JPS61212560A - 高純度n−(シクロヘキシルチオ)−フタルイミドの製造法 - Google Patents

高純度n−(シクロヘキシルチオ)−フタルイミドの製造法

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JPS61212560A
JPS61212560A JP60052544A JP5254485A JPS61212560A JP S61212560 A JPS61212560 A JP S61212560A JP 60052544 A JP60052544 A JP 60052544A JP 5254485 A JP5254485 A JP 5254485A JP S61212560 A JPS61212560 A JP S61212560A
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phthalimide
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cyclohexylthio
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organic
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Takae Ono
孝衛 大野
Yoshihisa Matsukuma
松隈 芳久
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Toray Industries Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、高純度のN−(シクロヘキシルチオ)−フタ
ルイミドを製造する方法tこ関するものである。
〈従来の技術〉 N−(シクロヘキシルチオ)−フタルイミドは天然ゴム
または合成ゴムの早期加硫抑制剤として極めて、有用な
化合物である。
従来より、N−(シクロヘキシ/L/fオンーフタpイ
ミドはフタルイミドとシクロヘキVμス〃フエニμクロ
ライドとの反応〔イミド化反応〕によって製造されるが
、この時、生成する塩化水素をトラップするためにアル
カリ金属水酸化物またはアルカリ土類金属水酸化物を共
存させる方法(特開昭57−80369号公報〕が知ら
れている。
ここで原料として用いられるシクロヘキシ〜スルフエニ
μクロライドの一般的製法としてはシクロヘキシルチオ
ーtv * タハシクロヘキシpジスルフィドを有−溶
媒中で塩素と反応させる方法がある。
しかしながら、シクロヘキシルスμフェ二μクロライド
は非常に不安定であり、有機溶媒中で速やかtこ分解す
る( J、 Org、 Ohem、 34 、51(+
969))  。
従って、シクロヘキシ〃スルフエニpクロライドとフタ
ルイミドからN−(シクロヘキシルチオ)−フタルイミ
ドを製造する場合、有機溶g中でシクロヘキシルチオー
ルまたはジシクロヘキシ〃ジスμフィトと塩素を反応さ
せて得た反応液を精製することな(、そのまま、フタル
イミドと混合するのが工業的に有利な方法である。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、有機溶媒中でジシクロヘキシルジス〃フ
ィトと塩素とを反応させて得た反応液とフタイミドなア
゛pカリ金属水酸化物またはアルカリ土類金属水酸化物
共存下で混合して反応せしめると、得られるN−(シク
ロヘキシルチオ)−フタルイミドの品質が不満足であり
、かつ保存中に酸性ガスを発生するという問題があるこ
とを本発明者らは見出した。
そこで、本発明者らは高品質のN−(シクロヘキシ/I
/fオノーフタイミドを工業的に有利な方法で製造する
方法を提供することを目的として鋭意検討した結果本発
明tこ到達した。
く問題点を解決するための手段Sよび作用〉すなわち、
本発明は、アμカリ金属水酸化物またはアルカリ土類金
属の水酸化物および有機浴謀の存在下で、フタルイミド
とシクロヘキシμス/L/フエ二〜クロライドとの反応
tこよって得られたN−(シクロヘキシルチオ)−フタ
ルイミドを有機アミンと混合すること、得られた混合物
を中和して一分液することおよび分液して得られた有機
溶媒層を晶析することからなる高純& N −(シクロ
ヘキシルチオン−フタルイミドの製造法である。
以下、本発明を具体的に説明する。
本発明で原料として用いるシクロヘキシ〃スルフエニμ
クロライドは、任意の方法tこよって製造されたものを
使用することができるが、前述のごとくシクロヘキ7μ
スμフェニ〃クロライドが非常に不安定であるため、シ
クロヘキシμス〃フエニμクロライドの合成反応混合物
をそのまま原料として使用することが工業的には好まし
い。
特tこ、ジシクロヘキシpジス/I/フィトまたはシク
ロヘキシルチオ−μと塩素を反応させて得た反応液を精
製することな(そのまま原料として使用するのが望まし
い。
本発明において有機アミンと混合することおよび混合物
を中和して分液することとは、具体的にはN−(シクロ
ヘキシルチオン−フタルイミドを有機アミン共存下で加
熱したあと、鉱酸で中和し有機アミンの鉱酸塩となし、
これを含む水層と有機溶媒層とtこ分液することである
有機アミンとは脂肪族アミン、芳香族アミンの1級アミ
ン、2級アミン、3級アミンから選ばれたもので、反応
浴#Xtこ溶けしかも反応溶媒よりも高い沸点を持つも
のである。
例えば、反応溶媒が四塩化炭素の時はトリエチルアミン
が好ましい。
有機アミンの添加率はイミド化反応tこ使用したシクロ
ヘキシルスルフェニルクロライドの重量に対して195
〜10%で、好ましくは2〜5%である。
添加率が少ないと効果がなく、多いと除去する負荷が増
加する。
加熱温度は60〜120℃が好ましく、イミド反応液の
沸点付近がさら1こ好ましく低温度では効果がなく、沸
