JPS61222045A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 艮亙分立 本発明は、記録層として垂直磁化膜を有する光磁気記録
媒体に関する。

丈米ム流嵐 近年、光の熱効果を利用して磁性薄膜に磁区を書込んで
情報を記録し、磁気光学効果を利用して情報を読み出す
ようにした光磁気記録媒体が注目されている。

従来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土
類金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが知られ
ている。このような非晶質合金磁性体を用いた光磁気記
録媒体は、一般にガラス板のような基板上に磁性体、例
えばＴｂ−Ｆｅ合金を真空蒸着、スパッタリング等の方
法で厚さ０．１〜１μｍ程度に付着させて磁性体を形成
することにより作製されている。しかしながら、非晶質
合金磁性体、特に希土類金属成分は酸化腐食を受は易い
ので、経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するとい
う大きな欠点があり、記録時の光および熱によりさらに
この酸化腐食が促進されてしまう。また、非結晶質磁性
体は熱によって結晶化され易く、そのために磁気特性の
劣化を来たし易いという欠点も有する。　さらに、非晶
質金貨磁性体からなる磁性膜はレーザーの発信波長領域
での透過率が低いため、磁性膜表面での反射による磁気
光学効果、即ちカー効果により記録情報を読み出してい
るが、カー回転角は一般に小さいため再生感度が低いと
いう問題もあった。

本発明者は、先にヘキサゴナルマグネトプラムバイト磁
性体が金属酸化物で経時安定性に優れ、レーザー光波長
領域で透光性を有することからファラデー効果を利用し
うろことに着目し、以下の一般式（Ａ）または（Ｂ）で
示される磁性体からなる磁性層を設け、さらにその上に
透明誘電体層および反射層を順次設けたものを提案した
（特開昭５９−４５６４４号公報）。

Ｍ　ｅ　ＭｘＭｙ　Ｆ　ｅ　１＊−ｐ○、、　　　　　
　　（Ａ）（式中、ＭｅはＢａ、Ｐｂ、ＳｒおよびＳｃ
からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であり、
そしてＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｎ＊Ａｌｌ、Ｓｎ、Ｃ
ｕ、ＣｒおよびＭｇからなる群から選ばれた少なくとも
１種の元素であり、但し、ｐ＝ｘ＋ｙ　（ｙ＝ｏであっ
てもよい）、１．２≦ｐ≦２） ００Ｍ２Ｆｅ２−２０４　　　　　　　　　　（Ｂ）（
式中、Ｍは上述したとおりであり、但し０．７５≦２≦
１．３） この公報には、バリウムフェライトのＦ　ｅ３　＋原子
の一部をＣＯおよびＴｉで置換したＢ　ａ　ＣＯＸＴ　
Ｉ　Ｘ　Ｆ　ｅ　ｉｚ−＊ｘＯｔｓ磁性体が示されてお
り、Ｃｏで置換することによりファラデー回転角（θＦ
）が増大し、Ｔｉで置換することによりキューリ一温度
（Ｔｃ）を低下させうろことが示されている。しかしな
がら、この磁性体は、光磁気記録媒体用の磁性体として
、必ずしも満足のいくものでなかった。

光磁気記録媒体の磁性膜としては、■再生出力を大きく
するためにθ、を大きくすること、■記録感度を高める
ためにＴｃを下げること。

■高密度記録するために垂直磁気異方性（Ｋｕ）が大き
いこと、■記録された磁化が安定であるために保磁力（
Ｈｅ）が大きいこと、などが要求される。上記の特開昭
５９−４５６４４号公報に示された磁性体は、保磁力が
小さく、光磁気記録媒体が必要な基本特性であるメモリ
ー安定性の点で不充分であった。

見尻夏且孜 本発明は、記録感度および再生感度が大きく、しかもメ
モリー安定性に優れた光磁気記録媒体を提供することを
目的とする。

見匪至盪處 本発明の光磁気記録媒体は、以下の一般式（Ｉ）または
（ＩＩ）で表わされるヘキサゴナルマグネトプラムバイ
トからなる垂直磁化膜を有することを特徴とする。

