JPS6121130A - 感光性耐熱材料 - Google Patents
感光性耐熱材料Info
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- JPS6121130A JPS6121130A JP14362384A JP14362384A JPS6121130A JP S6121130 A JPS6121130 A JP S6121130A JP 14362384 A JP14362384 A JP 14362384A JP 14362384 A JP14362384 A JP 14362384A JP S6121130 A JPS6121130 A JP S6121130A
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- mathematical
- formula
- chemical formulas
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- Pending
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明に、新規な感光性耐熱材料に関する。
従来半導体工業において固体素子の絶縁層やパッシベー
ション層として、例えば酸化ケイ累などの無機材料が広
く使用さねている。
ション層として、例えば酸化ケイ累などの無機材料が広
く使用さねている。
−力、有機材料は無機材料に比較して低応力性、平滑性
に優れ、高純度であるなどの性質を保持しており、近年
絶縁軸やパッシベーション層ト（、テ使用する技術が開
発さｈ、一部の半導体素子に実用化さねている。
に優れ、高純度であるなどの性質を保持しており、近年
絶縁軸やパッシベーション層ト（、テ使用する技術が開
発さｈ、一部の半導体素子に実用化さねている。
有機材料を前記用途に用いる場合、グイボンディング等
のように加熱作業が多数含まｈるため、耐熱性の有機材
料を使用する必要がある。そのため、通常耐熱性に優れ
たポリイミドが広く検討さねている。
のように加熱作業が多数含まｈるため、耐熱性の有機材
料を使用する必要がある。そのため、通常耐熱性に優れ
たポリイミドが広く検討さねている。
ポリイミドを固体素子の絶縁層やパッシベーション層と
して利用する場合、上下導体層の導通部や外部リード線
との接続のためのスルーホール孔など微細加工を飾す工
程で汀、一般に、フォトレジストを使用するポリイミド
の化学エツチング処理が行なわれている。即ち、例えば
、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸を基板にコーテ
ィングし、熱処理を行なってポリイミドに変換したのち
、そのポリイミド膜上にフォトレジストのレリーフパタ
ーンを形成させ、ヒビ２２フ条エツチング剤によりポリ
イミド膜を選択的に化学エツチングしてレリーフパター
ンをポリイミドに形成させている。
して利用する場合、上下導体層の導通部や外部リード線
との接続のためのスルーホール孔など微細加工を飾す工
程で汀、一般に、フォトレジストを使用するポリイミド
の化学エツチング処理が行なわれている。即ち、例えば
、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸を基板にコーテ
ィングし、熱処理を行なってポリイミドに変換したのち
、そのポリイミド膜上にフォトレジストのレリーフパタ
ーンを形成させ、ヒビ２２フ条エツチング剤によりポリ
イミド膜を選択的に化学エツチングしてレリーフパター
ンをポリイミドに形成させている。
し力）し、上記工程におけるポリイミドのパターン化Ｋ
ｉ、フォトレジストの塗布や剥離などの工程を必要とし
、プロセス工程が全体として非常に煩雑となる。従って
微細加工工程の簡略化を図るため直接光でパターニング
可能な耐熱材料の１ノ目発が望呼ハていた。上記目的の
ための一つとして、特公昭４９−１＋７３７４′８′公
