JPS6194043A - 感光性耐熱材料 - Google Patents
感光性耐熱材料Info
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- JPS6194043A JPS6194043A JP21535384A JP21535384A JPS6194043A JP S6194043 A JPS6194043 A JP S6194043A JP 21535384 A JP21535384 A JP 21535384A JP 21535384 A JP21535384 A JP 21535384A JP S6194043 A JPS6194043 A JP S6194043A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、新規な感光性耐熱材料に関する。
半導体工業において面体素子の絶縁層やパッシベーショ
ン層として有機材料を用い次場合、低応力性および平滑
性などの優れた性質が得られるため、一部の半導体菓子
に実用化されている。
ン層として有機材料を用い次場合、低応力性および平滑
性などの優れた性質が得られるため、一部の半導体菓子
に実用化されている。
固体素子の製造においてはダイボンデング工程等のよう
に加熱作業が多数含捷れるため、耐熱性の有機材料を使
用する必要がある。そのため、通常耐熱性に優れたポリ
イミドが広く検討さｔている。
に加熱作業が多数含捷れるため、耐熱性の有機材料を使
用する必要がある。そのため、通常耐熱性に優れたポリ
イミドが広く検討さｔている。
ポリイミドケ固体素子の絶縁層やノ（ツシベーション層
として利用する場合、上下導体層の導通部や外部リー
ド線との接続のためのスルーホール孔なと微細加工ケ施
す工程では、一般に、フオトレジスＩｆ使用するポリイ
ミドの化学エツチング処理が行なわハ、ている。しかし
ながら、この化学エツチング処理でＱゴフオトｌ／シス
トの塗布や剥離の工程を含むため全体として煩雑なプロ
セス工程となる。捷た、レリーフパターン全レジスト全
弁して転写することによる寸法精１ｉの低下が起る。そ
のため、微細加工工程の簡略化や面精度化に図るため、
面接光でパターニング可能な耐熱（材料の開発が望寸れ
でいた。
として利用する場合、上下導体層の導通部や外部リー
ド線との接続のためのスルーホール孔なと微細加工ケ施
す工程では、一般に、フオトレジスＩｆ使用するポリイ
ミドの化学エツチング処理が行なわハ、ている。しかし
ながら、この化学エツチング処理でＱゴフオトｌ／シス
トの塗布や剥離の工程を含むため全体として煩雑なプロ
セス工程となる。捷た、レリーフパターン全レジスト全
弁して転写することによる寸法精１ｉの低下が起る。そ
のため、微細加工工程の簡略化や面精度化に図るため、
面接光でパターニング可能な耐熱（材料の開発が望寸れ
でいた。
上記目的のための一つとして特公昭４９−１’７３’ｉ
’４号公癲に、ポリアミド酸と重クロム酸塩とからなる
感光性耐熱材料が提案された。
’４号公癲に、ポリアミド酸と重クロム酸塩とからなる
感光性耐熱材料が提案された。
捷た、特開昭４９−１１５５４１号公報にはピロメリッ
ト酸誘導体から誘導される感光性ポリアミド酸が＋Ｍ案
されている。
ト酸誘導体から誘導される感光性ポリアミド酸が＋Ｍ案
されている。
さらに、特開昭５５−４５’７４５号公報にポリアミド
酸と不飽和エポキシの反応による感光性ポリアミド酸が
提案されている。
酸と不飽和エポキシの反応による感光性ポリアミド酸が
提案されている。
上記のような従来のポリアミド酸と重クロム酸塩とから
なる場合には、該（材料は暗反応を伴うため保存安定性
に乏しいという問題点を有している。
なる場合には、該（材料は暗反応を伴うため保存安定性
に乏しいという問題点を有している。
また、ピロメリット酸誘導体は粘稠で、しかも精製が困
難であることから、仮に精製できても高価になるという