Ｍ　８０　’　ｎ　［ＣｏｘＭａｙＦｅｔ　（”−ｘ　
＋　！ｙ）　ＯＪ　　　　（Ｉ　）（式中、ＭｅＨＭａ
＋　Ｘｍ　’／ｌ　ｍ＋　ｎはそれぞれ以下の通りであ
る。

Ｍｅ：Ｂａ＋　Ｓｒ、Ｐｂから選ばれる１種または２種
以上の金属 Ｍａ：４価のＲｈ、Ｃｅ、Ｗ、および６価のＭ。

から選ばれる１種または２種以上の金属Ｘ：Ｏ＜Ｘ≦０
．５ ｙ：Ｏ＜ｙ≦０．５ 但し、Ｏ＜ｘ＋ｙ≦１．０ ｍ：Ｍａが４価のＲｈ、Ｗ、Ｃｅのときは４、Ｍａが６
価のＭｏのときは６ ｎ：５≦ｎ≦６） Ｍ　ｅ　Ｏ”　　ｎ　（ＣＯｘＭａｙＭｂｚＦｅａ−（
迅　＋　　”！ｙ　　＋ｚ）Ｏａ）　　　（、ＩＩ）（
式中、Ｍａ、Ｍａ、Ｍｂ、ｘ、ｙ、ｚ、ｍ、ｎはそれぞ
れ以下の通りである。

Ｍｅ：Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂから選ばれる１種または２種以
上の金属 Ｍａ：４価のＲｈ、Ｃｅ、Ｗ、および６価のＭ。

から選ばれる１種または２種以上の金属Ｍｂ　：Ｇａ、
Ａｎ、Ｃｒ、Ｒｈから選ばれる１種または２種以上の３
価の金属 Ｘ：Ｏ＜Ｘ≦０．５ ｙ：ｏ＜ｙ≦０．５ ２：０＜２≦０．５ 但し、０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦１．０ ｍ：Ｍａが４価のＲｈ　、　Ｗ、　Ｃｅのときは４゜Ｍ
ａが６価のＭｏのときは６ ｎ：５≦ｎ≦６） 以下、本発明についてさらに詳細に説明する。

一般式（Ｃ） Ｍ　ｅ　Ｏ−ｎ　（Ｆ　ｅ、ｏ、）　　　　　　　　　
（Ｃ）（式中、Ｍｅおよびｎは前記の通り） で表わされるヘキサゴナルマグネットプランバイトのＦ
ｅ３＋金属原子の１部をＧｏ”＋金属原子で置換すると
θＦが増大する。３価の原子を２価の原子で置換したの
でイオン価数が不足するので等価とするために４価以上
の一部を置換する必要がある。しかしながら、Ｔｉ４＋
金属原子で置換すると、Ｔｃは下がるものの、Ｈｃおよ
びＫｕが著しく低下してしまう。このことはＳｎ”、Ｇ
ｅ’＋等についても言える。

第１図は、バリウムフェライトのＦ　Ｏ３＋原子の一部
をそれぞれの金属原子で置換し、磁性体Ｂ　ａ　ＭｘＦ
　ｅｃ１＊　−！”ｘ）Ｏｔｓについての、置換数又と
保磁力Ｈａとの関係を示すグラフである。ここで１Ｍは
グラフ中に示したＲｈ’＋等の金属であり、ｍはその価
数である。

また、第２図は、置換数Ｘとキューリ一温度Ｔｃとの同
様の関係を示す同様のグラフである。

これらは、後記の実施例と同様にして各組成の磁性体の
ターゲットを作成し、スパッタリングにより基板上に３
０００人の磁性体層を形成して測定したものである。

第１図および第２図から判るように、Ｔ　ｉ”。

Ｓ　ｎ”、　Ｉ　ｎ”、　Ｓ　ｃ３＋はキュリ一温度を
低げるものの、著しく保磁力を低下させてしまう。

これに対し、Ｒｈ”ｙ　Ｃｅ”Ｉ　Ｗ”ｇ　Ｍ　ｏ＠＋
でＦｅ’＋を置換した磁性体は、キュリ一温度を低下さ
せるばかりか保磁力を高くすることもできる。本発明の
磁性体では、Ｍｅ○・（Ｆ　ｅ　Ｏ３）のＦｅ’＋金属
原子の一部が、Ｃｏ”（２価のコバルト）と、Ｒｈ”（
４価のロジウム）、Ｃｅ”（４価のセシウム）、Ｗ４＋
（４価のタングステン）　、Ｍｏ”　（６価のモリブデ
ン）の少なくとも１種とを組合せて置き換えられている
ので、キューリ一温度の低下と大きな保磁力の双方が実
現できる。また、Ｃｒ”、　Ａ　Ｉ　”。

