−モルフォリノ−2
,6−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、
4−モルフォリノ−2゜5−ジブトキシベンゼンジアゾ
ニウム塩化亜鉛複塩、4−ベンゾイルアミノ−2,5−
ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−(
4’−メトキシベンゾイルアミノ)−2,5−ジェトキ
シベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−(p−トル
イルメルカプト)−2,5−ジメトキシベンゼンジアゾ
ニウム塩化亜鉛複塩、4−ジアゾ−4′−メトキシジフ
ェニルアミン塩化亜鉛複塩、4−ジアゾ−3−メトキシ
−ジフェニルアミン塩化亜鉛複塩などのジアゾ基を有す
る塩化亜鉛複塩もしくは以上のような塩化亜鉛複塩の代
わりに上記のホウフッ化塩、硫酸塩、リン酸塩なども使
用できる。
、p−N−エチル−N−βヒドロキシエチルアミノベン
ゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−モルフォリノ−2
,6−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、
4−モルフォリノ−2゜5−ジブトキシベンゼンジアゾ
ニウム塩化亜鉛複塩、4−ベンゾイルアミノ−2,5−
ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−(
4’−メトキシベンゾイルアミノ)−2,5−ジェトキ
シベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−(p−トル
イルメルカプト)−2,5−ジメトキシベンゼンジアゾ
ニウム塩化亜鉛複塩、4−ジアゾ−4′−メトキシジフ
ェニルアミン塩化亜鉛複塩、4−ジアゾ−3−メトキシ
−ジフェニルアミン塩化亜鉛複塩などのジアゾ基を有す
る塩化亜鉛複塩もしくは以上のような塩化亜鉛複塩の代
わりに上記のホウフッ化塩、硫酸塩、リン酸塩なども使
用できる。
アジド基を有する化合物としては、p−アジドアセトフ
ェノン、4.4′−ジアジドカルコン、2.6−ビス−
(4′−アジドベンザル)−アセトン、2.6−ビス−
(4′−アジドベンザル)−シクロヘキサノン、2,6
−ビス=(4′−アジドベンザル)−4−メチルシクロ
ヘキサノン、2.6−ビス(4′−アジドスチリル)−
アセトン、アジドピレンなどが使用できる。ジアゾ因も
しくはアジド基を有する限り上記以外の化合物も使用す
ることもでき、また、上記したジアゾ基もしくはアジド
基を有する化合物を任意に2種以上併用して使用するこ
ともできる。
ェノン、4.4′−ジアジドカルコン、2.6−ビス−
(4′−アジドベンザル)−アセトン、2.6−ビス−
(4′−アジドベンザル)−シクロヘキサノン、2,6
−ビス=(4′−アジドベンザル)−4−メチルシクロ
ヘキサノン、2.6−ビス(4′−アジドスチリル)−
アセトン、アジドピレンなどが使用できる。ジアゾ因も
しくはアジド基を有する限り上記以外の化合物も使用す
ることもでき、また、上記したジアゾ基もしくはアジド
基を有する化合物を任意に2種以上併用して使用するこ
ともできる。
なおジアゾ基を有する化合物を用いる場合には、この化
合物を安定化させる安定化剤を用いるとよく、有機カル
ボン酸や有機スルホン酸がこの安定化剤として用いるこ
とができ、より実際的にはp−トルエンスルホン酸など
を用いることが好ましい。
合物を安定化させる安定化剤を用いるとよく、有機カル
ボン酸や有機スルホン酸がこの安定化剤として用いるこ
とができ、より実際的にはp−トルエンスルホン酸など
を用いることが好ましい。
次に還元されて金属現懺核となる金属錯化合物もしくは
金属化合物について説明する。
金属化合物について説明する。
まず、還元されて金属現像核となる金属錯化合物として
は、パラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の錯化合
物がmいられ、これらの金属に対し電子ドナーとなる配
位子としては通常知られているものを用いることが・で
きる。具体的には、下記のような金属錯化合物が用いら
れる。
は、パラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の錯化合
物がmいられ、これらの金属に対し電子ドナーとなる配
位子としては通常知られているものを用いることが・で
きる。具体的には、下記のような金属錯化合物が用いら
れる。
ビス(エチレンジアミン)パラジウム(I)ju、ジク
ロロエチレンジアミンパラジウム(I)13!、ジクロ
ロ(エチレンジアミン)白金(Vl塩、テトラクロロジ
アンミン白金(rV)塩、ジクロロビス(エチレンジア
ミン)白金(rV)塩、テ1−ラエチルアンモニウム銅
(In2、ビス(エチレンジアミン銅(n)F。
ロロエチレンジアミンパラジウム(I)13!、ジクロ
ロ(エチレンジアミン)白金(Vl塩、テトラクロロジ
アンミン白金(rV)塩、ジクロロビス(エチレンジア
ミン)白金(rV)塩、テ1−ラエチルアンモニウム銅
(In2、ビス(エチレンジアミン銅(n)F。
さらに金属の錯化合物を形成する配位子としては、2力
所以上で配位して環状構造をとるいわゆるキレート化剤
を用いると、形成される金属錯化合物の安定性が高いた
めに好適である。キレート化剤としては第1級、第2級
もしくは第3級アミン類、オキシム類、イミン類、ケト
ン類を挙げることができ、より具体的にはジメチルグリ
オキシム、ジチオン、オキシン、アセチルアセトン、グ
リジン、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ウ
ラミルニ酢酸などの化合物が用いられる。
所以上で配位して環状構造をとるいわゆるキレート化剤
を用いると、形成される金属錯化合物の安定性が高いた
めに好適である。キレート化剤としては第1級、第2級
もしくは第3級アミン類、オキシム類、イミン類、ケト
ン類を挙げることができ、より具体的にはジメチルグリ