問題点ケ有している。
難であることから、仮に精製できても高価になるという
問題点ケ有している。
さらに、ポリアミド酸と不飽和エポキシの反応は、反応
促進剤が必要であり、反応後の保存安定性も極めて悪い
という問題点を有している。
促進剤が必要であり、反応後の保存安定性も極めて悪い
という問題点を有している。
この発＃＃け、かかる問題点を解決するためになされた
もので、保存安定性に優れ、製造工程が簡単で、新規な
感光性＃熱材料を得ることを目的とする。
もので、保存安定性に優れ、製造工程が簡単で、新規な
感光性＃熱材料を得ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明の感光性耐熱材料は、一般式
背 背
（式中、Ｒ１け２価の有機基、Ｒ２は１価の有機基、Ｒ
１３に４価の有機基ケ示Ｌ−ｎ汀任意の自然数ケ示す。
１３に４価の有機基ケ示Ｌ−ｎ汀任意の自然数ケ示す。
）で示されるジアミノ化合物と、一般式
％式％
（式中、Ｒ４［４価の有機基ケ示す。）で示されるテト
ラカルボン酸二無水物を反応させて得られるポリキナゾ
ロンイミド前駆体（Ａ）に、一般式（式中、Ｒ５は不飽
和結合を有する１価の有機基を示す。）で示されるアジ
リジン化合物（Ｂｊ 全反応して得られる重合体（Ｉ）
および一般式％式％（４１ （式中＋ Ｒ６け２価の有機基ケ示す。）で示されル芳
香族ヒスアジド（ｌｌｌ’を含有するものである。
ラカルボン酸二無水物を反応させて得られるポリキナゾ
ロンイミド前駆体（Ａ）に、一般式（式中、Ｒ５は不飽
和結合を有する１価の有機基を示す。）で示されるアジ
リジン化合物（Ｂｊ 全反応して得られる重合体（Ｉ）
および一般式％式％（４１ （式中＋ Ｒ６け２価の有機基ケ示す。）で示されル芳
香族ヒスアジド（ｌｌｌ’を含有するものである。
［作用〕
上記組成物を含有するこの発明の感光性耐熱材料を用い
ることにより、上記目的を達成することができる。
ることにより、上記目的を達成することができる。
この発明に係わるジアミノ化合物は、一般式ｉｌｌで示
される構造を持ったものであり、一般式（式中、Ｒ２け
１価の有機基、 Ｒ３け４価の有儂基全示す。）で示さ
れるビスオキサジノンと一般式 ％式％（６） （式中、Ｒ１け２価の有機基ケ示す。）で示されるジア
ミンとにより合成することができる。
される構造を持ったものであり、一般式（式中、Ｒ２け
１価の有機基、 Ｒ３け４価の有儂基全示す。）で示さ
れるビスオキサジノンと一般式 ％式％（６） （式中、Ｒ１け２価の有機基ケ示す。）で示されるジア
ミンとにより合成することができる。
上記ジアミンげ、例えばＰ−フェニレンジアミン、ｍ−
フェニレンジアミン、４．４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、４．４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４
′−ベンジジン、３．３７−ベンジジン、４．４’−シ
（ａ−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、４．４
７−ジ（４−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホンお
よび１，５−ジアミノナフタレンの内の少ｆｒくとも一
種が好まＬ（用いられる。
フェニレンジアミン、４．４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、４．４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４
′−ベンジジン、３．３７−ベンジジン、４．４’−シ
（ａ−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、４．４
７−ジ（４−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホンお
よび１，５−ジアミノナフタレンの内の少ｆｒくとも一
種が好まＬ（用いられる。
捷だ、ビスオキサジノンの合成法け、刊行物（雑誌名：
Ｊｏｕｒｎａ’ｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｅｌｃｉ
ｅｎｃθ第６０巻第５９貞（１９６２年発行）および雑
誌名：工業化学雑誌第７３巻第６号第１２３９頁（１９
’７０年発行）等）に５己載されており、例えばベンズ
ジ（メチルオキサシン）、６，６′−メチレンビス（２
−メチル−４゜３．１〜ベンゾオキサジン−４−オン）
、６，６′−オキシビス（２−メチル−４，３，１−ベ
ンゾオキサジン−４−オン）、６．６′−チオビス（２
−メチル−４、，３，１−ベンゾオキサジン−４−オン
）、ビフエニールジ（メチルオキサシン）およびナツタ
レンジ（メチルオキサシン）の内の少ｆｘ（とも−ｓケ
用いることができる。
Ｊｏｕｒｎａ’ｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｅｌｃｉ
ｅｎｃθ第６０巻第５９貞（１９６２年発行）および雑
誌名：工業化学雑誌第７３巻第６号第１２３９頁（１９
’７０年発行）等）に５己載されており、例えばベンズ
ジ（メチルオキサシン）、６，６′−メチレンビス（２
−メチル−４゜３．１〜ベンゾオキサジン−４−オン）
、６，６′−オキシビス（２−メチル−４，３，１−ベ
ンゾオキサジン−４−オン）、６．６′−チオビス（２
−メチル−４、，３，１−ベンゾオキサジン−４−オン
）、ビフエニールジ（メチルオキサシン）およびナツタ
レンジ（メチルオキサシン）の内の少ｆｘ（とも−ｓケ
用いることができる。
この発明に係わる一般式［１のジアミノ化合物は上６己
ジアミンとビスオキサジノンとゲ、クレン゛−ル類、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトア
ミド等の有機ｍ媒中で反応させることにより谷筋に合成
できる３ここで、配合比を１．２≦ジアミンのモル数／ ビスオキサジノンのモル数≦２ の範囲内に選択することにより一般式ｉｌ＋のジアミノ
化合物において、ｌ≦ｎ≦５の範囲内の化合物を得るこ
とがで六る。ｎ ） ５で合成したジアミノ化合物を用
いて得られたこの発１１４の実施例の感光性耐熱材料に
汀、感光性の低下がみられる。
ジアミンとビスオキサジノンとゲ、クレン゛−ル類、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトア
ミド等の有機ｍ媒中で反応させることにより谷筋に合成
できる３ここで、配合比を１．２≦ジアミンのモル数／ ビスオキサジノンのモル数≦２ の範囲内に選択することにより一般式ｉｌ＋のジアミノ
化合物において、ｌ≦ｎ≦５の範囲内の化合物を得るこ
とがで六る。ｎ ） ５で合成したジアミノ化合物を用
いて得られたこの発１１４の実施例の感光性耐熱材料に
汀、感光性の低下がみられる。
この発明に係わるテトラカルボン酸二無水物汀一般式（
２）で示される構造を持っており、例えば、ピロメリッ
ト酸二無水物、ｓ、３′、４．ａ’−ベンゾフエノンテ
トラカルボン酸二無水物およびビスフタル酸二無水物の
内の少なぐとも一種が最終硬化物として優れた＃熱性を
与えるので好捷しいが、芳香族のものであれば、どのよ
うなものを用いても何らさしつかえない。
２）で示される構造を持っており、例えば、ピロメリッ
ト酸二無水物、ｓ、３′、４．ａ’−ベンゾフエノンテ
トラカルボン酸二無水物およびビスフタル酸二無水物の
内の少なぐとも一種が最終硬化物として優れた＃熱性を
与えるので好捷しいが、芳香族のものであれば、どのよ
うなものを用いても何らさしつかえない。
この発明において、ジアミノ化合物（１１とテトラカル
ボン酸二無水物とを反応させて、ポリキナゾロンイミド
前駆体（蜀全得る場合、上記反応物に不活性であり、か
