JPS62113154A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS62113154A JPS62113154A JP25403985A JP25403985A JPS62113154A JP S62113154 A JPS62113154 A JP S62113154A JP 25403985 A JP25403985 A JP 25403985A JP 25403985 A JP25403985 A JP 25403985A JP S62113154 A JPS62113154 A JP S62113154A
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- JP
- Japan
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- photoreceptor
- layer
- surface layer
- boron
- film
- Prior art date
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、光導電層としてアモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ）を用いた電子写真・感光体に関する。
−Ｓｉ）を用いた電子写真・感光体に関する。
従来、電子写真感光体として例えばアモルファスＳｅ
、またはアモル７アｘ Ｓｅ １ｃＡａ 、 Ｔｅ 、
Ｓｂなどの不純物をドープした光導電性材料を用いた
感光体、あるいはＺｎＯやＣｄＳなどの光導電性材料を
樹脂バインダーに分散させて用いた感光体などが使用さ
れているうしかしながら、これらの感光体は耐熱性、環
境汚染性、礪緘的強度の点で問題がある。
、またはアモル７アｘ Ｓｅ １ｃＡａ 、 Ｔｅ 、
Ｓｂなどの不純物をドープした光導電性材料を用いた
感光体、あるいはＺｎＯやＣｄＳなどの光導電性材料を
樹脂バインダーに分散させて用いた感光体などが使用さ
れているうしかしながら、これらの感光体は耐熱性、環
境汚染性、礪緘的強度の点で問題がある。
近年、光導電層としてアモルファスシリコンを用いるこ
とによって、これら従来の電子写真感光体の欠点を解決
する技術が提案されている。蒸着あるいはスパッタリン
グによって作調されだａ −８ｉは暗所での比抵抗がｌ
θΩ備と低く、また、光導電層が極めて小さいので電子
写真感光体用の光導を注材料としては１ましくない、こ
のようなａ−８ｉでは、５ｆ−８ｉ＠合が切れた、いわ
ゆるダングリングボンドが生成し、この欠陥に起因して
エネルギーギャップ内Ｖｃ８＜の局在準位が存在する。
とによって、これら従来の電子写真感光体の欠点を解決
する技術が提案されている。蒸着あるいはスパッタリン
グによって作調されだａ −８ｉは暗所での比抵抗がｌ
θΩ備と低く、また、光導電層が極めて小さいので電子
写真感光体用の光導を注材料としては１ましくない、こ
のようなａ−８ｉでは、５ｆ−８ｉ＠合が切れた、いわ
ゆるダングリングボンドが生成し、この欠陥に起因して
エネルギーギャップ内Ｖｃ８＜の局在準位が存在する。
このために熱励暖担本のホッピング伝導が生じて音比低
抗が小さくなり、またｙｔ、励趨田本が局在準位に捕鴫
されるために光導４１生が悪くなっている。
抗が小さくなり、またｙｔ、励趨田本が局在準位に捕鴫
されるために光導４１生が悪くなっている。
これに対してシランガス（Ｓｉｆｔ）のグロー放電分解
または光ＣＶＤによって作製した水素化アモルファスシ
リコン（ａ −Ｓｔ （Ｈ） ）では上記欠陥を水素原
子（Ｈ）で捕獲し、５ｉｉＣＨを結合させることによっ
てダングリングボンドの数を大幅に低減できるので光導