点温度よりも高温度では耐圧装置が必要となる。
加熱時間は1〜2時間が好ましく、短時間では効果が少
なく長時間では生産性がおちる。
シクロヘキシルスルフェニルクロライドの合成やイミド
化反応C使用する溶媒はN−(シクロヘキシ〜チオノー
フタルイミドをよく溶かし、塩素に対して安定なもので
、例えば四塩化炭素が使用される。
くメ施例〉 以下、実施例によって本発明をさらに具体的に説明する
実施例1 滴下ロート、コンデンサー1.かきまぜ機、温度計を備
えたガラス製画つロフラスコの中CM度98%のフタル
イミド5 [L Q g ((L 2 モ/L/ )と
純度9996以上の四塩化炭素200gを入れかきまぜ
た。
この中へ10%の苛性ソーダ水溶液8aOg(0,22
モμ)を滴下ロートより加えてフタルイミドを速かに溶
解し、続いてすばやく四塩化R素ヲ溶諜iこしたシクロ
ヘキシμス/L/フェニルクロライドの溶液2(jog
([L2モ〜のククロヘキシ〃スμ)二二μクロライド
が溶解している)を別の滴下ロートより滴下した。反応
液温度が約20℃から約34℃に上昇した。滴下終了あ
とも50分間かぎまぜを継続した。
このあとtこ、純度99%以上のトリエチルアミン1.
0gを添加し75〜75℃の温浴で加熱し、反応液を沸
騰させた。1時間この状蝮を維持したあと、水で冷却し
室温にした。4N−塩酸で内液なpH6〜7まで中和し
た。
内液の全量を分液ロートに移液し上層と下層を分離した
。下層を2等分し、一方の液からロータリーエバポレー
タで四塩化炭素を留去させたあと、室温5 Torr、
以下の真空乾燥器で一夜乾燥し固形物24.9 gを得
た。
固形物の融点は89〜90℃でN−(シクロヘキンルチ
オ)−フタルイミドの純度は、液体クロマトグラフィで
分析した結果95.9%であった。また、この固形物を
室温下で1ケ月放置しても酸性ガスは発生しなかった。
もう一方の液をロータリーエバポレータで濃縮し、N−
(シクロヘキシルチオ)−フタルイミドの結晶を析出さ
せた。
この結晶を濾過鐘で分離したあと、室温、5TOrr、
以下の真空乾燥器で一夜乾燥し結晶14.5gを得た。
結晶の融点は95〜94℃で、N−(、シクロヘキシル
チオツーフタルイミドの液体クロマトグラフィによる純
度は99.4%であった。この結晶を室温下で1ケ月放
置しても酸性ガスは発生しなかった。
実施例2 実施例1のトリエチルアミンをベンジルアミンに代えた
以外は実施例1と同じ方法で行なった。
その結果、濃縮固形物25.1g、晶析結晶14、4 
gを得た。融点は濃縮固形物で89〜90℃、晶析結晶
で95〜94℃であった。
N−(シクロヘキシルチオツーフタルイミドの液体クロ
マトグラフィによる純度は濃縮固形物で95.596、
晶析結晶で? ?、 296であった。
濃縮固形物、晶析結晶いずれも1ケ月放置しても酸性ガ
スは発生しなかった。
比較例 実施例1のトリエチルアミンを添加しなかった以外は実
施例1と同じ方法で行なった。
その結果、磯縮固形物2a8g、晶析結晶14、4 g
を得た。融点は濃縮固形物で88〜89℃、晶析結晶で
92〜95℃であった。
N−(シクロヘキシルチオツーフタルイミドの液体クロ
マトグラフィ1こよる純度は濃縮固形物で915%、晶
析結晶で9[LO%であった。
濃縮固形物は翌日に、晶析結晶は4日後に酸性ガスを発
生した。
〈発明の効果〉 本発明によれば、工業的に簡易な方法により99%以上
の高純度のN−(シクロヘキV/L/チオ]−フタルイ
ミドの取得が可能となった。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. アルカリ金属水酸化物またはアルカリ土類金属の水酸化
    物および有機溶媒の存在下で、フタルイミドとシクロヘ
    キシルスルフェニルクロライドとの反応によつて得られ
    たN−(シクロヘキシルチオ)−フタルイミドを有機ア
    ミンと混合すること、得られた混合物を中和して分液す
    ることおよび分液して得られた有機溶媒層を晶析するこ
    とからなる高純度N−(シクロヘキシルチオ)−フタル
    イミドの製造法。
JP60052544A 1985-03-18 1985-03-18 高純度n−(シクロヘキシルチオ)−フタルイミドの製造法 Granted JPS61212560A (ja)

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JP60052544A JPS61212560A (ja) 1985-03-18 1985-03-18 高純度n−(シクロヘキシルチオ)−フタルイミドの製造法

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JPS61212560A true JPS61212560A (ja) 1986-09-20
JPH058704B2 JPH058704B2 (ja) 1993-02-02

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109776389A (zh) * 2019-03-19 2019-05-21 汤阴永新化学有限责任公司 一种低值邻苯二甲酰亚胺的橡胶防焦剂ctp的制造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN109776389A (zh) * 2019-03-19 2019-05-21 汤阴永新化学有限责任公司 一种低值邻苯二甲酰亚胺的橡胶防焦剂ctp的制造方法

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JPH058704B2 (ja) 1993-02-02

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