つ得られる重合体に対して良溶媒中で、 の配合化で反応させるのが好適である。
ボン酸二無水物とを反応させて、ポリキナゾロンイミド
前駆体（蜀全得る場合、上記反応物に不活性であり、か
つ得られる重合体に対して良溶媒中で、 の配合化で反応させるのが好適である。
溶媒として、例えば、Ｎ、Ｎ’−ジメチルアセトアミド
、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホ
アミドなどが好適に用いられる。
、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホ
アミドなどが好適に用いられる。
寸た。これらの反応は、８０℃以下の温度で２〜１０時
間行なわれるのが好適である。８０℃以上では、不溶性
となり、２時間以下でけ反応が不充分である。
間行なわれるのが好適である。８０℃以上では、不溶性
となり、２時間以下でけ反応が不充分である。
この発明に係わる一般式＋３１で示されるアジリジン化
合物（Ｂｌとしてげ、例オば ＣＨ２ ０Ｈ２＝ ＯＨ−ＣＣ００ＣＨ２ＣＨ−Ｎ ｌＣＨ２ ０Ｔ（２ ０Ｈ２＝ ＣＨ−ＣＨ２− ＣＨ２ ＣＨ２ 々どの内の少なくとも一種が用いられる。
合物（Ｂｌとしてげ、例オば ＣＨ２ ０Ｈ２＝ ＯＨ−ＣＣ００ＣＨ２ＣＨ−Ｎ ｌＣＨ２ ０Ｔ（２ ０Ｈ２＝ ＣＨ−ＣＨ２− ＣＨ２ ＣＨ２ 々どの内の少なくとも一種が用いられる。
なお、これらアジリジン化合物（Ｂｌとポリキナゾロン
イミド前駆体（Ａ） Ｔｈ反応させて重合体（ＩＩ（ｒ
ｉる反応け８０°Ｃ以下、好ましくけ室温付近で行なわ
れる。該反応は塩類、酸化物、ｔ４基等の反応促進剤ケ
用いなくとも速やかに進行し、不純物１目ないためこの
発明の感光性耐熱材料は極めて優れた呆存安定性全有す
る。捷た、上記反応において、五記アジリジン化合物（
Ｂｌ ｋ上記ポリキナゾロンイミド前駆体（Ａｌ中の側
鎖のカルボキシル基に対して０．２〜２．０当重、好ま
しくけ０．５〜１．５当量の範用内で反応させるのが良
い。０．２当奮以下であると露光による架橋反応が充分
に起らず、レリーフパターン形成能に劣る。また、２．
０当量ケ越えると、最終工程での熱処理後の硬化物の熱
安定性が笑る。
イミド前駆体（Ａ） Ｔｈ反応させて重合体（ＩＩ（ｒ
ｉる反応け８０°Ｃ以下、好ましくけ室温付近で行なわ
れる。該反応は塩類、酸化物、ｔ４基等の反応促進剤ケ
用いなくとも速やかに進行し、不純物１目ないためこの
発明の感光性耐熱材料は極めて優れた呆存安定性全有す
る。捷た、上記反応において、五記アジリジン化合物（
Ｂｌ ｋ上記ポリキナゾロンイミド前駆体（Ａｌ中の側
鎖のカルボキシル基に対して０．２〜２．０当重、好ま
しくけ０．５〜１．５当量の範用内で反応させるのが良
い。０．２当奮以下であると露光による架橋反応が充分
に起らず、レリーフパターン形成能に劣る。また、２．
０当量ケ越えると、最終工程での熱処理後の硬化物の熱
安定性が笑る。
この発明に係わる芳香族ビスアジド（［１け、一般式（
４）で示される構造を持っており、感光性架橋剤として
作用し、例えば、２，６′−ジ（Ｐ−アジドベンザル）
−４−メチルシクロヘキサノン、２．６−ジ（Ｐ−アジ
ドベンザル）シクロヘキサノン、４．４′−ジアジドベ
ンザルアセトン、４，４′−ジアジドスチルベン、４．
４′−ジアジドカルコン、４．４’ −ジアジドベンゾ
フェノン、２．８−ジγシトアクリジン、４，４／−ジ
アジドジフェニルメタンおよび４．４′−ジアジドジフ
ェニルアミンの内の少な（とも一種が用いられる。
４）で示される構造を持っており、感光性架橋剤として
作用し、例えば、２，６′−ジ（Ｐ−アジドベンザル）
−４−メチルシクロヘキサノン、２．６−ジ（Ｐ−アジ
ドベンザル）シクロヘキサノン、４．４′−ジアジドベ
ンザルアセトン、４，４′−ジアジドスチルベン、４．
４′−ジアジドカルコン、４．４’ −ジアジドベンゾ
フェノン、２．８−ジγシトアクリジン、４，４／−ジ
