JPS61210544A - 光カ−ド - Google Patents
光カ−ドInfo
- Publication number
- JPS61210544A JPS61210544A JP60051998A JP5199885A JPS61210544A JP S61210544 A JPS61210544 A JP S61210544A JP 60051998 A JP60051998 A JP 60051998A JP 5199885 A JP5199885 A JP 5199885A JP S61210544 A JPS61210544 A JP S61210544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- metal
- light
- card
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光記録部を有するカードに関し、さらに詳
しくは、カードの表裏両面に光記録部を有する光カード
に関する。
しくは、カードの表裏両面に光記録部を有する光カード
に関する。
(従来技術およびその問題点)
光学的に情報が記録・再生される光記録部を有する光カ
ードは、磁気材料が埋設された磁気カードに比較して、
高密度に情報を記録・再生することができ、しかも、光
記録部の記録寸法が1.5〜50μmのように微細であ
ることから、複製して偽造することが容易でないという
特徴を持っている。したがって、光カードは磁気カード
に代ってもしくは磁気記録と併用して、クレジットカー
ド、バンクカード、キャッシュカード、IDカードなど
の種々のカードに広く利用することができる。
ードは、磁気材料が埋設された磁気カードに比較して、
高密度に情報を記録・再生することができ、しかも、光
記録部の記録寸法が1.5〜50μmのように微細であ
ることから、複製して偽造することが容易でないという
特徴を持っている。したがって、光カードは磁気カード
に代ってもしくは磁気記録と併用して、クレジットカー
ド、バンクカード、キャッシュカード、IDカードなど
の種々のカードに広く利用することができる。
しかしながら、例えば、クレジットカードについて日本
工業規格(JIS)で規定されているように、エンボス
文字の寸法・位置、磁気ストライプの位置、および署名
部領域などが詳細に規定されているために、従来の光カ
ードの光記録部は、カードの片面、しかも磁気ストライ
ブ領域、エンボス部領域、および署名部領域から外れた
領域に設けられているにすぎなかった。
工業規格(JIS)で規定されているように、エンボス
文字の寸法・位置、磁気ストライプの位置、および署名
部領域などが詳細に規定されているために、従来の光カ
ードの光記録部は、カードの片面、しかも磁気ストライ
ブ領域、エンボス部領域、および署名部領域から外れた
領域に設けられているにすぎなかった。
この発明は上述の問題点を解消するためになされたもの
であり、その目的とするところは光記録部の領域を広げ
てより多くの高密度記録が可能である光カードを提供す
ることである。
であり、その目的とするところは光記録部の領域を広げ
てより多くの高密度記録が可能である光カードを提供す
ることである。
のこ発明者等は、磁気ストライプによる記録・再生、エ
ンボス文字による記録・再生、および署名による記録・
再生が光記録部による記録・再生と異質のものであり、
したがってその記録および再生を重畳的に実施できると
いう知見を得た。
ンボス文字による記録・再生、および署名による記録・
再生が光記録部による記録・再生と異質のものであり、
したがってその記録および再生を重畳的に実施できると
いう知見を得た。
すなわち、この発明の光カードは、カードの表側と裏側
のそれぞれに保護層で被覆された光記録部を有すること
を特徴とするものである。
のそれぞれに保護層で被覆された光記録部を有すること
を特徴とするものである。
この発明の光カードの好ましい態様において、光記録部
を、光透過部分と遮光部分とを有する第1記録層とこの
第1記録層に隣接する金属薄膜の第2記録層とからなる
ものとすることができる。
を、光透過部分と遮光部分とを有する第1記録層とこの
第1記録層に隣接する金属薄膜の第2記録層とからなる
ものとすることができる。
この発明における光記録部は、光学的に情報が記録・再
生される領域、ざらに具体的には光透過度の相違および
/または光反射率の相違によって情報の書込みおよび読
出しが行なわれる領域である。
生される領域、ざらに具体的には光透過度の相違および
/または光反射率の相違によって情報の書込みおよび読
出しが行なわれる領域である。
この発明の光カードにおいて、光記録部はカードの表裏
両面に設(プられる。例えば、この発明の光カード側の
断面を示す第1図のように、この光カードでは、その−
表面から他の表面へ、表面硬化層4、保護層3、光記録
部(第1記録層2a。
両面に設(プられる。例えば、この発明の光カード側の
断面を示す第1図のように、この光カードでは、その−
表面から他の表面へ、表面硬化層4、保護層3、光記録
部(第1記録層2a。
第2記録層2b)、接着剤層5、光記録部(第2記録層
2b、第1記録WJ2a)、保護層3、および表面硬化
1i14が積層されている。また、第2図および第3図
に示されるように、文字、図案等がプリントされた印刷
層6を積層することもでき、さらに磁気層7を積層して
もよい。また、必要に応じて、ICメモリー、写真、彫
刻画像、文字、マークなどを光カードの表面もしくは裏
面に設けてもよい。
2b、第1記録WJ2a)、保護層3、および表面硬化
1i14が積層されている。また、第2図および第3図
に示されるように、文字、図案等がプリントされた印刷
層6を積層することもでき、さらに磁気層7を積層して
もよい。また、必要に応じて、ICメモリー、写真、彫
刻画像、文字、マークなどを光カードの表面もしくは裏
面に設けてもよい。
以下、上述した光カードの構成部材について詳細に説明
する。
する。
保護層
保111m3としては、光透過性であるガラス、セラミ
ック、紙、プラスチックフィルム、織布、不織布などあ
らゆるタイプの材料が用いられうるが、生産性および平
滑性の点からガラスあるいはプラスチックフィルムが好
ましい。プラスチックとしては、セルロース誘導体、ポ
リエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ビニル系樹脂
、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテル樹
脂、ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリメチルペ
ンテン樹脂、トリアセテートなどを用いることができ、
透明性および平滑性の点から、セルローストリアセテー
ト、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
アクリル、ポリ塩化ビニル、ポリサルホン、ポリメチル
ペンテンなどが特に好ましい。この保護w!I3に、必
要に応じてコロナ放電処理、プラズマ処理、プライマー
処理などの接着性改良のための前処理をしてもよい。
ック、紙、プラスチックフィルム、織布、不織布などあ
らゆるタイプの材料が用いられうるが、生産性および平
滑性の点からガラスあるいはプラスチックフィルムが好
ましい。プラスチックとしては、セルロース誘導体、ポ
リエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ビニル系樹脂
、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテル樹
脂、ポリスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリメチルペ
ンテン樹脂、トリアセテートなどを用いることができ、
透明性および平滑性の点から、セルローストリアセテー
ト、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
アクリル、ポリ塩化ビニル、ポリサルホン、ポリメチル
ペンテンなどが特に好ましい。この保護w!I3に、必
要に応じてコロナ放電処理、プラズマ処理、プライマー
処理などの接着性改良のための前処理をしてもよい。
11星亙1
第1記録層2aは、光透過部および遮光部から構成され
ている。この第1記録層2aは、たとえば未露光部が光
