JPS61219962A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS61219962A JPS61219962A JP6116585A JP6116585A JPS61219962A JP S61219962 A JPS61219962 A JP S61219962A JP 6116585 A JP6116585 A JP 6116585A JP 6116585 A JP6116585 A JP 6116585A JP S61219962 A JPS61219962 A JP S61219962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- buffer layer
- surface layer
- photoreceptor
- electrophotographic photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はアモルファスシリコン系の感光層を有する電子
写真感光体に関する吃のである。
写真感光体に関する吃のである。
従来、電子写真感光体として例えばアモルファスＢｅ
、ま九はアモルファスＢｅ ＫＡＩＩ 、 Ｔｏ ＋
１３ｂなどの不純物をドープした光導電性材料を用いた
感光体、性、ｌｌ境汚染性９機械的強度の点で問題があ
る。
、ま九はアモルファスＢｅ ＫＡＩＩ 、 Ｔｏ ＋
１３ｂなどの不純物をドープした光導電性材料を用いた
感光体、性、ｌｌ境汚染性９機械的強度の点で問題があ
る。
近年、光導電性材料としてアモルファスシリコン（−−
Ｓｔ）を用いることによって、これら従来の電子写真感
光体の欠点を解決する技術が提案されている。蒸着ある
いはスパッタリングによって作製されたａ−８ｉは暗所
での比抵抗が１００・鋸と低く、また、光導電度が極め
て小さいので電子写真感光体用の光導電性材料としては
望ましくない。
Ｓｔ）を用いることによって、これら従来の電子写真感
光体の欠点を解決する技術が提案されている。蒸着ある
いはスパッタリングによって作製されたａ−８ｉは暗所
での比抵抗が１００・鋸と低く、また、光導電度が極め
て小さいので電子写真感光体用の光導電性材料としては
望ましくない。
このよりなａ−８ｉでは、５ｉ−１９１結合が切れた、
いわゆるダングリングボンドが生成し、この欠陥に起因
してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する
。このために熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗比
抵抗が小さくなり、また光励起担体が局在準位に捕獲さ
れるために光導電性が悪くなっている。
いわゆるダングリングボンドが生成し、この欠陥に起因
してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する
。このために熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗比
抵抗が小さくなり、また光励起担体が局在準位に捕獲さ
れるために光導電性が悪くなっている。
これに対してシラ／ガス（５ｔＨ４）のグロー放電分解
または光ＣＶＤによって作製した水素化アモルファスシ
リコン（ａ−８ｉ（Ｈ））では、上記欠陥を水素原子（
６）で捕獲し、ＳｌにＨ’ｉ結合させることによってダ
ングリングボンドの数を大幅に低減できるので光導電性
が極めて良好にな）、ｐ型およびｎ型の価電子制御も可
能となったが、暗比抵抗値は１０８〜１０Ω・国であっ
て電子写真感光体として充分な１０１２Ω・国以上の暗
比抵抗値に対してまだ低い。
または光ＣＶＤによって作製した水素化アモルファスシ
リコン（ａ−８ｉ（Ｈ））では、上記欠陥を水素原子（
６）で捕獲し、ＳｌにＨ’ｉ結合させることによってダ
ングリングボンドの数を大幅に低減できるので光導電性
が極めて良好にな）、ｐ型およびｎ型の価電子制御も可
能となったが、暗比抵抗値は１０８〜１０Ω・国であっ
て電子写真感光体として充分な１０１２Ω・国以上の暗
比抵抗値に対してまだ低い。
従ってこのよりなａ −Ｓｉ （Ｈ） からなる感光
体は表面電位の暗減衰速度が大きく初期帯電位が低い。
体は表面電位の暗減衰速度が大きく初期帯電位が低い。
そこで、このよりなａ −ｓｌ（ｇに電荷保持能全付与
するため、はう素を適量ドープすることによシ暗比抵抗
を１０１２０・備以上まで高めることができ、カールソ
ン方式による複写プロセスに適用することを可能にして
いる。
するため、はう素を適量ドープすることによシ暗比抵抗
を１０１２０・備以上まで高めることができ、カールソ
ン方式による複写プロセスに適用することを可能にして
いる。
このようなａ−ｓｌ（匂を表面とする感光体は初期的に
は良好な画像が得られるものの長期間大気中あるいは高
湿中に保存しておい友後、画像複写した場合しはしは画
像不良を発生することが判明している。また、多数回複
写プロセスを経験するとしだいに画像ぼけを生じてくる
こともわかっている。このような劣化した感光体は特に
高湿中において、画像はけを発生しやすく、複写回数が
増すと画像ぼけを生じ始める臨界湿度はしたいく下がる
傾向があることが確かめられている。
は良好な画像が得られるものの長期間大気中あるいは高
湿中に保存しておい友後、画像複写した場合しはしは画
像不良を発生することが判明している。また、多数回複
写プロセスを経験するとしだいに画像ぼけを生じてくる
こともわかっている。このような劣化した感光体は特に
高湿中において、画像はけを発生しやすく、複写回数が
増すと画像ぼけを生じ始める臨界湿度はしたいく下がる
傾向があることが確かめられている。
上述のごとく、ａ−ｓｌ（＜υを表面とする感光体は長
期にわたって大気や湿気にさらされることによシ、ある
いは複写プロセスにおけるコロナ放ｔ＆どで生成される
化学種（オゾン、窒素酸化物９発生期酸素など）により
、感光体最表面が影響全受けやすく何らかの化学的な変
質によって画像ネ良を発生するものと考えられているが
、その劣化メカニズムについてはこれまでにまだ十分な
検討はなされていない。このような画像不良の発生を防
止し耐刷性を向上するために、ａ −８ｉ（Ｈ）感光体
の表面に保護層を設けて化学的安定化を図る方法が試み
られている。
期にわたって大気や湿気にさらされることによシ、ある
いは複写プロセスにおけるコロナ放ｔ＆どで生成される
化学種（オゾン、窒素酸化物９発生期酸素など）により
、感光体最表面が影響全受けやすく何らかの化学的な変
質によって画像ネ良を発生するものと考えられているが
、その劣化メカニズムについてはこれまでにまだ十分な
検討はなされていない。このような画像不良の発生を防
止し耐刷性を向上するために、ａ −８ｉ（Ｈ）感光体
の表面に保護層を設けて化学的安定化を図る方法が試み
られている。
例えば、表面保護層として水素化アモルファス炭化シリ
コン（ａ−ＢｌｘＣｘ−！（Ｈ）−０＜ｘ＜１）、ある
いは水素化アモルファス窒化シリコン（ａ −ＳｉＮｘ
（Ｈ、ＯＨ）、０＜ｘ（１）を設けることによって感光
体表面層の複写プロセスあるいは環境雰囲気による劣化
を防ぐ方法が知られている（％開昭５７−１１５５５９
号公報）。しかし、表面保護層中の炭素濃度あるいは窒
素濃度を最適な値に選べは耐刷性をかなり改良すること
ができるが、高湿度雰囲気中（ＲＨ８０チ以上）での耐
湿性を維持することができず、数万枚の複写プロセスを
経験すると相対湿度６０チ台で画像ぼけを発生し、これ
らの表面保護層を付与しても、耐刷性、耐湿性を大幅に
向上することができない状況にある。
コン（ａ−ＢｌｘＣｘ−！（Ｈ）−０＜ｘ＜１）、ある
いは水素化アモルファス窒化シリコン（ａ −ＳｉＮｘ
（Ｈ、ＯＨ）、０＜ｘ（１）を設けることによって感光
体表面層の複写プロセスあるいは環境雰囲気による劣化
を防ぐ方法が知られている（％開昭５７−１１５５５９
号公報）。しかし、表面保護層中の炭素濃度あるいは窒
素濃度を最適な値に選べは耐刷性をかなり改良すること
ができるが、高湿度雰囲気中（ＲＨ８０チ以上）での耐
湿性を維持することができず、数万枚の複写プロセスを
経験すると相対湿度６０チ台で画像ぼけを発生し、これ
らの表面保護層を付与しても、耐刷性、耐湿性を大幅に