オキシム、ジチオン、オキシン、アセチルアセトン、グ
リジン、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ウ
ラミルニ酢酸などの化合物が用いられる。
上記のキレート化剤を用いたものとしては、ビス(2,
2’ −ビピリジン)パラジウム(ff)塩、ビス(ア
セチルアセトナート)パラジウム(n)、ビス(N、N
−ジエチルエチレンジアミン)銅(II)塩、ビス(2
,2’ −ビピリジン)銅(II)塩、ビス1.10−
フェナントロリン)銅(IF)塩、ビス(ジメチルグリ
オキシマート)銅(II)、ビス(アセチルアセトナー
ト)銅(■)、ビス(アセチルアセトナート)白金(I
I)などが好ましい。
2’ −ビピリジン)パラジウム(ff)塩、ビス(ア
セチルアセトナート)パラジウム(n)、ビス(N、N
−ジエチルエチレンジアミン)銅(II)塩、ビス(2
,2’ −ビピリジン)銅(II)塩、ビス1.10−
フェナントロリン)銅(IF)塩、ビス(ジメチルグリ
オキシマート)銅(II)、ビス(アセチルアセトナー
ト)銅(■)、ビス(アセチルアセトナート)白金(I
I)などが好ましい。
還元されて台底現像核を与える金属化合物としては、パ
ラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の塩化物、硝酸
塩などの水溶性塩などの金属化合物が用いられ、具体的
には無電解メッキのアクチベーター液中に含まれる塩化
パラジウム、硝酸銀、四塩化水素金などの塩が好ましい
が、このうちパラジウムの塩が特に好ましい。
ラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の塩化物、硝酸
塩などの水溶性塩などの金属化合物が用いられ、具体的
には無電解メッキのアクチベーター液中に含まれる塩化
パラジウム、硝酸銀、四塩化水素金などの塩が好ましい
が、このうちパラジウムの塩が特に好ましい。
上述のような、(イ)バインダーとしての透明樹脂、(
ロ)ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現像抑
制剤および(ハ)還元されて金属現像核となる金属錯化
合物または金属化合物は、バインダーとしての透明樹脂
に応じて選択された溶剤とともに混合されて、塗布に適
した粘度である10〜1000センチボイズを有する感
光材層形成用塗布液とされる。この感光材層形成用塗布
液は、保IJ13上に通常0.1〜3011mのIll
厚に塗布されて感光材層が形成される。
ロ)ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現像抑
制剤および(ハ)還元されて金属現像核となる金属錯化
合物または金属化合物は、バインダーとしての透明樹脂
に応じて選択された溶剤とともに混合されて、塗布に適
した粘度である10〜1000センチボイズを有する感
光材層形成用塗布液とされる。この感光材層形成用塗布
液は、保IJ13上に通常0.1〜3011mのIll
厚に塗布されて感光材層が形成される。
バインダーとしての透明樹脂を溶解する溶剤としては、
種々の溶剤が使用できるが、親水性透明樹脂を用いる場
合には、水、低級アルコール、ケトン、エーテルなどの
水混和性溶媒、あるいは水の水混和性溶媒との混合溶剤
が用いられる。また、親油性透明樹脂を用いる場合には
、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピル
アルコールなどの低級アルコール類、アセトン、メチル
エチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢Mn−ブ
チルなどのエステル類、メチルセロソルブなどの極性の
高い溶剤が好ましく用いられる。
種々の溶剤が使用できるが、親水性透明樹脂を用いる場
合には、水、低級アルコール、ケトン、エーテルなどの
水混和性溶媒、あるいは水の水混和性溶媒との混合溶剤
が用いられる。また、親油性透明樹脂を用いる場合には
、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピル
アルコールなどの低級アルコール類、アセトン、メチル
エチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢Mn−ブ
チルなどのエステル類、メチルセロソルブなどの極性の
高い溶剤が好ましく用いられる。
なお、親水性の透明樹脂を用いる場合には、感光材層を
形成後、物理現像処理中の現像液へのバインダーなどの
溶出を抑制するため、硬膜処理を行うことが望ましい。
形成後、物理現像処理中の現像液へのバインダーなどの
溶出を抑制するため、硬膜処理を行うことが望ましい。
硬膜処理は、たとえば下記化合物を感光材形成用塗布液
中に透明樹脂100部に対して0.1〜50部の量で予
じめ混合するか、あるいは下記化合物の水溶液をすでに
形成された感光材層上に塗布することにより行なうこと
ができる。
中に透明樹脂100部に対して0.1〜50部の量で予
じめ混合するか、あるいは下記化合物の水溶液をすでに
形成された感光材層上に塗布することにより行なうこと
ができる。
カリ明パン、アンモニウム明パンなどのA1化合物ニク
ロム明パン、硫酸クロムなどのCr化合物;ホルムアル
デヒド、グリオキザル、グルタルアルデヒド、2−メチ
ルグルタルアルデヒド、サクシナルデヒドなどのアルデ
ヒド類、;0−ベンゾキノン、p−ベンゾキノン、シク
ロヘキサン−1,2−ジオン、シクロペンタン−1,2
−ジオン、ジアセチル、2,3−ペンタンジオン、2゜
5−ヘキサンジオン、2.5−ヘキセンジオンなどのジ
ケトン;トリグリシジルイソシアヌル酸塩などのエポキ
シド;テトラフタロイルクロリド、4.4′−ジフェニ
ルメタンジスルフオニルクロリドなどの酸無水物;タン
ニン酸、没食子酸、2゜4−ジクロo−6−ヒドロキシ
−5−トリアジン、ならびに一般式R2NPOx2 R−N−C=N−R’ (ここでRは炭素2〜6のア
ルキル基、R′は (CH) N+ (CH3)3X−基、XはFまたはC
j、nは1または2)で表わされるリン化合物またはカ