報に、ポリアミド酸と重クロム酸塩と力）らなる感光性
ｉ熱材料が提案された。
ｉ、フォトレジストの塗布や剥離などの工程を必要とし
、プロセス工程が全体として非常に煩雑となる。従って
微細加工工程の簡略化を図るため直接光でパターニング
可能な耐熱材料の１ノ目発が望呼ハていた。上記目的の
ための一つとして、特公昭４９−１＋７３７４′８′公
報に、ポリアミド酸と重クロム酸塩と力）らなる感光性
ｉ熱材料が提案された。
七ねによると前記材料全基板に塗布し乾燥後、通常の光
学手法を用いて露光し、現像処理を経たのち、加熱処理
を行なうことにより、ポリイミドのレリーフパターンを
得ることが可能となる。しかし、該材料は暗反応を伴う
ため保存安定性に乏しく、重クロム酸塩を混合して感光
性耐熱材料として調製したのち直ちに使用しなければな
らず、さらに重クロム酸塩がその硬化物中に残存するた
め該硬化物が絶縁膜としての信頼性に劣るなどの欠点が
ある。
学手法を用いて露光し、現像処理を経たのち、加熱処理
を行なうことにより、ポリイミドのレリーフパターンを
得ることが可能となる。しかし、該材料は暗反応を伴う
ため保存安定性に乏しく、重クロム酸塩を混合して感光
性耐熱材料として調製したのち直ちに使用しなければな
らず、さらに重クロム酸塩がその硬化物中に残存するた
め該硬化物が絶縁膜としての信頼性に劣るなどの欠点が
ある。
筐た、特開昭４９−１１５５４１号公報には、例えば一
般式 （式中、ＲけＣＨｚ＝Ｃｉ（Ｃ！Ｈｓ ）Ｃｏｏ（！Ｈ
２０Ｈ２−およびて示さねるピロメリット酸誘導体とジ
アミンと全反応させて得られる感光性耐熱材料が提案さ
７″ｌた。
般式 （式中、ＲけＣＨｚ＝Ｃｉ（Ｃ！Ｈｓ ）Ｃｏｏ（！Ｈ
２０Ｈ２−およびて示さねるピロメリット酸誘導体とジ
アミンと全反応させて得られる感光性耐熱材料が提案さ
７″ｌた。
し′Ｄ）シ、このピロメリット酸誘導体は粘ちょうな液
体であり、精製は困難であるため得られる樹脂は高価格
となる。
体であり、精製は困難であるため得られる樹脂は高価格
となる。
さらに、特開昭５５−４５７４６号公報に汀、ポリアミ
ド酸と、例えばメタクリル酸グリシジルなどの感光基を
有するモノエポキサイドと全反応させて感光性耐熱材料
が得られると記載されている。しρ）し、エポキサイド
とカルボン酸の反応は反応促進剤か必要であるなど非常
に複雑であり、さらに該反応後の保存安定性も極めて悪
いなどの欠点がある。
ド酸と、例えばメタクリル酸グリシジルなどの感光基を
有するモノエポキサイドと全反応させて感光性耐熱材料
が得られると記載されている。しρ）し、エポキサイド
とカルボン酸の反応は反応促進剤か必要であるなど非常
に複雑であり、さらに該反応後の保存安定性も極めて悪
いなどの欠点がある。
この発明げ、上記従来のものの欠点を除去するためにな
されたもので、一般式 ％式％（１） （式中、Ｒ１は２価の有機基を示す。）で示される芳香
族ジアミン、一般式 （式中、ＲｓＶｉ３価の有機基を示す。）で示される芳
香族ジアミノアミド、および一般式０式％ （式中、Ｒ３け４価の有機基を示す。）で示される芳香
族テトラカルボン峻二無水物を反応させてｆ４らノする
ポリイミド−イソインドロキナゾリンジオン１１１１駆
体（Ａ） ｖｃ、一般式（式中、Ｒ４け光又は放射線で
２重化又Ｖ′ｉ重合可能な二重結合を有する基を示す。
されたもので、一般式 ％式％（１） （式中、Ｒ１は２価の有機基を示す。）で示される芳香
族ジアミン、一般式 （式中、ＲｓＶｉ３価の有機基を示す。）で示される芳
香族ジアミノアミド、および一般式０式％ （式中、Ｒ３け４価の有機基を示す。）で示される芳香
族テトラカルボン峻二無水物を反応させてｆ４らノする
ポリイミド−イソインドロキナゾリンジオン１１１１駆
体（Ａ） ｖｃ、一般式（式中、Ｒ４け光又は放射線で
２重化又Ｖ′ｉ重合可能な二重結合を有する基を示す。
）
で示されるアジリジン化合物（Ｂｌ ｋ反応させて得ら
れるものを含有するものを用いることにより、保存安定
性に優れ、製造工程が簡単で、新規な感光性耐熱材料全