電性が極めて良好になり、ｐ型およびｎ型の価電子制御
も可能となったが、暗比抵抗値は高々１０〜１０Ω口で
あって電子写真感光体として充分な１００個以上の比抵
抗値に対してまだ低い。
または光ＣＶＤによって作製した水素化アモルファスシ
リコン（ａ −Ｓｔ （Ｈ） ）では上記欠陥を水素原
子（Ｈ）で捕獲し、５ｉｉＣＨを結合させることによっ
てダングリングボンドの数を大幅に低減できるので光導
電性が極めて良好になり、ｐ型およびｎ型の価電子制御
も可能となったが、暗比抵抗値は高々１０〜１０Ω口で
あって電子写真感光体として充分な１００個以上の比抵
抗値に対してまだ低い。
従ってこのよりなａ−８ｉ（）ｆ）からなる感光体は表
面電位の暗減衰速度が大きく初期帯電位が低い。
面電位の暗減衰速度が大きく初期帯電位が低い。
しかし、このようなａ −Ｓｉ （Ｈ） Ｋはう素を適
せドープすれば、暗比抵抗を１００譚以上まで高めて電
荷保持機能を付与することができ、カールソン方式によ
る複写プロセスに適用することを可能にしている。
せドープすれば、暗比抵抗を１００譚以上まで高めて電
荷保持機能を付与することができ、カールソン方式によ
る複写プロセスに適用することを可能にしている。
このよりなａ −Ｓｔ （Ｈ）を表面とする感光体は初
期的には良好な画像が得られるものの、長期間大気中あ
るいは高湿中に保存しておいた後酌濠評価した場合、し
ばしば画像不良を発生することが判明している。また、
多数回複写プロセスを４験するとしだいに：ｉ象ノチけ
を生じてくることもわかっている。このような劣化した
、感光体は特に高湿中において、両種・・ヂは全発生し
やすく、複写回数が増すと噺家ぼけを生じ始める臨が湿
度はしだいにドがる１頃向があることが確かめられてい
る。
期的には良好な画像が得られるものの、長期間大気中あ
るいは高湿中に保存しておいた後酌濠評価した場合、し
ばしば画像不良を発生することが判明している。また、
多数回複写プロセスを４験するとしだいに：ｉ象ノチけ
を生じてくることもわかっている。このような劣化した
、感光体は特に高湿中において、両種・・ヂは全発生し
やすく、複写回数が増すと噺家ぼけを生じ始める臨が湿
度はしだいにドがる１頃向があることが確かめられてい
る。
上述のとと（、ａ−８ｔ（Ｈ）感光体は長期にわたって
大気や湿気にさらされることにより、あるい、は複写プ
ロセスにおけるコロナ放−！などで生成される化学種（
オゾン、窒素酸化物２発生機浚発など）により、感光体
表面層 らかの化学的な変質によって画像不良を発生するものと
考えられているが、その劣化メカニズムについてはこれ
゛までにまだ十分な検討はなされていない。このような
画象不良の発生を防止し耐刷性を向上するために、ａ−
Ｓｉ（Ｈ）感光体の表「＠【保護―全没けて化学的安定
化を（・４る方法が試みられている。例えば、表面ｉ呆
護層として水雲化アモルファス炭化シリ：＋７ （ａ
−Ｓｔｙ Ｃｔ−ｘ（Ｈ） 、 Ｏ（Ｘくｌ）、あるい
は水素化アモルファス窒素化／リ−ｙ ７ （ａ −Ｓ
ｉｘ Ｎ１−ｚ（Ｈ） ＋ ０ ＜ Ｘ ＜ ’ ）を
設けることによって感光体表面層の複写プロセスあるい
は環境雰囲気による劣化を防ぐ方法が仰られている（４
！開昭５７−１１５５５９号公報）。しかし、表面保ｆ
１層中の炭素濃度あるいは窒素濃度を最適な値に選べば
耐刷性をかなり改良することができるが、高湿雰囲気中
（ＲＨ８０％以上）での耐刷性を推持することができず
、数万枚の複写プロセスを経験すると相対湿度６０Ｘ台
でＵＪｉＪ像ぼけを発生し、これらの表面保護層を付与
しても、耐刷性、耐湿性を大幅に向上することができな
い状況にある。
大気や湿気にさらされることにより、あるい、は複写プ
ロセスにおけるコロナ放−！などで生成される化学種（
オゾン、窒素酸化物２発生機浚発など）により、感光体
