JPS61214545A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS61214545A
JPS61214545A JP60056642A JP5664285A JPS61214545A JP S61214545 A JPS61214545 A JP S61214545A JP 60056642 A JP60056642 A JP 60056642A JP 5664285 A JP5664285 A JP 5664285A JP S61214545 A JPS61214545 A JP S61214545A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
leads
lead
resin
expansion
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60056642A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Seito
清塘 勉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP60056642A priority Critical patent/JPS61214545A/ja
Publication of JPS61214545A publication Critical patent/JPS61214545A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/421Shapes or dispositions

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置、特に配線用リードを有し、モール
ド樹脂で封止された半導体装置に関する。
(発明の技術的背景) 半導体装置では、・ペレット上の素子を外部と電気的に
接続するために配線用リードが多用されており、また、
外囲器としてはこれらをモールド樹脂で封止したモ−ル
ド樹脂体が多く用いられている。第4図に従来のこのよ
うなタイプの一般的な半導体装置の外観図を示す。モー
ルド樹脂体1の側面から配線用リード2が外側へ導出し
、外部リード2aを形成している。第5図はこの半導体
装置において配線用リード2が支持されている状態を示
すための上面からみた内部構造図である。配線用リード
2のうち、内部リード2bはモールド樹脂体1の内部に
埋置され、外部リード2aが外部へ導出されている。ま
た、配線用リード2がモールド樹脂体から抜けたり、が
たつきが生じないようにするため、孔部3a、切欠部3
b、延展部30等が設けられている。モールド樹脂封止
侵、樹脂の硬化収縮により内部リード2bはまわりから
圧縮され非常に強く固定されるとともに、孔部3a、切
欠部3b、延展部3Cによって抜け、がたつきが防止さ
れる。
〔背景技術の問題点〕
半導体装置を基板上に実装する場合、半導体装置全体を
半田槽に漬ける工程が用いられる。この工程では、半導
体装置全体の温度が半田の融点近くまで上昇するように
なり、モールド樹脂体が膨張するようになる。このよう
な体積膨張では、外側へ拡がろうとする力が働くため、
モールド樹脂が内部リードから離れる方向に動くことに
なる。
従ってモールド樹脂と内部リードとの密着性が損なわれ
、内部リードの抜け、がたつき等を生じるという弊害が
起こる。
〔発明の目的〕
そこで本発明はモールド樹脂体の膨張に起因する内部リ
ードの抜け、がたつきが生じない半導体装置を提供する
ことを目的とする。
〔発明の概要〕 本発明の特徴は半導体ペレットと、この半導体ペレット
上の素子を外部に電気的に接続するための配線用リード
と、半導体ペレットと配線用リードの内側部分を一体封
止するモールド樹脂体と、をそなえる半導体装置におい
て、モールド樹脂体の配線用リードが外側へ導出される
部分を突出させ、モールド樹脂体の配線用リードを支持
する部分の体積を減少させ、モールド樹脂体の膨張に起
因する内部リードの抜け、がたつきが生じないようにし
た点にある。
(発明の実施例) 以下本発明を図示する実施例に基づいて説明する。第1
図は本発明に係る半導体装置の一部分の外観図である。
モールド樹脂体1の側面から配線用リード2が外側へ導
出し、外部リード2aを形成している。モールド樹脂体
1はこの外部リード2aが外部へ導出されている部分に
突出部1aを有する。突出部1aの間には空間部1bが
形成される。一般に配線用リード2は扁平であるため、
樹脂の横方向(図のX方向)の膨張より縦方向(図のY
方向)の膨張の方が、配線用リード2の抜け、がたつき
に与える影響が大きい。これは同 −じ寸法だけ膨張し
たとしても、配線用リード2のY方向の寸法がX方向の
寸法より小さいため、影響を受ける割合が大きくなるた
めである。そこで第1図の実施例のように、配線用リー
ド2の導出部のX゛方向ついての両どなりに空間部1b
を設けるようにするのが効果的である。空間部1bには
樹脂膨張がないため、突出部1aの樹脂膨張、特にY方
向の樹脂膨張が抑制させる。
第2図はこの装置において、配線用リード2が支持され
ている状態を示すための上面からみた内部構造図である
。内部リード2bは抜け、がたつきを防止するために、
その内端に延展部3Cを有し、突出部1a内に切欠部3
bを有する。切欠部3bはこのように突出部1a内に設
けるのが好ましい。前述のように突出部1a内は樹脂膨
張の影響が少ないからである。Y方向のがたつきを防止
するためには第3図に示すように内部リード2bの上下
面に切欠部3dを設けるのも効果的である。
なお、第1図の実施例では、配線用リード2の導出部の
X方向についての両どなりに空間部1bを設けているが
、更にY方向についての上下に空間部を設けるようにし
てもよい。
〔発明の効果〕
以上のとおり本発明によれば半導体装置において、モー
ルド樹脂体の配線用リード導出部に突出部を設けるよう
、にしたため、モールド樹脂体の配線用リードを支持す
る部分の体積が減少し、モールド樹脂体の膨張に起因す
る内部リードの抜け、がたつきが減少する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る半導体装置の一部分の
外観図、第2図は第1図に示す装置の内部構造図、第3
図は本発明の別な実施例の内部構造図、第4図は従来の
半導体装置の外観図、第5図は第4図に示す装置の内部
構造図である。 1・・・モールド樹脂体、1a・・・突出部、1b・・
・空間部、2・・・配線用リード、2a・・・外部リー
ド、2b・・・内部リード、3a・・・孔部、3b・・
・切欠部、3C・・・延展部、3d・・・切欠部。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体ペレットと、この半導体ペレット上の素子を
    外部に電気的に接続するための配線用リードと、前記半
    導体ペレットと前記配線用リードの内側部分を一体封止
    するモールド樹脂体と、をそなえる半導体装置において
    、前記モールド樹脂体が前記配線用リードが外側へ導出
    される部分において突出部を有することを特徴とする半
    導体装置。 2、配線用リードの突出部内に埋設されている部分が切
    欠部を有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の半導体装置。
JP60056642A 1985-03-20 1985-03-20 半導体装置 Pending JPS61214545A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60056642A JPS61214545A (ja) 1985-03-20 1985-03-20 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60056642A JPS61214545A (ja) 1985-03-20 1985-03-20 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61214545A true JPS61214545A (ja) 1986-09-24