提供することを目的とする。
れるものを含有するものを用いることにより、保存安定
性に優れ、製造工程が簡単で、新規な感光性耐熱材料全
提供することを目的とする。
この発明に係わる芳香族ジアミンけ、一般式（ＩＩで示
される構造ケ持っており、例えば、Ｐ−）ユニしンジア
ミン９ｍ−フェニレンジアミン、 ４．４’−ジアミノ
ジフエニルエーテル、 ４．４’−ジアミノジフェニル
メタン、 ４．４’−ベンジジン、 ３．３’−ベンジ
ジン、 ４．４’−ジ（４−アミノフェノキシ）ジフェ
ニルスルホン、 ４．４’ −シ（３−アミノフェノキ
シ）ジフェニルスルホンおよび１．５−ジアミノナフタ
レンの内の少なくとも一種が好１しく用いらｈる。
される構造ケ持っており、例えば、Ｐ−）ユニしンジア
ミン９ｍ−フェニレンジアミン、 ４．４’−ジアミノ
ジフエニルエーテル、 ４．４’−ジアミノジフェニル
メタン、 ４．４’−ベンジジン、 ３．３’−ベンジ
ジン、 ４．４’−ジ（４−アミノフェノキシ）ジフェ
ニルスルホン、 ４．４’ −シ（３−アミノフェノキ
シ）ジフェニルスルホンおよび１．５−ジアミノナフタ
レンの内の少なくとも一種が好１しく用いらｈる。
この発明に係わる芳香族ジアミノアミドに、一般式（２
）で示される構造を持っており、例えは、２．５−ジア
ミノ安息香酸アミド、２．４−ジアミノ安息香酸アミド
、 ４．４’−ジアミノジフェニルエーテル−３−カル
ボン酸アミド、 ４．４’−ジアミノジフェニルメタン
−３−カルボン酸アミドおよび４．４’−ジアミノジフ
ェニルスルホン−３−カルボ７ ＋（１９アミドの内の
少なくとも一種が好ましく用いられる。
）で示される構造を持っており、例えは、２．５−ジア
ミノ安息香酸アミド、２．４−ジアミノ安息香酸アミド
、 ４．４’−ジアミノジフェニルエーテル−３−カル
ボン酸アミド、 ４．４’−ジアミノジフェニルメタン
−３−カルボン酸アミドおよび４．４’−ジアミノジフ
ェニルスルホン−３−カルボ７ ＋（１９アミドの内の
少なくとも一種が好ましく用いられる。
この発明に係わる芳香族テトラカルボン酸二無水物は一
般式（３）で示さねる構造を持っており、例えば、ピロ
メリット酸二無水物、 ３．３’、４．４’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物およびビスフタル酸二
無水物の内の少なくとも一種が、最終硬化物として優れ
り！＃熱性を与えるので好プレいが、芳香族σ）もので
あれば、どのようなものを用いても何らさしつρ）えな
い。
般式（３）で示さねる構造を持っており、例えば、ピロ
メリット酸二無水物、 ３．３’、４．４’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物およびビスフタル酸二
無水物の内の少なくとも一種が、最終硬化物として優れ
り！＃熱性を与えるので好プレいが、芳香族σ）もので
あれば、どのようなものを用いても何らさしつρ）えな
い。
また、上記芳香族ジアミン、芳香族ジアミノアミドおよ
び芳香族テトラカルボン酸二無水物を反応させて、ポリ
イミド−イソインドロキナゾリンジオン前駆体を得る場
合、上記反応物に不活性で、力）つ得られるポリイミド
−イソインドロキナゾリンジオン前駆体に対して良溶媒
中で〔（ジアミンのモル数）＋（ジアミノアミドのモル
ｆｆ）：）／（芳香族テトラカルボン酸二無水物のモル
ｍ） ＝１の配合比で反応させるのが好適である。
び芳香族テトラカルボン酸二無水物を反応させて、ポリ
イミド−イソインドロキナゾリンジオン前駆体を得る場
合、上記反応物に不活性で、力）つ得られるポリイミド
−イソインドロキナゾリンジオン前駆体に対して良溶媒
中で〔（ジアミンのモル数）＋（ジアミノアミドのモル
ｆｆ）：）／（芳香族テトラカルボン酸二無水物のモル
ｍ） ＝１の配合比で反応させるのが好適である。
溶媒として、例えばＮ、Ｎ’−ジメチルアセトアミド、
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホ
アミドなどが好適に用いられる。
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホ
アミドなどが好適に用いられる。
また、これらの反応は、８０℃以下の温度で２〜ｌＯ時
間行なわねるのが好適である。８０℃以上では不溶性と
なり、２時間以下では反応が不充分である。
間行なわねるのが好適である。８０℃以上では不溶性と
なり、２時間以下では反応が不充分である。
この発明に係わる一般式（４）で示されるアジリジン化
合物としては、例えば Ｈ２ などの内の少なくとも一種が用いらねる。
合物としては、例えば Ｈ２ などの内の少なくとも一種が用いらねる。
なお、こねらアジリジン化合物とイミド−イソインドロ
キナゾリンジオン前駆体の反応けｓｏ’ｃｐｔ下、好ま
しくけ室温付近で行なわね、８０″ｃ以玉では不溶化が
おこる。該反応は塩類、＃化物、塩基等の反応促進剤を
用いなくとも速や’Ｉ））Ｋ進行し、不純物を含着ない
ため、この発明の感光性耐熱材料は極めて４＆ねた保存
安定性を有する。又、上記反応において、上記アジリジ
ン化合物全上記イミド−イソインドロキナゾリンジオン
前駆体中の側鎖のカルボキシル基に対して０．２〜２．
０当量、好捷しくに０・８〜１．５当量の範囲内で反応
させるのが良い。０．２当量以下であると露光による架
橋反応が充分に起らず、レリーフパターン形成能に劣る
。また、２．０当量を越えると最終工程での熱処理後の
硬化物の熱安定性が劣る。
キナゾリンジオン前駆体の反応けｓｏ’ｃｐｔ下、好ま
しくけ室温付近で行なわね、８０″ｃ以玉では不溶化が
おこる。該反応は塩類、＃化物、塩基等の反応促進剤を
用いなくとも速や’Ｉ））Ｋ進行し、不純物を含着ない
ため、この発明の感光性耐熱材料は極めて４＆ねた保存
安定性を有する。又、上記反応において、上記アジリジ
ン化合物全上記イミド−イソインドロキナゾリンジオン
前駆体中の側鎖のカルボキシル基に対して０．２〜２．
０当量、好捷しくに０・８〜１．５当量の範囲内で反応
させるのが良い。０．２当量以下であると露光による架
橋反応が充分に起らず、レリーフパターン形成能に劣る
。また、２．０当量を越えると最終工程での熱処理後の
硬化物の熱安定性が劣る。
即ち、この発明の感光性耐熱材料は、イミド−イソイン
ドロキナゾリンジオン前駆体にアジリジン化合物を反応
させて得らｔ′またものを主成分とするものであり、こ
のものだけを用いて露光しても鮮明なレリーフパターン
が得らｈるが、例えば光増感剤を０．０１〜ｌＯＮ量係
含有すねは、著るしい光増感効果を得ることができる。
ドロキナゾリンジオン前駆体にアジリジン化合物を反応
させて得らｔ′またものを主成分とするものであり、こ
のものだけを用いて露光しても鮮明なレリーフパターン
が得らｈるが、例えば光増感剤を０．０１〜ｌＯＮ量係
含有すねは、著るしい光増感効果を得ることができる。
そのような光増感剤として、例えばベンゾイン、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンツインメチルエーテル、ベン
ゾインイソブチルエーテル、アントラキノン、ベンゾキ
ノン、β−メチルアントラキノン、ナフトキノン、ジフ
ェニルスルフィド、アセトフェノン。
インエチルエーテル、ベンツインメチルエーテル、ベン
ゾインイソブチルエーテル、アントラキノン、ベンゾキ
ノン、β−メチルアントラキノン、ナフトキノン、ジフ
ェニルスルフィド、アセトフェノン。
ベンゾフェノンおよび４，４′−テトラメチルジアミノ
ベンゾフェノンなどの内の少なくとも一種ヲ用いること
ができる。
ベンゾフェノンなどの内の少なくとも一種ヲ用いること
ができる。
この発明の感光性耐熱材料金例オばガラス敏捷たけシリ
コンウェハー上に回転塗布し、５０〜９０℃で乾燥した
のち、所定のパターンマスクを通して露光し、次いでＮ
−メチル−２−ピロリドン。
コンウェハー上に回転塗布し、５０〜９０℃で乾燥した
のち、所定のパターンマスクを通して露光し、次いでＮ