表面層 らかの化学的な変質によって画像不良を発生するものと
考えられているが、その劣化メカニズムについてはこれ
゛までにまだ十分な検討はなされていない。このような
画象不良の発生を防止し耐刷性を向上するために、ａ−
Ｓｉ（Ｈ）感光体の表「＠【保護―全没けて化学的安定
化を（・４る方法が試みられている。例えば、表面ｉ呆
護層として水雲化アモルファス炭化シリ：＋７ （ａ
−Ｓｔｙ Ｃｔ−ｘ（Ｈ） 、 Ｏ（Ｘくｌ）、あるい
は水素化アモルファス窒素化／リ−ｙ ７ （ａ −Ｓ
ｉｘ Ｎ１−ｚ（Ｈ） ＋ ０ ＜ Ｘ ＜ ’ ）を
設けることによって感光体表面層の複写プロセスあるい
は環境雰囲気による劣化を防ぐ方法が仰られている（４
！開昭５７−１１５５５９号公報）。しかし、表面保ｆ
１層中の炭素濃度あるいは窒素濃度を最適な値に選べば
耐刷性をかなり改良することができるが、高湿雰囲気中
（ＲＨ８０％以上）での耐刷性を推持することができず
、数万枚の複写プロセスを経験すると相対湿度６０Ｘ台
でＵＪｉＪ像ぼけを発生し、これらの表面保護層を付与
しても、耐刷性、耐湿性を大幅に向上することができな
い状況にある。
本発明の目的は、長期保存及び繰り返し使用に際しても
劣化現安を起こさず、高湿雰囲気中においても画像不良
などの特性の低下がほとんど観測されない、感光体とし
ての特性が常時安定していてほとんど使用環境に制約を
受けない耐久性、耐刷性、耐湿性に優れかつ残留電位の
低いａ −８ｉ系感光体を提供することにあるう 〔発明の要点〕 本発明によれば、導く性基体上にアモルファスシリコン
系材料からなる感光９を有し、さらに表面ノ脅によって
被覆されるものにおいて、表置・優がほう素を含む水素
化アモルファス炭素からなることによって上記の目的が
達成されろ。
劣化現安を起こさず、高湿雰囲気中においても画像不良
などの特性の低下がほとんど観測されない、感光体とし
ての特性が常時安定していてほとんど使用環境に制約を
受けない耐久性、耐刷性、耐湿性に優れかつ残留電位の
低いａ −８ｉ系感光体を提供することにあるう 〔発明の要点〕 本発明によれば、導く性基体上にアモルファスシリコン
系材料からなる感光９を有し、さらに表面ノ脅によって
被覆されるものにおいて、表置・優がほう素を含む水素
化アモルファス炭素からなることによって上記の目的が
達成されろ。
ここでａ ８１系の感光′→とけ、Ｉｔ料的には水素
化アモルファスシリコン（ａ −５ｉ（ｆ（））、水素
化弗素化アモルファスシリコン（ａ −５ｉ（Ｆ、Ｈ）
） 、 ｔ＝１化アモルファス考化シリコン（ａ −５
ｉｘ−ｘ Ｃｘ（Ｈ））（０＜Ｘ＜１）、水素化弗鳶化
アモルファス’−ｊｔ化シリ−ｙン（ａ−８ｉｘ −ｘ
ＣＩ（Ｆ、Ｈ））（０＜Ｘ＜ １ ） 。
化アモルファスシリコン（ａ −５ｉ（ｆ（））、水素
化弗素化アモルファスシリコン（ａ −５ｉ（Ｆ、Ｈ）
） 、 ｔ＝１化アモルファス考化シリコン（ａ −５
ｉｘ−ｘ Ｃｘ（Ｈ））（０＜Ｘ＜１）、水素化弗鳶化
アモルファス’−ｊｔ化シリ−ｙン（ａ−８ｉｘ −ｘ
ＣＩ（Ｆ、Ｈ））（０＜Ｘ＜ １ ） 。
水素化アモルファス窒化シリコン（ａ −Ｓｉ Ｎｘ（
Ｈ））（０＜Ｘ＜４／３）、水素化部老化アモルファス
酸化シリ：７７ （ａ−８ｔｏ！（Ｆ、Ｈ））（０（Ｘ
（２） 、のうちの少なくとも一つを用いた層あるいは
これら・に不純物をドープした１場である。
Ｈ））（０＜Ｘ＜４／３）、水素化部老化アモルファス
酸化シリ：７７ （ａ−８ｔｏ！（Ｆ、Ｈ））（０（Ｘ
（２） 、のうちの少なくとも一つを用いた層あるいは
これら・に不純物をドープした１場である。
、・よう素を含む水素化アモルファス炭べ（ａ−Ｃ（Ｈ
） ） ＋は、病体的にＸ線あるいは電子樽による回折
像が明確でない膜であり、たとλ−一部に拮晶部を含ん