ルボジイミド;スチレン/マレイン酸共重合体、ビニル
ピロリドン/マレイン酸共重合体、ビニルメチルエーテ
ル/マレイン酸共重合体、エチレンイミン/マレイン酸
共重合体、メタクリルl/メタグリOニトリル共重合体
、ポリメタクリルアミド、メタクリル酸エステル共重合
体などの樹脂類、グルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、乳
酸、クエン酸、アスパラギ′ン酸、ゲルコール酸、酒石
酸など。
ロム明パン、硫酸クロムなどのCr化合物;ホルムアル
デヒド、グリオキザル、グルタルアルデヒド、2−メチ
ルグルタルアルデヒド、サクシナルデヒドなどのアルデ
ヒド類、;0−ベンゾキノン、p−ベンゾキノン、シク
ロヘキサン−1,2−ジオン、シクロペンタン−1,2
−ジオン、ジアセチル、2,3−ペンタンジオン、2゜
5−ヘキサンジオン、2.5−ヘキセンジオンなどのジ
ケトン;トリグリシジルイソシアヌル酸塩などのエポキ
シド;テトラフタロイルクロリド、4.4′−ジフェニ
ルメタンジスルフオニルクロリドなどの酸無水物;タン
ニン酸、没食子酸、2゜4−ジクロo−6−ヒドロキシ
−5−トリアジン、ならびに一般式R2NPOx2 R−N−C=N−R’ (ここでRは炭素2〜6のア
ルキル基、R′は (CH) N+ (CH3)3X−基、XはFまたはC
j、nは1または2)で表わされるリン化合物またはカ
ルボジイミド;スチレン/マレイン酸共重合体、ビニル
ピロリドン/マレイン酸共重合体、ビニルメチルエーテ
ル/マレイン酸共重合体、エチレンイミン/マレイン酸
共重合体、メタクリルl/メタグリOニトリル共重合体
、ポリメタクリルアミド、メタクリル酸エステル共重合
体などの樹脂類、グルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、乳
酸、クエン酸、アスパラギ′ン酸、ゲルコール酸、酒石
酸など。
このようにして、保1層3上に設けられた感光材層をパ
ターン露光し、次いで現像して未露光部である光透過部
および露光部である遮光部とからなる第1記録層2aを
形成する。パターン露光は、たとえばホトマスクなどの
マスクを介して行なうことができる。
ターン露光し、次いで現像して未露光部である光透過部
および露光部である遮光部とからなる第1記録層2aを
形成する。パターン露光は、たとえばホトマスクなどの
マスクを介して行なうことができる。
また照射光をビーム状に集光して感光材層に直接照射し
てパターン状に遮光部を形成することもできる。
てパターン状に遮光部を形成することもできる。
第1記録層2aにおける光透過部および遮光部によりも
たらされる画像情報は、情報そのものあるいは情報を読
取る際に、トラッキングおよびプレフォーマットとして
の働きをしている。
たらされる画像情報は、情報そのものあるいは情報を読
取る際に、トラッキングおよびプレフォーマットとして
の働きをしている。
感光材層における露光部では、ジアゾ基またはアジド基
を有する光分解性の現像抑制剤は、露光量に応じて分解
されて潜像が形成される。
を有する光分解性の現像抑制剤は、露光量に応じて分解
されて潜像が形成される。
露光に際して使用される光源としては、ジアゾ基もしく
はアジド基を有する化合物を分解しうる光源ならば任意
に用いることができ、通常超高圧水銀灯が好ましく用い
られる。
はアジド基を有する化合物を分解しうる光源ならば任意
に用いることができ、通常超高圧水銀灯が好ましく用い
られる。
上記のようなパターン露光によりジアゾ基もしくtまア
ジド基を有する化合物の分解により形成された潜像を、
還元剤水溶液と接触させて金属現像核を発生させる。な
お未露光部では、ジアゾ基またはアジド基を有する現像
抑制剤は分解されていないため、還元剤水溶液と接触し
ても金属現像核は発生せずそのまま光透過部として残存
している。
ジド基を有する化合物の分解により形成された潜像を、
還元剤水溶液と接触させて金属現像核を発生させる。な
お未露光部では、ジアゾ基またはアジド基を有する現像
抑制剤は分解されていないため、還元剤水溶液と接触し
ても金属現像核は発生せずそのまま光透過部として残存
している。
この際用いられる還元剤としては、塩化第1スズ、Ti
Al1!第1スズ、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチル
アミンボラザン、ジエチルアミンボラザン、トリメチル
アミンボラザンなどのボラン系化合物、ボラン、ジボラ
ン、メチルジボランなどのボラン系化合物、ヒドラジン
などが用いられる。このうち、酸性塩化第1スズ溶液、
硫酸第1スズ溶液(’5eiSS液)あるいは市販の無
電解メッキ用のセンシタイザ−液などが特に好ましいが
、一般には、強力な還元剤であればすべて使用できる。
Al1!第1スズ、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチル
アミンボラザン、ジエチルアミンボラザン、トリメチル
アミンボラザンなどのボラン系化合物、ボラン、ジボラ
ン、メチルジボランなどのボラン系化合物、ヒドラジン
などが用いられる。このうち、酸性塩化第1スズ溶液、
硫酸第1スズ溶液(’5eiSS液)あるいは市販の無
電解メッキ用のセンシタイザ−液などが特に好ましいが
、一般には、強力な還元剤であればすべて使用できる。
次いで、このようにして得られた金属現像核と物理現像
液とを接触させると、物理現像液中に含まれる金属が還
元されて、前記金属現像核を中心として析出し、遮光部
4が形成される。
液とを接触させると、物理現像液中に含まれる金属が還
元されて、前記金属現像核を中心として析出し、遮光部
4が形成される。
物理現像液としては、水溶性の被還元性金属塩および還
元剤を含む水溶液が、低温または必要に応じて加温した
状態で使用される。
元剤を含む水溶液が、低温または必要に応じて加温した
状態で使用される。
被還元性金属塩としては、たとえばニッケル、コバルト
、鉄およびクロムなどのvtb族金属、銅などのIb族
金属の水溶性塩が単独でまたは混合して使用される。ま