−メチル−２−ピロリドン。
Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの溶剤で現像するこ
とにより未露光部は洗い流さｈて端面のシャープなレリ
ーフパターンが得られる。５０℃以下でげ、溶媒の揮発
が不充分で粘性が残り、９０℃以上では不溶化かおこる
。さらに、その後、２００〜４００℃の熱処理を行なう
ことにより、耐熱性、耐薬品性、および電気的性質の優
ｔ′また、良好なパターンを有する硬化物が得られる。
とにより未露光部は洗い流さｈて端面のシャープなレリ
ーフパターンが得られる。５０℃以下でげ、溶媒の揮発
が不充分で粘性が残り、９０℃以上では不溶化かおこる
。さらに、その後、２００〜４００℃の熱処理を行なう
ことにより、耐熱性、耐薬品性、および電気的性質の優
ｔ′また、良好なパターンを有する硬化物が得られる。
この発明の感光性耐熱材料は、室温遮光下で数ケ月間安
定に保存できる。
定に保存できる。
以下この発明を実櫂例に基づいて、さらに詳しく説明す
るが、この発明は力）かる実施例のみに限定されるもの
でげない。
るが、この発明は力）かる実施例のみに限定されるもの
でげない。
実姉例１
温度計、攪拌機、チッ素導入管、塩化カルシウム管を備
えたｓｏｏｍＡの４つ目フラスコに、４．４’−ジアミ
ノジフェニルエーテル８ｇ （０，０４モル）ト礼５−
ジアミノ安息香酸アミド１．５１ｇ（０，０１モル）と
乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰと略
す） １５０ｇとを入れ溶解させた。この溶液にピロメ
リット酸二無水物１０．９ｇ （ｏ、ｏ５モル）を一度
に加え、２０°Ｃ″？ｌ”２時間、８０°Ｃで２時間反
応させてイミド−イソインドロキナゾリンジオン前躯体
を得た。
えたｓｏｏｍＡの４つ目フラスコに、４．４’−ジアミ
ノジフェニルエーテル８ｇ （０，０４モル）ト礼５−
ジアミノ安息香酸アミド１．５１ｇ（０，０１モル）と
乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰと略
す） １５０ｇとを入れ溶解させた。この溶液にピロメ
リット酸二無水物１０．９ｇ （ｏ、ｏ５モル）を一度
に加え、２０°Ｃ″？ｌ”２時間、８０°Ｃで２時間反
応させてイミド−イソインドロキナゾリンジオン前躯体
を得た。
さらに、２−（ｌ−アジリジニル）エチルメタ１５．５
ｇ（０，１モｘ ） ｆ加え４０°Ｃで３時間反応させ
たのち、得られたポリマー溶液にβ−メチルアントラキ
ノン０．４ｇｉ加え均一に混合させ、この発明の一実細
例の感光性耐熱材料を得た。
ｇ（０，１モｘ ） ｆ加え４０°Ｃで３時間反応させ
たのち、得られたポリマー溶液にβ−メチルアントラキ
ノン０．４ｇｉ加え均一に混合させ、この発明の一実細
例の感光性耐熱材料を得た。
こ′ｈをガラス板上にスピンコートシ、８０℃テ１５分
間乾燥させたのち、所定のマスクを通して３０秒間紫外
線露光を行なった（超高圧水銀灯５００Ｗ ３０ｃｍ）
。
間乾燥させたのち、所定のマスクを通して３０秒間紫外
線露光を行なった（超高圧水銀灯５００Ｗ ３０ｃｍ）
。
結党後、ＮＭＰ中に６０〜１２０秒間浸漬することによ
り良好なレリーフパターンが４らｔ１＊。
り良好なレリーフパターンが４らｔ１＊。
別に、上記この発明の一実姉例の感光性耐熱材料を銅板
に塗布し、上記と同様の露光装置を用いて３０秒間、全
面に露光した。その後、２００’Ｃ１時間、チッ素雰囲
気下、３００°Ｃで１時間、４００℃で３０分間加熱し
た。
に塗布し、上記と同様の露光装置を用いて３０秒間、全
面に露光した。その後、２００’Ｃ１時間、チッ素雰囲
気下、３００°Ｃで１時間、４００℃で３０分間加熱し
た。
かぐして得らｈだ硬化物の電気特性を測定した結果、絶
縁耐圧３００ｋＶ／ｍｍ 、誘電率２．９ （１ｋＨ２
） 。
縁耐圧３００ｋＶ／ｍｍ 、誘電率２．９ （１ｋＨ２
） 。
体積抵抗率４Ｘ１０１５Ω・ａｍの値が得らｈ、通常の