Ｇ　ａ”、　Ｒｈ”″はキュリ一温度の低下と保磁力の
向上の双方の効果、とりわけ保磁力を大きくすることが
できるので、Ｆｅ’＋の一部をＣｒ”（３価のクロム）
　、Ａｌ”　（３価のアルミニウム）、Ｇａ”　（３価
のガリウム）、Ｒｈ”　（３価のロジウム）の少なくと
も１種で置換することにより、いっそう大きなメモリー
安定性が得られる。

前記一般式（Ｉ）および（ＩＩ）でＸおよびｙの値が０
．５を越えると保磁力および飽和磁化（Ｍｓ）が減少し
、メモリ安定性および男性特性が低下する。Ｘおよびｙ
のより好ましい範囲はＯ＜　ｘ≦０．３．　Ｏ＜ｙ≦０
．３である。また、一般式（ＩＩ）で２の値が０．５を
越えると飽和磁化が減少し、再生性能が低下する。２の
より好ましい範囲はＯ＜　ｚｓ０．３である。また、一
般式（Ｉ）でｘ＋ｙの値が、あるいは一般式（ｎ）でｘ
＋ｙ＋２の値が１．０を越えるとＭｓが減少し再生性能
が低下する。これらのより好ましい範囲は。

０　＜　ｘ　＋　ｙ≦０．７．Ｏ＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦０．７
である。

本発明の一般式（Ｉ）または（Ｉｆ）で表わされるヘキ
サゴナルマグネトプラムバイトは、磁気光学性能θ１が
大きく、キューリ一温度が低く。

かつ、保磁力Ｈａが大きいという特性を有し、この結果
、この磁性体からなる垂直磁化膜を用いた光磁気記録媒
体は、大きな再生出力、高い記録感度、優れたメモリー
安定性を有する。

本発明の磁性体の具体例を挙げれば次の第１表通りであ
る。

（以下余白） 匿−よ−表 Ｉ　　　　Ｂａ０・６．０（Ｇｏ、、、Ｒｈ”。２Ｆ　
ｅ　１．．０３〕２　　　　Ｓｒｏ　・６．０　［Ｇｏ
。、４Ｒｈ”、４Ｆｅ□、、０３）３　　　　Ｐｂ０・
５．５［Ｇｏ、、２Ｃｅ、、２Ｆｅ、、、０３）４　　
　　Ｂ　ａ　ｏ　・ｓ、ｏ　（ＣＯｌｌ、２４ＷＯｊ４
　Ｆｅ　Ｌｓｚｏａ）５　　　　ＢａＯ”６．０（Ｃｏ
ｏ、、Ｒｈ”ｏ、１ＡＩＩＬ、ＦｅＬ、０３）６　　　
　Ｂａ０・６．０（Ｇｏ、、、Ｒｈ　　、９．”　　Ｇ
ａ、０．Ｆｅ、、、Ｏ，）７　　　　Ｂａ０・６．０［
ＧｏｏｌＲｈ”、、Ｃｒ、、、ＦｅＬ７０．〕８　　　
　Ｂ　ａ　０　・６．０　（Ｃｏｏ、ｓ４Ｍｏ”ｏ、ｚ
ｓ　Ｆ　ｅＬｚｓｏａ）９　　　　Ｂａ０・６．０（Ｃ
ｏ、、、Ｍｏ０．、Ｒｈ”Ｉｌ、１ＦｅＬ、０ａ）１０
　　　’Ｂａ０・６．０（ＣｏｒＬｌＣｅＩＬ、Ｇａｃ
、、、Ｆｅ１．、Ｏ，）１１　　　　Ｂａ０・６．０（
Ｇｏ、、、Ｗ、、１Ｃｒ、、ＦｅＬ、Ｏ，）１２　　　
　ＳｒＯ”６．０［ＣｏａｚＷｏ、１Ｒｈ”ａ、ｚＦｅ
ｔ、６０３］１３　　　　ＰｂＯ・６．０［Ｇｏ、、ａ
Ｍｏｏ、１ＧａｌＬ１Ｆｅ１．．０３）１４　　　　Ｓ
ｒ０・６．０（Ｃｏ、、、Ｒｈ　４＋。、２Ｃｒ、、Ｆ
ｅｌ、、０３）本発明の金属酸化物磁性体を作るには、
たとえば、それぞれ所定量のＢａＣ０，，５ｒＣＯ，。