た−口調塩溶液で物理現像した後、塩化第一錫や硫酸錫
で置換メッキを行い錫ないし錫・銅系の金属層を得るこ
とも可能である。
、鉄およびクロムなどのvtb族金属、銅などのIb族
金属の水溶性塩が単独でまたは混合して使用される。ま
た−口調塩溶液で物理現像した後、塩化第一錫や硫酸錫
で置換メッキを行い錫ないし錫・銅系の金属層を得るこ
とも可能である。
これらの中でも安全性、保存性を考慮するとニッケル、
銅、錫が好ましい。但し、蒸着と異なり原料の純度、メ
ッキ安定化剤などから少量の異種金属やリン、イオウな
どの元素が混入することはあり得るが、特に光記録材料
としての特性に影響を与えるものではない。
銅、錫が好ましい。但し、蒸着と異なり原料の純度、メ
ッキ安定化剤などから少量の異種金属やリン、イオウな
どの元素が混入することはあり得るが、特に光記録材料
としての特性に影響を与えるものではない。
適当な水溶性の被還元性金属塩としては、具体的には以
下のものが用いられる。
下のものが用いられる。
塩化第一コバルト、ヨウ化第−コバルト、臭化第一鉄、
塩化第一鉄、臭化第ニクロム、ヨウ化第ニクロム、塩化
第二銅などの重金属ハライド:硫酸ニッケル、硫酸第一
鉄、硫酸第一コバルト、硫酸第二りOム、硫酸第二銅な
どの重金属硫l!l塩:硝酸ニッケル、硝酸第一鉄、硝
酸第一コバルト、硝酸第ニクロム、硝酸第二銅などの重
金属硝酸塩:フェラスアセテート、コバルタスアセテ−
1〜、クロミックアセテート、キューブリックフォルメ
ートなどの金属の有様酸塩。
塩化第一鉄、臭化第ニクロム、ヨウ化第ニクロム、塩化
第二銅などの重金属ハライド:硫酸ニッケル、硫酸第一
鉄、硫酸第一コバルト、硫酸第二りOム、硫酸第二銅な
どの重金属硫l!l塩:硝酸ニッケル、硝酸第一鉄、硝
酸第一コバルト、硝酸第ニクロム、硝酸第二銅などの重
金属硝酸塩:フェラスアセテート、コバルタスアセテ−
1〜、クロミックアセテート、キューブリックフォルメ
ートなどの金属の有様酸塩。
これら被還元性重金属塩は物理現像液中にたとえば10
〜100g/jの量で含まれることが好ましい。
〜100g/jの量で含まれることが好ましい。
還元剤としては、たとえば次亜リン酸、次亜リン酸ナト
リウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ホルマ
リン、ジエチルアミンボラン、ジメチルアミンボラン、
トリメチルアミンボラン、ボラン、ジボラン、メチルジ
ボラン、ジボラザン、ボラザン、ボラジン、t−ブチル
アミンボラザン、ボラゼン、ボラジン、t−ブチルアミ
ンボラザン、ピリジンボラン、2.6−ルチシンボラン
、エチレンジアミンボラン、ヒドラジンジボラン、ジメ
チルホスフィンボラン、フェニルボスフィンボラン、ジ
メチルアルシンボラン、フェニルアルシンボラン、ジメ
チルスチビンボラン、ジエチルスチビンボランなどが使
用できる。
リウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ホルマ
リン、ジエチルアミンボラン、ジメチルアミンボラン、
トリメチルアミンボラン、ボラン、ジボラン、メチルジ
ボラン、ジボラザン、ボラザン、ボラジン、t−ブチル
アミンボラザン、ボラゼン、ボラジン、t−ブチルアミ
ンボラザン、ピリジンボラン、2.6−ルチシンボラン
、エチレンジアミンボラン、ヒドラジンジボラン、ジメ
チルホスフィンボラン、フェニルボスフィンボラン、ジ
メチルアルシンボラン、フェニルアルシンボラン、ジメ
チルスチビンボラン、ジエチルスチビンボランなどが使
用できる。
これらの還元剤は、物理現像液中に、たとえば0.1〜
50g/ρのmで用いられることが好ましい。
50g/ρのmで用いられることが好ましい。
物理現像液中には、前記した被還元性重金属塩の溶解に
より生成する重金属イオンが水酸化物として沈澱するの
を防止するために、たとえばモノカルボン酸、ジカルボ
ン酸、リンゴ酸、乳酸などのヒドロキシカルボン酸、コ
ハク酸、クエン酸、アスパラギン酸、グリコール酸、酒
石酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、グルコン酸、糖酸
、キニン酸などの有機カルボン酸からなる錯塩化剤の一
種または二種以上を含ませることができる。これら錯塩
化剤は、物理現像液中にたとえば1〜1009/IQの
母で用いられることが好ましい、3さらに、物理現像液
には、現像液の保存性および操作性ならびに得られる画
像の質を改善するために、酸および塩基などのpH調節
剤、緩衝剤、防腐剤、増白剤、界面活性剤などが常法に
従い必要に応じて添加される。
より生成する重金属イオンが水酸化物として沈澱するの
を防止するために、たとえばモノカルボン酸、ジカルボ
ン酸、リンゴ酸、乳酸などのヒドロキシカルボン酸、コ
ハク酸、クエン酸、アスパラギン酸、グリコール酸、酒
石酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、グルコン酸、糖酸
、キニン酸などの有機カルボン酸からなる錯塩化剤の一
種または二種以上を含ませることができる。これら錯塩
化剤は、物理現像液中にたとえば1〜1009/IQの
母で用いられることが好ましい、3さらに、物理現像液
には、現像液の保存性および操作性ならびに得られる画
像の質を改善するために、酸および塩基などのpH調節
剤、緩衝剤、防腐剤、増白剤、界面活性剤などが常法に
従い必要に応じて添加される。
この添加剤のうち、pHを上げるためにはアンモニア水
もしくは水酸化ナトリウム水溶液を用いることが特に好
ましい。
もしくは水酸化ナトリウム水溶液を用いることが特に好
ましい。
また、物理現像は、次亜リン酸ナトリウム還元剤を用い
た65℃から90℃の高温ニッケルメッキ浴または同メ
ッキ浴中で高速メッキ条件下で行ってもよい。この際得
られた画像を、たとえば塩酸5%または硝酸の5%の水
溶液で5分間程度処理することにより光透過部の透明樹
脂を一部選択的に除去することもできる。
た65℃から90℃の高温ニッケルメッキ浴または同メ
ッキ浴中で高速メッキ条件下で行ってもよい。この際得
られた画像を、たとえば塩酸5%または硝酸の5%の水