向上することができない状況にある。
本発明の目的は、前述の欠点を除去して、長期保存およ
び繰り返し使用に際しても劣化現象を起こさず、高湿雰
囲気中においても画像不良などの特性の低下がほとんど
観測されない、感光体としての特性が常時安定していて
ほとんど使用環境に制限を受けない耐久性、耐刷性、耐
湿性に優れたａ−８ｉ系感光体を提供することにある。
び繰り返し使用に際しても劣化現象を起こさず、高湿雰
囲気中においても画像不良などの特性の低下がほとんど
観測されない、感光体としての特性が常時安定していて
ほとんど使用環境に制限を受けない耐久性、耐刷性、耐
湿性に優れたａ−８ｉ系感光体を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、光感度が高く、分光感度
も可視域全般にわたっている感光体を提供することであ
る。
も可視域全般にわたっている感光体を提供することであ
る。
さらに１本発明の他の目的は、疲労特性に優れかつ比較
的残留電位の低い感光体を提供することＫある。
的残留電位の低い感光体を提供することＫある。
本発明の目的は、電子写真感光体の構成を導電性基体上
に、アモルファスシリコン系の光導電層と、アモルファ
スシリコン系のバッファ層と、水素を１０〜４０原子チ
含有する水素化アモルファス炭素（ＩＬ −（！！ （
Ｈ） ）からなる表面層との少なくとも３つの層を１−
次積層してなる感光体とすることによって達成される。
に、アモルファスシリコン系の光導電層と、アモルファ
スシリコン系のバッファ層と、水素を１０〜４０原子チ
含有する水素化アモルファス炭素（ＩＬ −（！！ （
Ｈ） ）からなる表面層との少なくとも３つの層を１−
次積層してなる感光体とすることによって達成される。
このような構成とすることにより、アモルファスシリコ
ン系光導電層によって良好な帯電性能、光感度を発揮し
、アモルファスシリコン系バッファ層によって光導電層
と表面層との電気的１機械的整合をはかり、水素化アモ
ルファス炭素からなる表面層によって耐刷性、耐湿性。
ン系光導電層によって良好な帯電性能、光感度を発揮し
、アモルファスシリコン系バッファ層によって光導電層
と表面層との電気的１機械的整合をはかり、水素化アモ
ルファス炭素からなる表面層によって耐刷性、耐湿性。
耐保存性、感光体特性の安定性が確保できる。
以下、本発明の感光体について図を参照しながら詳細に
説明する。
説明する。
本発明による感光体の一例は第１図の概念的断面図に示
した如く、導電性基体１１０上にブロッキング層１２１
．光導電層１２２．バッファ層１２３および表面層１３
０が積層された構造である。
した如く、導電性基体１１０上にブロッキング層１２１
．光導電層１２２．バッファ層１２３および表面層１３
０が積層された構造である。
ここで、導電性基体１１０は円筒状、シート状いずれで
も良く、材質的にはアルミニウム、ステンレスなどの金
属、あるいはガラス、樹脂上に導電処理をほどこしたも
のでも良い。
も良く、材質的にはアルミニウム、ステンレスなどの金
属、あるいはガラス、樹脂上に導電処理をほどこしたも
のでも良い。
ブロッキング層１２１の目的は、導電性基体１１０から
の電荷の注入を阻止することである。材料的には、 Ａ
ｌ２Ｏ３、ＡＩＮ 、 ＳｉＯ、５１０ｇ 、 ａ−８
ｉ１−ｚｏｘ（Ｆ、Ｈ）（０＜ｘ〈ｌ ） 、 ａ−８
ｉＮｘ（Ｈ）（０＜Ｘ＜４／３ ） 、ａ ０（Ｈ）
。
の電荷の注入を阻止することである。材料的には、 Ａ
ｌ２Ｏ３、ＡＩＮ 、 ＳｉＯ、５１０ｇ 、 ａ−８
ｉ１−ｚｏｘ（Ｆ、Ｈ）（０＜ｘ〈ｌ ） 、 ａ−８
ｉＮｘ（Ｈ）（０＜Ｘ＜４／３ ） 、ａ ０（Ｈ）
。
弗素化アモルファス炭素（ａ−ｃ（Ｆ））１周期律表■
族、Ｖ族の元素などをドープしたａ −０（Ｈ） 。
族、Ｖ族の元素などをドープしたａ −０（Ｈ） 。
ａ −０（Ｆ） 、 ｌｌ族、■族の元素などをドープ
したａ −８１（Ｈ） 、などを使用できる。膜厚は、
１μｍ以下と薄い方が良い。
したａ −８１（Ｈ） 、などを使用できる。膜厚は、
１μｍ以下と薄い方が良い。
光導電層１２２は対象とする光の吸収能に優れかつ光導
電率の大きい材料が好ましく、ａ −８ｉ（Ｈ） 。
電率の大きい材料が好ましく、ａ −８ｉ（Ｈ） 。
ａ−８１（Ｆ 、 Ｈ）＋ ａ −Ｓ土ｔ−ｘｃｘ（Ｈ
） （０＜Ｘ＜ＯｌＳ ）、ａ−ｓｎｔｘ＠ （ｏ＜ｘ
くｏ、２）、ａ−ｓｔｏｒ＠（ｏ＜ｘ＜ｏ、１）。
） （０＜Ｘ＜ＯｌＳ ）、ａ−ｓｎｔｘ＠ （ｏ＜ｘ
くｏ、２）、ａ−ｓｔｏｒ＠（ｏ＜ｘ＜ｏ、１）。
ａ −５ｔ１−ｘａｅｘ （ｍなどや、これらに周期律
表■族。
表■族。
Ｖ族の元素などをドープした材料が好ましい。膜厚は３
μｍ以上６０μｍ以下が実用上好ましい。バツフア層１
２３の目的はより基体側の層、例えば光導電層１２２と
表面層１３０との材料的異質性を緩和することである。
μｍ以上６０μｍ以下が実用上好ましい。バツフア層１
２３の目的はより基体側の層、例えば光導電層１２２と
表面層１３０との材料的異質性を緩和することである。
材料的には、ａ −ｓｌ、−ｘｃｘ （Ｈ） （ｏ＜ｘ
＜１ ） 、 ａ−８ｉ１−ｘｃｘ（Ｆ 、 Ｈ） （
ｏ＜ｘ＜１ ） 、 ａ ５ｉＮｚ（Ｈ）（０（Ｘ（
４／３） 、 ａ−８ｉＯｘ（Ｈ） （０＜ｘ＜２）
、 ａ ５ｉＯｚ（Ｆ、Ｈ）（０＜Ｘ＜２）などを使
用できる。バッファ層１２３の膜厚は、分光感度、残留
電位、隣接する層との電気的整合性などの兼ね合いで決
まるが、１μｍ以下が望ましい。
＜１ ） 、 ａ−８ｉ１−ｘｃｘ（Ｆ 、 Ｈ） （
ｏ＜ｘ＜１ ） 、 ａ ５ｉＮｚ（Ｈ）（０（Ｘ（
４／３） 、 ａ−８ｉＯｘ（Ｈ） （０＜ｘ＜２）
、 ａ ５ｉＯｚ（Ｆ、Ｈ）（０＜Ｘ＜２）などを使
用できる。バッファ層１２３の膜厚は、分光感度、残留
電位、隣接する層との電気的整合性などの兼ね合いで決
まるが、１μｍ以下が望ましい。
次に表面層は、水素と炭素を含むアモルファス層（ａ
−Ｃ（Ｈ） ）であって、基本的にＸ線あるいは電子線
による回折像が明確でない膜であり、例え一部に結晶部
を含んだとしてもその比率は低いものである。
−Ｃ（Ｈ） ）であって、基本的にＸ線あるいは電子線
による回折像が明確でない膜であり、例え一部に結晶部
を含んだとしてもその比率は低いものである。
ａ −Ｃ（■）表面層中の水素濃度は成膜条件に依存し
て１〜６０原子チと変化するが、この成膜条件、すなわ
ち原料ガス、放電パワー、ガス流量、ガス圧、基体温度
などを適切に選定して、水素濃度を１０〜４０原子チ、
好適には１５〜３６原子％に制御することが望ましい。
て１〜６０原子チと変化するが、この成膜条件、すなわ
ち原料ガス、放電パワー、ガス流量、ガス圧、基体温度
などを適切に選定して、水素濃度を１０〜４０原子チ、
好適には１５〜３６原子％に制御することが望ましい。
さらにまた、ａ −Ｃ（Ｈ）表面層の光学的エネルギー
ギャップＦｌｉｇは２．２ｅＶ以上３．２８Ｖ以下が好
ましく、その屈折率は１．５以上２．６以下が好ましく
、比抵抗は１０’〜１０１５Ωｍが好ましく、密度は１
．３ ｇ／ ｃｍ３以上が好適である。
ギャップＦｌｉｇは２．２ｅＶ以上３．２８Ｖ以下が好
ましく、その屈折率は１．５以上２．６以下が好ましく
、比抵抗は１０’〜１０１５Ωｍが好ましく、密度は１
．３ ｇ／ ｃｍ３以上が好適である。
本発明者等の知見によれば、ａ−Ｃ（Ｈ）表面層中に含
有される水素原子と炭素原子との結合形態は炭素原子同
志の結合状態を反映しておシ、形成されたａ−Ｃ＠層が
電子写真感光体の表面層として適用され得るか否かを左
右する大きな要因の一つであって重要であることが判明
している。炭素原子同志の結合状態としてはダイアモン
ド結合（四配位）、グラファイト結合（三配位）などが
ある。
有される水素原子と炭素原子との結合形態は炭素原子同
志の結合状態を反映しておシ、形成されたａ−Ｃ＠層が
電子写真感光体の表面層として適用され得るか否かを左
右する大きな要因の一つであって重要であることが判明
している。炭素原子同志の結合状態としてはダイアモン
ド結合（四配位）、グラファイト結合（三配位）などが
ある。
グラファイト結合や炭素と水素からなるポリマー状結合
（−ＣＨｘ）ｎを主体とするａ−Ｃ（Ｈ）＄は耐薬品性
に劣シ、また機械的強度にも劣ることが知られておシ、
他方、ダイアモンド結合を主体とするａ −Ｃ（Ｈ）膜