ポリイミドと同程度の゛電気特性を示すことが解った。
ポリイミドと同程度の゛電気特性を示すことが解った。
また、空気中５°Ｃ／分の条件で熱重量減少を測定した
結果、初期分解開始温度ｌｌ″ｊ４６０°Ｃであり、熱
安定性に優れていることが解った。
結果、初期分解開始温度ｌｌ″ｊ４６０°Ｃであり、熱
安定性に優れていることが解った。
実姉例２〜１１
表ＩＫ示す各成分の自己含量に従って、実施例１と同様
の操作を行ない、この発明の実姉例の感光性耐熱材料を
得た。
の操作を行ない、この発明の実姉例の感光性耐熱材料を
得た。
得られた材料をガラス板に塗布し、実姉例１と同様の画
像形成処理を行ない、結果を表２に示し従来のものと同
程度の感光性を示すものを良としたＯ 一方、銅板に塗布し、１００°Ｃ３０分、２００°Ｃ１
時間、チッ素気流中３５０’Ｃ１時間熱処理を行なった
ものの電気特性、耐熱性を測定した。これらの結果も表
２、に示した。
像形成処理を行ない、結果を表２に示し従来のものと同
程度の感光性を示すものを良としたＯ 一方、銅板に塗布し、１００°Ｃ３０分、２００°Ｃ１
時間、チッ素気流中３５０’Ｃ１時間熱処理を行なった
ものの電気特性、耐熱性を測定した。これらの結果も表
２、に示した。
それによると、従来のポリイミドと同程度の電気特性を
示し、又、熱安定性に優れていることが解る。
示し、又、熱安定性に優れていることが解る。
また、室温遮光下で３ケ月間放置したのち、実姉例１と
同様の画像形成処理を行ない、パターニング性を調べ、
その結果を表２に合せて示す。それによると、従来のも
ののバターニング可能な保存期間が室温遮光下で１ケ月
間であるのに対し、保存安定性にも優れているあが解る
。
同様の画像形成処理を行ない、パターニング性を調べ、
その結果を表２に合せて示す。それによると、従来のも
ののバターニング可能な保存期間が室温遮光下で１ケ月
間であるのに対し、保存安定性にも優れているあが解る
。
々お、表１で用いた化合物は以下の様に略した。
ジアミン
ＰＤＳ
ジアミノアミド
芳香族テトラカルボン酸二無水物
アジリジン化合物
Ｈ２
Ｈ２
〔発明の効果〕
以上説明したとおり、この発明け、一般式０式％
（式中、Ｒｘｎ２価の有機基を示す。）で示される芳香
族ジアミン、一般式 ０式％（２） （式中、Ｒ２Ｈ３価の有機基金示す。）で示される芳香
族ジアミノアミド、および一般式０式％ （式中、Ｒ３は４価の有機基を示す。）で示される芳香
族テトラカルボン酸二無水物を反応させて得られるポリ
イミド−イソインドロキナゾリンジオン前駆体（Ａ）Ｖ
Ｃｌ一般式（式中、Ｒ４は光又は放射線で２量化又は重
合可能な二重結合を有する基を示す。） で示されるアジリジン化合物（Ｂ）を反応させて得らね
るものを含有するものを用いることにより、保存安定性
に優れ、製造工程が簡単で、新規な感光性耐熱材料を得
ることができ、直接光により微細加工できる絶縁材料と
して有用であり、例えば半導体等の固体素子の層間絶縁
材料やパンシベーシヨ７材Ｆ）、又は磁気ヘッドおよび
サーマルヘッドの絶縁膜、さらにはプリント回路の半田
レジスト。
族ジアミン、一般式 ０式％（２） （式中、Ｒ２Ｈ３価の有機基金示す。）で示される芳香
族ジアミノアミド、および一般式０式％ （式中、Ｒ３は４価の有機基を示す。）で示される芳香
族テトラカルボン酸二無水物を反応させて得られるポリ
イミド−イソインドロキナゾリンジオン前駆体（Ａ）Ｖ
Ｃｌ一般式（式中、Ｒ４は光又は放射線で２量化又は重
合可能な二重結合を有する基を示す。） で示されるアジリジン化合物（Ｂ）を反応させて得らね
るものを含有するものを用いることにより、保存安定性
に優れ、製造工程が簡単で、新規な感光性耐熱材料を得
ることができ、直接光により微細加工できる絶縁材料と
して有用であり、例えば半導体等の固体素子の層間絶縁
材料やパンシベーシヨ７材Ｆ）、又は磁気ヘッドおよび
サーマルヘッドの絶縁膜、さらにはプリント回路の半田
レジスト。
高耐熱材のフォトレジスト、リフトオフ材などにも適用
できる。
できる。