溶液で5分間程度処理することにより光透過部の透明樹
脂を一部選択的に除去することもできる。
また、感光材では、上述のような透明樹脂、現像抑制剤
、金属錯化合物または金属化合物からなる系のほかに、
(イ)ハロゲン化銀、ドライシルバー(登録商標)など
の有機銀塩に代表される銀塩系材料、(ロ)ジアゾニウ
ム塩とカプラーとの組合せ系、(ハ)カルバ−フィルム
(登録商標)、PDブOセス(登録商標)材料などに代
表されるジアゾ系材料、(ニ)アクリルモノマー、ポリ
ビニルケイ皮酸などに代表される光重合型光槽かけ型の
フォトポリマー系材料(ホ)トナー像を形成するCd
51Zn O、ポリビニルカルバゾールどの電子写真感
光体あるいはその転写体、(へ)フロスト像を形成する
サーモプラスチックス電子写真感光体などの電子写真系
材料、(ト)ロイコ染料と四臭化炭素との組合せ系、(
チ)グイラックス(登録商標)コバルト錯体とロイコ染
料との組合せ系、(す)シュウ酸第二酸と鉄塩との組合
せ系、(ヌ)スピロピラン、モリブデンタングステン化
合物などの顔料または色素の画像を形成する材料などが
用いられうる。
、金属錯化合物または金属化合物からなる系のほかに、
(イ)ハロゲン化銀、ドライシルバー(登録商標)など
の有機銀塩に代表される銀塩系材料、(ロ)ジアゾニウ
ム塩とカプラーとの組合せ系、(ハ)カルバ−フィルム
(登録商標)、PDブOセス(登録商標)材料などに代
表されるジアゾ系材料、(ニ)アクリルモノマー、ポリ
ビニルケイ皮酸などに代表される光重合型光槽かけ型の
フォトポリマー系材料(ホ)トナー像を形成するCd
51Zn O、ポリビニルカルバゾールどの電子写真感
光体あるいはその転写体、(へ)フロスト像を形成する
サーモプラスチックス電子写真感光体などの電子写真系
材料、(ト)ロイコ染料と四臭化炭素との組合せ系、(
チ)グイラックス(登録商標)コバルト錯体とロイコ染
料との組合せ系、(す)シュウ酸第二酸と鉄塩との組合
せ系、(ヌ)スピロピラン、モリブデンタングステン化
合物などの顔料または色素の画像を形成する材料などが
用いられうる。
上記の感光材のうち、ある種のものは露光部が遮光性と
なり未露光部が光透過性であるが、またある種のものは
露光部が光透過性となり未露光部が遮光性である。いず
れにしても露光した後に必要に応じて現像することによ
って、光透過部分と遮光部分とからなる記録を行ないう
るような感光材であれば使用できる。
なり未露光部が光透過性であるが、またある種のものは
露光部が光透過性となり未露光部が遮光性である。いず
れにしても露光した後に必要に応じて現像することによ
って、光透過部分と遮光部分とからなる記録を行ないう
るような感光材であれば使用できる。
但し、上記の感光材のうち、(イ)バインダーとしての
透明樹脂、(口)ジアゾ基またはアジド基を有する光分
解性の現像抑制剤および(ハ)還元されて金属現像核と
なる金属錯化合物または金属化合物から構成されている
感光材を用いると遮光部が近赤外線を使用した読取りの
際にも高濃度のものとして読取り可能であり、解像度を
高く、しかも明室で取り扱える利点がある。
透明樹脂、(口)ジアゾ基またはアジド基を有する光分
解性の現像抑制剤および(ハ)還元されて金属現像核と
なる金属錯化合物または金属化合物から構成されている
感光材を用いると遮光部が近赤外線を使用した読取りの
際にも高濃度のものとして読取り可能であり、解像度を
高く、しかも明室で取り扱える利点がある。
このような感光材への照射光としては、紫外線、可視光
線、赤外線、X線、電子線などが用いられうる。
線、赤外線、X線、電子線などが用いられうる。
第2記録層
光透過部および遮光部とからなる第1記録層2a上に、
反射性金属7s膜層からなる第2記録層2bを形成する
。
反射性金属7s膜層からなる第2記録層2bを形成する
。
反射性金属7s膜層は、Cr 、Ti 、Fe 、Co
、Ni 、Cu1Ao、Au,Ge,AN,Ma、Sb
、Te 、Pb 、Pd 、Cd 、Bi 、Sn
、Se、In、Ga、Rhなどの金属を単独もしくは
二種以上組合せて用いて形成される。
、Ni 、Cu1Ao、Au,Ge,AN,Ma、Sb
、Te 、Pb 、Pd 、Cd 、Bi 、Sn
、Se、In、Ga、Rhなどの金属を単独もしくは
二種以上組合せて用いて形成される。
反射性金[9119層からなる第2記録層2bに情報を
エネルギービームの照(ト)によりさらに書込む場合に
は、低融点金属であるTe 、 Zn 、 Pb 。
エネルギービームの照(ト)によりさらに書込む場合に
は、低融点金属であるTe 、 Zn 、 Pb 。
Cd、Bi、Sn、Se、In1Qa、Rbなどの金属
を主成分として反射性金ff4its膜を構成すること
が好ましく、特に7e −3e 、 Te −8e −
Pb 、 Te −Pb 、 Te −3n −8,S
n −Cu 1Te −Cu 、Te −Cu−Pbな
どの合金が好ましい。
を主成分として反射性金ff4its膜を構成すること
が好ましく、特に7e −3e 、 Te −8e −
Pb 、 Te −Pb 、 Te −3n −8,S
n −Cu 1Te −Cu 、Te −Cu−Pbな
どの合金が好ましい。
さらにこれらの合金のうち、5〜40原子数パーセント
のCuを含むTe−CLI合金あるいは5〜40原子数
パーセントのCuおよびCuに対して1〜50原子数パ
ーセントのPbを含むT+3−Cu−Pb合金が、読出
し用照射エネルギービームの波長を650 rv以上と
する場合に特に好ましい。これらの合金からなる反射性
金属薄膜層を第2記録層として用いると、外周部での乱
れが少ない記録ビットが得られ、しかも読出し用照射エ
ネルギービームの波長が650 no+以上特に700
〜900 n11である場合に、記録部であるビットに
おける反射率と未記録部である金属′a膜における反射
率すなわち相対反射率が小さいという優れた情報読出し
特性を有する反射性金属薄膜が得られる5さらに、1〜
40原子数パーセントのCUを含む3n−Cu合金を用
いると記録ビット形状の外周部の乱れが少なく、かつ毒
性の低い反射性金属薄膜が得られる。
のCuを含むTe−CLI合金あるいは5〜40原子数