透過性となり露光部が遮光性となる感光材をパターン露
光し、次いで現像することによって形成され。場合によ
っては、未露光部が遮光性となり、露光部が光透過性と
なる感光材をパターン露光し次いで現像することによっ
て、第1記録層2aを形成してもよい。
ている。この第1記録層2aは、たとえば未露光部が光
透過性となり露光部が遮光性となる感光材をパターン露
光し、次いで現像することによって形成され。場合によ
っては、未露光部が遮光性となり、露光部が光透過性と
なる感光材をパターン露光し次いで現像することによっ
て、第1記録層2aを形成してもよい。
感光材は、たとえば(イ)バインダーとしての透明樹脂
、(ロ)ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現
像抑制剤および(ハ)還元されて金属現像核となる金属
錯化合物または金属化合物から構成されている。この感
光材においては、バインダーとしての透明樹脂100重
量部に対して、ジアゾ基またはアジド基を有する光分解
性の現像抑制剤は1〜1001i1部好ましくは20〜
5OIffi部の量で存在し、還元されて金属現像核と
なる金属錯化合物または金属化合物は061〜100重
量部好ましくは1〜10@山部の足で存在している。上
記の現像抑制剤、金属錯化合物または金属化合物は、バ
インダーとしての透明樹脂中に溶解あるいは分散されて
いるが、好ましくは溶解されている。
、(ロ)ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現
像抑制剤および(ハ)還元されて金属現像核となる金属
錯化合物または金属化合物から構成されている。この感
光材においては、バインダーとしての透明樹脂100重
量部に対して、ジアゾ基またはアジド基を有する光分解
性の現像抑制剤は1〜1001i1部好ましくは20〜
5OIffi部の量で存在し、還元されて金属現像核と
なる金属錯化合物または金属化合物は061〜100重
量部好ましくは1〜10@山部の足で存在している。上
記の現像抑制剤、金属錯化合物または金属化合物は、バ
インダーとしての透明樹脂中に溶解あるいは分散されて
いるが、好ましくは溶解されている。
透明樹脂としては、親油性あるいは親水性の透明樹脂の
いずれもが使用できる。親油性透明樹脂としでは、ポリ
酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル/アクリル酸エステル共重
合樹脂、アクリル酸/酢酸ビニル共重合樹脂、エチレン
/酢酸ビニル共重合樹脂などのエステル基を有する樹脂
、酢酸セルロースなどの水酸基を有する樹脂、カルボン
酸基あるいはスルボン酸基を含む変性酢酸ビニル系樹脂
などが挙げられる。
いずれもが使用できる。親油性透明樹脂としでは、ポリ
酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル/アクリル酸エステル共重
合樹脂、アクリル酸/酢酸ビニル共重合樹脂、エチレン
/酢酸ビニル共重合樹脂などのエステル基を有する樹脂
、酢酸セルロースなどの水酸基を有する樹脂、カルボン
酸基あるいはスルボン酸基を含む変性酢酸ビニル系樹脂
などが挙げられる。
また、光記録特性上はヒートモードで変形する性質を有
するニトロセルロースなどのセルロース読導体をこれら
の親油性透明樹脂に添加することも高感度化のために有
効である。
するニトロセルロースなどのセルロース読導体をこれら
の親油性透明樹脂に添加することも高感度化のために有
効である。
また、親水性の透明樹脂としては、ゼラチン、カゼイン
、グルー、アラビアゴム、セラックなどの天然高分子化
合物、カルボキシメチルセルロース、卵白アルブミン、
ポリビニルアルコール(部分ケン化ポリ酢酸ビニル)、
ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルビ0
リドン、ポリエチレンオキシド、無水マレイン酸共重合
体などの合成樹脂が用いられるが、水溶性ないし親水性
樹脂である限りにおいて、上記以外のものも使用可能で
ある。バインダーとしての親水性透明樹脂には、この透
明樹脂により感光材層を形成して物理現像液と接触させ
る際に、物理現像液が感光剤層に浸透して物理現像が可
能となる程度の親水性を有することが好ましい。
、グルー、アラビアゴム、セラックなどの天然高分子化
合物、カルボキシメチルセルロース、卵白アルブミン、
ポリビニルアルコール(部分ケン化ポリ酢酸ビニル)、
ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルビ0
リドン、ポリエチレンオキシド、無水マレイン酸共重合
体などの合成樹脂が用いられるが、水溶性ないし親水性
樹脂である限りにおいて、上記以外のものも使用可能で
ある。バインダーとしての親水性透明樹脂には、この透
明樹脂により感光材層を形成して物理現像液と接触させ
る際に、物理現像液が感光剤層に浸透して物理現像が可
能となる程度の親水性を有することが好ましい。
また光記録特性上はヒートモードで変形し易い性質のあ
る、ニトロセルロースなどの低分子屋物質をエタノール
溶解して上記の親水性透明樹脂に添加することも有効で
ある。
る、ニトロセルロースなどの低分子屋物質をエタノール
溶解して上記の親水性透明樹脂に添加することも有効で
ある。
現像抑制剤としては、ジアゾ基またはアジド基を有する
化合物が用いられる。ジアゾ基を有する化合物としては
ジアゾ基を右する塩化亜鉛複塩もしくはホウフッ化塩、
またはこれらの化合物とパラホルムアルデヒドより得ら
れる綜合生成物である化合物が好ましい。より具体的に
は、p−N。
化合物が用いられる。ジアゾ基を有する化合物としては
ジアゾ基を右する塩化亜鉛複塩もしくはホウフッ化塩、
またはこれらの化合物とパラホルムアルデヒドより得ら
れる綜合生成物である化合物が好ましい。より具体的に
は、p−N。
N−ジエチルアミノベンゼンアゾニウム塩化亜鉛複塩、
p−N−エチル−N−βヒドロキシエチルアミノベンゼ
ンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−モルフォリノ−2,
6−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4
−モルフォリノ−2゜5−ジブトキシベンゼンジアゾニ
ウム塩化亜鉛複塩、4−ベンゾイルアミノ−2,5−ジ
ェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4− (
4’−メトキシベンゾイルアミノ)−2,5−ジェトキ
シベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−(p−ト/
レイルメルカプト)−2,5−ジェトキシベンゼンジア
ゾニウム塩化亜鉛複塩、4−ジアゾ−4′−メトキシジ
フェニルアミン塩化亜鉛複塩、4−ジアゾ−3−メトキ
シ−ジフェニルアミン塩化亜鉛複塩などのジアゾ基を有
する塩化亜鉛複塩もしくは以上のような塩化亜鉛複塩の
代わりに上記のボウフッ化塩、硫酸塩、リン酸塩なども
使用できる。
p−N−エチル−N−βヒドロキシエチルアミノベンゼ
ンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−モルフォリノ−2,
6−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4
−モルフォリノ−2゜5−ジブトキシベンゼンジアゾニ
ウム塩化亜鉛複塩、4−ベンゾイルアミノ−2,5−ジ
ェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4− (
4’−メトキシベンゾイルアミノ)−2,5−ジェトキ
シベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−(p−ト/
レイルメルカプト)−2,5−ジェトキシベンゼンジア
ゾニウム塩化亜鉛複塩、4−ジアゾ−4′−メトキシジ
フェニルアミン塩化亜鉛複塩、4−ジアゾ−3−メトキ
シ−ジフェニルアミン塩化亜鉛複塩などのジアゾ基を有
する塩化亜鉛複塩もしくは以上のような塩化亜鉛複塩の
代わりに上記のボウフッ化塩、硫酸塩、リン酸塩なども
使用できる。
アジド基を有する化合物としては、p−アジドアセトフ
ェノン、4.4′−ジアジドカルコン、2.6−ビス−
(4′−アジドベンザル)−アセトン、2.6−ビス−
(4’ −7ジドベンザル)−シクロヘキサノン、2.