だとしてもその比率は低いことを冴来しているっさらに
膜中の水泗濃変が感光層あるいはバッファ層との密着性
の点から４０原子％以下であることが望ましい。水素は
炭層と結合してその赤外線吸収スペクトルにおいて少な
くとも２９００ ｃｍ 近辺の吸収が存在する。表面層
の赤外線吸収スペクトルの２９２０ ｃｍにおける吸収
係数αｌと２９６０ ｃｍにおける吸収係数α２の比α
２／α１が０．８以上であることが耐柚１性の点で望ま
しい。
） ） ＋は、病体的にＸ線あるいは電子樽による回折
像が明確でない膜であり、たとλ−一部に拮晶部を含ん
だとしてもその比率は低いことを冴来しているっさらに
膜中の水泗濃変が感光層あるいはバッファ層との密着性
の点から４０原子％以下であることが望ましい。水素は
炭層と結合してその赤外線吸収スペクトルにおいて少な
くとも２９００ ｃｍ 近辺の吸収が存在する。表面層
の赤外線吸収スペクトルの２９２０ ｃｍにおける吸収
係数αｌと２９６０ ｃｍにおける吸収係数α２の比α
２／α１が０．８以上であることが耐柚１性の点で望ま
しい。
はう素は、電気的にアモルファス炭素表面層の整合性を
良くして残留１位を低減する効果があり、その濃度は、
０．０１原子に以上１原子％以下であることが望ましい
。
良くして残留１位を低減する効果があり、その濃度は、
０．０１原子に以上１原子％以下であることが望ましい
。
表面層の膜厚は０．００５μｍ以上１μｍ以下が１まし
く、エネルギーギャップは２．２ｅＶＬ！Ｊ、上３．２
ｅＶ以Ｆ１３ ゛ 屈折率は１．５以上２．６以’Ｆ、 ｆ！Ｉｆば１．２
ｇ／ｃ！ｎ以上が好ましい。
く、エネルギーギャップは２．２ｅＶＬ！Ｊ、上３．２
ｅＶ以Ｆ１３ ゛ 屈折率は１．５以上２．６以’Ｆ、 ｆ！Ｉｆば１．２
ｇ／ｃ！ｎ以上が好ましい。
第１図は本発明による感光体の一実施例の構造を示し、
Ａｌまたはステンレス屑などからなる導電性基体ｌの上
にａ−８ｔ系感光層２）ａ−Ｃ（団表面１−３が積層さ
れている。ここで導電性基体は円筒状、シート状のいず
れでも良く、材質的にはガラスあるい７ｉｆ１１脂上に
導電処理をほどこしたものでも良い。必要に応じて４２
図に示すように感光ｌｄ ２と基本１との間にブロッキ
ング＋４４ 、あるいは表面１−との間にバッファｊ彊
５のような機ｑ目分離１−を設けることも有効である。
Ａｌまたはステンレス屑などからなる導電性基体ｌの上
にａ−８ｔ系感光層２）ａ−Ｃ（団表面１−３が積層さ
れている。ここで導電性基体は円筒状、シート状のいず
れでも良く、材質的にはガラスあるい７ｉｆ１１脂上に
導電処理をほどこしたものでも良い。必要に応じて４２
図に示すように感光ｌｄ ２と基本１との間にブロッキ
ング＋４４ 、あるいは表面１−との間にバッファｊ彊
５のような機ｑ目分離１−を設けることも有効である。
ブロッキング１−４の目的は、導ｔａＳ体１からの′１
！荷の注入を阻止することである。材料的にはＡｌ２Ｏ
３、ＡＩＮ 、 ＳｉＯ、ＳｉＯ２，ａ −５ｉｔ−ｒ
Ｃｒ（Ｆ、Ｈ） 。
！荷の注入を阻止することである。材料的にはＡｌ２Ｏ
３、ＡＩＮ 、 ＳｉＯ、ＳｉＯ２，ａ −５ｉｔ−ｒ
Ｃｒ（Ｆ、Ｈ） 。
ａ−８ｉＮｚ（Ｈ） 、 ａ−Ｃ（Ｈ） 、 ａ−Ｃ（
Ｆ） 、周期律表■族、■族の元素をドープしたａ−Ｃ
（Ｈ） 、 ａ−Ｃ（Ｆ） 、 ａ −５ｉ（Ｈ）など
を使用できる。バッファ層５の目的は、光導ｃｔｆ２と
表面屠体との材料的異１６質性を緩和することで、材料
的にはａ−８ｉｒ−ｘｃｘ（Ｈ） 、 ａ −Ｓｉｌ
−ｘ Ｃｘ（Ｆ、Ｈ）、 ａ −５ｉＮｚ （Ｈ） 、
ａ −５ｉＯｘ（Ｈ） 、 ａ −５ｉＯｘ（Ｆ、Ｈ
）などを使用できる。
Ｆ） 、周期律表■族、■族の元素をドープしたａ−Ｃ
（Ｈ） 、 ａ−Ｃ（Ｆ） 、 ａ −５ｉ（Ｈ）など