Claims (6)
- （１）一般式 Ｈ＿２Ｎ−Ｒ＿１−ＮＨ＿２・・・・・・（１） （式中、Ｒ＿１は２価の有機基を示す。） で示される芳香族ジアミン、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（２） （式中、Ｒ＿２は３価の有機基を示す。） で示される芳香族ジアミノアミド、および一般式▲数式
、化学式、表等があります▼・・・・・・（３） （式中、Ｒ＿３は４価の有機基を示す。） で示される芳香族テトラカルボン酸二無水物を反応させ
て得られるポリイミド−イソインドロキナゾリンジオン
前駆体（Ａ）に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（４） （式中、Ｒ＿４は光又は放射線で２量化又は重合可能な
二重結合を有する基を示す。） で示されるアジリジン化合物（Ｂ）を反応させて得られ
るものを含有する感光性耐熱材料。 - （２）アジリジン化合物（Ｂ）をポリイミド−イソイン
ドロキナゾリンジオン前駆体（Ａ）の側鎖のカルボキシ
ル基に対して０．２〜２．０当量反応させたものを含有
する特許請求の範囲第１項記載の感光性耐熱熱材料。 - （３）２価の有機基は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼および ▲数式、化学式、表等があります▼ の内の一種である特許請求の範囲第１項又は第２項記載
の感光性耐熱材料。 - （４）３価の有機基は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼ および▲数式、化学式、表等があります▼の内の一種で
ある特許請求の範囲第１項又は第２項記載の感光性耐熱
材料。 - （５）４価の有機基は、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼および ▲数式、化学式、表等があります▼の内の一種である特
許請求の範囲第１項又は第２項記載の感光性耐熱材料。 - （６）Ｒ＿４はＨ＿２Ｃ＝ＣＨＣＯＯＣＨ＿２ＣＨ＿２
−、Ｈ＿２Ｃ＝（ＣＨ＿３）ＣＯＯＣＨ＿２ＣＨ＿２−
、▲数式、化学式、表等があります▼および ▲数式、化学式、表等があります▼の内の一種である特
許請求の範囲第１項又は第２項記載の感光性耐熱材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14362384A JPS6121130A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 感光性耐熱材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14362384A JPS6121130A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 感光性耐熱材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6121130A true JPS6121130A (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=15343054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14362384A Pending JPS6121130A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 感光性耐熱材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6121130A (ja) |
-
1984
- 1984-07-09 JP JP14362384A patent/JPS6121130A/ja active Pending
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