6−ビス−(4′−アジドベンザル)−4−メチルシク
ロヘキサノン、2.6−ビス(4′−アジドスチリル)
−アセトン、アジドピレンなどが使用できる。ジアゾ基
もしくはアジド基を有する限り上記以外の化合物も使用
することもでき、また、上記したジアゾ基もしくはアジ
ド基を有する化合物を任意に2種以上併用して使用する
こともできる。
ェノン、4.4′−ジアジドカルコン、2.6−ビス−
(4′−アジドベンザル)−アセトン、2.6−ビス−
(4’ −7ジドベンザル)−シクロヘキサノン、2.
6−ビス−(4′−アジドベンザル)−4−メチルシク
ロヘキサノン、2.6−ビス(4′−アジドスチリル)
−アセトン、アジドピレンなどが使用できる。ジアゾ基
もしくはアジド基を有する限り上記以外の化合物も使用
することもでき、また、上記したジアゾ基もしくはアジ
ド基を有する化合物を任意に2種以上併用して使用する
こともできる。
なおジアゾ基を有する化合物を用いる場合には、この化
合物を安定化させる安定化剤を用いるとよく、有機カル
ボン酸や有機スルホン酸がこの安定化剤として用いるこ
とができ、より実際的にはp−トルエンスルホン酸など
を用いることが好ましい。
合物を安定化させる安定化剤を用いるとよく、有機カル
ボン酸や有機スルホン酸がこの安定化剤として用いるこ
とができ、より実際的にはp−トルエンスルホン酸など
を用いることが好ましい。
次に還元されて金属現像核となる金属錯化合物もしくは
金属化合物について説明する。
金属化合物について説明する。
まず、還元されて金属現像核となる金属錯化合物として
は、パラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の錯化合
物が用いられ、これらの金属に対し電子ドナーとなる配
位子としては通常知られているものを用いることができ
る。具体的には、下記のような金属錯化合物が用いられ
る。
は、パラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の錯化合
物が用いられ、これらの金属に対し電子ドナーとなる配
位子としては通常知られているものを用いることができ
る。具体的には、下記のような金属錯化合物が用いられ
る。
ビス(エチレンジアミン)パラジウム(II)塩、ジク
ロロエチレンジアミンパラジウム(II)j!、ジクロ
ロ(エチレンジアミン)白金(V)塩、テトラクロロジ
アンミン白金(IV)塩、ジクロロビス(エチレンジア
ミン)白金(rV)塩、テトラエチルアンモニウム銅(
II)塩、ビス(エチレンジアミン銅(IF)塩。
ロロエチレンジアミンパラジウム(II)j!、ジクロ
ロ(エチレンジアミン)白金(V)塩、テトラクロロジ
アンミン白金(IV)塩、ジクロロビス(エチレンジア
ミン)白金(rV)塩、テトラエチルアンモニウム銅(
II)塩、ビス(エチレンジアミン銅(IF)塩。
さらに金属の錯化合物を形成する配位子としては、2力
所以上で配位して環状構造をとるいわゆるキレート化剤
を用いると、形成される金属錯化合物の安定性が高いた
めに好適である。キレート化剤としては第1級、第2級
もしくは第3級アミン類、オキシム類、イミン類、ケト
ン類を挙げることができ、より具体的にはジメチルグリ
オキシム、ジチオン、オキシン、アセチルアセトン、グ
リシン、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ウ
ラミルニ酢酸などの化合物が用いられる。
所以上で配位して環状構造をとるいわゆるキレート化剤
を用いると、形成される金属錯化合物の安定性が高いた
めに好適である。キレート化剤としては第1級、第2級
もしくは第3級アミン類、オキシム類、イミン類、ケト
ン類を挙げることができ、より具体的にはジメチルグリ
オキシム、ジチオン、オキシン、アセチルアセトン、グ
リシン、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ウ
ラミルニ酢酸などの化合物が用いられる。
上記のキレート化剤を用いたものとしては、ビス(2,
2’ −ビピリジン)パラジウム(II)塩、ビス(ア
セチルアセトナート)パラジウム(IF)、ビス(N、
N−ジエチルエチレンジアミン)銅(II)塩、ビス(
2,2’ −ビピリジン)銅(II)塩、ビス1.10
−フェナントロリン)銅(II)塩、ビス(ジメチルグ
リオキシマート)銅(II)、ビス(アセチルアセトナ
ート)銅(■)、ビス(アセチルアセトナート)白金(
II)などが好ましい。
2’ −ビピリジン)パラジウム(II)塩、ビス(ア
セチルアセトナート)パラジウム(IF)、ビス(N、
N−ジエチルエチレンジアミン)銅(II)塩、ビス(
2,2’ −ビピリジン)銅(II)塩、ビス1.10
−フェナントロリン)銅(II)塩、ビス(ジメチルグ
リオキシマート)銅(II)、ビス(アセチルアセトナ
ート)銅(■)、ビス(アセチルアセトナート)白金(
II)などが好ましい。
還元されて金属現像核を与える金属化合物としては、パ
ラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の塩化物、硝酸
塩などの水溶性塩などの金属化合物が用いられ、具体的
には無電解メッキのアクチベーター液中に含まれる塩化
パラジウム、硝酸銀、四塩化水素金などの塩が好ましい
が、このうちパラジウムの塩が特に好ましい。
ラジウム、金、銀、白金、銅などの金属の塩化物、硝酸
塩などの水溶性塩などの金属化合物が用いられ、具体的
には無電解メッキのアクチベーター液中に含まれる塩化
パラジウム、硝酸銀、四塩化水素金などの塩が好ましい
が、このうちパラジウムの塩が特に好ましい。
上述のような、(イ)バインダーとしての透明樹脂、(
ロ)ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現像抑
制剤および(ハ)還元されて金属現像核となる金属錯化
合物または金属化合物は、バインダーとしての透明樹脂
に応じて選択された溶剤とともに混合されて、塗布に適
した粘度である10〜1000センチボイズを有する感
光材層形成用塗布液とされる。この感光材層形成用塗布
液は、保護層3上に通常0.1〜30μ扉の膜厚に塗布
されて感光材層が形成される。
ロ)ジアゾ基またはアジド基を有する光分解性の現像抑
制剤および(ハ)還元されて金属現像核となる金属錯化
合物または金属化合物は、バインダーとしての透明樹脂
に応じて選択された溶剤とともに混合されて、塗布に適
した粘度である10〜1000センチボイズを有する感
光材層形成用塗布液とされる。この感光材層形成用塗布
液は、保護層3上に通常0.1〜30μ扉の膜厚に塗布
されて感光材層が形成される。
バインダーとしての透明樹脂を溶解する溶剤としては、
種々の溶剤が使用できるが、親水性透明樹脂を用いる場
合には、水、低級アルコール、ケトン、エーテルなどの
水混和性溶媒、あるいは水と水混和性溶媒との混合溶剤
が用いられる。また、親油性透明樹脂を用いる場合には
、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピル
アルコールなどの低級アルコール類、アレトン、メチル
エチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢fln−
ブチルなどのニスデル類、メチルセロソルブなどの極性
の高い溶剤が好ましく用いられる。
種々の溶剤が使用できるが、親水性透明樹脂を用いる場
合には、水、低級アルコール、ケトン、エーテルなどの
水混和性溶媒、あるいは水と水混和性溶媒との混合溶剤
が用いられる。また、親油性透明樹脂を用いる場合には
、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピル
アルコールなどの低級アルコール類、アレトン、メチル
エチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢fln−
ブチルなどのニスデル類、メチルセロソルブなどの極性
の高い溶剤が好ましく用いられる。
なお、親水性の透明樹脂を用いる場合には、感光材層を
形成後、物理現像処理中の現像液へのバインダーなどの
溶出を抑制するため、硬膜処理を行うことが望ましい。
形成後、物理現像処理中の現像液へのバインダーなどの
溶出を抑制するため、硬膜処理を行うことが望ましい。
硬膜処理は、たとえば下記化合物を感光材形成用塗布液
中に透明樹脂100部に対して0.1〜50部のmで予
じめ混合するか、あるいは下記化合物の水溶液をすでに
形成された感光材層上に塗布することにより行なうこと
ができる。
中に透明樹脂100部に対して0.1〜50部のmで予
じめ混合するか、あるいは下記化合物の水溶液をすでに
形成された感光材層上に塗布することにより行なうこと
ができる。
カリ明パン、アンモニウム明パンなどのAρ化合物;ク
ロム明パン、硫酸クロムなどのCr化合物:ホルムアル
デヒド、グリオキザル、グルタルアルデヒド、2−メチ
ルグルタルアルデヒド、サクシナルデヒドなどのアルデ
ヒド類、二〇−ベンゾキノン、p−ベンゾキノン、シク
ロヘキサン−1,2−ジオン、シクロペンタン−1,2
−ジオン、ジアセチル、2.3−ペンタンジオン、2゜
5−ヘキサンジオン、2,5−ヘキセンジオンなどのジ
ケトン;トリグリシジルイソシアヌル酸塩などのエポキ
シド:テトラフタロイルクロリド、4.4′−ジフェニ
ルメタンジスルフオニルクロリドなどの酸無水物;タン
ニン酸、没食子酸、2゜4−ジクロロ−6−ヒドロキシ
−3−トリアジン、ならびに一般式R,,NPOX2 R−N=C=N−R’ (ここでRは炭素2〜6のア
ルキル基、R′は (CH) N+ (CH3)3X−基、XはFまたはC
n、nは1または2)で表わされるリン化合物またはカ
ルボジイミド;スチレン/マレイン酸共重合体、ビニル
とロリドン/マレイン酸共重合体、ビニルメチルエーテ
ル/マレイン酸共重合体、エチレンイミン/マレイン酸
共重合体、メタクリルI!/メタクリロニトリル共重合
体、ポリメタクリルアミド、メタクリル酸エステル共重
合体などの樹脂類、グルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、
乳酸、クエン酸、アスパラギン酸、ゲルコール酸、酒石
酸など。
ロム明パン、硫酸クロムなどのCr化合物:ホルムアル
デヒド、グリオキザル、グルタルアルデヒド、2−メチ
ルグルタルアルデヒド、サクシナルデヒドなどのアルデ
ヒド類、二〇−ベンゾキノン、p−ベンゾキノン、シク
ロヘキサン−1,2−ジオン、シクロペンタン−1,2
−ジオン、ジアセチル、2.3−ペンタンジオン、2゜
5−ヘキサンジオン、2,5−ヘキセンジオンなどのジ
ケトン;トリグリシジルイソシアヌル酸塩などのエポキ
シド:テトラフタロイルクロリド、4.4′−ジフェニ
ルメタンジスルフオニルクロリドなどの酸無水物;タン
ニン酸、没食子酸、2゜4−ジクロロ−6−ヒドロキシ
−3−トリアジン、ならびに一般式R,,NPOX2 R−N=C=N−R’ (ここでRは炭素2〜6のア
ルキル基、R′は (CH) N+ (CH3)3X−基、XはFまたはC
n、nは1または2)で表わされるリン化合物またはカ
ルボジイミド;スチレン/マレイン酸共重合体、ビニル
とロリドン/マレイン酸共重合体、ビニルメチルエーテ
ル/マレイン酸共重合体、エチレンイミン/マレイン酸
共重合体、メタクリルI!/メタクリロニトリル共重合
体、ポリメタクリルアミド、メタクリル酸エステル共重
合体などの樹脂類、グルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、
乳酸、クエン酸、アスパラギン酸、ゲルコール酸、酒石
酸など。
このようにして、保護M3上に設けられた感光材層をパ
ターン露光し、次いで現像して未露光部である光透過部
および露光部である遮光部とからなる第1記録層2aを
形成する。パターン露光は、たとえばホトマスクなどの
マスクを介して行なうことができる。
ターン露光し、次いで現像して未露光部である光透過部
および露光部である遮光部とからなる第1記録層2aを
形成する。パターン露光は、たとえばホトマスクなどの
マスクを介して行なうことができる。
また照射光をビーム状に集光して感光材層に直接熱)1
してパターン状に遮光部を形成することもできる。
してパターン状に遮光部を形成することもできる。
第1記録層2aにおける光透過部および遮光部によりも
たらされる画像情報は、情報そのものあるいは情報を読
取る際に、トラッキングおよびプレフォーマットとして
の働きをしている。
たらされる画像情報は、情報そのものあるいは情報を読
取る際に、トラッキングおよびプレフォーマットとして
の働きをしている。
感光材層における露光部では、ジアゾ基またはアジド基
を有する光分解性の現像抑制剤は、露光量に応じて分解
されて潜像が形成される。
を有する光分解性の現像抑制剤は、露光量に応じて分解
されて潜像が形成される。
露光に際して使用される光源としては、ジアゾ基もしく
はアジド基を有する化合物を分解しうる光源ならば任意
に用いることができ、通常超高圧水銀灯が好ましく用い
られる。
はアジド基を有する化合物を分解しうる光源ならば任意
に用いることができ、通常超高圧水銀灯が好ましく用い
られる。
上記のようなパターン露光によりジアゾ基もしくはアジ
ド基を有する化合物の分解により形成された潜像を、還
元剤水溶液と接触させて金属現像核を発生させる。なお
未露光部では、ジアゾ基またはアジド基を有する現像抑
ill剤は分解されていないため、還元剤水溶液と接触
しても金属現像核は発生せずそのまま光透過部として残
存している。
ド基を有する化合物の分解により形成された潜像を、還
元剤水溶液と接触させて金属現像核を発生させる。なお
未露光部では、ジアゾ基またはアジド基を有する現像抑
ill剤は分解されていないため、還元剤水溶液と接触
しても金属現像核は発生せずそのまま光透過部として残
存している。
この際用いられる還元剤としては、塩化第1スズ、硫酸
第1スズ、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ラザン、ジエチルアミンボラザン、トリメチルアミンボ
ラザンなどのボラザン系化合物、ボラン、ジボラン、メ
チルジボランなどのボラン系化合物、ヒドラジンなどが
用いられる。このうち、酸性塩化第1スズ溶液、硫酸第
1スズ溶液(weiss液)あるいは市販の無電解メッ
キ用のセンシタイザ−液などが特に好ましいが、一般に