を使用できる。バッファ層５の目的は、光導ｃｔｆ２と
表面屠体との材料的異１６質性を緩和することで、材料
的にはａ−８ｉｒ−ｘｃｘ（Ｈ） 、 ａ −Ｓｉｌ
−ｘ Ｃｘ（Ｆ、Ｈ）、 ａ −５ｉＮｚ （Ｈ） 、
ａ −５ｉＯｘ（Ｈ） 、 ａ −５ｉＯｘ（Ｆ、Ｈ
）などを使用できる。
第３図はアモルファス膜の生成装置を示し、真空４’ｉ
ｌｌの内部に基体１の保持部１２とそれに対向する一Ｆ
ｔｌｉ１３が配置され、保持部１２．電極１３にはそれ
ぞれヒータ１４ 、１５が備えられている。導電性基体
１を保持部１２に固定し、真空槽１１内の圧力を１０°
’Ｔｏ ｒ ｒになるように排気ポンプ１６により排気
パルプ１７を介して排気する。基体１および電極１３の
ｉｆｆを所定温度になるようにヒータ１４およびヒータ
１５により加熱する。保持部１２と導電性基体１は周方
向の膜均一性を出すために回転する。
ｌｌの内部に基体１の保持部１２とそれに対向する一Ｆ
ｔｌｉ１３が配置され、保持部１２．電極１３にはそれ
ぞれヒータ１４ 、１５が備えられている。導電性基体
１を保持部１２に固定し、真空槽１１内の圧力を１０°
’Ｔｏ ｒ ｒになるように排気ポンプ１６により排気
パルプ１７を介して排気する。基体１および電極１３の
ｉｆｆを所定温度になるようにヒータ１４およびヒータ
１５により加熱する。保持部１２と導電性基体１は周方
向の膜均一性を出すために回転する。
次に原料ガスの圧力容器２１〜２５の中から成膜に必要
なガス圧力容器、例えば２１のパルプ１８を開け、流量
凋節計１９を通し、ストップパルプ２０を開けて、真空
槽１１の中′に所要のガスを供給する。他のガスについ
ても同様である。次に、槽内圧力を所定の圧力、例えば
ｏ、ｏｏｉ〜５ＴｏｒｒＫ調整後、高周波（ＲＦ）電源
３１から高周波（１３，５６ＭＥ（ｚ）ｉ力を絶縁材３
２を通して対向電極１３に供給し、１３と基本１との間
にグロー放電を発生させて成膜を行う。
なガス圧力容器、例えば２１のパルプ１８を開け、流量
凋節計１９を通し、ストップパルプ２０を開けて、真空
槽１１の中′に所要のガスを供給する。他のガスについ
ても同様である。次に、槽内圧力を所定の圧力、例えば
ｏ、ｏｏｉ〜５ＴｏｒｒＫ調整後、高周波（ＲＦ）電源
３１から高周波（１３，５６ＭＥ（ｚ）ｉ力を絶縁材３
２を通して対向電極１３に供給し、１３と基本１との間
にグロー放電を発生させて成膜を行う。
はう素を含むａ−Ｃ（Ｈ）表面層の作製のためには圧力
容器より、例えばＣ２Ｈ４とＢ２Ｈ６を供給し、基体温
度は０〜２００℃好適には５０〜１５０℃が１ましく、
単位ガス１当たりのガスの分解に要するエネルギーは３
００Ｊ ／ ｃｃ〜２００００ Ｊ ／ ｃｃが望まし
く、ガス圧０．００１〜０．５ Ｔｏｒｒが望ましい。
容器より、例えばＣ２Ｈ４とＢ２Ｈ６を供給し、基体温
度は０〜２００℃好適には５０〜１５０℃が１ましく、
単位ガス１当たりのガスの分解に要するエネルギーは３
００Ｊ ／ ｃｃ〜２００００ Ｊ ／ ｃｃが望まし
く、ガス圧０．００１〜０．５ Ｔｏｒｒが望ましい。
成膜時には。
外部からバイアスを圧を加えることも膜質の制御−ヒ有
効である。またＲＦ枚框の場合は自然にバイアスが発生
してくる。これを通常は自己バイアスと呼んでいるが、
このようなバイアス電圧は＋１００〜５００ｖ、−１０
０〜−１５００Ｖカ適シテイルう実砲例１ トリクロルエチレンで脱１旨洗争したＡ１の円筒基本１
を真空ｖ１１１の保持部１２に固定し、原料ガスとして
ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ６を供給し次の条件で事さ０．２μｍ
のプロツキングパ１４を形成した。
効である。またＲＦ枚框の場合は自然にバイアスが発生
してくる。これを通常は自己バイアスと呼んでいるが、
このようなバイアス電圧は＋１００〜５００ｖ、−１０