パーセントのCuおよびCuに対して1〜50原子数パ
ーセントのPbを含むT+3−Cu−Pb合金が、読出
し用照射エネルギービームの波長を650 rv以上と
する場合に特に好ましい。これらの合金からなる反射性
金属薄膜層を第2記録層として用いると、外周部での乱
れが少ない記録ビットが得られ、しかも読出し用照射エ
ネルギービームの波長が650 no+以上特に700
〜900 n11である場合に、記録部であるビットに
おける反射率と未記録部である金属′a膜における反射
率すなわち相対反射率が小さいという優れた情報読出し
特性を有する反射性金属薄膜が得られる5さらに、1〜
40原子数パーセントのCUを含む3n−Cu合金を用
いると記録ビット形状の外周部の乱れが少なく、かつ毒
性の低い反射性金属薄膜が得られる。
反射性金属WIwA層からなる第2記録層2bに情報を
書込まずに単に反射層として使用する場合には、Aj
SCr 、Ni 、A(J 、A(1などの特に光反射
性に優れた金属あるいは合金により反射性金属薄膜層を
形成することが好ましい。
書込まずに単に反射層として使用する場合には、Aj
SCr 、Ni 、A(J 、A(1などの特に光反射
性に優れた金属あるいは合金により反射性金属薄膜層を
形成することが好ましい。
このような反射性金rf4薄膜層を第1記録層上に形成
するには、上記のような金属あるいは合金を準備し、こ
れをスパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティ
ング法、電気メツキ法などの従来既知の方法によって第
1記録層上に成膜すればよい。この反射性金IF!薄膜
層のIll厚は、200〜10.000人好ましくは1
000〜5000八であることが好ましい。場合によっ
ては、上記金属からなる多層膜たとえばln膜とTea
!との多層膜も反射性金属薄膜として用いられる。また
、上記金属と有機化合物または無機酸化物との複合物た
とえばTe −CH、Te −C8、Te −スチレン
、Sn −802、Ge 5−8n 、Sn S−Sナ
ト(F)1111アルイハSi 02 /Ti /Si
02/AΩなどの多層膜も反射性金till膜として
用いられうる。
するには、上記のような金属あるいは合金を準備し、こ
れをスパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティ
ング法、電気メツキ法などの従来既知の方法によって第
1記録層上に成膜すればよい。この反射性金IF!薄膜
層のIll厚は、200〜10.000人好ましくは1
000〜5000八であることが好ましい。場合によっ
ては、上記金属からなる多層膜たとえばln膜とTea
!との多層膜も反射性金属薄膜として用いられる。また
、上記金属と有機化合物または無機酸化物との複合物た
とえばTe −CH、Te −C8、Te −スチレン
、Sn −802、Ge 5−8n 、Sn S−Sナ
ト(F)1111アルイハSi 02 /Ti /Si
02/AΩなどの多層膜も反射性金till膜として
用いられうる。
さらに、シアニンなどの色素を凝集させて光反射性を与
えた薄膜、ニトロセルロース、ポリスチレン、ポリエチ
レンなどの熱可塑性樹脂中に色素または銀などの金属粒
子を分散させたもの、あるいはこの熱可塑性樹脂の表面
に色素または金属粒子を凝集させたものなどが反射性金
JilEIIIlとして用いられうる。
えた薄膜、ニトロセルロース、ポリスチレン、ポリエチ
レンなどの熱可塑性樹脂中に色素または銀などの金属粒
子を分散させたもの、あるいはこの熱可塑性樹脂の表面
に色素または金属粒子を凝集させたものなどが反射性金
JilEIIIlとして用いられうる。
さらにまた、エネルギービームの照射により相転移が生
じてその反射率が変化する、Tea化物、sba化物、
MO酸化物、Gem化物、Vjl化物、Sl酸化物、あ
るいはTe酸化物−Ge 、 Te −3nなどの化合
物が、反射性金属薄膜として用いられつる。
じてその反射率が変化する、Tea化物、sba化物、
MO酸化物、Gem化物、Vjl化物、Sl酸化物、あ
るいはTe酸化物−Ge 、 Te −3nなどの化合
物が、反射性金属薄膜として用いられつる。
また、カルコーゲンあるいは発色型のM2O3−CIJ
1MOO3−8n−Ctlが反射性金属薄膜として用
いられ、場合によっては泡形成型の有機薄膜と金属N膜
との多層体も反射性金属薄膜として用いられうる。
1MOO3−8n−Ctlが反射性金属薄膜として用
いられ、場合によっては泡形成型の有機薄膜と金属N膜
との多層体も反射性金属薄膜として用いられうる。
さらに光磁記録材料であるQdCo、7bCo。
Gd Fe 、 Dy Fe 、 Gd Tb Fc
。
。
Gd Fe Bi 、Tb Dy Fe 、Mn Cu
Biなども反射性金属薄膜として用いられつる。
Biなども反射性金属薄膜として用いられつる。
上記のような各種のタイプの反射性金属薄膜を組合せて
用いることも可能である。
用いることも可能である。
L皿里土1
表面硬化層6は、光カード1の光記録部側の表面の硬度
を高めてその保護をすることにより、カードの携帯や使
用時における表面損傷を防止する。
を高めてその保護をすることにより、カードの携帯や使
用時における表面損傷を防止する。
これにより、カードの耐久性と書込み、読取り精度を高
めて信頼性を向上させる。
めて信頼性を向上させる。
この表面硬化層の材料としては、シリコン系、アクリル
系、メラミン系、ウレタン系、エポキシ系硬化剤やAJ
203 、S f 02などの金B酸化物の他、プラ
ズマ重合膜などが用いられる。
系、メラミン系、ウレタン系、エポキシ系硬化剤やAJ
203 、S f 02などの金B酸化物の他、プラ
ズマ重合膜などが用いられる。
11互韮
この実施例に係る光カードの製造方法について説明する
。
。
まず、保護層となる材料の表面の一部をブライマー処理
して、その表面に第1記録層および第2記録層を設は光
記録部を形成する。この保護層は、光カードとして組立
てられた場合に、カード保護層としての役割を果してい
る。
して、その表面に第1記録層および第2記録層を設は光