は、強力な還元剤であればすべて使用できる。
第1スズ、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボ
ラザン、ジエチルアミンボラザン、トリメチルアミンボ
ラザンなどのボラザン系化合物、ボラン、ジボラン、メ
チルジボランなどのボラン系化合物、ヒドラジンなどが
用いられる。このうち、酸性塩化第1スズ溶液、硫酸第
1スズ溶液(weiss液)あるいは市販の無電解メッ
キ用のセンシタイザ−液などが特に好ましいが、一般に
は、強力な還元剤であればすべて使用できる。
次いで、このようにして得られた金属現像核と物理現像
液とを接触させると、物理現像液中に含まれる金属が還
元されて、前記金属現像核を中心として析出し、遮光部
4が形成される。
液とを接触させると、物理現像液中に含まれる金属が還
元されて、前記金属現像核を中心として析出し、遮光部
4が形成される。
物理現像液としては、水溶性の被還元性金属塩および還
元剤を含む水溶液が、低温または必要に応じて加温した
状態で使用される。
元剤を含む水溶液が、低温または必要に応じて加温した
状態で使用される。
被還元性金属塩としては、たとえばニッケル、コ・バル
ト、鉄およびクロムなどのvtb族金属、銅などのIb
族金属の水溶性塩が単独でまたは混合して使用される。
ト、鉄およびクロムなどのvtb族金属、銅などのIb
族金属の水溶性塩が単独でまたは混合して使用される。
また−口調塩溶液で物理現像した後、塩化第一錫や硫酸
錫で置換メッキを行い錫ないし錫・銅系の金属層を得る
ことも可能である。
錫で置換メッキを行い錫ないし錫・銅系の金属層を得る
ことも可能である。
これらの中でも安全性、保存性を考慮するとニッケル、
銅、錫が好ましい。但し、蒸着と異なり原料の純度、メ
ッキ安定化剤などから少聞の異種金属やリン、イオウな
どの元素が混入することはあり得るが、特に光記録材料
としての特性に影響を与えるものではない。
銅、錫が好ましい。但し、蒸着と異なり原料の純度、メ
ッキ安定化剤などから少聞の異種金属やリン、イオウな
どの元素が混入することはあり得るが、特に光記録材料
としての特性に影響を与えるものではない。
適当な水溶、性の被還元性金属塩としては、具体的には
以下のものが用いられる。
以下のものが用いられる。
塩化第一コバルト、ヨウ化第−コバルト、臭化第一鉄、
塩化第一鉄、臭化第ニクロム、ヨウ化第ニクロム、塩化
第二銅などの重金属ハライド;硫酸ニッケル、硫酸第一
鉄、硫酸第一コバルト、硫酸第ニクロム、硫酸第二銅な
どの重金属硫酸塩;硝酸ニッケル、硝酸第一鉄、硝酸第
一コバルト、硝酸第ニクロム、硝酸第二銅などの重金属
硝酸塩;フェラスアセテート、コバルタスアセテート、
クロミックアセテート、キューブリックフォルメートな
どの金属の有機酸塩。
塩化第一鉄、臭化第ニクロム、ヨウ化第ニクロム、塩化
第二銅などの重金属ハライド;硫酸ニッケル、硫酸第一
鉄、硫酸第一コバルト、硫酸第ニクロム、硫酸第二銅な
どの重金属硫酸塩;硝酸ニッケル、硝酸第一鉄、硝酸第
一コバルト、硝酸第ニクロム、硝酸第二銅などの重金属
硝酸塩;フェラスアセテート、コバルタスアセテート、
クロミックアセテート、キューブリックフォルメートな
どの金属の有機酸塩。
これら被還元性重金属塩は物理現像液中にたとえば10
〜100g/Jの這で含まれることが好ましい。
〜100g/Jの這で含まれることが好ましい。
還元剤としては、たとえば次亜リン酸、次亜リン酸ナト
リウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ホルマ
リン、ジエチルアミンボラン、ジエチルアミンボラン、
トリメチルアミンボラン、ボラン、ジボラン、メチルジ
ボラン、ジポラザン、ボラセン、ボラジン、t−ブチル
アミンボラザン、ボラセン、ボラジン、t−ブチルアミ
ンボラザン、ピリジンボラン、2.6−ルチシンボラン
、エチレンジアミンボラン、ヒドラジンジボラン、ジメ
チルホスフィンボラン、フェニルホスフィンボラン、ジ
メチルアルシンボラン、フェニルアルシンボラン、ジメ
チルスチビンボラン、ジエチルスチビンボランなどが使
用できる。
リウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ホルマ
リン、ジエチルアミンボラン、ジエチルアミンボラン、
トリメチルアミンボラン、ボラン、ジボラン、メチルジ
ボラン、ジポラザン、ボラセン、ボラジン、t−ブチル
アミンボラザン、ボラセン、ボラジン、t−ブチルアミ
ンボラザン、ピリジンボラン、2.6−ルチシンボラン
、エチレンジアミンボラン、ヒドラジンジボラン、ジメ
チルホスフィンボラン、フェニルホスフィンボラン、ジ
メチルアルシンボラン、フェニルアルシンボラン、ジメ
チルスチビンボラン、ジエチルスチビンボランなどが使
用できる。
これらの還元剤は、物理現像液中に、たとえば0.1〜
5(1/fJの量で用いられることが好ましい。
5(1/fJの量で用いられることが好ましい。
物理現像液中には、前記した被還元性重金属塩の溶解に
より生成する重金属イオンが水酸化物として沈澱するの
を防止するために、たとえばモノカルボン酸、ジカルボ
ン酸、リンゴ酸、乳酸などのヒドロキシカルボン酸、コ
ハク酸、クエン酸、アスパラギン酸、グリコール酸、酒
石酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、グルコン酸、糖酸
、キニン酸などの有機カルボン酸からなる錯塩化剤の一
種または二種以上を含ませることができる。これら錯塩
化剤は、物理現像液中にたとえば1〜100g/j!の
山で用いられることが好ましい。
より生成する重金属イオンが水酸化物として沈澱するの
を防止するために、たとえばモノカルボン酸、ジカルボ
ン酸、リンゴ酸、乳酸などのヒドロキシカルボン酸、コ
ハク酸、クエン酸、アスパラギン酸、グリコール酸、酒
石酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、グルコン酸、糖酸
、キニン酸などの有機カルボン酸からなる錯塩化剤の一
種または二種以上を含ませることができる。これら錯塩
化剤は、物理現像液中にたとえば1〜100g/j!の
山で用いられることが好ましい。
さらに、物理現像液には、現像液の保存性および操作性
ならびに得られる画像の質を改善するために、酸および
塩基などのpH調節剤、緩衝剤、防腐剤、増白剤、界面
活性剤などが常法に従い必要に応じて添加される。
ならびに得られる画像の質を改善するために、酸および
塩基などのpH調節剤、緩衝剤、防腐剤、増白剤、界面
活性剤などが常法に従い必要に応じて添加される。
この添加剤のうち、pHを上げるためにはアンモニア水
もしくは水酸化ナトリウム水溶液を用いることが特に好
ましい。
もしくは水酸化ナトリウム水溶液を用いることが特に好
ましい。
また、物理現像は、次亜リン酸ナトリウム還元剤を用い
た65℃から90℃の高温ニッケルメッキ浴または同メ
ッキ浴中で高速メッキ条件下で行ってもよい。この際得
られた画像を、たとえば塩WI5%または硝酸の5%の
水溶液で5分間程度処理することにより光透過部の透明
樹脂を一部選択的に除去することもできる。
た65℃から90℃の高温ニッケルメッキ浴または同メ
ッキ浴中で高速メッキ条件下で行ってもよい。この際得