０〜−１５００Ｖカ適シテイルう実砲例１ トリクロルエチレンで脱１旨洗争したＡ１の円筒基本１
を真空ｖ１１１の保持部１２に固定し、原料ガスとして
ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ６を供給し次の条件で事さ０．２μｍ
のプロツキングパ１４を形成した。
５ｉＨ４（１００顎流量 ２５００Ｃ／分Ｂ２Ｈ６（
５０００ｐｐＭ、Ｈｚペース）流に ２０ｃｃ ７分
ガス圧 Ｑ、５ Ｔｏｒｒ ＲＦｉ力 ５０Ｗ 基体＠度 ２００℃ 成膜時間 １０分 さらにこのヒに、東料ガスとしてＳｉＨ４，Ｂ２Ｈ６ｆ
用いて次の条件で感光１．１２をＨ＋％さ２５μｍ形成
したっＳ １Ｈ４（１００％）流量２００ｃＯ／分Ｂ２
Ｈ６（２０ｐｐＭ、Ｈ２ベース）流量 ＩＱｃｃ／分
ガス圧 １．２ Ｔｏｒｒ ＲＦ電力 ３００Ｗ 基体温度 ２００℃ 成膜時間 ３時間 さらにこの上に、原料ガスとしてＳｉＨ４，ＣＨ４。
５０００ｐｐＭ、Ｈｚペース）流に ２０ｃｃ ７分
ガス圧 Ｑ、５ Ｔｏｒｒ ＲＦｉ力 ５０Ｗ 基体＠度 ２００℃ 成膜時間 １０分 さらにこのヒに、東料ガスとしてＳｉＨ４，Ｂ２Ｈ６ｆ
用いて次の条件で感光１．１２をＨ＋％さ２５μｍ形成
したっＳ １Ｈ４（１００％）流量２００ｃＯ／分Ｂ２
Ｈ６（２０ｐｐＭ、Ｈ２ベース）流量 ＩＱｃｃ／分
ガス圧 １．２ Ｔｏｒｒ ＲＦ電力 ３００Ｗ 基体温度 ２００℃ 成膜時間 ３時間 さらにこの上に、原料ガスとしてＳｉＨ４，ＣＨ４。
Ｂ２Ｈ６を用いてバッファ１＃５を厚さ０．１μｍ形成
した。
した。
５ｉＨ４（１００イ）流量 １ＯＯＣＣＺ分ＣＨ４（１
００％）流量 ８０ＣＣＺ分Ｂ ２Ｈ６（２０００ｐ
ｐＭ、 Ｈ２ベース）流量 １５ｃｃ／分ガス圧
１．ＱＴｏｒｒ ＲＦイカ ２００Ｗ 基体温度 ２００℃ 成膜時間 ２分 最後にこの上に、次の条件でａ −Ｃ（Ｈ）表面１＃３
を厚さ帆２μｍ形成した。
００％）流量 ８０ＣＣＺ分Ｂ ２Ｈ６（２０００ｐ
ｐＭ、 Ｈ２ベース）流量 １５ｃｃ／分ガス圧
１．ＱＴｏｒｒ ＲＦイカ ２００Ｗ 基体温度 ２００℃ 成膜時間 ２分 最後にこの上に、次の条件でａ −Ｃ（Ｈ）表面１＃３
を厚さ帆２μｍ形成した。
ＣＨ４（１００％）流’ｔ １０ｃｃ／分Ｂ２Ｈ６
（Ｈ２ヘース０．１％）流ｔ１ｃｃＺ分ガス圧
０．０８ Ｔｏｒｒ ＲＦ を力 ４００Ｗ 基体温度 ９０〜１１０℃ 成膜時間 １５分 基体温度はいずれも赤外線１度、升と熟慮対により測定
した。表面層３のエネルギーギャップは２．７ｅＶ、
［の密度は１．３ｇ ／ ｃｍ 、屈折率は１．９でヌ
ープ硬度ば２０００ＫＬ１ｆ ／−で１ちった。また熱
放出から測定した水素導度は３５原子％、ＩＭＡで測定
したほう素＃度は０．０３原子琴であった。
（Ｈ２ヘース０．１％）流ｔ１ｃｃＺ分ガス圧
０．０８ Ｔｏｒｒ ＲＦ を力 ４００Ｗ 基体温度 ９０〜１１０℃ 成膜時間 １５分 基体温度はいずれも赤外線１度、升と熟慮対により測定
した。表面層３のエネルギーギャップは２．７ｅＶ、
［の密度は１．３ｇ ／ ｃｍ 、屈折率は１．９でヌ
ープ硬度ば２０００ＫＬ１ｆ ／−で１ちった。また熱
放出から測定した水素導度は３５原子％、ＩＭＡで測定
したほう素＃度は０．０３原子琴であった。
上記実施例１の感光、体をカールソン方式の普通紙複写
機に装着し、５万枚のコピーを実施したが、極めて鮮明
な画１象が得られたつまた、５万枚コピー実施後のコピ
ーテストにおいて、温度３５℃、相対湿度８５Ｘの雰囲
気におけるコピーにおいても画像は鮮明であった。比較
のため上の実施例１とくらべて表面層３だけ設けない感
光体を炸裂し、同様に５万枚コピー実施後、雰囲気を変
えてコピーテストを行ったが、ｔハ度３５℃、相対湿度
６０％の雰囲気ですでに画像分解能が低下し、画１象ぼ