記録部を形成する。この保護層は、光カードとして組立
てられた場合に、カード保護層としての役割を果してい
る。
次に、カード基材と保護層とを、光記録部の第2記録層
がカード基材と接するように、熱接着剤などの接着剤層
を介して重ね合わせた後、90〜150℃程度に加熱さ
れた熱ロールなどにて圧着することにより光カードを製
造できる。
がカード基材と接するように、熱接着剤などの接着剤層
を介して重ね合わせた後、90〜150℃程度に加熱さ
れた熱ロールなどにて圧着することにより光カードを製
造できる。
場合によっては、以下のようにして光カードを製造する
こともできる。すなわち保r!1層材料の表面の一部を
プライマー処理し、その表面に親水性樹脂をバインダー
として含む第1記録層および第2記録層を設けた後、第
2記録層である反射性金属薄膜上に、アクリル樹脂等の
保護膜をスクリーン印刷などにより塗布し、この部分を
耐水性とする。この際保ii!層の周辺縁部にはその保
護膜は設けない。次いでこの光記録部を温水に浸漬し、
保護膜の設けられていない部分の親水性樹脂を除去した
後乾燥する。
こともできる。すなわち保r!1層材料の表面の一部を
プライマー処理し、その表面に親水性樹脂をバインダー
として含む第1記録層および第2記録層を設けた後、第
2記録層である反射性金属薄膜上に、アクリル樹脂等の
保護膜をスクリーン印刷などにより塗布し、この部分を
耐水性とする。この際保ii!層の周辺縁部にはその保
護膜は設けない。次いでこの光記録部を温水に浸漬し、
保護膜の設けられていない部分の親水性樹脂を除去した
後乾燥する。
一方、白色ポリ塩化ビニルフィルムなどのカード基材に
は、必要に応じて、熱プレス法などによって光記録部の
第1記録層および第2記録層を嵌込むための凹部を形成
することも表面に接着剤層を設ける。
は、必要に応じて、熱プレス法などによって光記録部の
第1記録層および第2記録層を嵌込むための凹部を形成
することも表面に接着剤層を設ける。
次に、光記録部とカード基材とを、光記録部の第2記録
層がカード基材と接するようにして巾ね合わせ、熱ロー
ルなどにて圧着することにより光カードを製造できる。
層がカード基材と接するようにして巾ね合わせ、熱ロー
ルなどにて圧着することにより光カードを製造できる。
証!二11
反射性金属薄膜層への情報の書込みおよび光カードに書
込まれた情報の読出しについて説明する。
込まれた情報の読出しについて説明する。
反射性台fiiWIIJiへの情報の書込みは、この金
rAN膜層に波長300〜110001のレーザビーム
などのエネルギービームをレンズなどにより集光して照
射し、照射部分の金属を蒸散あるいは偏在させて記録ビ
ットを形成することにより行なう。
rAN膜層に波長300〜110001のレーザビーム
などのエネルギービームをレンズなどにより集光して照
射し、照射部分の金属を蒸散あるいは偏在させて記録ビ
ットを形成することにより行なう。
この際エネルギービームの強度は、0.1〜100′I
rLW1パルス11]は5 n5ec 〜500 m5
ec、ビーム径は、0.1〜100μmであることが好
ましい。
rLW1パルス11]は5 n5ec 〜500 m5
ec、ビーム径は、0.1〜100μmであることが好
ましい。
反射性金属薄膜層上に照射されるエネルギービームとし
ては、半導体レーザ、アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオ
ンレーザなどのレーザビーム、赤外線フラッシュなどが
用いられる。
ては、半導体レーザ、アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオ
ンレーザなどのレーザビーム、赤外線フラッシュなどが
用いられる。
−力木発明に係る光カードに書込まれた情報の読出しは
、反射性金属薄膜層を溶融させない程度の低エネルギー
のエネルギービームあるいは白色光、タングステン光な
どをレンズなどを介して光カードの保護層側から光透過
部および遮光部からなる第1記録層ならびに第2記録層
上に集光して照射し、反射光の強度と位相変化とを関連
づけて検出することによって行なわれる。
、反射性金属薄膜層を溶融させない程度の低エネルギー
のエネルギービームあるいは白色光、タングステン光な
どをレンズなどを介して光カードの保護層側から光透過
部および遮光部からなる第1記録層ならびに第2記録層
上に集光して照射し、反射光の強度と位相変化とを関連
づけて検出することによって行なわれる。
−第1記録層における遮光部は、前述のように金属現像
核を中心にその付近に金属が析出して黒色に近い色調に
形成されているため、この遮光部に読出し用照射ビーム
が照射されると、照射ビームはこの部分で吸収されて反
射率は小さくなる。一方光透過部では照射ビームにあま
り吸収されずに反射性金属薄膜層に達するため、この光
透過部における反射率は大きい値となる。
核を中心にその付近に金属が析出して黒色に近い色調に
形成されているため、この遮光部に読出し用照射ビーム
が照射されると、照射ビームはこの部分で吸収されて反
射率は小さくなる。一方光透過部では照射ビームにあま
り吸収されずに反射性金属薄膜層に達するため、この光
透過部における反射率は大きい値となる。
また、反射性金rIf4薄HEにおける未記録部に相当
する金属薄膜層では高い反射率が得られるのに対し、記
録部に相当するビット部では低い反射率となる。
する金属薄膜層では高い反射率が得られるのに対し、記
録部に相当するビット部では低い反射率となる。
このようにして、第1記録層では遮光部と光透過部とに
おける透過度の相違、また第2記録層ではビット部と未
記録部とにおける反射率の相違を位相変化とIll i
lづけて読出すことによって、本発明に係る光カードに
書込まれた情報を読出すことができる。。
おける透過度の相違、また第2記録層ではビット部と未
記録部とにおける反射率の相違を位相変化とIll i
lづけて読出すことによって、本発明に係る光カードに
書込まれた情報を読出すことができる。。
第1図はこの発明の光カードの一実施例を示すカードの
断面図、第2図はこの発明の光カードの他の実施例を示