られた画像を、たとえば塩WI5%または硝酸の5%の
水溶液で5分間程度処理することにより光透過部の透明
樹脂を一部選択的に除去することもできる。
また、感光材では、上述のような透明樹脂、現像抑制剤
、金ji!i化合物または金属化合物からなる系のほか
に、(イ)ハロゲン化銀、ドライシルバー(登録商標)
などの有i銀塩に代表される銀塩系材料、(ロ)ジアゾ
ニウム塩とカプラーとの組合せ系、(ハ)カルバ−フィ
ルム(登録商標)、PDプロセス(登録商標)材料など
に代表されるジアゾ系材料、(ニ)アクリルモノマー、
ポリビニルケイ皮酸などに代表される光重合型光種かけ
型のフォトポリマー系材料(ホ)トナー像を形成するC
d S、Zn O,ポリビニルカルバゾールどの電子写
真感光体あるいはその転写体、(へ)フロスト像を形成
するサーモプラスチックス電子写真感光体などの電子写
真系材料、(ト)ロイコ染料と四臭化炭素との組合せ系
、(チ)ダイラックス(登録商標)コバルト錯体とロイ
コ染料との組合せ系、(す)シュウ酸第二酸と鉄塩との
組合せ系、(ヌ)スピロピラン、モリブデンタングステ
ン化合物などの顔料または色素の画像を形成する材料な
どが用いられつる。
、金ji!i化合物または金属化合物からなる系のほか
に、(イ)ハロゲン化銀、ドライシルバー(登録商標)
などの有i銀塩に代表される銀塩系材料、(ロ)ジアゾ
ニウム塩とカプラーとの組合せ系、(ハ)カルバ−フィ
ルム(登録商標)、PDプロセス(登録商標)材料など
に代表されるジアゾ系材料、(ニ)アクリルモノマー、
ポリビニルケイ皮酸などに代表される光重合型光種かけ
型のフォトポリマー系材料(ホ)トナー像を形成するC
d S、Zn O,ポリビニルカルバゾールどの電子写
真感光体あるいはその転写体、(へ)フロスト像を形成
するサーモプラスチックス電子写真感光体などの電子写
真系材料、(ト)ロイコ染料と四臭化炭素との組合せ系
、(チ)ダイラックス(登録商標)コバルト錯体とロイ
コ染料との組合せ系、(す)シュウ酸第二酸と鉄塩との
組合せ系、(ヌ)スピロピラン、モリブデンタングステ
ン化合物などの顔料または色素の画像を形成する材料な
どが用いられつる。
上記の感光材のうち、ある種のものは露光部が遮光性と
なり未露光部が光透過性であるが、またある種のものは
露光部が光透過性となり未露光部が遮光性である。いず
れにしても露光した後に必要に応じて現像することによ
って、光透過部分と遮光部分とからなる記録を行ないつ
るような感光材であれば使用できる。
なり未露光部が光透過性であるが、またある種のものは
露光部が光透過性となり未露光部が遮光性である。いず
れにしても露光した後に必要に応じて現像することによ
って、光透過部分と遮光部分とからなる記録を行ないつ
るような感光材であれば使用できる。
但し、上記の感光材のうち、(イ)バインダーとしての
透明樹脂、(口)ジアゾ基またはアジド基を有する光分
解性の現像抑制剤および(ハ)遠元されて金属現像核と
なる金属錯化合物または金属化合物から構成されている
感光材を用いると遮光部が近赤外線を使用した読取りの
際にも高濃度のものとして読取り可能であり、解像度を
高く、しかも明室で取り扱える利点がある。
透明樹脂、(口)ジアゾ基またはアジド基を有する光分
解性の現像抑制剤および(ハ)遠元されて金属現像核と
なる金属錯化合物または金属化合物から構成されている
感光材を用いると遮光部が近赤外線を使用した読取りの
際にも高濃度のものとして読取り可能であり、解像度を
高く、しかも明室で取り扱える利点がある。
このような感光材への照射光としては、紫外線、可視光
線、赤外線、X線、電子線などが用いられつる。
線、赤外線、X線、電子線などが用いられつる。
1λ」「」里
光透過部および遮光部とからなる第1記録層2a上に、
反射性金属薄膜層からなる第2記録層2bを形成する。
反射性金属薄膜層からなる第2記録層2bを形成する。
反射性金属nmmは、Cr、、T、i、Fe、co、N
i 、Ctl 、 A!II 、Atl 、 Ge 、
All 、MOlS b 1T e 1P b 1P
d s Cd 、B + 、S n 。
i 、Ctl 、 A!II 、Atl 、 Ge 、
All 、MOlS b 1T e 1P b 1P
d s Cd 、B + 、S n 。
3e、in、Qa、Rhなどの金属を単独もしくは二種
以上組合せて用いて形成される。
以上組合せて用いて形成される。
反射性金属薄111層からなる第2記録1i2bに情報
をエネルギービームの照射によりさらに書込む場合には
、低融点金属であるTe 、、Zn 、 Pb 。
をエネルギービームの照射によりさらに書込む場合には
、低融点金属であるTe 、、Zn 、 Pb 。
Cd、Bi、Sn、Se、In、Ga、Rhなどの金属
を主成分として反射性金属薄膜を構成することが好まし
く、特にTe −8e 、 Te −8e −Pb 、
Tc −Pb 、Te −8n−8,5n−Cu、Te
−Cu 、Te −Cu−Pbなどの合金が好ましい
。
を主成分として反射性金属薄膜を構成することが好まし
く、特にTe −8e 、 Te −8e −Pb 、
Tc −Pb 、Te −8n−8,5n−Cu、Te
−Cu 、Te −Cu−Pbなどの合金が好ましい
。
さらにこれらの合金のうち、5〜40原子数パーセント
のGOを含むTe−Cu合金あるいは5〜40原子数パ
ーセントのCuおよびCuに対して1〜50原子数パー
セントのpbを含むTe−Cu−Pb合金が、読出し用
照射エネルギービームの波長を6500層以上とする場
合に特に好ましい。これらの合金からなる反射性金属m
mmを第2記録層として用いると、外周部での乱れが少
ない記録ビットが得られ、しかも読出し用照射エネルギ
ービームの波長が650nll1以上特に700〜90
0n−である場合に、記録部であるビットにおける反射
率と未記録部である金属薄膜における反射率すなわち相
対反射率が小さいという優れた情報読出し特性を有する
反射性金属薄膜が得られる。
のGOを含むTe−Cu合金あるいは5〜40原子数パ
ーセントのCuおよびCuに対して1〜50原子数パー
セントのpbを含むTe−Cu−Pb合金が、読出し用
照射エネルギービームの波長を6500層以上とする場
合に特に好ましい。これらの合金からなる反射性金属m
mmを第2記録層として用いると、外周部での乱れが少
ない記録ビットが得られ、しかも読出し用照射エネルギ
ービームの波長が650nll1以上特に700〜90
0n−である場合に、記録部であるビットにおける反射
率と未記録部である金属薄膜における反射率すなわち相
対反射率が小さいという優れた情報読出し特性を有する
反射性金属薄膜が得られる。
さらに、1〜40原子数パーセントのCuを含む5n−
Cu合金を用いると記録ビット形状の外周部の乱れが少
なく、かつ毒性の低い反射性金属薄膜が得られる。
Cu合金を用いると記録ビット形状の外周部の乱れが少
なく、かつ毒性の低い反射性金属薄膜が得られる。
反射性金属薄膜層からなる第2記録層2bに情報を書込
まずに単に反射層として使用する場合には、A4)、C
r、N; 、A11l 、AUなどの特に光反射性に優
れた金属あるいは合金により反射性金属薄膜層を形成す
ることが好ましい。
まずに単に反射層として使用する場合には、A4)、C