は耐薬品性及び機械的強度に著しくすぐれていることが
知られている。
（−ＣＨｘ）ｎを主体とするａ−Ｃ（Ｈ）＄は耐薬品性
に劣シ、また機械的強度にも劣ることが知られておシ、
他方、ダイアモンド結合を主体とするａ −Ｃ（Ｈ）膜
は耐薬品性及び機械的強度に著しくすぐれていることが
知られている。
本発明者等はこの点に鑑みａ −０（Ｈ）膜の赤外線吸
収スペクトルとその耐薬品性及び機械的強度について鋭
意検討を重ねた結果、ａ −Ｃ！ αυ膜の赤外線吸収
スペクトルの中、特定の吸収係数の比とａ−Ｏ（Ｈ）膜
の耐薬品性及び機械的強度との間に特有の関係の存在す
ることを見出した。
収スペクトルとその耐薬品性及び機械的強度について鋭
意検討を重ねた結果、ａ −Ｃ！ αυ膜の赤外線吸収
スペクトルの中、特定の吸収係数の比とａ−Ｏ（Ｈ）膜
の耐薬品性及び機械的強度との間に特有の関係の存在す
ることを見出した。
本発Ｆ！Ａにおいて、形成される− −０（Ｈ）表面層
が電子写真感光体の表面保護層として十分適用させ得る
ためには、ａ −０（Ｈ）表面層の赤外線吸収スペクト
ルの２９２０ ｔｒｉ’における吸収係数α１と２９６
０ ｃｍ−”における吸収係数α２の比αａ／ａｌが０
．８以上とされるのが望ましい。ａ −Ｃ（９）層の吸
収スペクトルの比が上記の数値範囲に限定される理由の
理論的裏付は今のところ明確にされておらず推論の域を
出ないが、次のように考える。
が電子写真感光体の表面保護層として十分適用させ得る
ためには、ａ −０（Ｈ）表面層の赤外線吸収スペクト
ルの２９２０ ｔｒｉ’における吸収係数α１と２９６
０ ｃｍ−”における吸収係数α２の比αａ／ａｌが０
．８以上とされるのが望ましい。ａ −Ｃ（９）層の吸
収スペクトルの比が上記の数値範囲に限定される理由の
理論的裏付は今のところ明確にされておらず推論の域を
出ないが、次のように考える。
すなわち同じ四配位の結合であっても、２９６０ｃｔｉ
”に吸収をもつＣＨ３型は機械的、化学的に安定である
が、２９２０ ｃｍ 近辺に吸収をもつＯＨ，型はポ
リマー的に成シ易い可能性がある。数多ぐの実験結果か
ら、上記数値範囲外の吸収係数比では耐薬品性。
”に吸収をもつＣＨ３型は機械的、化学的に安定である
が、２９２０ ｃｍ 近辺に吸収をもつＯＨ，型はポ
リマー的に成シ易い可能性がある。数多ぐの実験結果か
ら、上記数値範囲外の吸収係数比では耐薬品性。
機械的強度に劣ることが認められておシ、該吸収係数比
が上記範囲内にあることが必要条件であることが裏付け
られている。
が上記範囲内にあることが必要条件であることが裏付け
られている。
炭素未結合手の安定化の手段としては水素のみでなく、
弗素、酸素、窒素によっても可能である。
弗素、酸素、窒素によっても可能である。
次に本感光体の製造方法について第２図に概念的系統図
として例示するような製造装置によシ説明する。真空＠
２１０の中にアルミニウム円筒からなる４電性基体２２
０を基体保持部２２１に装着し、る。基体２２０の温度
全所定温度、例えば５０〜３５０℃になるように保持部
２２１内のヒータ２３０および対向電極２５２のヒータ
２３１によシ加熱する。保持部２２１と導電性基体２２
０は周方向の膜均一性を出すために回転する。
として例示するような製造装置によシ説明する。真空＠
２１０の中にアルミニウム円筒からなる４電性基体２２
０を基体保持部２２１に装着し、る。基体２２０の温度
全所定温度、例えば５０〜３５０℃になるように保持部
２２１内のヒータ２３０および対向電極２５２のヒータ
２３１によシ加熱する。保持部２２１と導電性基体２２
０は周方向の膜均一性を出すために回転する。
次に前述のような各層を成膜するに必要な各種の原料ガ
スの圧力容器２９１〜２９５の中から成膜に必要なガス
の圧力容器パルプ、例えば２８１を開け、流ｊｊｋ調節
計２７１を通し、ストップパルプ２６１を開けて、真空
槽２１０の中に供給する。他のガスについても同様であ
る。次に、槽内圧力（ｆ−所定の圧力、例えば０．００
１〜５ Ｔｏｒｒ Ｉｃ調整後、高周波（ＲＦ） ｉ
ｌＥ源２５０から高周波（ｘ３．５６ＭＩ（Ｚ ）電力
を絶縁材２５１を介して対向電極２５２に供給し、２５
２と基体２２０の間にグロー放電を発生させて成膜を行
う。
スの圧力容器２９１〜２９５の中から成膜に必要なガス
の圧力容器パルプ、例えば２８１を開け、流ｊｊｋ調節
計２７１を通し、ストップパルプ２６１を開けて、真空
槽２１０の中に供給する。他のガスについても同様であ
る。次に、槽内圧力（ｆ−所定の圧力、例えば０．００
１〜５ Ｔｏｒｒ Ｉｃ調整後、高周波（ＲＦ） ｉ
ｌＥ源２５０から高周波（ｘ３．５６ＭＩ（Ｚ ）電力
を絶縁材２５１を介して対向電極２５２に供給し、２５
２と基体２２０の間にグロー放電を発生させて成膜を行
う。
第２図には圧力容器およびそれに附属する装置は５セツ
ト示されているが、このセット数は使用するガスの種類
に応じて適宜増減されてよい。
ト示されているが、このセット数は使用するガスの種類
に応じて適宜増減されてよい。
ａ−Ｑ （Ｈ）表面層の作製条件としては、基体温度は
０〜２００℃好適には５０〜１５０℃が望ましく、単位
ガス量当たりのガスの分解に要するエネルギーは３００
Ｊ ／ ｃｃ 〜２００００ Ｊ ／ ｃｃが望ましい
。ガス圧はｏ、ｏｏユ〜０．５Ｔｏｒｒ ＋好適には０
．００１〜０．２Ｔｏｒｒ が望ましい。
０〜２００℃好適には５０〜１５０℃が望ましく、単位
ガス量当たりのガスの分解に要するエネルギーは３００
Ｊ ／ ｃｃ 〜２００００ Ｊ ／ ｃｃが望ましい
。ガス圧はｏ、ｏｏユ〜０．５Ｔｏｒｒ ＋好適には０
．００１〜０．２Ｔｏｒｒ が望ましい。
成膜時には、外部からバイアス電圧を加えることも膜質
の制御上有効である。またＲＦ放電の場合は自然にバイ
アスが発生してくる。これを通常は自己バイアスと呼ん
でいるが、このようなバイアス電圧は＋１００〜５００
Ｖ 、 −１００〜−４５００Ｖが適している。
の制御上有効である。またＲＦ放電の場合は自然にバイ
アスが発生してくる。これを通常は自己バイアスと呼ん
でいるが、このようなバイアス電圧は＋１００〜５００
Ｖ 、 −１００〜−４５００Ｖが適している。
以下具体的な実施例により本発明を説明する。
実施例１
トリクロルエチレンで脱脂洗浄したアルミニウμｍのブ
ロッキング層１２１ ｆｔ形成した。
ロッキング層１２１ ｆｔ形成した。
ｓｔＨ，（ｘｏｏ％） 流量２５０ｃｃ ／
分ＢｇＨ６（５０００ｐｐｍ、Ｈ６−ス）流ｉ ２０
ｃｃ／分ガス圧 ０．５ ＴｏｒｒＲＦ電
力 ５０ Ｗ 基体温度 ２００℃ 成膜時間 １０分 さらにこの上に、次の条件で光導’ｔＬｊｍ １２２２
厚さ２５μｍに形成した。
分ＢｇＨ６（５０００ｐｐｍ、Ｈ６−ス）流ｉ ２０
ｃｃ／分ガス圧 ０．５ ＴｏｒｒＲＦ電
力 ５０ Ｗ 基体温度 ２００℃ 成膜時間 １０分 さらにこの上に、次の条件で光導’ｔＬｊｍ １２２２
厚さ２５μｍに形成した。
ＳｉＨ，（１００チ） 流量２００ｃｃ ／分
ＢａＨｓ （２０ｐｐｍ 、Ｈａべ〜ス） 流ｉ＋ｔ
１ｏｃｃ／分ガス圧 １．２ Ｔｏｒｒ
基体温度 ２００ Ｃ ＲＦ電力 ３００Ｗ 成膜時間 ３時間 さらにこの上に、次の条件でバッファ層１２３ ｔｌ−
厚さ０．１μｍに形成した。
ＢａＨｓ （２０ｐｐｍ 、Ｈａべ〜ス） 流ｉ＋ｔ
１ｏｃｃ／分ガス圧 １．２ Ｔｏｒｒ
基体温度 ２００ Ｃ ＲＦ電力 ３００Ｗ 成膜時間 ３時間 さらにこの上に、次の条件でバッファ層１２３ ｔｌ−
厚さ０．１μｍに形成した。
ＳｉＨ４（１００チ） 流量１００ｃｃ ７分
ＣＨ４（１００％） ＃、Ｊｌ ８０ｃ
ｃ ７分ＢａＨ６（２０００ｐｐｍ 、 Ｈｇベース）
流量 １５ｃｃ ７分ガス圧 １．０Ｔｏ
ｒｒ ＲＦ電力 ２００Ｗ 基体温度 ２００℃ 成膜時間 ２分 さらにこの上に、次の条件で表面層１３０ヲ厚さ０．１
μｍＫ形成し丸。
ＣＨ４（１００％） ＃、Ｊｌ ８０ｃ
ｃ ７分ＢａＨ６（２０００ｐｐｍ 、 Ｈｇベース）
流量 １５ｃｃ ７分ガス圧 １．０Ｔｏ
ｒｒ ＲＦ電力 ２００Ｗ 基体温度 ２００℃ 成膜時間 ２分 さらにこの上に、次の条件で表面層１３０ヲ厚さ０．１
μｍＫ形成し丸。
ｃｓＨａ Ｄｏｏｔｓ） ａ量 ２０ｃｃ
７分ガス圧 ０．１ ＴｏｒｒＲＪ電力
２００ Ｗ 基体温度 １００℃ 成膜時間 ５分 基体温度は赤外線温度計と熱電対により測定した。