す断面図、第3図はこの発明の光カードの一実施例を示
1カードの平面図である。 1・・・光カード、2・・・光記録部、2a・・・第1
記録層、2b・・・第2記録層1.3・・・保護層、4
・・・カー17塁材、4a・・・不透明基材、4b・・
・透明基材、5・・・ブライマー処理、6・・・表面硬
化層、7・・・接着剤層。
断面図、第2図はこの発明の光カードの他の実施例を示
す断面図、第3図はこの発明の光カードの一実施例を示
1カードの平面図である。 1・・・光カード、2・・・光記録部、2a・・・第1
記録層、2b・・・第2記録層1.3・・・保護層、4
・・・カー17塁材、4a・・・不透明基材、4b・・
・透明基材、5・・・ブライマー処理、6・・・表面硬
化層、7・・・接着剤層。
Claims (1)
- カード基材上に光記録部および保護層が積層された光カ
ードであって、光記録部を挾着する保護層および/また
はカード基材と光記録部との接着力が接着面内で相違す
ることを特徴とする光カード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051999A JPS61210545A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 偽造防止された光カ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051999A JPS61210545A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 偽造防止された光カ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61210545A true JPS61210545A (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=12902540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60051999A Pending JPS61210545A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 偽造防止された光カ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61210545A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63239633A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-10-05 | Canon Inc | カード状光記録媒体 |
| JPH01301392A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-05 | Daimatsu Kagaku Kogyo Kk | はがきおよびその製造方法 |
| JPH01301381A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-05 | Daimatsu Kagaku Kogyo Kk | はがきおよびその製造方法 |
| JPH01301378A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-05 | Daimatsu Kagaku Kogyo Kk | はがきおよびその製造方法 |
| EP0864997A3 (en) * | 1997-03-14 | 1999-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Information recording medium and production process thereof |
| US7682687B2 (en) | 2001-07-16 | 2010-03-23 | Yupo Corporation | Forgery-preventing film |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP60051999A patent/JPS61210545A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63239633A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-10-05 | Canon Inc | カード状光記録媒体 |
| JPH01301392A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-05 | Daimatsu Kagaku Kogyo Kk | はがきおよびその製造方法 |
| JPH01301381A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-05 | Daimatsu Kagaku Kogyo Kk | はがきおよびその製造方法 |
| JPH01301378A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-05 | Daimatsu Kagaku Kogyo Kk | はがきおよびその製造方法 |
| EP0864997A3 (en) * | 1997-03-14 | 1999-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Information recording medium and production process thereof |
| US7682687B2 (en) | 2001-07-16 | 2010-03-23 | Yupo Corporation | Forgery-preventing film |
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