ＣａＣ０，、ＰｂＣ０，またはｐｂｏとＦ　ｅ　２０ａ
　ｔＣｏｏおよび前記ＭａあるいはさらにＭｂの酸化物
とを混合粉砕し、これを適当な形状の金型に入れて成形
後、　１２００〜１４００℃の温度で焼結すればよい。

この磁性体を用いて垂直磁化膜を作るには、基板の種類
にもよるが、一般に基板上にこの磁性体を、基板温度４
００〜７００℃で真空蒸着、スパッタリング、イオンブ
レーティング等の方法で膜厚０．１〜１０μｍ程度に付
着させればよい。こうして得られた磁性膜は垂直配向さ
れている。また、５００℃未満の基板温度で磁性膜を形
成することもできるが、この場合に垂直配向させるため
には磁性膜形成後、５００〜８００℃の熱処理を、必要
により磁界を印加しながら行う。このように、本発明の
垂直磁化膜は、樹脂バインダを含む磁性層とは異なり、
磁性体のみが連続して薄層を形成するものである。この
垂直磁化膜は、ディスク面と垂直方向に強い結晶磁気異
方性を有した０、１μ■以下程度の微小多結晶から形成
されており、レーザー光に対する透光性が大きい。

次に本発明の光磁気記録媒体の構成例について説明する
。光磁気記録媒体は、最も単純には適当な基板と、この
上に設けられた垂直磁化膜が形成されるが、反射光゛を
利用するための反射膜、レーザー光の案内のためのガイ
ドトラック、垂直磁化膜の配向性を改善するための下地
膜等を適宜設けることが好ましい。好ましい光磁気記録
媒体としては、垂直磁化膜、反射膜、ガイドトラックお
よび下地膜を有するものが挙げられる。

第３図は、このような光磁気記録媒体の構成例を示す実
施例であり、ガイドトラックが形成された基板１１上に
、下地膜１３、垂直磁化膜１５、反射膜１７および保護
膜１９が順次積層されている。

情報の書込み、再生は図中に矢印で示したように基板１
１側からレーザービームを照射して行い、反射光を利用
して再生することができる。

支持体１１としては、結晶化ガラス、ソーダガラス、バ
イコールガラス、パイレックスガラス、アルミノケイ酸
ガラス、石英ガラス、ガラス材でグレーズしたアルミナ
、酸化ジルコン、サフアイア、ガドリウム、ガリウム、
ガーネット、リチウムタンタレート、酸化マグネシウム
などの単結晶材、などの透明な耐熱性基板が用いられる
。

下地膜１３は、ヘキサゴナルマグネトプラムバイトから
なる垂直磁化膜を形成する際に、エピタキシャル効果に
より磁性体のＣ軸が基板面に対して垂直に配向されるよ
うに働くものであり。

ＺｎＯ，Ｍｎ−Ｚｎフェライト、ＡＩＮ。

Ａ１２０１．　Ｆ　ｅ、０４．　Ｂ　ａ　Ｆ　ｅ、０４
．　ＭｇＯなどの結晶膜から形成される。下地膜の膜厚
は５００〜５ｏｏｏ人程度が適当であり、スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法、蒸着法、ＣＶＤ法、光
ＣＶＤ法などにより形成される。

反射膜１７は、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｎ、Ａｕ、ＰｔｙＣｒ、
Ｒｈ、Ｎｉなどを真空蒸着、スパッタリング、イオンブ
レーティングなどにより膜厚２００〜３０００人程度の
薄膜を形成することにより得られる。

保護膜１９は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などのプラ
スチック、シリコンアルキレート、Ｓ　ｉ　Ｏ，などの
無機材料により形成される。

ガイドトラック付き基板は、たとえば、基板を選択的に
エツチングすることにより作成される。第７図（ａ）に
示されるように基板ｌｌ上にホトレジスト３１をスピン
コードにより塗布する。

ついで、グループ状パターンを有するマスクを３３を密
着して、紫外光による全面密着露光を施した（同（ｂ）
）のち、エツチングしてホトレジストパターンを作成す
る（同（Ｃ））。ついで、基板をエツチングしてグルー
プ状ガイド溝３５を形成しく同（ｄ））、最後にホトレ
ジスト３１を除去して、ガイドトラック付き基板１１を
得る（同（６））。

また、基板上にガイドトラックを形成するためのガイド
トラック形成層を形成し、これを利用して作成してもよ
い。第８図は、予め膜厚一様なガイドトラック形成層を
作成したのち、これを選択的にエツチングする方法を示
している。