７分ガス圧 ０．１ ＴｏｒｒＲＪ電力
２００ Ｗ 基体温度 １００℃ 成膜時間 ５分 基体温度は赤外線温度計と熱電対により測定した。
以上のようにして形成した感光体を試料１とした。試料
１の光導電層１２２のエネルギーギャップは１．８ｓＶ
である。また、バッファ層１２３の組成はａ Ｓｉｏ
、ｙＣｏ、５（Ｈ）で、そのエネルギーギャップは２．
１ ｅＶである。さらに、表面層１３０のエネルギーギ
ャップは２．７θＶであり、膜の密度は１．７ｇ／ｃＪ
、屈折率は２．１． Ｋｎｏｏｐ硬度は２０００ｋｇ
ｆ ／−である。さらに。
１の光導電層１２２のエネルギーギャップは１．８ｓＶ
である。また、バッファ層１２３の組成はａ Ｓｉｏ
、ｙＣｏ、５（Ｈ）で、そのエネルギーギャップは２．
１ ｅＶである。さらに、表面層１３０のエネルギーギ
ャップは２．７θＶであり、膜の密度は１．７ｇ／ｃＪ
、屈折率は２．１． Ｋｎｏｏｐ硬度は２０００ｋｇ
ｆ ／−である。さらに。
熱放出から測定した水素濃度は３５原子チであった。
この試料１の感光体をカールソン方式の普通紙複写機に
装着し、５万枚のコピーを実施したが、解像度の良い極
めて鮮明な画像がえられた。また、５万枚コピー実施後
のコピーテストにおいて温度３５℃、相対湿度８５％の
雰囲気におけるコピーにおいても画像は鮮明であった。
装着し、５万枚のコピーを実施したが、解像度の良い極
めて鮮明な画像がえられた。また、５万枚コピー実施後
のコピーテストにおいて温度３５℃、相対湿度８５％の
雰囲気におけるコピーにおいても画像は鮮明であった。
試料１の感光体の耐刷性、耐湿性は非常に良好であった
。
。
比較のために実施例１に準じて、ただ表面層だけがない
感光体を作製し、その感光体について同様に５万枚コピ
ー実施後コピーテストを行ったが温度３５℃、相対湿度
６０チの雰囲気におけるコピーですでに画像分解能が低
下し画像ぼけが生じた。
感光体を作製し、その感光体について同様に５万枚コピ
ー実施後コピーテストを行ったが温度３５℃、相対湿度
６０チの雰囲気におけるコピーですでに画像分解能が低
下し画像ぼけが生じた。
−−Ｃ（Ｈ）表面層を形成することにより耐湿性が大幅
に向上することが判る。
に向上することが判る。
表面層１３０の形成のためには必ずしも０３Ｈ，を用い
る必要はなく、各種の炭化水素、例えばＣＨ４。
る必要はなく、各種の炭化水素、例えばＣＨ４。
ＣｍＨ６、０４ＨＩＧ ＋ ０２Ｈ４、Ｃｚｌｈ １Ｃ
６Ｈｓなどのガス、およびこれらのガスと水素や酸素と
の混合ガスの使用が可能である。
６Ｈｓなどのガス、およびこれらのガスと水素や酸素と
の混合ガスの使用が可能である。
実施例２
実施例１に準じ死力法で光導電層１２２までを形成し、
その上に次の条件でバツフア層１２３を厚さ０．２μｍ
Ｋ形成した。
その上に次の条件でバツフア層１２３を厚さ０．２μｍ
Ｋ形成した。
ｓｔＨ，（１００％） 流量１２０ｃｃ ７分
ＮＨ４（１００％） 流量３０ｃｃ ／分Ｂ
ＩＩＨ６（２０００ｐｐｍ 、 Ｈｇベース） 流量
１０ｃｃ ７分ガス圧 １．０ Ｔｏｒ
ｒＲＦｔ力 ２００ Ｗ 基体温度 ２００℃ 成膜時間 ５分 さらにこの上に、次の条件で表面層１３０ヲ厚さ０．１
０μｍに形成した。
ＮＨ４（１００％） 流量３０ｃｃ ／分Ｂ
ＩＩＨ６（２０００ｐｐｍ 、 Ｈｇベース） 流量
１０ｃｃ ７分ガス圧 １．０ Ｔｏｒ
ｒＲＦｔ力 ２００ Ｗ 基体温度 ２００℃ 成膜時間 ５分 さらにこの上に、次の条件で表面層１３０ヲ厚さ０．１
０μｍに形成した。
ＣｓＨｆ１ （１００％） 流量 ２０ｃｃ
７分ガス圧 ０．１ＴｏｒｒＲＦ電力
２００ Ｗ 基体温度 １００℃ 成膜時間 ５分 以上のように形成した感光体を試料ｌとする。
７分ガス圧 ０．１ＴｏｒｒＲＦ電力
２００ Ｗ 基体温度 １００℃ 成膜時間 ５分 以上のように形成した感光体を試料ｌとする。
試料１における光導電層１２２のエネルギーギャップＫ
ｇは１．８θＶである。またバッファ層１２３の組成は
ａ −５ｉＮＯ，４（Ｈ）であり、そのＫｇは２．２ａ
Ｖである。
ｇは１．８θＶである。またバッファ層１２３の組成は
ａ −５ｉＮＯ，４（Ｈ）であり、そのＫｇは２．２ａ
Ｖである。
さらに表面層のＫｇは２．’ｉ’ ｅＶであり、膜密度
は１．３〜１−７ｇ／ｃｒ！ 、屈折率は１．９〜２．
１であり、Ｋｎｏｏｐ硬度は２０００ｋｇｆ ／−であ
る。さらに熱放出から測定した水素濃度は団原子チであ
った。試料１をカールソン方式の普通紙複写機に装着し
、５万枚のコピーを実施した後でも、温度３５℃、相対
湿度８５％の雰囲気におけるコピーにおいて画像は鮮明
であった。
は１．３〜１−７ｇ／ｃｒ！ 、屈折率は１．９〜２．
１であり、Ｋｎｏｏｐ硬度は２０００ｋｇｆ ／−であ
る。さらに熱放出から測定した水素濃度は団原子チであ
った。試料１をカールソン方式の普通紙複写機に装着し
、５万枚のコピーを実施した後でも、温度３５℃、相対
湿度８５％の雰囲気におけるコピーにおいて画像は鮮明
であった。
バツフア層の材料がａ −８１ＮＸ （Ｈ） （０＜ｘ
＜１ ）の性が飛躍的に向上することが判る。
＜１ ）の性が飛躍的に向上することが判る。
表面層１３０の形成のためには必ずしもｃｓａｓを用い
る必要はなく、実施例１と同様に各種の炭化水素および
これらのガスと水素、酸素、窒素の混合ガスも使用する
ことができる。
る必要はなく、実施例１と同様に各種の炭化水素および
これらのガスと水素、酸素、窒素の混合ガスも使用する
ことができる。
実施例３
実施例１に準じた方法で、光導電層１２２までを形成し
、その上に、以下の条件でバッファ層１２３を厚さ０．
０５μｍに形成した。
、その上に、以下の条件でバッファ層１２３を厚さ０．
０５μｍに形成した。
５ｉＨ４（１ｏｏ ％） 流ｉ ７Ｂｃｃ
／分０２ （Ｈｅベース、 １０ ％） 流量 ５
０ｃｃ ／分ＢＡＨ＠ （Ｈａ ヘ−ス、 ２０００ｐ
ｐｍ） 流１ｉｔｌｏｃｃ ７分ガス圧
０．７ ＴｏｒｒＲＦ電力 ２００ Ｗ 基体温度 ２００ Ｃ 成膜時間 ３分 このバッファ層はａ −Ｂ１Ｏｘ （Ｈ）でありＸは約
０．１であった。
／分０２ （Ｈｅベース、 １０ ％） 流量 ５
０ｃｃ ／分ＢＡＨ＠ （Ｈａ ヘ−ス、 ２０００ｐ
ｐｍ） 流１ｉｔｌｏｃｃ ７分ガス圧
０．７ ＴｏｒｒＲＦ電力 ２００ Ｗ 基体温度 ２００ Ｃ 成膜時間 ３分 このバッファ層はａ −Ｂ１Ｏｘ （Ｈ）でありＸは約
０．１であった。
この上に、さらに以下の条件でａ −Ｃ！ （Ｈ）表面
層１３０を膜厚０．３μｍＫ形成した。
層１３０を膜厚０．３μｍＫ形成した。
Ｃ２Ｈ６（純度９９．６ ％ ） 流ｉ ３０ｃ
ｃ／分ガス圧 ０．００５ ＴＯｒｒＲＦ
’［力 ５００ Ｗ 基体温度 １３０ Ｃ 成膜時間 ２０分 この表面層のエネルギーギャップＫｇは３．ＯａＶと大
きかったが、本実施例のａ −Ｂ１０ｘ（ロ）のバッフ
ァ層は充分その機能を果しておシ、実施例１に準じて行
った画像複写テストにおいて、実施例１の試料１と同様
の鮮明な画像がえられた。
ｃ／分ガス圧 ０．００５ ＴＯｒｒＲＦ
’［力 ５００ Ｗ 基体温度 １３０ Ｃ 成膜時間 ２０分 この表面層のエネルギーギャップＫｇは３．ＯａＶと大
きかったが、本実施例のａ −Ｂ１０ｘ（ロ）のバッフ
ァ層は充分その機能を果しておシ、実施例１に準じて行
った画像複写テストにおいて、実施例１の試料１と同様
の鮮明な画像がえられた。
実施例４
実施例１に準じた方法で、光導電層１２２までを形成し
、その上に、以下の条件でバッファ層１２３を厚さ０．
１５μｍに形成した。
、その上に、以下の条件でバッファ層１２３を厚さ０．
１５μｍに形成した。
ｓｔａ、（ｌｏｏ ％） 流量５０ｃｃ ７分
０Ｈ４（ｌｏｏ ％） 流量 ５ｏｃｃ／
分０ｉ（Ｈｅベース、 １０％） 流量 １０ｃｃ
７分ＢａＨ６（）！ｇペース、 ２０００ｐｐｍ）流
量 ５ｃｃ／分ガス圧 ０．７ Ｔｏｒ
ｒＲＦ電力 １５０Ｗ 基体温度 ２００℃ ゛ 成膜時間 ４分 このバッファ層はａ −８１０ｚＯｙ （Ｈ）であｉ）
ｘ ＝ ０．３ 。
０Ｈ４（ｌｏｏ ％） 流量 ５ｏｃｃ／
分０ｉ（Ｈｅベース、 １０％） 流量 １０ｃｃ
７分ＢａＨ６（）！ｇペース、 ２０００ｐｐｍ）流
量 ５ｃｃ／分ガス圧 ０．７ Ｔｏｒ
ｒＲＦ電力 １５０Ｗ 基体温度 ２００℃ ゛ 成膜時間 ４分 このバッファ層はａ −８１０ｚＯｙ （Ｈ）であｉ）
ｘ ＝ ０．３ 。