アジドジフェニルメタンおよび４．４′−ジアジドジフ
ェニルアミンの内の少な（とも一種が用いられる。
なお、上記芳香族ビスアジド（ＩＩ）は、上記重合体（
１）に対」〜で、１〜５０３４蓋チの範囲内で添加する
のが好渣しい。１重量％以下の添加では架橋効果が有効
に表われず、５０垂を係ケ超えると得られる硬化物の熱
安定性が劣る。
１）に対」〜で、１〜５０３４蓋チの範囲内で添加する
のが好渣しい。１重量％以下の添加では架橋効果が有効
に表われず、５０垂を係ケ超えると得られる硬化物の熱
安定性が劣る。
即ち、この発明の感光性耐熱材料は、ポリキナゾロンイ
ミド前駆体（Ａ）に、アジリジン化合物（Ｂｌｖ反応し
て得られる重合体（Ｉ）および芳香族ビスアジド（Ｉｌ
ｌ （７主成分とするものであり、このものだけを用い
て露光しても鮮明なレリーフパターンが得られるか、例
えば光増感剤全０．０１〜１０ｉ駿係乱有すれば、著る
しい光増感効果を得ることができる。
ミド前駆体（Ａ）に、アジリジン化合物（Ｂｌｖ反応し
て得られる重合体（Ｉ）および芳香族ビスアジド（Ｉｌ
ｌ （７主成分とするものであり、このものだけを用い
て露光しても鮮明なレリーフパターンが得られるか、例
えば光増感剤全０．０１〜１０ｉ駿係乱有すれば、著る
しい光増感効果を得ることができる。
そのような光増感剤として、例えば、シアノアクリジン
、、ｚ−クロロ−１，８−７タロイルナフタレン、゛ｒ
ントラトロン、２′−プロモー１．２−ベンゾアントラ
キノン ２／−クロロ−１，２−ベンズアントラキノン
、１．２−ベンズアントラキノン、１．８＝ジニトロピ
レン、１−二トロピレン、５−ニトロアセナフテンおよ
びミヒラーズケトンの内の少なくとも一梗が用いられる
。
、、ｚ−クロロ−１，８−７タロイルナフタレン、゛ｒ
ントラトロン、２′−プロモー１．２−ベンゾアントラ
キノン ２／−クロロ−１，２−ベンズアントラキノン
、１．２−ベンズアントラキノン、１．８＝ジニトロピ
レン、１−二トロピレン、５−ニトロアセナフテンおよ
びミヒラーズケトンの内の少なくとも一梗が用いられる
。
この発明の感光性耐熱材料ケ、例えばガラス板またけシ
リコンウェーハ上に回転塗布し、５０〜９０℃で乾燥し
たのち、所定のパターンマスク／ｉ−通して露光【１、
次いτＮ−メチルー２−ピロＩノドン、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルアセトアミドなどの溶剤で現像することにより未露元
部は洗い流されて端面のシャープなレリーフパターンが
得られる。５０℃以下では溶媒の揮発が不充分で粘性が
残り、９０℃以上では不溶化がおこる。さらに、その後
、２００〜４００°Ｃの熱処理を行なうことにより、耐
熱性、耐薬品性および電気妬性質の優れた、良好なパタ
ーンケ有する硬化物が得られる。
リコンウェーハ上に回転塗布し、５０〜９０℃で乾燥し
たのち、所定のパターンマスク／ｉ−通して露光【１、
次いτＮ−メチルー２−ピロＩノドン、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルアセトアミドなどの溶剤で現像することにより未露元
部は洗い流されて端面のシャープなレリーフパターンが
得られる。５０℃以下では溶媒の揮発が不充分で粘性が
残り、９０℃以上では不溶化がおこる。さらに、その後
、２００〜４００°Ｃの熱処理を行なうことにより、耐
熱性、耐薬品性および電気妬性質の優れた、良好なパタ
ーンケ有する硬化物が得られる。
この発明の感光性耐熱材料汀、室温遮光下で数ケ月間安
定に保存できる。
定に保存できる。
以下、この発１．ＩＪＩを実施例に基づいて、さらに詳
しく説明するが、この発明けかかる実施例のみに限定さ
れるものではない。
しく説明するが、この発明けかかる実施例のみに限定さ
れるものではない。
なお、実施例で用いた化合物は以下に示したように略し
た。
た。
テトラカルボン酸二無水物
アジリジン化合物