けが生じた。従ってこの表面層３を形成することにより
耐湿性が向上したことがわかる。このような耐湿性の向
上は、バッファ；＃５を形成しないで感光層２の上に直
接ａ−Ｃ（Ｈ）表面層３を形成した感光体と感光ノー２
の上に他の層を形成しない感光体とを比較した場合にも
見られた。
機に装着し、５万枚のコピーを実施したが、極めて鮮明
な画１象が得られたつまた、５万枚コピー実施後のコピ
ーテストにおいて、温度３５℃、相対湿度８５Ｘの雰囲
気におけるコピーにおいても画像は鮮明であった。比較
のため上の実施例１とくらべて表面層３だけ設けない感
光体を炸裂し、同様に５万枚コピー実施後、雰囲気を変
えてコピーテストを行ったが、ｔハ度３５℃、相対湿度
６０％の雰囲気ですでに画像分解能が低下し、画１象ぼ
けが生じた。従ってこの表面層３を形成することにより
耐湿性が向上したことがわかる。このような耐湿性の向
上は、バッファ；＃５を形成しないで感光層２の上に直
接ａ−Ｃ（Ｈ）表面層３を形成した感光体と感光ノー２
の上に他の層を形成しない感光体とを比較した場合にも
見られた。
実施列２
実施例１と同様な手順、同じ条件でバッファ１優５まで
を形成し、最後の表面ｆ−３の成膜に際して、表面ｊＩ
ｌ中に含まれる。・よう素潰変を第１表に示すように８
段階に変えた感光体を作製し、その特性を調べた。・感
光体を周速１５０ ｍ ／ ｓｅｃで回転させながら暗
所でコロナ電圧６ｋＶ 、コロナ電流１４０μＡで感光
体表面を帯べしたときのα位を測定して帯電位とし、こ
の帯べした感光体表面を所定の光量の光で４光した後の
α位を測定して残留電位とした。その測定結果を表面−
はう素慶変に対応させて第１表に示す。
を形成し、最後の表面ｆ−３の成膜に際して、表面ｊＩ
ｌ中に含まれる。・よう素潰変を第１表に示すように８
段階に変えた感光体を作製し、その特性を調べた。・感
光体を周速１５０ ｍ ／ ｓｅｃで回転させながら暗
所でコロナ電圧６ｋＶ 、コロナ電流１４０μＡで感光
体表面を帯べしたときのα位を測定して帯電位とし、こ
の帯べした感光体表面を所定の光量の光で４光した後の
α位を測定して残留電位とした。その測定結果を表面−
はう素慶変に対応させて第１表に示す。
第１表
表面−中のほう素濃度の増加につれてノ曳留Ｉ埋位は或
少しほう水添加の効采は明らかである。残留′α位が大
きいと纜写゛面１象上白砥部にトナーが付着して汚れが
発生するが、はう素を０．０１原子％桿変添加すると残
留４位は２０Ｖ程度となり実用上問題のないレベルとな
る。
少しほう水添加の効采は明らかである。残留′α位が大
きいと纜写゛面１象上白砥部にトナーが付着して汚れが
発生するが、はう素を０．０１原子％桿変添加すると残
留４位は２０Ｖ程度となり実用上問題のないレベルとな
る。
反面、はう属ｉ食度と共に帯（位・：ハ徐々に低下する
が、特にほう素潰ｒｆ、３原子％と多くなると帯電位は
１瑞に低くなる。帯電位と残留電位の箒であるコントラ
スト電位がこのように４００Ｖ以下と低くなると復写・
面像の、舞変が低下して実用上間壜となる。
が、特にほう素潰ｒｆ、３原子％と多くなると帯電位は
１瑞に低くなる。帯電位と残留電位の箒であるコントラ
スト電位がこのように４００Ｖ以下と低くなると復写・
面像の、舞変が低下して実用上間壜となる。
画１４１１：が充分高く、かつ白紙部に汚れの見らルな
い良好な複写１而咬を得るためには饅面層中のほう素・
精度が０．０１〜１．０原子％の範囲が望ましいことが
判る。
い良好な複写１而咬を得るためには饅面層中のほう素・
精度が０．０１〜１．０原子％の範囲が望ましいことが
判る。
本発明によれば、ａ−８ｉ系感光層を有する電子写真感
光体の表面をさらにほう素を含むａ−Ｃ（Ｈ）膜で被覆
する。このような表面、Ｉ−を形成することにより、ａ