r、N; 、A11l 、AUなどの特に光反射性に優
れた金属あるいは合金により反射性金属薄膜層を形成す
ることが好ましい。
このような反射性金N薄膜層を第1記録層上に形成する
には、上記のような金属あるいは合金を準備し、これを
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティング
法、電気メツキ法などの従来既知の方法によって第1記
録層上に成膜すればよい。この反射性金属1111層の
膜厚は、200〜10.000人好ましくは1000〜
5000Aであることが好ましい。場合によっては、上
記金属からなる多層膜たとえばIn膜とTe1lAとの
多Willも反射性金属薄膜として用いられる。また、
上記金属と有機化合物または無機酸化物との複合物たと
えばTe −CH、Te −C82、Te −スチレン
、Sn −802、Ge 5−8n 、Sn S−8な
どの薄膜あるいはSi 02 /Ti /5i02/A
jなどの多層膜も反射性金m薄膜として用いられうる。
には、上記のような金属あるいは合金を準備し、これを
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティング
法、電気メツキ法などの従来既知の方法によって第1記
録層上に成膜すればよい。この反射性金属1111層の
膜厚は、200〜10.000人好ましくは1000〜
5000Aであることが好ましい。場合によっては、上
記金属からなる多層膜たとえばIn膜とTe1lAとの
多Willも反射性金属薄膜として用いられる。また、
上記金属と有機化合物または無機酸化物との複合物たと
えばTe −CH、Te −C82、Te −スチレン
、Sn −802、Ge 5−8n 、Sn S−8な
どの薄膜あるいはSi 02 /Ti /5i02/A
jなどの多層膜も反射性金m薄膜として用いられうる。
さらに、シアニンなどの色素を凝集させて光反射性を与
えた薄膜、ニトロセル0−ス、ポリスチレン、ポリエチ
レンなどの熱可塑性樹脂中に色素または銀などの金属粒
子を分散させたもの、あるいはこの熱可塑性樹脂の表面
に色素または金属粒子を凝集させたものなどが反射性金
属R膜として用いられうる。
えた薄膜、ニトロセル0−ス、ポリスチレン、ポリエチ
レンなどの熱可塑性樹脂中に色素または銀などの金属粒
子を分散させたもの、あるいはこの熱可塑性樹脂の表面
に色素または金属粒子を凝集させたものなどが反射性金
属R膜として用いられうる。
さらにまた、エネルギービームの照射により相転移が生
じてその反射率が変化する、Te酸化物、sb酸化物、
MO酸化物、Ge1t化物、vIl化物、SeM化物、
あるいはTe’fa化物−Qe、Te−5nなどの化合
物が、反射性金りI&薄膜として用いられつる。
じてその反射率が変化する、Te酸化物、sb酸化物、
MO酸化物、Ge1t化物、vIl化物、SeM化物、
あるいはTe’fa化物−Qe、Te−5nなどの化合
物が、反射性金りI&薄膜として用いられつる。
また、カルコーゲンあるいは発色型のMo 03−Cu
、Mo o3 Sn Cuが反射性金1iasとし
て用いられ、場合によっては泡形成型の有機I膜と金R
a膜との多層体も反射性金沢簿膜として用いられうる。
、Mo o3 Sn Cuが反射性金1iasとし
て用いられ、場合によっては泡形成型の有機I膜と金R
a膜との多層体も反射性金沢簿膜として用いられうる。
ざらに光磁記録材料であるGd Co 、Tb Co、
Gd Fe 、 Dy Fe 、 Gd Tb Fe
。
Gd Fe 、 Dy Fe 、 Gd Tb Fe
。
Qd Fe Bi 、 Tb DV Fe 、 Mn
ctl 13iなども反射性金属S膜として用いられつ
る。
ctl 13iなども反射性金属S膜として用いられつ
る。
上記のような各種のタイプの反射性金属薄膜を組合せて
用いることも可能である。
用いることも可能である。
1皿豊北1
表面硬化16は、光カード1の光記録部側の表面の硬度
を高めてその保護をすることにより、カードの携帯や使
用時における表面損傷を防止する。
を高めてその保護をすることにより、カードの携帯や使
用時における表面損傷を防止する。
これにより、カードの耐久性と書込み、読取り精度を高
めて信頼性を向上させる。
めて信頼性を向上させる。
この表面硬化層の材料としては、シリコン系、アクリル
系、メラミン系、ウレタン系、エポキシ系硬化剤やAl
2O2,5i02などの金属酸化物の他、プラズマ重合
膜などが用いられる。
系、メラミン系、ウレタン系、エポキシ系硬化剤やAl
2O2,5i02などの金属酸化物の他、プラズマ重合
膜などが用いられる。
記録・再生
反射性金属薄膜層への情報の書込みおよび光カードに書
込まれた情報の読出しについて説明する。
込まれた情報の読出しについて説明する。
反射性金属薄膜層への情報の書込みは、この金属薄膜層
に波長300〜1100nIllのレーザビームなどの
エネルギービームをレンズなどにより集光して照射し、
照射部分の金属を蒸散あるいは偏在させて記録ビットを
形成することにより行なう。
に波長300〜1100nIllのレーザビームなどの
エネルギービームをレンズなどにより集光して照射し、
照射部分の金属を蒸散あるいは偏在させて記録ビットを
形成することにより行なう。
この際エネルギービームの強度は、0.1〜1007F
LW、パルス巾は5 n5ec 〜500 m5ec、
ビーム径は、0.1〜100μ卯であることが好ましい
。
LW、パルス巾は5 n5ec 〜500 m5ec、
ビーム径は、0.1〜100μ卯であることが好ましい
。
反射性金属薄膜層上に照射されるエネルギービームとし
ては、半導体レーザ、アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオ
ンレーザなどのレーザビーム、赤外線フラッシュなどが
用いられる。
ては、半導体レーザ、アルゴンレーザ、ヘリウム−ネオ
ンレーザなどのレーザビーム、赤外線フラッシュなどが
用いられる。
−力木発明に係る光カードに書込まれた情報の読出しは
、反射性金属薄膜層を溶融させない程度の低エネルギー
のエネルギービームあるいは白色光、タングステン光な
どをレンズなどを介して光カードの保護層側から光透過
部および遮光部からなる第1記録層ならびに第2記録層
上に集光して照射し、反射光の強度と位相変化とを関連
づけて検出することによって行なわれる。
、反射性金属薄膜層を溶融させない程度の低エネルギー
のエネルギービームあるいは白色光、タングステン光な
どをレンズなどを介して光カードの保護層側から光透過
部および遮光部からなる第1記録層ならびに第2記録層
上に集光して照射し、反射光の強度と位相変化とを関連
づけて検出することによって行なわれる。
第1記録層における遮光部は、前述のように金属現像核
を中心にその付近に金属が析出して黒色に近い色調に形
成されているため、この遮光部に読出し用照射ビームが
照射されると、照射ビームはこの部分で吸収されて反射
率は小さくなる。一方光透過部では照射ビームにあまり
吸収されずに反射性金属?1!膜層に達するため、この
光透過部における反射率は大きい値となる。
を中心にその付近に金属が析出して黒色に近い色調に形
成されているため、この遮光部に読出し用照射ビームが