ｙ ＝ ０．０５であった。この上に、さらに実施例３
と同様の条件でａ −Ｃ（Ｈ）表面層１３０を形成した
。
と同様の条件でａ −Ｃ（Ｈ）表面層１３０を形成した
。
この上うＫして作製した感光体について、実施例１に準
じた画像複写テストを行ったが、中はり鮮明な画像かえ
られた。
じた画像複写テストを行ったが、中はり鮮明な画像かえ
られた。
実施例５
ａ−Ｃ（Ｈ）表面層の炭素と水素の結合状態は感光体の
耐湿性、耐刷性に大きく影響する。この結合状態は赤外
線の吸収スペクトル、反射スペクトルにより判別できる
が、ここでは赤外線吸収スペクトルの例を牙３図に示す
。スペクトルにおいて、２９００ ｃｍ 近傍で主に
観測されるピークは２ｓａｏｃＩｎ１２９２０譚、 ２
９６０個 の３つであるが、２９２０備 と２９６０
ｃｍ のヒータが強度が強く、結合状態の判定に適し
ている。２９２０α における吸収係数ａ１と２９６０
ｏｓ における吸収係数α２との比αａ／α！と耐
湿性、耐刷性との関連を調べた。
耐湿性、耐刷性に大きく影響する。この結合状態は赤外
線の吸収スペクトル、反射スペクトルにより判別できる
が、ここでは赤外線吸収スペクトルの例を牙３図に示す
。スペクトルにおいて、２９００ ｃｍ 近傍で主に
観測されるピークは２ｓａｏｃＩｎ１２９２０譚、 ２
９６０個 の３つであるが、２９２０備 と２９６０
ｃｍ のヒータが強度が強く、結合状態の判定に適し
ている。２９２０α における吸収係数ａ１と２９６０
ｏｓ における吸収係数α２との比αａ／α！と耐
湿性、耐刷性との関連を調べた。
実施例１の製法に準じてバッファ層１２３までを形成し
、その上へのａ−Ｃ（Ｈ）表面層１３０の形成にあたっ
て、ガスの種類、ガス圧、基体温度を変えて６種類の感
光体を作製し、α２／α１の値と耐湿性、耐刷性との関
係を調べた。
、その上へのａ−Ｃ（Ｈ）表面層１３０の形成にあたっ
て、ガスの種類、ガス圧、基体温度を変えて６種類の感
光体を作製し、α２／α１の値と耐湿性、耐刷性との関
係を調べた。
これら感光体のα２／α１の値は第１表に示すとおシＯ
，ツ２から１．５と変化していたが実施例１に準じて行
った５万枚のコピーにおいてはすべての感光体について
良好な画像がえられ、耐刷性は良好であった。耐湿性は
同じ〈実施例１と同様に、５万枚のコピー実施後、温度
３５℃、相対湿度８５チの雰囲気でコピーテストを行っ
たがその結果−を第１表に示す。
，ツ２から１．５と変化していたが実施例１に準じて行
った５万枚のコピーにおいてはすべての感光体について
良好な画像がえられ、耐刷性は良好であった。耐湿性は
同じ〈実施例１と同様に、５万枚のコピー実施後、温度
３５℃、相対湿度８５チの雰囲気でコピーテストを行っ
たがその結果−を第１表に示す。
第１表
０印は良好な鮮明な画像がえられたことを示し、Δ印は
若干の画像不良が生じたことを示し、ｘ印は極端な画像
不良が発生し九ことを示す。
若干の画像不良が生じたことを示し、ｘ印は極端な画像
不良が発生し九ことを示す。
（ＩＱ ／ａ１の値が０．８以上であると良好な耐湿性
。
。
耐刷性の感光体がえられることが判る。
実施例６
感光体の感光層上に表面層を設ける構成の場合、密着性
が問題となる。また、感光体特性の面では露光しても表
面電位が消失しにくくて、残留電位が大きくなるという
欠陥が生じることがある。
が問題となる。また、感光体特性の面では露光しても表
面電位が消失しにくくて、残留電位が大きくなるという
欠陥が生じることがある。
そこで１．−０ （Ｈ）表面層の水素濃度を変えてバッ
ファ層との密着性を調べた。さらに残留電位との関係も
調査した。
ファ層との密着性を調べた。さらに残留電位との関係も
調査した。
実施例１の製法に準じてバッファ）−１２Ｓまでを形成
し、その上へのａ −０（６）表面層１３０の形成にあ
たって、ガスの種類、ガス流量、ガス圧、ＲＦ電力、基
体温度などを変えてａ −０（Ｈ）膜中の水素濃度の異
なる感光体を８株類作製した。
し、その上へのａ −０（６）表面層１３０の形成にあ
たって、ガスの種類、ガス流量、ガス圧、ＲＦ電力、基
体温度などを変えてａ −０（Ｈ）膜中の水素濃度の異
なる感光体を８株類作製した。
これらの試料について、ａ−Ｃ（Ｈ）表面層とバッファ
層の密着性と表面層中の水素濃度との関係および残留電
位を調べた結果を第２表に示す。ここで○印は密着性に
優れていたことを示し、Ｘ印は劣ることを示す。
層の密着性と表面層中の水素濃度との関係および残留電
位を調べた結果を第２表に示す。ここで○印は密着性に
優れていたことを示し、Ｘ印は劣ることを示す。
牙２表
水素濃度４０原子−前後での膜の密着性の変化は極めて
急峻である。水素濃度が高いことは、密着性を増す結合
手が減少することと考えられるので好ましくない。
急峻である。水素濃度が高いことは、密着性を増す結合
手が減少することと考えられるので好ましくない。
また、水素濃度が低いとダイヤモンド的な膜に近づくこ
とからエネルギーギャップＫｇが増加し残留電位が上昇
する。一方、水素濃度が高いときにはａ −Ｃ（Ｈ）膜
はポリマー状になシ導電性が悪化し残留電位が増大し好
ましくない。
とからエネルギーギャップＫｇが増加し残留電位が上昇
する。一方、水素濃度が高いときにはａ −Ｃ（Ｈ）膜
はポリマー状になシ導電性が悪化し残留電位が増大し好
ましくない。
膜の密着性、感光体特性の残留電位の値からみて１．−
Ｃ！ ＠表面層中の水素濃度は１０〜４０原子−が好
ましく、さらに好適には１５〜３６１１子チである。
Ｃ！ ＠表面層中の水素濃度は１０〜４０原子−が好
ましく、さらに好適には１５〜３６１１子チである。
実施例フ
実施例１に準じた方法でバッファ層１２３までを形成し
、その上にａ −０（匂表面層１３０を形成するにあえ
って、成膜時間を変えて膜厚の異なる表面層とした感光
体を６種類製作した。これらの試料について、感光体特
性、耐湿性を調べた結果を牙３表に示す。
、その上にａ −０（匂表面層１３０を形成するにあえ
って、成膜時間を変えて膜厚の異なる表面層とした感光
体を６種類製作した。これらの試料について、感光体特
性、耐湿性を調べた結果を牙３表に示す。
第３表
残留電位は大きい程Ｓ／Ｎ比が低下するので小さい方が
好ましい。感度は半減衰露光量で示してあり、光ｉ （
１ｕｘ−ａθＣ）が小さい程感度は高くなり好ましい。
好ましい。感度は半減衰露光量で示してあり、光ｉ （
１ｕｘ−ａθＣ）が小さい程感度は高くなり好ましい。
耐湿性は温度３５℃、相対湿度８５ｆｉのｆ囲気中での
画像複写によシ判定した結果であり、０印は良好な画像
がえられたことを示し、Ｘ印は画像不良が生じたことを
示す。
画像複写によシ判定した結果であり、０印は良好な画像
がえられたことを示し、Ｘ印は画像不良が生じたことを
示す。
以上の結果から１．− Ｃ！ （Ｈ）表面層の膜厚は０
．００５μｍ以上１μｍ以下が適している。
．００５μｍ以上１μｍ以下が適している。
実施例８
感光層の光面層として、ａ −５ｉｔ−ｘＯｘ （Ｈ）
（０＜ｘ＜ユンが知られている。そこでａ −Ｃ（Ｈ
）表面層に８１を添加した場合の感光体の耐湿性につい
て調べた。
（０＜ｘ＜ユンが知られている。そこでａ −Ｃ（Ｈ
）表面層に８１を添加した場合の感光体の耐湿性につい
て調べた。
実施例１の試料１’ｉＳｉ無添加の試料ｌとした。次に
バッファ層１２３までは実施例１の方法に準じて形成し
、Ｓｌを含むａ −０（Ｈ）表面層を例えば次の様な条
件で形成する。
バッファ層１２３までは実施例１の方法に準じて形成し
、Ｓｌを含むａ −０（Ｈ）表面層を例えば次の様な条
件で形成する。
０２Ｈ６（１００％） 流ｉｔ ２０ＣＱ／
分５ｉＨ４（１００％） 流Ｉｔ２ｃｃ／分
ガニ圧 ０．２ Ｔｏｒｒ１ｍ力
３００ Ｗ 基体温度 １００℃ 成膜時間 １０分 この条件で、Ｓｌの添加ｔを例えばＳｉＨ４の流量を変
えることによって制御し、ａ −Ｃ（Ｈ）表面層への８
１の添加量の異なる感光体試料２〜４を作製した。
分５ｉＨ４（１００％） 流Ｉｔ２ｃｃ／分
ガニ圧 ０．２ Ｔｏｒｒ１ｍ力
３００ Ｗ 基体温度 １００℃ 成膜時間 １０分 この条件で、Ｓｌの添加ｔを例えばＳｉＨ４の流量を変
えることによって制御し、ａ −Ｃ（Ｈ）表面層への８
１の添加量の異なる感光体試料２〜４を作製した。
これら４種の試料について組成比５１７ｃと耐湿性の関
係ケ調べた結果を第４表に示す。耐湿性の評価は実施例