Family

ID=13032990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60056642A Pending JPS61214545A (ja) 1985-03-20 1985-03-20 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61214545A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02143437A (ja) * 1988-11-24 1990-06-01 Nec Corp 半導体装置
JPH0385650U (ja) * 1989-12-21 1991-08-29
JP2009206529A (ja) * 2004-12-16 2009-09-10 Seoul Semiconductor Co Ltd ヒートシンク支持リングを有するリードフレーム、それを使用した発光ダイオードパッケージ製造方法及びそれを用いて製造した発光ダイオードパッケージ
US10014609B2 (en) 2016-11-28 2018-07-03 Molex, Llc Connector
EP2284886B1 (en) * 2009-06-17 2019-05-15 LSI Corporation Lead frame design to improve reliability

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02143437A (ja) * 1988-11-24 1990-06-01 Nec Corp 半導体装置
JPH0385650U (ja) * 1989-12-21 1991-08-29
JP2009206529A (ja) * 2004-12-16 2009-09-10 Seoul Semiconductor Co Ltd ヒートシンク支持リングを有するリードフレーム、それを使用した発光ダイオードパッケージ製造方法及びそれを用いて製造した発光ダイオードパッケージ
EP2284886B1 (en) * 2009-06-17 2019-05-15 LSI Corporation Lead frame design to improve reliability
US10014609B2 (en) 2016-11-28 2018-07-03 Molex, Llc Connector

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960011643B1 (ko) 방열구조를 갖는 반도체장치 및 그의 제조방법
ITTO990501A1 (it) Dispositivo a circuito elettronico e procedimento per la sua fabbrica- zione
JPH0697321A (ja) 半導体装置
JPS634950B2 (ja)
JPS61214545A (ja) 半導体装置
JPH05259311A (ja) 半導体装置
CN219421340U (zh) 功率型控制器中控制板的安装结构
JP2502231Y2 (ja) コネクタ―体型回路装置及びコネクタ―体型回路付き筐体
JPH0151058B2 (ja)
JPS61276353A (ja) 混成集積回路
JP7494516B2 (ja) コンデンサおよびその製造方法
JP2502577Y2 (ja) 電力用半導体モジュ―ル
KR20120017902A (ko) 전력용 반도체 디바이스
JP2596750Y2 (ja) プリント基板
JP4688660B2 (ja) 回転検出装置
JPS62134945A (ja) モ−ルドトランジスタ
KR100380223B1 (ko) 반도체의 에어 캐비티 패키지 및 그 패키징 방법
JPH0793389B2 (ja) ハイブリツドic用パツケ−ジ
JPH077181U (ja) 電子部品の実装構造
JP2829858B2 (ja) チップ形コンデンサおよびその製造方法
JPH0623254U (ja) 基板の固定構造
JPH0451505Y2 (ja)
JPH0452997Y2 (ja)
KR100199280B1 (ko) 기밀성이 향상된 모듈 케이스 및 이를 채용한 전력반도체모듈
JP2763233B2 (ja) 半導体装置およびその実装方法