照射されると、照射ビームはこの部分で吸収されて反射
率は小さくなる。一方光透過部では照射ビームにあまり
吸収されずに反射性金属?1!膜層に達するため、この
光透過部における反射率は大きい値となる。
また、反射性金属薄膜層における未記録部に相当する金
IIt薄s!Jでは高い反射率が得られるのに対し、記
録部に相当するビット部では低い反射率となる。
IIt薄s!Jでは高い反射率が得られるのに対し、記
録部に相当するビット部では低い反射率となる。
このようにして、第1記録層では遮光部と光透過部とに
おける透過度の相違、また第2記8層ではビット部と未
記録部とにおける反射率の相違を位相変化と関連づけて
読出すことによって、本発明に係る光カードに書込まれ
た情報を読出すことができる。
おける透過度の相違、また第2記8層ではビット部と未
記録部とにおける反射率の相違を位相変化と関連づけて
読出すことによって、本発明に係る光カードに書込まれ
た情報を読出すことができる。
この発明の光カードによってカードの表裏の両面に光記
録部が設けられるので、より多くの高密度記録が可能に
なるとともに、表側と裏側とで異った機能を持たせるこ
ともできるので、従来の光カードに比べて多機能なカー
ドを提供することができる。
録部が設けられるので、より多くの高密度記録が可能に
なるとともに、表側と裏側とで異った機能を持たせるこ
ともできるので、従来の光カードに比べて多機能なカー
ドを提供することができる。
第1図および第2図は、この発明の光カードの一実施例
を示すカードの断面図、第3図は光カードの一例を示す
平面図である。 1・・・光カード、2a・・・第1記録層、2b・・・
第2記録層、3・・・保:111層、4・・・表面硬化
層、5・・・接着剤層、6・・・印刷層、7・・・磁気
層。
を示すカードの断面図、第3図は光カードの一例を示す
平面図である。 1・・・光カード、2a・・・第1記録層、2b・・・
第2記録層、3・・・保:111層、4・・・表面硬化
層、5・・・接着剤層、6・・・印刷層、7・・・磁気
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、カードの表側と裏側のそれぞれに保護層で被覆され
た光記録部を有することを特徴とする光カード。 2、光記録部が、光透過部分と遮光部分とを有する第1
記録層とこの第1記録層に隣接する金属薄膜の第2記録
層とからなる特許請求の範囲第1項記載の光カード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051998A JPH0695391B2 (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 光カ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051998A JPH0695391B2 (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 光カ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61210544A true JPS61210544A (ja) | 1986-09-18 |
| JPH0695391B2 JPH0695391B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=12902513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60051998A Expired - Lifetime JPH0695391B2 (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 光カ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695391B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6416695A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Canon Kk | Optical card |
| JPS6416696A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Canon Kk | Optical card |
| US5297132A (en) * | 1986-10-29 | 1994-03-22 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Draw type optical recording medium |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52135613A (en) * | 1976-05-10 | 1977-11-12 | Sony Corp | Information recording media |
| JPS57130243A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Toshiba Corp | Information storage medium |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP60051998A patent/JPH0695391B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52135613A (en) * | 1976-05-10 | 1977-11-12 | Sony Corp | Information recording media |
| JPS57130243A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Toshiba Corp | Information storage medium |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5297132A (en) * | 1986-10-29 | 1994-03-22 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Draw type optical recording medium |
| JPS6416695A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Canon Kk | Optical card |
| JPS6416696A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Canon Kk | Optical card |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0695391B2 (ja) | 1994-11-24 |
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