−８ｉ系光導電性材料の優れた特性を損なうことなく感
光体の化学的安定性、耐湿性、＃刷性を大幅に向上させ
ることができ、長期保存および操り返し使用に際しても
劣化現象を起こさず、高湿雰囲気中においても画像不良
などの特性の低下がほとんど見られない、感光体として
の特性が常時安定していてほとんど使用環境に制約を受
けない、耐久性、耐刷性、叶湿性に優れ、かつ、残留電
位の低いａ−Ｓｔ系電子写真感光体を得ることが可能と
なる。
光体の表面をさらにほう素を含むａ−Ｃ（Ｈ）膜で被覆
する。このような表面、Ｉ−を形成することにより、ａ
−８ｉ系光導電性材料の優れた特性を損なうことなく感
光体の化学的安定性、耐湿性、＃刷性を大幅に向上させ
ることができ、長期保存および操り返し使用に際しても
劣化現象を起こさず、高湿雰囲気中においても画像不良
などの特性の低下がほとんど見られない、感光体として
の特性が常時安定していてほとんど使用環境に制約を受
けない、耐久性、耐刷性、叶湿性に優れ、かつ、残留電
位の低いａ−Ｓｔ系電子写真感光体を得ることが可能と
なる。
第１図は本発明の一実施例の層構成を示す断面図、第２
図は別の実施例の１構成を示す断面図、第３図は本発明
の実施に用いる製造装置の一例の構成図である。 ｌ・・・導電性壱本、２・・・ａ−３ｔ系感毘Ｉ＃、３
・・・ａ−Ｃ（Ｈ）表面ｊ−１４・・・ブロッキング層
、５・・・バッファ層。 第１図 第２図 第３図
図は別の実施例の１構成を示す断面図、第３図は本発明
の実施に用いる製造装置の一例の構成図である。 ｌ・・・導電性壱本、２・・・ａ−３ｔ系感毘Ｉ＃、３
・・・ａ−Ｃ（Ｈ）表面ｊ−１４・・・ブロッキング層
、５・・・バッファ層。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）導電性基体上にアモルファスシリコン系材料からな
る感光層を有し、さらに表面層によって被覆された電子
写真感光体において、前記表面層がほう素を含む水素化
アモルファス炭素からなることを特徴とする電子写真感
光体。 ２）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、表面
層のほう素濃度が０．０１原子％以上１原子％以下であ
ることを特徴とする電子写真感光体。 ３）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、表面
層の水素濃度が４０原子％以下であることを特徴とする
電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25403985A JPS62113154A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25403985A JPS62113154A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113154A true JPS62113154A (ja) | 1987-05-25 |
Family
ID=17259387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25403985A Pending JPS62113154A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62113154A (ja) |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP25403985A patent/JPS62113154A/ja active Pending
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