まず、ガイドトラック形成層３７を設けた基板１１上に
、ホトレジスト３１を塗布しく第８図（ａ））、第７図
の（ｂ）、（Ｑ）と同様にしてホトレジストパターンを
作成する（第８図（ｂ）、（Ｑ））、ついで、ガイドト
ラック形成層３７を選択的にエツチングしてグループ状
がガイド溝３５を形成しく同（ｄ））、最後にホトレジ
スト３１を除去してガイドトラック付き基板を得る（同
（ｅ））。ガイドトラック形成層は、Ｃｒ　、　Ｎ　ｉ
　、　Ｃｕなどの金属、５ＩＯＸＩ　Ｓ　ｘ　Ｎｘｇ　
Ａ　Ｉ　Ｎｔ　Ａ　１２０２１　Ｔ　ｘ　ＯｙｇＴａＮ
、ＴｉＮ、ＣｒＮなどの無機物などが用いられる。

第４図は光磁気記録媒体の他の構成例を示し、ガイドト
ラックを有する基板ｌｌ上に１反射膜１７、下地膜１３
、垂直磁化膜１５が順次形成されており、さらにその上
に透明保護板２１が設けられている。

この構成例ではレーザー光が透明保護板２１側から照射
されるので、基板１１としては不透明なものも使用可能
であり、既に説明した透明基板に加えて、シリコンなど
の単結晶材、ステンレス、アルミニウム、銅、ニッケル
、Ｎｉ−Ｃｒ。

Ｎ１−Ｐなどの金属、多結晶シリコンなどが用いられる
。なお１本発明において透明、不透明とは、記録の書込
みや読出しに使用される光ビームの透光性を基準とする
ものである。透明保護板２１としてはアクリル樹脂のよ
うな透明プラスチックから形成することができ、この構
成例では圧着溶融などの方法により直接に接合されてい
る。

第５図に示された光磁気記録媒体は、透明保護板２１′
　がスペーサ２３を介して接合されている以外は第４図
に示したものと同様である。

第６図に示された光磁気記録媒体は、透明な基板１１上
に、下地膜１３、垂直磁化膜１５が順次設けられており
、さらにその上にガイドトラック溝３５を介して反射膜
１７および保護層２５が設けられている。この光記録媒
体は、たとえば、支持体ｌｌ上に下地膜１３および垂直
磁化膜１５を順次形成したのち、垂直磁化膜１５上に２
Ｐ法にてガイドトラック溝３５を作成し、さらに反射膜
１７および保護層２５を形成することにより作成するこ
とができる。透明保護層２５はエポキシ樹脂などのプラ
スチックなどから形成することができる。

また、２Ｐ法などによりガイドトラック溝を形成した保
護層（プラスチック板等）上に反射膜を形成し、これと
垂直磁化膜を形成した基板とを接合することによっても
作成することができる。

本発明の光磁気記録媒体への記録、再生は従来と同じく
垂直磁化膜に変調または偏向されたレーザー光を照射し
て行うことができる。たとえば、垂直磁化膜に磁界の印
加下に選択的にレーザービームを照射し、照射部をキュ
ーリ一温度以上に加熱し保磁力を減少させて磁気反転さ
せ、記録ビットを形成して情報を記録する。この情報の
読み出しはレーザーの偏光を磁性膜に照射し、ファラデ
ー回転角の差を検出することにより行われる。

見匪夏涜困 本発明によれば、Ｆｅ原子の一部を２価のコバルトおよ
び４価のロジウム、セシウム、タングステンまたは６価
のモリブデンで置換したベキサゴナルマグネトプラムバ
イトからなる垂直磁化膜を用いることにより、高い保磁
力を維持して、光学磁気効果が大きく、キューリ一温度
を低下させることができ、記録、再生感度が向上すると
ともに、大きなメモリー安定性が得られる。さらに、Ｆ
ｅＪＪｉ子の一部を３価のＧａ。

ＡＱ、ＣｒまたはＲｈで置換することにより。

保磁力を適度に大きくし、メモリー安定性をいっそう向
上することができる。

実施例１ 前記第１表に示した組成となるように、ＭｅＣＯ，（Ｍ
ｅ＝Ｂａ、Ｐｂ、Ｓｒ）とＦ　ｅ、ｃｏ３．　Ｃｏ　Ｏ
およびＭａ、Ｍｂの酸化物をボールミルで４時間混合し
、１０００℃で３時間１次仮焼した。得られた仮焼物を
再び粉砕して混合し１１００℃で３時間２次仮焼した。