Ｈ２
芳香族ビスアジド
実施例１
温度計、攪拌機、チッ素導入管、リフラックス管を備え
た５ｏｏｍｔのフラスコに、４，４′ジアミノジフ工ニ
ルエーテル４０ｇ（０，２モル）と３００ｇのｍ−クレ
ゾールケ加え、さらに６，６′−メチレンビス（２−メ
チル−４，３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）の３
３．４ｇ （０，１モル）′（ｒ追加し、１００℃で１
時間、１８０°Ｃで６時間反応させた。反応後、室温に
冷却し、多量のアセトン中に沈澱させ、十分洗浄後、減
圧乾燥させて、ジアミノ化合物ケ得た。収率け８９チ、
融点に１′７０℃であった。捷だ、アミン基当量の測定
を行なった結果、３’ｉ’Ｏの値を得た。
た５ｏｏｍｔのフラスコに、４，４′ジアミノジフ工ニ
ルエーテル４０ｇ（０，２モル）と３００ｇのｍ−クレ
ゾールケ加え、さらに６，６′−メチレンビス（２−メ
チル−４，３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）の３
３．４ｇ （０，１モル）′（ｒ追加し、１００℃で１
時間、１８０°Ｃで６時間反応させた。反応後、室温に
冷却し、多量のアセトン中に沈澱させ、十分洗浄後、減
圧乾燥させて、ジアミノ化合物ケ得た。収率け８９チ、
融点に１′７０℃であった。捷だ、アミン基当量の測定
を行なった結果、３’ｉ’Ｏの値を得た。
さらに、温度計、攪拌機、チッ素導入管、カルシウム管
を備えた４つ１］フラスコに、上記ジアミノ化合物’ｉ
’、４ｇ （０，０１モル）とＮ−メチル−２−ピロリ
ドン（以下、ＮＭＰと略す。） ８０ｇ ｆ加え、室幅
下で均一に溶解させた。ついで、ＢＴＤＡの３．２２ｇ
（０，０１モル）を加え、１５℃ｆ８時間反応させて
、ポリキナゾロンイミド前駆体（Ａ）を得之。
を備えた４つ１］フラスコに、上記ジアミノ化合物’ｉ
’、４ｇ （０，０１モル）とＮ−メチル−２−ピロリ
ドン（以下、ＮＭＰと略す。） ８０ｇ ｆ加え、室幅
下で均一に溶解させた。ついで、ＢＴＤＡの３．２２ｇ
（０，０１モル）を加え、１５℃ｆ８時間反応させて
、ポリキナゾロンイミド前駆体（Ａ）を得之。
さらに、ＡＥＭの３．１ｇ （０，０２モル）？加え・
２０°Ｃで４時間反応させに後、ＡＤＨの１．１ｇ（ｒ
−加え、均一に混合させ、この発明の一実癩例の感光性
耐熱材料（＋−得た。
２０°Ｃで４時間反応させに後、ＡＤＨの１．１ｇ（ｒ
−加え、均一に混合させ、この発明の一実癩例の感光性
耐熱材料（＋−得た。
これをガラス板上にスピンコードし、８０℃、 １５分
間乾燥させたのち、所定のマスクを通して２０秒間紫外
、碗曙光を行なった（超高圧水銀灯５００Ｗ３０ｃｍ）
。
間乾燥させたのち、所定のマスクを通して２０秒間紫外
、碗曙光を行なった（超高圧水銀灯５００Ｗ３０ｃｍ）
。
露光後、ＮＭＰ中に６０〜１２０秒間浸漬することによ
り良好なレリーフパターンが得らｈ７ｆｃ−６別に、Ｉ
：記この発明の一実捲例の感光性耐熱材料を銅板に塗布
し、上記と同じ蕗元装置ケ用いて３０秒間、全面に露光
した。その後、２００°Ｃ１時間、チッ素雰囲気下３５
０°Ｃで１時間加熱ケ行なった。
り良好なレリーフパターンが得らｈ７ｆｃ−６別に、Ｉ
：記この発明の一実捲例の感光性耐熱材料を銅板に塗布
し、上記と同じ蕗元装置ケ用いて３０秒間、全面に露光
した。その後、２００°Ｃ１時間、チッ素雰囲気下３５
０°Ｃで１時間加熱ケ行なった。
このようにして得られた硬化物の電気特性？測子した結
果、絶縁耐圧３０ ｏｋｖ／ｍｍ 、誘電率２．８ （
１ｋＨ２）、体積抵抗率３Ｘ１０”Ω・ＱｍＯ値が得ら
れ、通常のポリイミドと同程度の電気特性を示すことが
解る。また、空気中５℃／分の昇温速度で熱亘噴減少を
ｆＡ１１定した結果、初期分解開始温度け４１０℃であ
り、熱安定性に優れていることが解った。
果、絶縁耐圧３０ ｏｋｖ／ｍｍ 、誘電率２．８ （
１ｋＨ２）、体積抵抗率３Ｘ１０”Ω・ＱｍＯ値が得ら