７に準じ、温度３５℃、相対湿度８５％の雰囲気におけ
る画像複写で行った。Δ印は若干の第４表 感光体の耐湿性上最表面膚に８１を含有することは好ま
しくなく、純粋なＣが望ましいが若干の不純物の存在は
さしつかえない。考えられる不純物としてはＢ 、 Ａ
ｔ 、 Ｓｉ 、 Ｐ 、 Ａｓ ＋ Ｃ１＊ Ｆ ＋
Ｆｅ 、 Ｎｉ ！Ｔｉ 、 Ｍｎ 、 Ｍｇなどで
ある。
係ケ調べた結果を第４表に示す。耐湿性の評価は実施例
７に準じ、温度３５℃、相対湿度８５％の雰囲気におけ
る画像複写で行った。Δ印は若干の第４表 感光体の耐湿性上最表面膚に８１を含有することは好ま
しくなく、純粋なＣが望ましいが若干の不純物の存在は
さしつかえない。考えられる不純物としてはＢ 、 Ａ
ｔ 、 Ｓｉ 、 Ｐ 、 Ａｓ ＋ Ｃ１＊ Ｆ ＋
Ｆｅ 、 Ｎｉ ！Ｔｉ 、 Ｍｎ 、 Ｍｇなどで
ある。
実施例９
実施例１に準じた方法で、ただバッファ層１２３成膜時
のみ成膜時間を変え、ａ −５ｉ１−ｘｃｚ（Ｈ）バッ
ファ層の膜厚の異なる感光体を７種類作製した。
のみ成膜時間を変え、ａ −５ｉ１−ｘｃｚ（Ｈ）バッ
ファ層の膜厚の異なる感光体を７種類作製した。
これらの試料について感光体特性を調べ、また画像テス
トを行った。画像テストはカールノン方式の普通紙複写
機で行ない、Ｏ印は良好な鮮明な画像が見られたことを
示し、Δ印は若干の画像不良が生じたことを示し、ｘ印
は極端な画像不良が発生したことを示す。
トを行った。画像テストはカールノン方式の普通紙複写
機で行ない、Ｏ印は良好な鮮明な画像が見られたことを
示し、Δ印は若干の画像不良が生じたことを示し、ｘ印
は極端な画像不良が発生したことを示す。
調査結果を第５表に示す。
牙５表
バツフア層が厚すぎると、残留電位が犬きくなシ、感度
も悪くなるので好ましくない。またバッファ層が薄すぎ
ると表面層１３０と光導電層１２２との間の異質性緩和
の役割をはたす効果がなくなり、画像テストで不良が生
じる。適切な膜厚は０．０３〜１．０μｍである。
も悪くなるので好ましくない。またバッファ層が薄すぎ
ると表面層１３０と光導電層１２２との間の異質性緩和
の役割をはたす効果がなくなり、画像テストで不良が生
じる。適切な膜厚は０．０３〜１．０μｍである。
実施例１０
実施例９では、バッファ層１２３の膜厚方向の炭素濃度
ははｙ均一であったが、必ずしもその必要はない。むし
ろ、感光体特性を向上する上では膜厚方向の炭素濃度に
勾配を持たせることが有効である。例えば、バッファ層
１２３の膜厚を１．０μｍとして、牙４図のように光導
ｔｍ側からａ −Ｃ（Ｈ）表面Ｉ−側に向けて炭素濃度
を増加させることもできる。ただし、牙４図では炭素濃
厩の分イ（ｉだけを表示して必９、他、の元素は省略し
である。
ははｙ均一であったが、必ずしもその必要はない。むし
ろ、感光体特性を向上する上では膜厚方向の炭素濃度に
勾配を持たせることが有効である。例えば、バッファ層
１２３の膜厚を１．０μｍとして、牙４図のように光導
ｔｍ側からａ −Ｃ（Ｈ）表面Ｉ−側に向けて炭素濃度
を増加させることもできる。ただし、牙４図では炭素濃
厩の分イ（ｉだけを表示して必９、他、の元素は省略し
である。
このような感光体においては、その残留電位は５０ｖ、
感贋は０．８１ｕｘ−ｓθＣであシ、かつ画像テストに
おいても不良は見られない。実施例９のバッファ層の膜
厚を１．０とじ九場合と比較すれば、その有効性は明白
である。
感贋は０．８１ｕｘ−ｓθＣであシ、かつ画像テストに
おいても不良は見られない。実施例９のバッファ層の膜
厚を１．０とじ九場合と比較すれば、その有効性は明白
である。
実施例１１
第４図に示すようなバッファ層１２３の炭素濃度を選ぶ
ことが最善で逐い場合もある。
ことが最善で逐い場合もある。
第５図は０２Ｈ４と５ｉＪＩ４の混合系から形成したａ
−５ｉ１−ｘｃｘ （Ｈ）膜のエネルギーギャップＫ
ｇと組成の関係全示し丸ものであるニオ５図の横軸には
ａ −Ｅｌｉｌ−ｘＯｘ （Ｈ）の炭素量をＸの値で示
［７である。
−５ｉ１−ｘｃｘ （Ｈ）膜のエネルギーギャップＫ
ｇと組成の関係全示し丸ものであるニオ５図の横軸には
ａ −Ｅｌｉｌ−ｘＯｘ （Ｈ）の炭素量をＸの値で示
［７である。
このように炭素濃度を増すことが単純にＥｇの増加には
結びついていない場合に、第４図の如き炭素濃度分布は
必ずしも最善とはいえない。むしろその場合は、第５図
のＥｇが極大を示す組成よシも低い炭素濃度でａ −０
（９）表面層との電気的整合をとる方が好ましい。ａ
−Ｓｉｌ ｘＯｘ（９）の炭素量を示すＩの値とＫｇの
極大の関係は、製造条件、すなわちガスの檻類、ガス圧
、 ＲＦ電力、流量などに依存してくるが、Ｘ （０，
９、好適にはｘ （０，８であれば、ａ −０（６）表
面層との整合性が良い。
結びついていない場合に、第４図の如き炭素濃度分布は
必ずしも最善とはいえない。むしろその場合は、第５図
のＥｇが極大を示す組成よシも低い炭素濃度でａ −０
（９）表面層との電気的整合をとる方が好ましい。ａ
−Ｓｉｌ ｘＯｘ（９）の炭素量を示すＩの値とＫｇの
極大の関係は、製造条件、すなわちガスの檻類、ガス圧
、 ＲＦ電力、流量などに依存してくるが、Ｘ （０，
９、好適にはｘ （０，８であれば、ａ −０（６）表
面層との整合性が良い。
実施例１２
実施例２に準じた方法で、ただバッファ層ユ２３成膜時
のみ成膜時間を変え、＆ −Ｂｉ、Ｎｘ（２）バッファ
層の膜厚の異なる感光体を甲種類作製した。これらの試
料について、実施例９と同様に感光体特性を調べ、画像
テストを行った。その結果を第６表に示す。
のみ成膜時間を変え、＆ −Ｂｉ、Ｎｘ（２）バッファ
層の膜厚の異なる感光体を甲種類作製した。これらの試
料について、実施例９と同様に感光体特性を調べ、画像
テストを行った。その結果を第６表に示す。
第６表
実施例９のａ −Ｂｉｌ ｘｏｘ（Ｈ）バック７層の場
合と同じく、ａ −５１ｙｘ （Ｈ）バッファ層の場合
も、膜厚について好ましい範囲があり、適切な膜厚は０
．０５〜１．０μｍである。
合と同じく、ａ −５１ｙｘ （Ｈ）バッファ層の場合
も、膜厚について好ましい範囲があり、適切な膜厚は０
．０５〜１．０μｍである。
実施例１３
ａ −８１ｉ ｘｃｘ（Ｈ）バッファ層の場合と同じく
、ａ −８１Ｈ！（Ｈ）バック７層の場合に４膜厚方向
の窒素濃度は均一である必要はなく、むしろ感光体特性
の面では膜厚方向の窒素濃度に勾配をもたせる方が好ま
しい。
、ａ −８１Ｈ！（Ｈ）バック７層の場合に４膜厚方向
の窒素濃度は均一である必要はなく、むしろ感光体特性
の面では膜厚方向の窒素濃度に勾配をもたせる方が好ま
しい。
例えば、バッファ層１２３の膜厚ｔ−、０μｍとし、第
６図のように光導電層側からａ −ｃ （Ｈ）表面層に
向けて窒素濃度を単調に増加させた感光体では、その残
留電位は５０ｖ、感度０．７１ｕｘ・ｓｅｃであり、か
つ画像テストにおいても異常は見られない。実施例１２
でバッファ層膜厚を１．０μｍとした場合と比較すれば
その有効性は明白である。牙６図の縦軸は８１Ｎｇの窒
素濃度を１００チとし九ときのａ −５ｓｘｘ （功中
の窒素濃度比率であシ、また窒素濃度の分布だけを示し
て他の元素は省略しである。
６図のように光導電層側からａ −ｃ （Ｈ）表面層に
向けて窒素濃度を単調に増加させた感光体では、その残
留電位は５０ｖ、感度０．７１ｕｘ・ｓｅｃであり、か
つ画像テストにおいても異常は見られない。実施例１２
でバッファ層膜厚を１．０μｍとした場合と比較すれば
その有効性は明白である。牙６図の縦軸は８１Ｎｇの窒
素濃度を１００チとし九ときのａ −５ｓｘｘ （功中
の窒素濃度比率であシ、また窒素濃度の分布だけを示し
て他の元素は省略しである。
実施例１４
ａ −ＢＩＮｘ （ｌからなるバッファ層の場合には、
バッファ層最表面の窒素量をあｔυ多くすることは好ま
しくない。炭素と窒素の結合力が弱いために、表面層が
バツフア層よシ剥離しやすくなるからである。
バッファ層最表面の窒素量をあｔυ多くすることは好ま
しくない。炭素と窒素の結合力が弱いために、表面層が
バツフア層よシ剥離しやすくなるからである。
オフ表はバッファ層最表面の組成と表面層の密着性を調
べた結果である。表中、組成の欄の数値はａ −ＳｉＭ
ｘ （Ｈ）のＸの値である。
べた結果である。表中、組成の欄の数値はａ −ＳｉＭ
ｘ （Ｈ）のＸの値である。