さらに、この仮焼物を再度粉砕して１３５０℃で５時間
本仮焼して、本発明のへキサゴナルマグネトプラムバイ
ト（第１表の磁性体＆１〜１６）を得た。なお、この本
仮焼に際しては、スパッタリングに供するために、金型
を用い円板状ターゲットとした。

これらののターゲットを各々用いて、予め反射層として
Ａｕを１０００人形成し、この上に２０００人のＺｎＯ
下地膜を形成したアルミノケイ酸ガラス基板上に、Ａｒ
分圧２　Ｘｌ０−”Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ、ｏ２分圧３　Ｘｌ
０−’Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ、基板温度５００〜７５０℃の条
件でスパッタリングして膜厚２００ｏ〜ｓｏｏ。

人の垂直磁化膜を形成しし、７８０ｎｍのレーザー光を
用いて磁気光学性能θＦ　（ｄｅｇ／μｌ１ｌ）、キュ
ーリ一温度Ｔｃ（’Ｃ）およびＶＳＭにて保磁力Ｈａ（
ＫＯｅ）を測定した。これらの結果を第２表に示す。

（以下余白） 第２表 ×１）比較例である ：１Ｋ２）　　Ｂ　ａ　０　・６　［：ｃ　ｏ、、２Ｔ
　１ｌ１２Ｆ　ｅ、、、Ｏ，］

【図面の簡単な説明】

第１図は各置換金属についての、置換数Ｘと保磁力Ｈｃ
との関係を示すグラフである。 第２図は各置換金属についての、置換数Ｘとキューリ一
温度Ｔｃとの関係を示すグラフである。 第３図、第４図、第５図および第６図は本発明の光磁気
記録媒体の構成例を示すグラフである。 第７図および第８図は、ガイドトラックの形成方法につ
いて説明する図である。 １１・・・基板　　　　　１３・・・下地膜工５・・・
垂直磁化膜　　１７・・・反射膜１９・・・保護膜　　
　　２１・・・透明保護板２５・・・保護層 ３５・・・ガイドトラック溝 消３図 第５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（Ｉ） ＭｅＯ・ｎ〔Ｃｏ＿ｘＭａ＿ｙＦｅ＿２−（２／３ｘ＋
   ｍ／３ｙ）Ｏ＿３〕（Ｉ）（式中、Ｍｅ、Ｍａ、ｘ、ｙ
   、ｍ、ｎはそれぞれ以下の通りである。 Ｍｅ：Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂから選ばれる１種または２種以
   上の金属 Ｍａ：４価のＲｈ、Ｃｅ、Ｗ、および６価のＭｏから選
   ばれる１種または２種以上の金属 ｘ：０＜ｘ≦０．５ ｙ：０＜ｙ≦０．５ 但し、０＜ｘ＋ｙ≦１．０ ｍ：Ｍａが４価のＲｈ、Ｗ、Ｃｅのときは４、Ｍａが６
   価のＭｏのときは６ ｎ：５≦ｎ≦６） で表わされるヘキサゴナルマグネトプラムバイト垂直磁
   化膜を有することを特徴とする光磁気記録媒体。 ２、一般式（II） ＭｅＯ・ｎ〔Ｃｏ＿ｘＭａ＿ｙＭｂ＿ｚＦｅ＿ｚ＿−（
   ２／３ｘ＋ｍ／３ｙ＋ｚ）Ｏ＿３〕（II）（式中、Ｍｅ
   、Ｍａ、Ｍｂ、ｘ、ｙ、ｚ、ｍ、ｎはそれぞれ以下の通
   りである。 Ｍｅ：Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂから選ばれる１種または２種以
   上の金属 Ｍａ：４価のＲｈ、Ｃｅ、Ｗ、および６価のＭｏから選
   ばれる１種または２種以上の金属 Ｍｂ：Ｇａ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｈから選ばれる１種または
   ２種以上の３価の金属 ｘ：０＜ｘ≦０．５ ｙ：０＜ｙ≦０．５ ｚ：０＜ｚ≦０．５ 但し、０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦１．０ ｍ：Ｍａが４価のＲｈ、Ｗ、Ｃｅのときは４、Ｍａが６
   価のＭｏのときは６ ｎ：５≦ｎ≦６） で表わされるヘキサゴナルマグネトプラムバイト垂直磁
   化膜を有することを特徴とする光磁気記録媒体。