れ、通常のポリイミドと同程度の電気特性を示すことが
解る。また、空気中５℃／分の昇温速度で熱亘噴減少を
ｆＡ１１定した結果、初期分解開始温度け４１０℃であ
り、熱安定性に優れていることが解った。
実施例２〜１３
表ＩＫ示した各成分の自己台により、ジアミノ化合物ヲ
得、このジアミノ化合物を用いて、表２の配合曖に従い
、実施例１と同様の操作全行なって、この発明の実施例
の感光性耐熱材料分得た。
得、このジアミノ化合物を用いて、表２の配合曖に従い
、実施例１と同様の操作全行なって、この発明の実施例
の感光性耐熱材料分得た。
得られた材料ケガラス板に塗布し、実施例１と同様の画
像形成処理全行ない、結果全表３に示し。
像形成処理全行ない、結果全表３に示し。
従来のものと同程度の感光性を示すものケ良とした。
一方、銅板に塗布し、露光後２００℃ １時間、チッ素
雰囲気下３５０℃１時間熱処理を行なったものの電気特
性、耐熱性を測定した。これらの結果も表３に示した。
雰囲気下３５０℃１時間熱処理を行なったものの電気特
性、耐熱性を測定した。これらの結果も表３に示した。
その結果、従来のポリイミドと同相ＩＷの電気特性を示
し、又、熱安定性に優れていることが解る。
し、又、熱安定性に優れていることが解る。
捷た、室温ａ尤Ｆで３ケ月間放置したのち、実施例１と
同様の画像処理全行ない、パターニング性（１７調べ、
その結果を表３に合わせて示した。
同様の画像処理全行ない、パターニング性（１７調べ、
その結果を表３に合わせて示した。
それによると、従来のもののパターニング可能な保存期
間が室温遮光下で１ケ月間であるのに対し、保存安定性
にも優れているのが解る。
間が室温遮光下で１ケ月間であるのに対し、保存安定性
にも優れているのが解る。
ｒ発明の効果〕
この発明汀以上説中したとおり、一般式０式％
（式中、Ｒ１け２価の有機基、Ｒ２は１価の有機基、Ｒ
３は４価の有機基金示し、ｎけ任意の自然数を示す。）
で示されるジアミノ化合物と、一般式 （式中、Ｒ４け４価の有機基？示す。）で示されるテト
ラカルボン酸二無水物を反応させて得られるポリキナゾ
ロンイミド前駆体（Ａｌに、一般式（式中、Ｒ５Ｉ／′
ｉ不飽和結合を有する１価の有機基を示す。）で示され
るアジリジン化合物（Ｂｌ ＃反応して得られる電合体
Ｈ）および一般式０式％（４１ （式中、Ｒ６１ｊ２価の有機基金示す。）で示される芳
香族ビスアジド（Ｉｌｌ （ｒ−含有するもの紫用いる
ことにより、保存安ポ性に優れ、契造工相が間車で、新
規な感光性耐熱材料を得ることがでへ、直接光により微
細加工できる絶縁材料として有用であり、例えば半導体
等の層間絶縁材料やパンシベーション材料、又は磁気ヘ
ッドおよびサーマルヘッドの絶Ｒ膜、さらＫけグリノＮ
ｒＥＩＭの半ｆｆｉレジストなどにも通用できる。
３は４価の有機基金示し、ｎけ任意の自然数を示す。）
で示されるジアミノ化合物と、一般式 （式中、Ｒ４け４価の有機基？示す。）で示されるテト
ラカルボン酸二無水物を反応させて得られるポリキナゾ
ロンイミド前駆体（Ａｌに、一般式（式中、Ｒ５Ｉ／′
ｉ不飽和結合を有する１価の有機基を示す。）で示され
るアジリジン化合物（Ｂｌ ＃反応して得られる電合体
Ｈ）および一般式０式％（４１ （式中、Ｒ６１ｊ２価の有機基金示す。）で示される芳
香族ビスアジド（Ｉｌｌ （ｒ−含有するもの紫用いる
ことにより、保存安ポ性に優れ、契造工相が間車で、新
規な感光性耐熱材料を得ることがでへ、直接光により微
細加工できる絶縁材料として有用であり、例えば半導体
等の層間絶縁材料やパンシベーション材料、又は磁気ヘ
ッドおよびサーマルヘッドの絶Ｒ膜、さらＫけグリノＮ
ｒＥＩＭの半ｆｆｉレジストなどにも通用できる。
Claims (6)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（１） （式中、Ｒ＿１は２価の有機基、Ｒ＿２は１価の有機基