また、表中、Ｏ印は良好な密着性を、Ｘ印は密着性の良
くないことを示す。
くないことを示す。
オフ表
バッファ層の組成はＩｓ ＣＡにょシ測定した。
窒素ｍ度はＸの値で１以下、すなわち５ｉＮｉの場合の
５０％以下が好ましい。
５０％以下が好ましい。
以上の実施例においては、水＊ｔ−含有するａ−８ｉ系
のバッファ層について述べたが、さらに酸素を含有して
も良い。すなわちａ −８１１−ｘｏｘ （Ｈ＋ Ｏ）
＋ａ−８ｉＮＸ（Ｈ，Ｏ） も本発明のバッファ層の
材料として有効である。
のバッファ層について述べたが、さらに酸素を含有して
も良い。すなわちａ −８１１−ｘｏｘ （Ｈ＋ Ｏ）
＋ａ−８ｉＮＸ（Ｈ，Ｏ） も本発明のバッファ層の
材料として有効である。
本発明によれば、ａ−８ｉ系先光導電の上にａ −８ｉ
系のバッファ層を設け、該バッファ層の上に水素を１０
〜４０原子チ、より好適には１５〜３６原子％含有する
ａ −０（ロ）からなる表面層を形成することによシ、
感光体特性の良好な、環境汚染を受けにくい、耐湿性、
耐刷性の格段に優れた電子写真感光体をえることができ
る。すなわち、ａ −８ｉ系先光導電とａ−ｃ（ａ）ｆ
ｉ面層との間に、適切な組成のａ−Ｅｌｉ系バックァ層
を設けることによシ、光導電層と表面層との間の異質性
が緩和され、両層間の機械的、電気的整合が良くなる。
系のバッファ層を設け、該バッファ層の上に水素を１０
〜４０原子チ、より好適には１５〜３６原子％含有する
ａ −０（ロ）からなる表面層を形成することによシ、
感光体特性の良好な、環境汚染を受けにくい、耐湿性、
耐刷性の格段に優れた電子写真感光体をえることができ
る。すなわち、ａ −８ｉ系先光導電とａ−ｃ（ａ）ｆ
ｉ面層との間に、適切な組成のａ−Ｅｌｉ系バックァ層
を設けることによシ、光導電層と表面層との間の異質性
が緩和され、両層間の機械的、電気的整合が良くなる。
その結果、ａ −８ｉ系光導電性材料め優れた特性−高
光感度、可視光全域にわ九る高い分光感度、低疲労、低
い残留電位など−を良好に保持しながら、表面に設けら
れた高純度（特に８１を含まない）で、炭素と合目的的
に結合した適当量の水素を含有したａ −Ｃ（Ｈ）膜の
保護膜としての機能−オシン、窒素酸化物。
光感度、可視光全域にわ九る高い分光感度、低疲労、低
い残留電位など−を良好に保持しながら、表面に設けら
れた高純度（特に８１を含まない）で、炭素と合目的的
に結合した適当量の水素を含有したａ −Ｃ（Ｈ）膜の
保護膜としての機能−オシン、窒素酸化物。
発生期の酸素など対する耐性、特に優れた耐湿性。
耐刷性−により長期保存および繰り返し使用に際しても
劣化現象を起こさず、高温雰囲気中でも１偉不良などの
特性の低下がほとんどみられない、感光体としての特性
が常時安定していてほとんど使用環境に制約を受けない
、耐久性、耐刷性、耐湿性に優れ良電子写真感光体をえ
ることができる。
劣化現象を起こさず、高温雰囲気中でも１偉不良などの
特性の低下がほとんどみられない、感光体としての特性
が常時安定していてほとんど使用環境に制約を受けない
、耐久性、耐刷性、耐湿性に優れ良電子写真感光体をえ
ることができる。
これにより、いわゆる感光体の寿命が大幅にのびること
になり、それを装着し九複写機のメンテナンスが容易に
なプ、見られる効果は入５い。
になり、それを装着し九複写機のメンテナンスが容易に
なプ、見られる効果は入５い。
第１図は本発明の感光体の概念的断面図、第２図は本発
明の感光体を製造可能な装置の一例の概念的系統図、第
３図ｉよ本発明の表面層〒形成するａ −Ｃ（Ｈ）膜の
一例の赤外線吸収スペクトル図、牙４図は１μｍの膜厚
のａ −８１１−ｘｃｘ＜）υバッファ層内の膜厚方向
の炭ｆＩｃ濃度勾配の一例を示す線図、第５図はａ −
８１１−ｘｃｊｘＨ膜のエネルギーギャップと組成の関
係の一例を示す線図、第６図は１μｍの膜厚のａ −８
１Ｎｘ （Ｈ）バッファ層内の膜厚方向の窒素濃度勾配
の一例を示す線図である。 １へ０・・・専１１ｉｃ性基坏、１２１・・・ブＩＪツ
キング層、１２２・・・光導電層、１２３・・・バッノ
ァ層、１３０・・・表面層。 鴇２図 波数（ｃｍ−リ ０ ０．５
１に（素 １ （Ｌ４１Ａ） 第５図 第６ 図
明の感光体を製造可能な装置の一例の概念的系統図、第
３図ｉよ本発明の表面層〒形成するａ −Ｃ（Ｈ）膜の
一例の赤外線吸収スペクトル図、牙４図は１μｍの膜厚
のａ −８１１−ｘｃｘ＜）υバッファ層内の膜厚方向
の炭ｆＩｃ濃度勾配の一例を示す線図、第５図はａ −
８１１−ｘｃｊｘＨ膜のエネルギーギャップと組成の関
係の一例を示す線図、第６図は１μｍの膜厚のａ −８
１Ｎｘ （Ｈ）バッファ層内の膜厚方向の窒素濃度勾配
の一例を示す線図である。 １へ０・・・専１１ｉｃ性基坏、１２１・・・ブＩＪツ
キング層、１２２・・・光導電層、１２３・・・バッノ
ァ層、１３０・・・表面層。 鴇２図 波数（ｃｍ−リ ０ ０．５
１に（素 １ （Ｌ４１Ａ） 第５図 第６ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）導電性基体上に、アモルフアスシリコン系の光導電
層と、アモルフアスシリコン系のバツフア層と、水素を
１０〜４０原子％含有する水素化アモルフアス炭素（ａ
−Ｃ（Ｈ））からなる表面層との少なくとも３つの層を
順次積層してなることを特徴とする電子写真感光体。 ２）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、表面
層が水素を１５〜３６原子％含有する水素化アモルフア
ス炭素（ａ−Ｃ（Ｈ）からなることを特徴とする電子写
真感光体。 ３）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、バツ
フア層が水素化アモルフアス炭化シリコン（ａ−Ｓｉ＿
１＿−＿ｘＣｘ（Ｈ）、０＜ｘ＜１）または水素化酸素
化アモルフアス炭化シリコン（ａ−Ｓｉ＿１＿−＿ｘＣ
ｘ（Ｈ、Ｏ）、０＜ｘ＜１）からなることを特徴とする
電子写真感光体。 ４）特許請求の範囲第３項記載の感光体において、バツ
フア層の炭素濃度が光導電層側から表面層側に向つて高
くなることを特徴とする電子写真感光体。 ５）特許請求の範囲第３項記載の感光体において、バツ
フア層の膜厚が０．０３μｍ以上１μｍ以下であること
を特徴とする電子写真感光体。 ６）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、バツ
フア層が水素化アモルフアス窒化シリコン（ａ−ＳｉＮ
ｘ（Ｈ）、０＜ｘ＜１）または水素化酸素化アモルフア
ス窒化シリコン（ａ−ＳｉＮｘ（Ｈ、Ｏ）、０＜ｘ＜１
）からなることを特徴とする電子写真感光体。 ７）特許請求の範囲第６項記載の感光体において、バツ
フア層の窒素濃度が光導電層側から表面層側に向つて高
くなることを特徴とする電子写真感光体。 ８）特許請求の範囲第６項記載の感光体において、バツ
フア層の膜厚が０．０５μｍ以上１．０μｍ以下である
ことを特徴とする電子写真感光体。 ９）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、バツ
フア層が水素化アモルフアス酸化シリコン（ａ−ＳｉＯ
ｘ（Ｈ）、０＜ｘ＜１）からなることを特徴とする電子
写真感光体。 １０）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、バ
ツフア層が水素化アモルフアス酸化炭化シリコン（ａ−
ＳｉＣｘＯｙ（Ｈ）、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からな
ることを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6116585A JPS61219962A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 電子写真感光体 |
| US06/844,003 US4675265A (en) | 1985-03-26 | 1986-03-25 | Electrophotographic light-sensitive element with amorphous C overlayer |