、Ｒ＿３は４価の有機基を示し、ｎは任意の自然数を示
す。）で示されるジアミノ化合物と、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（２） （式中、Ｒ＿４は４価の有機基を示す。）で示されるテ
トラカルボン酸二無水物を反応させて得られるポリキナ
ゾロンイミド前駆体（Ａ）に、一般式▲数式、化学式、
表等があります▼・・・（３） （式中、Ｒ＿５は不飽和結合を有する１価の有機基を示
す。） で示されるアジリジン化合物（Ｂ）を反応して得られる
重合体（ I ）および、一般式 Ｎ＿３−Ｒ＿６−Ｎ＿３・・・（４） （式中、Ｒ＿６は２価の有機基を示す。） で示される芳香族ビスアジド（II）を含有する感光性耐
熱材料。 - （２）アジリジン化合物（Ｂ）をポリキナゾロンイミド
前駆体（Ａ）の側鎖のカルボキシル基に対して０．２〜
２．０当量反応させたものを含有する特許請求の範囲第
１項記載の感光性耐熱材料。 - （３）芳香族ビスアジド（II）を重合体（ I ）に対し
て１〜５０重量％配合させたものを含有する特許請求の
範囲第１項又は第２項記載の感光性耐熱材料。 - （４）Ｒ＿１は▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、 ▲数式、化学式、表等があります▼の内の一種 である特許請求の範囲第１項ないし第３項の何れかに記
載の感光性耐熱材料。 - （５）Ｒ＿３およびＲ＿４は▲数式、化学式、表等があ
ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
あります▼および ▲数式、化学式、表等があります▼の内の一種である特
許請求の範 囲第１項ないし第４項の何れかに記載の感光性耐熱材料
。 - （６）Ｒ＿５はＨ＿２Ｃ＝ＣＨＣＯＯＣＨ＿２ＣＨ＿２
−、Ｈ＿２Ｃ＝Ｃ（ＣＨ＿３）ＣＯＯＣＨ＿２ＣＨ＿２
−、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｈ＿２Ｃ＝Ｃ
Ｈ−ＣＨ＿２および▲数式、化学式、表等があります▼
の内の一種であ る特許請求の範囲第１項ないし第５項の何れかに記載の
感光性耐熱材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21535384A JPS6194043A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 感光性耐熱材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21535384A JPS6194043A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 感光性耐熱材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194043A true JPS6194043A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16670887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21535384A Pending JPS6194043A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 感光性耐熱材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6194043A (ja) |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP21535384A patent/JPS6194043A/ja active Pending
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