| DE19863610076 DE3610076A1 (de) | 1985-03-26 | 1986-03-25 | Elektrofotografisches lichtempfindliches element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6116585A JPS61219962A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61219962A true JPS61219962A (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13163257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6116585A Pending JPS61219962A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61219962A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63236050A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-09-30 | Hitachi Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH01107268A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-25 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH01200268A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0212158A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-17 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH02181160A (ja) * | 1989-01-04 | 1990-07-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH0488350A (ja) * | 1990-08-01 | 1992-03-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JP2009288804A (ja) * | 2009-09-07 | 2009-12-10 | Kyocera Mita Corp | 画像形成方法 |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP6116585A patent/JPS61219962A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63236050A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-09-30 | Hitachi Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH01107268A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-25 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH01200268A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0212158A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-17 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH02181160A (ja) * | 1989-01-04 | 1990-07-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH0488350A (ja) * | 1990-08-01 | 1992-03-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JP2009288804A (ja) * | 2009-09-07 | 2009-12-10 | Kyocera Mita Corp | 画像形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4675265A (en) | Electrophotographic light-sensitive element with amorphous C overlayer | |
| US4770966A (en) | Electrophotographic photosensitive material comprising amorphous carbon protective layer containing hydrogen and fluorine | |
| JPS61219961A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61219962A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3124841B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH02110470A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US4837137A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
| JPS62294255A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62272275A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61223749A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61250655A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61278859A (ja) | 電子写真感光体の作製方法 | |
| JPS6325662A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62212662A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62141564A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS63186252A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62113155A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0511305B2 (ja) | ||
| JPH01130165A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH02275466A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2811312B2 (ja) | 電子写真感光体及びその製造方法並びにこの感光体を搭載した電子写真記録装置 | |
| JPS61223748A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH01214871A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62113154A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62149873A (ja) | 電子写真感光体の作製方法 |